JPS61267317A - 縦型拡散炉用ボ−ト - Google Patents
縦型拡散炉用ボ−トInfo
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- JPS61267317A JPS61267317A JP10900885A JP10900885A JPS61267317A JP S61267317 A JPS61267317 A JP S61267317A JP 10900885 A JP10900885 A JP 10900885A JP 10900885 A JP10900885 A JP 10900885A JP S61267317 A JPS61267317 A JP S61267317A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は縦型拡散炉用ボー１〜に関するもので、特に縦
型拡散炉内でシリコンウェー八を支持し酸化・拡散を行
なうのに使用されるものである。
型拡散炉内でシリコンウェー八を支持し酸化・拡散を行
なうのに使用されるものである。
半導体装置を製造するウェーハプロセスにあっては酸化
・拡散工程が重要な位置を占める。この酸化・拡散は酸
化・拡散炉中で行われる。酸化・拡散炉には横型のもの
と縦型のものどがあるが、縦型のものは塵埃付着が少な
く、均熱長が横型よりも長く、また専有面積が少なくて
済むどいつすぐれた特徴を有する。
・拡散工程が重要な位置を占める。この酸化・拡散は酸
化・拡散炉中で行われる。酸化・拡散炉には横型のもの
と縦型のものどがあるが、縦型のものは塵埃付着が少な
く、均熱長が横型よりも長く、また専有面積が少なくて
済むどいつすぐれた特徴を有する。
第５図は従来の縦型拡散炉用ボートを示す斜視図、第６
図（ａ）はその要部の平面図、第６図（ｂ）は要部の正
面図であって、３個所でシリ］ンウＴ−ハ２０の周縁部
を支持する支持片１が支柱２に３段分設けられている。
図（ａ）はその要部の平面図、第６図（ｂ）は要部の正
面図であって、３個所でシリ］ンウＴ−ハ２０の周縁部
を支持する支持片１が支柱２に３段分設けられている。
この支持片の位囮おにび個数並びに段数は適宜選択する
ことができる。
ことができる。
しかしながら、このような構成においては、ウェーハの
周縁部のみが支えられているため、第６図と横位置を対
応させて描かれた下向き荷重図（第７図）に示されるよ
うに、ウェーへの自重により中央部での下向き荷重によ
る応力が最大となる応力分布を示す。この下向き荷重は
ウェーハの口径が大ぎくなるほど大きい。
周縁部のみが支えられているため、第６図と横位置を対
応させて描かれた下向き荷重図（第７図）に示されるよ
うに、ウェーへの自重により中央部での下向き荷重によ
る応力が最大となる応力分布を示す。この下向き荷重は
ウェーハの口径が大ぎくなるほど大きい。
第８図はウェーハ中央部におりる下向ぎ荷重と熱処理を
行う温度における降伏応力を示したグラ１ フ
、第９図はそれらの熱処ＩＭ！温度におりるウェーハの
変形量を示したものである。これによれば、熱処即渇度
が高いほど変形の始まる降伏応力が小さく、このためウ
ェーハ直径とともに増大する下向き荷重がこの降伏応力
を超えた時点で変形が生ずることになる。第８図によれ
ば１０００℃の熱処理では直径８インチ（２０３，４ｍ
）以上、１１００℃の熱処理では直径６インチ （１５２，４ｍ＞以上のつ■−ハは変形を生じ、第９図
ににれば同じ熱処理渇ａにおいてはウェーハ直径が増大
すれば変形量も増大する傾向が見られる。これにより反
り等の有害な塑性変形を生じて半導体装置の品質に悪影
響を及ぼすという問題がある。
行う温度における降伏応力を示したグラ１ フ
、第９図はそれらの熱処ＩＭ！温度におりるウェーハの
変形量を示したものである。これによれば、熱処即渇度
が高いほど変形の始まる降伏応力が小さく、このためウ
ェーハ直径とともに増大する下向き荷重がこの降伏応力
を超えた時点で変形が生ずることになる。第８図によれ
ば１０００℃の熱処理では直径８インチ（２０３，４ｍ
）以上、１１００℃の熱処理では直径６インチ （１５２，４ｍ＞以上のつ■−ハは変形を生じ、第９図
ににれば同じ熱処理渇ａにおいてはウェーハ直径が増大
すれば変形量も増大する傾向が見られる。これにより反
り等の有害な塑性変形を生じて半導体装置の品質に悪影
響を及ぼすという問題がある。
本発明はこのにうな問題を解決するためなされたもので
、高温処理を行う場合にも変形を招くことなく大口径ウ
ェーハを支持することのできる縦型拡散炉用ボートを提
供することを目的とする。
、高温処理を行う場合にも変形を招くことなく大口径ウ
ェーハを支持することのできる縦型拡散炉用ボートを提
供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においてはウェーハの中央
部においてウェーハを支持Ｊ−る支持部材＝ ３ − を垂直方向に複数段設けており、ウェーハ中央部におい
て発生ずるウェーハロ重による荷重を支持部材ににり吸
収することによって熱処理時の塑性変形を防止している
。
部においてウェーハを支持Ｊ−る支持部材＝ ３ − を垂直方向に複数段設けており、ウェーハ中央部におい
て発生ずるウェーハロ重による荷重を支持部材ににり吸
収することによって熱処理時の塑性変形を防止している
。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例のいくつかを
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる縦型拡散炉用ボートの一実施例
を示すもので、第１図（ａ）は１段分のつＩ−ハ支持の
様子を示す平面図、第１図（ｂ）はその正面図である。
を示すもので、第１図（ａ）は１段分のつＩ−ハ支持の
様子を示す平面図、第１図（ｂ）はその正面図である。
これによれば互いに直交する２本の梁１１がそれぞれの
端部で支社１２に固着されており、その交差部を中心と
して円板状の支持体１３が形成されている。この支持体
の直径は支持すべきウェーハ２０の直径が８インチ（２
０３，４＃ＩＩ＋＋）であるとすれば例えば５インチ（
１２７ｍ）程度とげればよいが、ウェーハ中央付近を支
