JPH06103663B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH06103663B2 JPH06103663B2 JP62010027A JP1002787A JPH06103663B2 JP H06103663 B2 JPH06103663 B2 JP H06103663B2 JP 62010027 A JP62010027 A JP 62010027A JP 1002787 A JP1002787 A JP 1002787A JP H06103663 B2 JPH06103663 B2 JP H06103663B2
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- JP
- Japan
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- ashing
- chamber
- mounting table
- processing
- semiconductor wafer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、処理装置に関する。
（従来の技術） 一般に半導体集積回路を形成する微細パターンの形成は
例えば露光および現像によって形成された有機高分子の
フォトレジスト膜をマスクとして用い、このマスクの下
地膜をエッチングすることにより行なわれる。したがっ
て、マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッチ
ング過程を経た後には半導体ウエハの表面除去する必要
がある。
例えば露光および現像によって形成された有機高分子の
フォトレジスト膜をマスクとして用い、このマスクの下
地膜をエッチングすることにより行なわれる。したがっ
て、マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッチ
ング過程を経た後には半導体ウエハの表面除去する必要
がある。
このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理とし
てアッシング処理が行なわれている。
てアッシング処理が行なわれている。
このアッシング処理はレジストの除去、シリコンウエ
ハ、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニン
グ処理を行なう場合に適するものである。
ハ、マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され、半導体プロセスのドライクリーニン
グ処理を行なう場合に適するものである。
紫外線を照射することにより酸素原子ラジカルを発生さ
せて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッシング
装置がある。
せて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッシング
装置がある。
第２図はこのような紫外線照射により酸素原子ラジカル
を発生させるアッシング装置を示すもので、処理室１に
は、多数の半導体ウエハ２が所定間隔をおいて垂直に配
置され、処理室１の上部に設置されている紫外線発光管
３からの紫外線を処理室１の上面に設けられた石英等の
透明な窓４を通して照射し、処理室１に充填された酸素
を励起してオゾンを発生させる。
を発生させるアッシング装置を示すもので、処理室１に
は、多数の半導体ウエハ２が所定間隔をおいて垂直に配
置され、処理室１の上部に設置されている紫外線発光管
３からの紫外線を処理室１の上面に設けられた石英等の
透明な窓４を通して照射し、処理室１に充填された酸素
を励起してオゾンを発生させる。
そしてこのオゾン雰囲気から生じる酸素ラジカルを半導
体ウエハ２に作用させてアッシング処理を行なう。
体ウエハ２に作用させてアッシング処理を行なう。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記説明の従来の紫外線を用いたアッシン
グ装置では、アッシング速度が50〜150nm/minと遅く処
理に時間がかかるため、例えば大口径の半導体ウエハの
処理に適した、半導体ウエハを１枚１枚処理する枚葉処
理が行なえないという問題点があった。
グ装置では、アッシング速度が50〜150nm/minと遅く処
理に時間がかかるため、例えば大口径の半導体ウエハの
処理に適した、半導体ウエハを１枚１枚処理する枚葉処
理が行なえないという問題点があった。
本発明者等は上記点を改善した、フォトレジスト膜のア
ッシング速度が速く、大口径半導体ウエハの枚葉処理等
に対応することのできるアッシング装置を開発してい
る。
ッシング速度が速く、大口径半導体ウエハの枚葉処理等
に対応することのできるアッシング装置を開発してい
る。
この装置の開発において連続処理に対応した処理法を検
討した。その結果、ウエハを載置台から離反する際に使
用するチャックのウエハとの接触面積が広いほどアッシ
ング速度が遅くなることが判った。これは、ウエハの熱
がチャックの接触により低下してしまうため、アッシン
グ速度が遅くなってしまった。
討した。その結果、ウエハを載置台から離反する際に使
用するチャックのウエハとの接触面積が広いほどアッシ
ング速度が遅くなることが判った。これは、ウエハの熱
がチャックの接触により低下してしまうため、アッシン
グ速度が遅くなってしまった。
この熱の低下を防ぐことが装置の歩留りの面から重要な
ポイントとなる。
ポイントとなる。
