JP2001060559A - 半導体ウェーハ熱処理用保持具および熱処理方法 - Google Patents

半導体ウェーハ熱処理用保持具および熱処理方法

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JP2001060559A JP23444999A JP23444999A JP2001060559A JP 2001060559 A JP2001060559 A JP 2001060559A JP 23444999 A JP23444999 A JP 23444999A JP 23444999 A JP23444999 A JP 23444999A JP 2001060559 A JP2001060559 A JP 2001060559A
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平 辛
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Abstract

(57)【要約】 【課題】熱処理時保持される半導体ウェーハにスリップ
が発生しない半導体ウェーハ熱処理用保持具および熱処
理方法を提供する。 【解決手段】本体３と、この本体３からリング形状に突
出した第１支持リング４と、この第１支持リング４の外
側に同心に形成されリング形状に突出した第２支持リン
グ５とを有し、この第２支持リング５と第１支持リング
４との２重リングにより半導体ウェーハＳｂを支持する
半導体ウェーハ熱処理用保持具。また、この半導体ウェ
ーハ熱処理用保持具を用いた半導体ウェーハ熱処理方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハ熱処
理用保持具に係わり、特に熱処理中に半導体ウェーハに
発生するスリップを防止するウェーハ熱処理用保持具に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、酸
化、拡散等多数の熱処理工程があり、この熱処理工程毎
に複数の半導体ウェーハを縦型ウェーハボートに保持
し、多数の半導体ウェーハが保持された縦型ウェーハボ
ートを縦型熱処理炉に収納し、加熱して熱処理を行って
いる。
【０００３】半導体ウェーハが保持される縦型ウェーハ
ボートは、半導体ウェーハを保持するための多数のスリ
ットを有する棒形状の支持部材を複数本、縦方向に平行
に立設した構造になっており、半導体ウェーハは半導体
ウェーハの外周部の数点を支持部材のスリットで支持さ
れた状態で、縦型熱処理炉で熱処理される。
【０００４】縦型ウェーハボートの支持部材のスリット
で支持された半導体ウェーハは、支持部から自重による
応力を受け、さらに熱処理時にはウェーハ面内の温度差
によって熱応力を受ける。
【０００５】これら重畳した応力が半導体ウェーハのシ
リコン結晶のせん断降伏応力値を越えると、半導体ウェ
ーハに結晶転位が生じ、結晶の塑性変形であるスリップ
となり、半導体ウェーハの品質を低下させる。
【０００６】なお、半導体ウェーハにスリップを発生さ
せるせん断降伏応力値は高温であるほど小さく、スリッ
プが発生しやすい。
【０００７】さらに近年、生産性を向上させるため超高
温下で熱処理が行われ、また、半導体デバイスの高集積
化に伴い半導体ウェーハ１枚あたりのデバイス収率を上
げるため、半導体ウェーハの大口径化が進んでおり、熱
処理温度の超高温化とウェーハ径の増大により、ウェー
ハボートの支持部から受ける応力が増大し、スリップ転
位が発生しやすくなり、深刻な問題となっている。
【０００８】そこで、この問題を解決する種々の試みが
なされている。
【０００９】本発明に関連する従来技術として、例え
ば、特開平５―１５２２２８号公報には、半導体ウェー
ハよりも大きな円板状のシリコン単結晶、石英もしくは
ＳｉＣからなる保持部材を、平行に立設された複数本の
棒形状支持支柱に設けられた支持部材の支持用溝により
支持させ、支持部材上に支持部材よりも小さい半導体ウ
ェーハを保持する方法が開示されている。ここに開示さ
れた方法は、支持部材を半導体ウェーハよりも大きく形
成することにより、熱処理工程において、半導体ウェー
ハが支持用溝に接触するのを防止して、半導体ウェーハ
の破損等を防止するものである。
【００１０】しかしながら、この発明では、例え円板状
の支持部材を用いたとしても、半導体ウェーハと支持部