持できるものであれば円形に限ることなく各種の形状を
使用でき、大きさも任意に選択することができる。また
、支柱１２、梁１１、支持体１３はウェーハ２０の汚染
を防止するため通常石英で製作されるが、同様に汚染を
招かないシリコン炭化物、シリコン窒化物並びにこれら
の複合物を使用することができる。
端部で支社１２に固着されており、その交差部を中心と
して円板状の支持体１３が形成されている。この支持体
の直径は支持すべきウェーハ２０の直径が８インチ（２
０３，４＃ＩＩ＋＋）であるとすれば例えば５インチ（
１２７ｍ）程度とげればよいが、ウェーハ中央付近を支
持できるものであれば円形に限ることなく各種の形状を
使用でき、大きさも任意に選択することができる。また
、支柱１２、梁１１、支持体１３はウェーハ２０の汚染
を防止するため通常石英で製作されるが、同様に汚染を
招かないシリコン炭化物、シリコン窒化物並びにこれら
の複合物を使用することができる。
このような支持体１３おにび梁１１による支持部材は作
業の効率化のため、上方垂直方向に複数段、通常１０〜
２０段同じものが所定距離を置いて形成される。
業の効率化のため、上方垂直方向に複数段、通常１０〜
２０段同じものが所定距離を置いて形成される。
第２図は第１図におけるウェーハ内の荷重分布を示す図
であって、ウェーハ直径全域にわたって下向き荷重が大
幅に減少していることがわかる。
であって、ウェーハ直径全域にわたって下向き荷重が大
幅に減少していることがわかる。
第３図および第４図は本発明にかかる縦型拡散炉用ボー
トの他の実施例を示すもので、ウェーハ支持体の変形例
の平面図である。
トの他の実施例を示すもので、ウェーハ支持体の変形例
の平面図である。
これによれば、第３図においては、ウェーハ２０の中心
と一致する同心同原板となっており、第４図においては
ウェーハ２０の中心ど一致する中心を有し、３つの孔部
１６を有する円盤１５となっている。第３図における円
環内部および第４図におりる孔部１６はその上に半導体
ウエーハ２０が載置されたときその裏面を拡散炉内の雰
囲気にさらすことになり、この結果、裏面にも酸化膜が
形成され、特に厚い酸化膜や熱膨張率の著しく大きい被
膜を形成した場合にもつ■−ハ内の歪発生が減少Ｊ°る
。
と一致する同心同原板となっており、第４図においては
ウェーハ２０の中心ど一致する中心を有し、３つの孔部
１６を有する円盤１５となっている。第３図における円
環内部および第４図におりる孔部１６はその上に半導体
ウエーハ２０が載置されたときその裏面を拡散炉内の雰
囲気にさらすことになり、この結果、裏面にも酸化膜が
形成され、特に厚い酸化膜や熱膨張率の著しく大きい被
膜を形成した場合にもつ■−ハ内の歪発生が減少Ｊ°る
。
このような縦型拡散炉用ボートではウェーハ内に自重に
よる大きな下向き荷重（３１発生しないため、第９図に
示されるように人口径つ■−ハに高温熱処理を行っても
塑性変形を生じない。
よる大きな下向き荷重（３１発生しないため、第９図に
示されるように人口径つ■−ハに高温熱処理を行っても
塑性変形を生じない。
以上の実施例においてはウェーハ支持体として円形のも
のを示したが、ウェーハ中心イ１近を支持し、自重によ
る応力発生を防止できるものであれば、いかなる形成で
あってもＪ：い。
のを示したが、ウェーハ中心イ１近を支持し、自重によ
る応力発生を防止できるものであれば、いかなる形成で
あってもＪ：い。
また、縦型拡散炉のうちには炉体が垂直でなく傾斜して
形成されているものがあるが、本発明のボートをこの傾
斜角に応じた傾きをもたせるようにしてもよい。
形成されているものがあるが、本発明のボートをこの傾
斜角に応じた傾きをもたせるようにしてもよい。
以上のように本発明によれば半導体基板の中央部イ；１
近を支持づ−る支持部材を複数段、所定間隔で設りてい
るので、半導体基板の自重による荷重発生が防止され、
高温熱処理時にもそり等の塑性変形を招くことがなく、
半導体装置の歩留り向上および品質の向上を図ることが
できる。
近を支持づ−る支持部材を複数段、所定間隔で設りてい
るので、半導体基板の自重による荷重発生が防止され、
高温熱処理時にもそり等の塑性変形を招くことがなく、
半導体装置の歩留り向上および品質の向上を図ることが
できる。
第１図は本発明にかかる縦型拡散炉用ボートの一実施例
の一部の構造を示す図、第２図はこのボートを使用した
場合の荷重分布を示すグラフ、第３図および第４図は本
発明の他実施例を示す平面図であって、支持部材の形状
を示したもの、第５図は従来のボートの構造を示寸斜視
図、第６図はその基板支持の様子を示す説明図、第７図
は従来例にお【プる応力分布を示すグラフ、第８図およ
び第９図は従来例におけるウェーハ直径および処理温度
と荷重並びに変形量との関係を示すグラフである。 ２．１２・・・支柱、１１・・・梁、１３，１４．１５
・・・支持体、２０・・・半導体ウェーハ。 第６図 〒 第７図 ウェーハ直径〔インチ〕 ウェーハ直イ蚤 （インチ）
の一部の構造を示す図、第２図はこのボートを使用した
場合の荷重分布を示すグラフ、第３図および第４図は本
発明の他実施例を示す平面図であって、支持部材の形状
を示したもの、第５図は従来のボートの構造を示寸斜視
図、第６図はその基板支持の様子を示す説明図、第７図
は従来例にお【プる応力分布を示すグラフ、第８図およ
び第９図は従来例におけるウェーハ直径および処理温度
と荷重並びに変形量との関係を示すグラフである。 ２．１２・・・支柱、１１・・・梁、１３，１４．１５
・・・支持体、２０・・・半導体ウェーハ。 第６図 〒 第７図 ウェーハ直径〔インチ〕 ウェーハ直イ蚤 （インチ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加熱室が略垂直方向に形成された縦型拡散炉中で半
導体基板を支持する縦型拡散炉用ボートであって、 前記半導体基板の中央付近を支持する支持部材が所定の
間隔で略垂直方向に複数段設けられた縦型拡散炉用ボー
ト。 ２、支持部材が略垂直方向に延びた複数の支柱に固定さ
れたものである特許請求の範囲第１項記載の縦型拡散炉
用ボート。 ３、支持部材が半導体基板の中心と一致する中心を有す
