KR20050057325A - 열처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판의 제조방법 - Google Patents
열처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (18)
- 기판을 기판 지지체에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 열처리 장치에 있어서,상기 기판 지지체는 본체부와, 이 본체부에 설치되어 상기 기판과 접촉하는 지지부를 가지며, 이 지지부는 상기 기판의 두께보다도 두꺼운 실리콘제의 판상(板狀) 부재로 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지부의 두께가 1O㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지부의 두께가 3㎜∼6㎜인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지부의 두께가 4㎜∼5㎜인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지부의 상기 기판이 탑재 배치되는 기판 재치면에는, 상기 기판과 상기 지지부의 접착을 방지하기 위한 접착 방지층이 설치되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 기판을 기판 지지체에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 열처리 장치에 있어서,상기 기판 지지체는 본체부와, 이 본체부에 설치되어 상기 기판과 접촉하는 지지부를 가지며, 이 지지부는 실리콘제인 동시에 상기 지지부의 상기 기판이 탑재 배치되는 기판 재치면(載置面)에 탄화 규소(SiC), 질화 규소(Si3N4), 산화 규소(SiO2), 유리상(狀) 탄소, 미(微)결정 다이아몬드 중 어느 하나 또는 복수의 재료로 이루어지는 막이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 지지부의 기판 재치면에는 탄화 규소(SiC)막이 코팅되어 있고, 상기 탄화 규소막의 막두께가 0.1㎛∼50㎛인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 지지부의 기판 재치면에는 탄화 규소(SiC)막이 코팅되어 있고, 상기 탄화 규소막의 막두께가 0.1㎛∼15㎛인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 지지부의 기판 재치면에는 탄화 규소(SiC)막이 코팅되어 있고, 상기 탄화 규소막의 막두께가 O.1㎛∼1O㎛인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 기판을 기판 지지체에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 열처리 장치에 있어서,상기 기판 지지체는 본체부와, 이 본체부에 설치되어 상기 기판과 접촉하는 지지부를 가지며, 이 지지부는 실리콘제인 동시에 상기 지지부의 기판 재치면에 복수의 다른 막이 적층되고, 상기 복수의 막 중 최표면의 막의 경도가 열처리 온도에 있어서 가장 작던지 또는 최(最)표면의 막이 비정질인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 복수의 막은 탄화 규소(SiC), 질화 규소(Si3N4), 다결정 실리콘(Poly-Si), 산화 규소(SiO2), 유리상 탄소, 미결정 다이아몬드 중 어느 하나의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 최표면의 막이 산화 규소(SiO2)막인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 기판을 기판 지지체에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 열처리 장치에 있어서,상기 기판 지지체는 본체부와, 이 본체부에 설치되어 상기 기판과 접촉하는 지지부를 가지며, 이 지지부는 실리콘제인 동시에 상기 지지부의 기판 재치면에 탄화 규소(SiC)막이 형성되고, 또한 최표면에 산화 규소(SiO2)막이 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 기판을 기판 지지체에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 열처리 장치에 있어서,상기 기판 지지체는 본체부와, 이 본체부에 설치되어 상기 기판과 접촉하는 지지부를 가지며, 이 지지부는 실리콘제인 동시에 상기 지지부의 기판 재치면에는 코팅막이 형성되고, 상기 코팅막의 경도가 열처리 온도에 있어서 열처리시에서의 기판의 경도보다도 작던지 또는 코팅막이 비정질인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과, 기판의 두께보다도 두꺼운 실리콘제의 판상 부재로 구성된 지지부에 의해 기판을 지지하는 공정과, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 상기 지지부에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 공정과, 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
- 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과, 기판이 탑재 배치되는 기판 재치면에 탄화 규소(SiC), 산화 규소(SiO2), 유리상 탄소, 미결정 다이아몬드 중 어느 하나 또는 복수의 재료로 이루어지는 막이 코팅된 실리콘제의 지지부에 의해 상기 기판을 지지하는 공정과, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 상기 지지부에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 공정과, 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판의 제조 방법.