材は面接触となり、半導体ウェーハに局部的な温度低下
が起こり、高温熱処理中にスリップが発生することがあ
った。
【００１１】また、特開平６―１５１３４７号公報に
は、半円弧状の支持部材により半導体ウェーハを支持
し、縦型炉での熱処理時半導体ウェーハにスリップが発
生するのを防止する縦型熱処理炉用ボートが開示されて
いるが、この縦型熱処理炉用ボートは、半円弧形状の支
持部材で支持しているため、面積、重量が大きい３００
φｍｍの大口径半導体ウェーハ用には適さない。
【００１２】さらに上述の半円弧形状の支持部材に変え
て半導体ウェーハ直径の約０．７倍の直径を有するリン
グ形状の支持部に半導体ウェーハを線接触で支持する構
造の縦型熱処理炉用ボートが提案されているが、このボ
ートは半導体ウェーハと支持部の変形により実質的には
３点ないし４点支持になってしまい、支持点に応力が集
中し、半導体ウェーハのスリップ問題を解決するに至っ
ていない。
【００１３】また、半導体ウェーハ直径の約０．７倍の
直径を有する円周上に３点支持用の支持部を設けた構造
の縦型熱処理炉用ボートが提案されているが、支持点に
応力が集中し、ウェーハのスリップ問題を解決するに至
っていない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、熱処理時保持
される半導体ウェーハにスリップが発生しない半導体ウ
ェーハ熱処理用保持具および熱処理方法が要望されてい
る。
【００１５】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、熱処理時保持される半導体ウェーハにスリップ
が発生しない半導体ウェーハ熱処理用保持具および熱処
理方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、本体と、この本体か
らリング形状に突出した第１支持リングと、この第１支
持リングの外側に同心的に形成されリング形状に突出し
た第２支持リングとを有し、この第２支持リングと第１
支持リングの２重リングにより半導体ウェーハを支持す
ることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用保持具であ
ることを要旨としている。
【００１７】本願請求項２の発明では、上記半導体ウェ
ーハ熱処理用保持具は、半導体ウェーハが半径Ｒ、ポア
ソン比νを有し、半径ｂ１を有する第１支持リングと、
半径ｂ２を有する第２支持リングとを有し、前記第１支
持リングの半径ｂ１は、前記第２支持リングの半径ｂ２
よりも小さく、かつ不等式
【数６】 但し、Ｂ１＝ｂ１／Ｒ、Ｂ２＝ｂ２／Ｒ、ν：半導体ウ
ェーハ材料のポアソン比を満足し、前記第１支持リング
と前記第２支持リングの支持面は同一平面にあり、この
支持面により半導体ウェーハを支持することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体ウェーハ熱処理用保持具であ
ることを要旨としている。
【００１８】本願請求項３の発明では、上記Ｂ１および
Ｂ２が
【数７】 であることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェー
ハ熱処理用保持具であることを要旨としている。
【００１９】本願請求項４の発明では、上記Ｂ１および
Ｂ２が
【数８】 であることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェー
ハ熱処理用保持具であることを要旨としている。
【００２０】本願請求項５の発明では、上記Ｂ１および
Ｂ２が
【数９】 であることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェー
ハ熱処理用保持具であることを要旨としている。
【００２１】本願請求項６の発明では、本体は円板形状
であり、第１支持リングと第２支持リングは本体と同心
的に設けられていることを特徴とする請求項１ないし５
のいずれか１項に記載の半導体ウェーハ熱処理用保持具
であることを要旨としている。
【００２２】本願請求項７の発明では、上記２重リング
の断面形状が三角形であることを特徴とする請求項１な
いし６のいずれか１項に記載の半導体ウェーハ熱処理用
保持具であることを要旨としている。
【００２３】本願請求項８の発明では、上記三角形の断