る板状部材である特許請求の範囲第１項記載の縦型拡散
炉用ボート。 ４、支持部材が半導体基板の中心と一致する中心を有す
る同心円環部材である特許請求の範囲第１項記載の縦型
拡散炉用ボート。 ５、支持部材が半導体基板の中心と一致する中心を有す
ると共に前記半導体基板の裏面を拡散炉雰囲気に接触さ
せるための孔部を備えた板状部材である特許請求の範囲
第１項記載の縦型拡散炉用ボート。 ６、支持部材が支柱間に亘された梁材により支持されて
成る特許請求の範囲第３項〜第５項のいずれかに記載の
縦型拡散炉用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10900885A JPS61267317A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 縦型拡散炉用ボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10900885A JPS61267317A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 縦型拡散炉用ボ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267317A true JPS61267317A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14499224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10900885A Pending JPS61267317A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 縦型拡散炉用ボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267317A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216516A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63179525A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| JPS644018A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Toshiba Ceramics Co | Vertical-type diffusion furnace |
| JPH01312823A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Nec Kyushu Ltd | 減圧ｃｖｄ装置 |
| WO2005069361A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置 |
| JP2005203482A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| JP2009200503A (ja) * | 2002-09-27 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理方法、基板の製造方法及びｓｉｍｏｘ基板の製造方法。 |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP10900885A patent/JPS61267317A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216516A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63179525A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Tokyo Electron Ltd | アッシング装置 |
| JPH06103663B2 (ja) * | 1987-01-21 | 1994-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JPS644018A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Toshiba Ceramics Co | Vertical-type diffusion furnace |
| JPH01312823A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Nec Kyushu Ltd | 減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2009200503A (ja) * | 2002-09-27 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理方法、基板の製造方法及びｓｉｍｏｘ基板の製造方法。 |
| US7667301B2 (en) | 2002-09-27 | 2010-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Thermal treatment apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate |
| JP2005203482A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| WO2005069361A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置 |
| JP2010157755A (ja) * | 2004-01-20 | 2010-07-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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