- 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과, 기판의 두께보다도 두꺼운 실리콘제의 판상 부재로 구성된 지지부에 의해 기판을 지지하는 공정과, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 상기 지지부에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 공정과, 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 처리실 내에 기판을 반입하는 공정과, 기판이 탑재 배치되는 기판 재치면에 탄화 규소(SiC), 산화 규소(SiO2), 유리상 탄소, 미결정 다이아몬드 중 어느 하나 또는 복수의 재료로 이루어지는 막이 코팅된 실리콘제의 지지부에 의해 상기 기판을 지지하는 공정과, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 상기 지지부에 의해 지지한 상태에서 열처리하는 공정과, 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)
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Families Citing this family (26)
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US7667301B2 (en) * | 2002-09-27 | 2010-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Thermal treatment apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate |
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KR100875464B1 (ko) | 2004-09-30 | 2008-12-22 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 열처리 장치 및 기판의 제조방법 |
JP4841854B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4694249B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2011-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び試料の真空処理方法 |
KR100840015B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-06-20 | 주식회사 테라세미콘 | 비정질 실리콘 결정화를 위한 열처리 시스템 |
CN101532125B (zh) * | 2009-04-21 | 2011-05-11 | 四川师范大学 | 多温段同时退火的真空退火装置 |
JP2011011942A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 結晶製造装置及び結晶製造方法 |
JP5246431B2 (ja) | 2009-08-31 | 2013-07-24 | 本田技研工業株式会社 | 自動二輪車 |
US8455374B2 (en) * | 2010-05-06 | 2013-06-04 | Applied Materials, Inc. | Radiation heating efficiency by increasing optical absorption of a silicon containing material |
KR101212889B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2012-12-14 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 기판 적재용 카세트 |
US8723185B2 (en) * | 2010-11-30 | 2014-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing wafer distortion through a high CTE layer |
KR101905860B1 (ko) * | 2011-06-22 | 2018-11-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 웨이퍼 제조 방법 |
US9745667B2 (en) * | 2011-06-22 | 2017-08-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of fabricating wafer |
CZ304596B6 (cs) * | 2012-12-20 | 2014-07-23 | Vysoké Učení Technické V Brně | Způsob vytváření mezivrstvy na skleněných testovacích substrátech, určené k lepení čipů, a nanášecí zařízení pro provádění tohoto způsobu |
JP5955246B2 (ja) | 2013-02-26 | 2016-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10770285B2 (en) | 2013-03-28 | 2020-09-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon member and method of producing the same |
CN103681416A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种监控多晶硅炉管晶圆厚度的方法 |
JP6322159B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2018-05-09 | クアーズテック株式会社 | ウエハボート及びその製造方法 |
CN112424132A (zh) * | 2018-07-16 | 2021-02-26 | 康宁股份有限公司 | 给定器板和使用其的玻璃制品陶瓷化方法 |
CN112437759A (zh) | 2018-07-16 | 2021-03-02 | 康宁股份有限公司 | 具有改善的翘曲的玻璃制品的陶瓷化方法 |
CN115403256A (zh) | 2018-07-16 | 2022-11-29 | 康宁股份有限公司 | 利用成核和生长密度以及粘度变化对玻璃进行陶瓷化的方法 |
EP3823935A1 (en) | 2018-07-16 | 2021-05-26 | Corning Incorporated | Glass ceramic articles having improved properties and methods for making the same |
JP2021130578A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267317A (ja) | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
JP3316068B2 (ja) | 1993-12-01 | 2002-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理用ボート |
KR970053476A (ko) | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김종진 | 산소주입 분리법에 의한 절연층 매몰 실리콘 기판의 제조방법 |
JP3586031B2 (ja) | 1996-03-27 | 2004-11-10 | 株式会社東芝 | サセプタおよび熱処理装置および熱処理方法 |
JPH10242254A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Ado Matsupu:Kk | 半導体製造用治具 |
JPH10242067A (ja) | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用基板支持具 |
JP3511466B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2004-03-29 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具 |
JP3685319B2 (ja) | 2000-06-16 | 2005-08-17 | 三菱住友シリコン株式会社 | ウェーハの熱処理方法とその装置 |
JP2002033284A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 縦型cvd用ウェハホルダー |
JP2002231726A (ja) | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
US20030030119A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-13 | Motorola, Inc. | Structure and method for improved piezo electric coupled component integrated devices |
US7667301B2 (en) * | 2002-09-27 | 2010-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Thermal treatment apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate |
JP4611229B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2011-01-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-09-26 US US10/528,069 patent/US7667301B2/en active Active
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- 2003-09-26 KR KR1020057004355A patent/KR100935141B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-03-16 US US12/382,400 patent/US20090186489A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-24 JP JP2009071177A patent/JP2009200503A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-06 US US12/654,837 patent/US20100148415A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160083079A (ko) * | 2013-11-06 | 2016-07-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 졸 겔 코팅된 지지 링 |
CN111584396A (zh) * | 2013-11-06 | 2020-08-25 | 应用材料公司 | 溶胶凝胶涂布的支撑环 |
KR20210100759A (ko) * | 2013-11-06 | 2021-08-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 졸 겔 코팅된 지지 링 |
US11646218B2 (en) | 2013-11-06 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Sol gel coated support ring |
CN111584396B (zh) * | 2013-11-06 | 2023-09-01 | 应用材料公司 | 溶胶凝胶涂布的支撑环 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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