面は中空状であることを特徴とする請求項７に記載の半
導体ウェーハ熱処理用保持具であることを要旨としてい
る。
【００２４】本願請求項９の発明では、上記２重リング
の断面形状が矩形であることを特徴とする請求項１ない
し６のいずれか１項に記載の半導体ウェーハ熱処理用保
持具であることを要旨としている。
【００２５】本願請求項１０の発明では、上記矩形の断
面は中空であることを特徴とする請求項９に記載の半導
体ウェーハ熱処理用保持具であることを要旨としてい
る。
【００２６】本願請求項１１の発明は、本体からリング
形状に突出した第１支持リングと、この第１支持リング
の外側に同心的に形成されリング形状に突出した第２支
持リングとを有する半導体ウェーハ熱処理用保持具を用
意し、熱処理される半導体ウェーハを第１支持リングと
第２支持リングとの２重リングで支持した状態で半導体
ウェーハ熱処理用保持具に保持し、しかる後、半導体ウ
ェーハが保持された半導体ウェーハ熱処理用保持具を熱
処理装置に収納し、熱処理することを特徴とする半導体
ウェーハの熱処理方法であることを要旨としている。
【００２７】本願請求項１２の発明では、半導体ウェー
ハが半径Ｒ、ポアソン比νを有し、半径ｂ１を有する第
１支持リングと、半径ｂ２を有する第２支持リングとを
有し、前記第１支持リングの半径ｂ１は、前記第２支持
リングの半径ｂ２よりも小さく、かつ不等式
【数１０】 但し、Ｂ１＝ｂ１／Ｒ、Ｂ２＝ｂ２／Ｒ、ν：半導体ウ
ェーハ材料のポアソン比を満足し、前記第１支持リング
と前記第２支持リングの支持面は同一平面にあり、この
支持面により半導体ウェーハを支持することを特徴とす
る請求項１１に記載の半導体ウェーハ熱処理方法である
ことを要旨としている。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明に係わる半導体ウェーハ熱
処理用保持具および熱処理方法の一実施の形態について
添付図面に基づき説明する。
【００２９】図１に示すように本発明に係わる半導体ウ
ェーハ熱処理用治具、例えば枚葉式ウェーハボート１
は、外周にリング状の立上部２を有する円板形状の本体
３と、この本体３に同心的に設けられ、本体３からリン
グ形状に突出し、内側に位置する第１支持リング４と、
本体３から突出し、第１支持リング４の外側に同心に形
成されて２重リング形状をなす第２支持リング５とを有
している。
【００３０】枚葉式ウェーハボート１は半導体ウェーハ
Ｓｂを第１支持リング４と第２支持リング５との２重リ
ングにより支持し、従来と同様にして熱処理を行なう。
【００３１】また、半導体ウェーハＳｂを支持する第１
支持リング４は半径がｂ１であり、第２支持リング５の
半径がｂ２であり、かつ、両支持リング４、５は、同一
高さ（同一平面）の支持面４ｓ、５ｓを有しており、支
持面４ｓと支持面５ｓのみが半導体ウェーハＳｂと接触
し、枚葉式ウェーハボート１の他の部位は接触せず、半
導体ウェーハＳｂと本体３間にギャップｐが形成され、
半導体ウェーハＳｂが均一に加熱されるようになってい
る。
【００３２】枚葉式ウェーハボート１は、例えば、高純
度で耐熱性を有する燒結ＳｉＣにより一体的に形成さ
れ、その表面にはさらに高純度化するために、ＣＶＤに
よりＳｉＣ膜が被覆されている。
【００３３】図７に模式的に示すように、円板形状の半
導体ウェーハＳｂが半径ｂの支持リングにより水平に保
持されたとき、半導体ウェーハＳｂは自重により撓む。
半導体ウェーハＳｂの半径ｒにおける撓み量ｗは、次式
により表示される（ｗが正となるとき、支持リング面よ
り低く撓んでいることを意味する）。
【００３４】
【数１１】
【００３５】これに対し、同一支持面にある２つの支持
リングによる２重リング支持の場合では、図１および模
式的に示すように、半導体ウェーハＳｂは、一方の支持
リングにより支持される場合、他方の支持リングの位置
での撓みは正にならないと、他方の支持リングで半導体
ウェーハＳｂを支持することが実現しない。
【００３６】すなわち、一方の支持リングの半径が決め
られたら、他方の支持リングの半径は、一義的にある範
囲に拘束される。
【００３７】ここで、第１支持リング（内側支持リン
グ）４の半径をｂ１、第２支持リング（外側支持リン
グ）５の半径をｂ２（ｂ１＜ｂ２）とする場合、ｂ１と
ｂ２の以下の関係により規定される。
【００３８】
【数１２】 但し、 Ｂ１＝ｂ１／Ｒ、 Ｂ２＝ｂ２／Ｒ
【００３９】半導体ウェーハＳｂの原料であるシリコン
のポアソン比νは０．３であるので、式（Ａ）および式
（Ｂ）からＢ１およびＢ２は図６に示すような範囲の値
をとることができる。
【００４０】第１支持リング４の半径ｂ１は、半導体ウ
ェーハＳｂの半径Ｒに対して、すなわち、Ｂ１（＝ｂ１
／Ｒ）は、０より大きく０．７より小さく、かつ、第２
支持リング５の半径ｂ２は、半導体ウェーハＳｂの半径
Ｒに対して、すなわち、Ｂ２（＝ｂ２／Ｒ）は、０．６
６より大きく１．０より小さい範囲で、２重支持が可能
である。２つの第１支持リング４と第２支持リング５に
かかる荷重をバランスよくとるためには、Ｂ１は０．３
より大きく０．５より小さく、かつ、Ｂ２は、０．７よ
り大きく０．９より小さい範囲に第１支持リング４と第
２支持リング５の半径を選択することが好ましい。
【００４１】さらには、Ｂ１は０．３５より大きく０．
４５より小さく、かつ、Ｂ２は、０．７５より大きく
０．８５より小さい範囲で第１支持リング４と第２支持
リング５の半径を選択することが最も好ましい。
【００４２】例えば、半導体ウェーハ熱処理用保持具１
を用いて、直径２００ｍｍ（Ｒ＝１００ｍｍ）、３００
ｍｍ（Ｒ＝１５０ｍｍ）および４００ｍｍ（Ｒ＝２００
ｍｍ）の半導体ウェーハＳｂを保持する場合には、表１
で示すように第１支持リング４の半径ｂ１と第２支持リ
ング５の半径ｂ２が決定される。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１からも明らかなように、直径３００ｍ
ｍ（Ｒ＝１５０ｍｍ）の半導体ウェーハＳｂを保持する
半導体ウェーハ熱処理用保持具１の最も好ましい第１支
持リング４の半径ｂ１と第２支持リング５の半径ｂ
２は、５２．５＜ｂ１＜６７．５、１１２．５＜ｂ２＜
１２７．５であることがわかる。
【００４５】なお、図４に示す他の実施形態の半導体ウ
ェーハ熱処理用保持具６のように、本体７から突出する
第１支持リング８と第２支持リング９の形状は、上記実
施形態のように断面形状が三角形に限らず、台形等を含
む矩形でもよく、この場合には、支持面８ｓ、９ｓは平
面状になるが、実際の半導体ウェーハＳｂの支持は支持
面のそれぞれの側の角部８ｃ、９ｃで行われる。
【００４６】また、三角形、矩形の断面形状の第１支持
リングと第２支持リングは、中空形状に限らず、中実形
状であってもよい。
【００４７】さらに、第１支持リングと第２支持リング
は必ずしも完全なリング形状でなくてもよく、部分的に
不連続であっても、実質的にリング形状をなしていれば
よい。
【００４８】次に本発明に係わる熱処理方法について説
明する。
【００４９】図１および図２に示すように、半導体ウェ
ーハＳｂを第１支持リング４と第２支持リング５に支持
させ、半導体ウェーハ熱処理用保持具１で同心的に保持
し、半導体ウェーハＳｂが保持された半導体ウェーハ熱
処理用保持具１を、図５に示すように、枚葉式ウエーハ
熱処理装置１１の装置本体１２内に収納する。
【００５０】しかる後、発熱体１３により石英ガラス窓
１４を介して半導体ウェーハＳｂを加熱し、熱処理用ガ
スをガス供給口１５から、ガス分配板１６を介してガス
を加熱室１７に供給して、半導体ウェーハＳｂを熱処理
し、ガスを排気口１８から排出して、半導体ウェーハＳ
ｂの熱処理を行う。
【００５１】この熱処理工程において、半導体ウェーハ
Ｓｂは半導体ウェーハ熱処理用保持具１の第１支持リン
グ４の支持面４ｓと第２支持リング５の支持面５ｓで支
持され、さらには、第１支持リング４の半径ｂ１と第２
支持リング５の半径ｂ２が特定範囲に規定され、例え
ば、半導体ウェーハＳｂは式（Ａ）、式（Ｂ）を満足す
る半径ｂ１、ｂ２を有する第１支持リング４と第２支持
リング５により支持されているので、半導体ウェーハＳ
ｂに撓みが生じず、従って、半導体ウェーハＳｂに応力
の発生がなく、撓みによる応力と熱処理による熱応力と
の重畳によりスリップが生じることもない。
【００５２】また、枚葉式ウェーハボート１の円板形状
の本体３には、第１支持リング４と第２支持リング５と
が同心的に設けられているので、本体３の剛性が増し、
本体３を薄くすることができ、枚葉式ウェーハボート１
の熱追従性を向上させることができ、半導体ウェーハＳ
ｂの均一加熱性が向上し、さらに生産性の向上にも寄与
できる。
【００５３】
【発明の効果】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用
保持具によれば、熱処理時保持される半導体ウェーハに
スリップが発生しない半導体ウェーハ熱処理用保持具を
提供することができる。
【００５４】すなわち、半導体ウェーハを第１支持リン
グと第２支持リングとの２重リングで支持する半導体ウ
ェーハ熱処理用保持具であるので、超高温加熱時等にお
いても、半導体ウェーハに撓みが生じず、従って、半導
体ウェーハに応力の発生がなく、撓みによる応力と熱処
理による熱応力との重畳によりスリップが生じることも
なく、さらに本体の剛性が増し、本体を薄くすることが
でき、半導体ウェーハ熱処理用保持具の熱追従性を向上
させることができ、半導体ウェーハの均一加熱性が向上
し、さらに生産性の向上にも寄与できる半導体ウェーハ
熱処理用保持具を提供することができる。
【００５５】また、半導体ウェーハ熱処理用保持具に設
けられた第１支持リングの半径と第２支持リングの半径
は不等式（Ａ）、（Ｂ）を満足し、第１支持リングと第
２支持リングの支持面は同一平面にあり、この支持面に
より半導体ウェーハを支持するので、半導体ウェーハに
かかる応力を緩和することができ、保持時、スリップが
発生しない半導体ウェーハ熱処理用保持具を提供するこ
とができる。
【００５６】また、Ｂ１（＝ｂ１／Ｒ）およびＢ２（＝
ｂ２／Ｒ）が、０＜Ｂ１＜０．７、０．６６＜Ｂ２＜
１．０であるので、半導体ウェーハにかかる応力を緩和
することができる。
【００５７】また、Ｂ１およびＢ２が、０．３＜Ｂ１＜
０．５、０．７＜Ｂ２＜０．９であるので、半導体ウェ
ーハにかかる応力を確実に緩和することができる。
【００５８】また、Ｂ１およびＢ２が、０．３５＜Ｂ１
＜０．４５、０．７５＜Ｂ２＜０．８５であるので、半
導体ウェーハにかかる応力をさらに確実に緩和すること
ができる。
【００５９】また、本体は円板形状であり、第１支持リ
ングと第２支持リングは本体と同心的に設けられている
ので、枚葉式ウェーハボートに適する半導体ウェーハ熱
処理用保持具を提供することができる。
【００６０】また、２重リングの断面形状が三角形であ
るので、支持面の熱容量を減じることができ、半導体ウ
ェーハにスリップが発生するのを防止できる。
【００６１】また、三角形の断面は中空状であるので、
さらに支持面の熱容量を減じることができ、半導体ウェ
ーハにスリップが発生するのを防止できる。
【００６２】また、２重リングの断面形状が矩形である
ので、さらに本体の剛性を増すことができる。
【００６３】また、矩形の断面は中空であるので、本体
の剛性を増しながら、支持面の熱容量を減じることがで
き、半導体ウェーハにスリップが発生するのを防止でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用保持具
の断面図。
【図２】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用保持具
の平面図。
【図３】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用保持具
で半導体ウェーハを保持した状態の模式図。
【図４】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用保持具
に設けられた第１支持リングの半径と第２支持リングの
半径の範囲を示す説明図。
【図５】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処理用保持具
の他の実施形態の断面図。
【図６】本発明に係わる半導体ウェーハ熱処方法を説明
する説明図。
【図７】１重支持リングで半導体ウェーハを支持した場
合の撓み状態を模式的に示す説明図。
【符号の説明】
１ 枚葉式ウェーハボート ２ 立上部 ３ 本体 ４ 第１支持リング ４ｓ 支持面 ５ 第２支持リング ５ｓ 支持面 ６ 半導体ウェーハ熱処理用保持具 ７ 本体 ８ 第１支持リング ８ｓ 支持面 ９ 第２支持リング ９ｓ 支持面 １１ 枚葉式ウエーハ熱処理装置 １２ 装置本体 １３ 発熱体 １４ 石英ガラス窓 １５ ガス供給口 １６ ガス分配板 １７ 加熱室 １８ ガスを排気口 Ｓｂ 半導体ウェーハ ｐ ギャップ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 本体と、この本体からリング形状に突出
    した第１支持リングと、この第１支持リングの外側に同
    心的に形成されリング形状に突出した第２支持リングと
    を有し、この第２支持リングと第１支持リングの２重リ
    ングにより半導体ウェーハを支持することを特徴とする
    半導体ウェーハ熱処理用保持具。
  2. 【請求項２】 上記半導体ウェーハ熱処理用保持具は、
    半導体ウェーハが半径Ｒ、ポアソン比νを有し、半径ｂ
    １を有する第１支持リングと、半径ｂ２を有する第２支
    持リングとを有し、前記第１支持リングの半径ｂ１は、
    前記第２支持リングの半径ｂ２よりも小さく、かつ不等
    式 【数１】 但し、Ｂ１＝ｂ１／Ｒ、Ｂ２＝ｂ２／Ｒ、ν：半導体ウ
    ェーハ材料のポアソン比を満足し、前記第１支持リング
    と前記第２支持リングの支持面は同一平面にあり、この
    支持面により半導体ウェーハを支持することを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体ウェーハ熱処理用保持具。
  3. 【請求項３】 上記Ｂ１およびＢ２が 【数２】 であることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェー
    ハ熱処理用保持具。
  4. 【請求項４】 上記Ｂ１およびＢ２が 【数３】 であることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェー
    ハ熱処理用保持具。
  5. 【請求項５】 上記Ｂ１およびＢ２が 【数４】 であることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェー
    ハ熱処理用保持具。
  6. 【請求項６】 上記本体は円板形状であり、第１支持リ
    ングと第２支持リングは本体と同心的に設けられている
    ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記
    載の半導体ウェーハ熱処理用保持具。
  7. 【請求項７】 上記２重リングの断面形状が三角形であ
    ることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に
    記載の半導体ウェーハ熱処理用保持具。
  8. 【請求項８】 上記三角形の断面は中空状であることを
    特徴とする請求項７に記載の半導体ウェーハ熱処理用保
    持具。
  9. 【請求項９】 上記２重リングの断面形状が矩形である
    ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記
    載の半導体ウェーハ熱処理用保持具。
  10. 【請求項１０】 上記矩形の断面は中空であることを特
    徴とする請求項９に記載の半導体ウェーハ熱処理用保持
    具。
  11. 【請求項１１】 本体からリング形状に突出した第１支
    持リングと、この第１支持リングの外側に同心に形成さ
    れリング形状に突出した第２支持リングとを有する半導
    体ウェーハ熱処理用保持具を用意し、熱処理される半導
    体ウェーハを第１支持リングと第２支持リングとの２重
    リングで支持した状態で半導体ウェーハ熱処理用保持具
    に保持し、しかる後、半導体ウェーハが保持された半導
    体ウェーハ熱処理用保持具を熱処理装置に収納し、熱処
    理することを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法。
  12. 【請求項１２】 半導体ウェーハが半径Ｒ、ポアソン比
    νを有し、半径ｂ１を有する第１支持リングと、半径ｂ
    ２を有する第２支持リングとを有し、前記第１支持リン
    グの半径ｂ１は、前記第２支持リングの半径ｂ２よりも
    小さく、かつ不等式 【数５】 但し、Ｂ１＝ｂ１／Ｒ、Ｂ２＝ｂ２／Ｒ、ν：半導体ウ
    ェーハ材料のポアソン比を満足し、前記第１支持リング
    と前記第２支持リングの支持面は同一平面にあり、この
    支持面により半導体ウェーハを支持することを特徴とす
    る請求項１１に記載の半導体ウェーハ熱処理方法。
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