（発明の目的） この発明は、上記装置のウエハ処理を実用的に行なうた
めウエハ歩留りに影響のない良好な搬送を可能にした処
理装置を提供するものである。
めウエハ歩留りに影響のない良好な搬送を可能にした処
理装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） チャンバー内に設けられた載置台に被処理基板を載置
し、処理する処理装置において、前記載置台に設けら
れ、前記被処理基板の裏面より、前記被処理体を上下動
させる少なくとも前記被処理基板との接触部がセラミッ
クで形成されたリストピンを設けたことを特徴とする。
し、処理する処理装置において、前記載置台に設けら
れ、前記被処理基板の裏面より、前記被処理体を上下動
させる少なくとも前記被処理基板との接触部がセラミッ
クで形成されたリストピンを設けたことを特徴とする。
（作用） チャンバー内の載置台に載置された被処理基板の裏面
を、前記載置台に設けたセラミックスで形成されたリス
トピンで上下動操作により前記被処理基板を載置台から
離反して取り出すことにより、大口径の被処理基板に適
した処理装置を得るものである。
を、前記載置台に設けたセラミックスで形成されたリス
トピンで上下動操作により前記被処理基板を載置台から
離反して取り出すことにより、大口径の被処理基板に適
した処理装置を得るものである。
（実施例） 以下、本発明方法を半導体製造工程におけるアッシング
工程に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
第１図において、図示しない昇降機構により上下動自在
に断面Ｕ字状で円筒状の上チャンバー５が設けられてい
る。この上チャンバー５の中心軸にはアッシングガスを
流出させるための流出口６、例えば口径8mmの円筒状ノ
ズルが設けられている。この流出口６で形成される同一
面には円板７が設けられている。この円板７の周辺部下
面には例えばセラミックで形成された円筒状スペーサー
８が複数箇所例えば３箇所に設けられている。上記上チ
ャンバー５と係合する如く下チャンバー９が設けられ、
上記上チャンバー５の下チャンバー９との連結部に例え
ばテフロン系ゴム製であるパッキング10が周設されてい
る。このパッキング10の断面はなだらかなＬ状であり、
チャンバー内部からの真空圧に強いように先端部が外側
を向いた状態で設けられている。上記パッキング10をチ
ャンバー内から仕切る状態に例えばアルミニウム製の仕
切り板11が周設されている。そして、上記下チャンバー
９内には図示しない温度制御機構により温調自在に構成
された例えばアルミニウムを酸化するアルマイト加工又
はテフロン加工して対オゾン性に優れた円板状載置台12
が断熱片13に埋設している。この載置台12上には被処理
基板例えば半導体ウエハ14が設定される。この半導体ウ
エハ14を搬送する際、昇降させるための昇降機構15が、
連接しているシリンダー16により上下動可能であり、上
記昇降機構15周辺部に上向きにリストピン17が複数本例
えば３本設けられ、上記載置台12の中心点を中心とした
同円周上に、載置台12を貫通して上記半導体ウエハ14を
上下動自在に設けている。このリストピン17は対熱性が
強い材質例えばセラミックにより形成されている。上記
半導体ウエハ14の表面にアッシングガスを流出する如く
酸素供給源18を備えたオゾン発生器19がガス流量調節器
20を介して上チャンバー５に設けられた円板７の流出口
６に連設している。この流出口６より上記アッシングガ
スを流出し、アッシング処理を行なう。
工程に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
第１図において、図示しない昇降機構により上下動自在
に断面Ｕ字状で円筒状の上チャンバー５が設けられてい
る。この上チャンバー５の中心軸にはアッシングガスを
流出させるための流出口６、例えば口径8mmの円筒状ノ
ズルが設けられている。この流出口６で形成される同一
面には円板７が設けられている。この円板７の周辺部下
面には例えばセラミックで形成された円筒状スペーサー
８が複数箇所例えば３箇所に設けられている。上記上チ
ャンバー５と係合する如く下チャンバー９が設けられ、
上記上チャンバー５の下チャンバー９との連結部に例え
ばテフロン系ゴム製であるパッキング10が周設されてい
る。このパッキング10の断面はなだらかなＬ状であり、
チャンバー内部からの真空圧に強いように先端部が外側
を向いた状態で設けられている。上記パッキング10をチ
ャンバー内から仕切る状態に例えばアルミニウム製の仕
切り板11が周設されている。そして、上記下チャンバー
９内には図示しない温度制御機構により温調自在に構成
された例えばアルミニウムを酸化するアルマイト加工又
はテフロン加工して対オゾン性に優れた円板状載置台12
が断熱片13に埋設している。この載置台12上には被処理
基板例えば半導体ウエハ14が設定される。この半導体ウ
エハ14を搬送する際、昇降させるための昇降機構15が、
連接しているシリンダー16により上下動可能であり、上
記昇降機構15周辺部に上向きにリストピン17が複数本例
えば３本設けられ、上記載置台12の中心点を中心とした
同円周上に、載置台12を貫通して上記半導体ウエハ14を
上下動自在に設けている。このリストピン17は対熱性が
強い材質例えばセラミックにより形成されている。上記
半導体ウエハ14の表面にアッシングガスを流出する如く
酸素供給源18を備えたオゾン発生器19がガス流量調節器
20を介して上チャンバー５に設けられた円板７の流出口
６に連設している。この流出口６より上記アッシングガ
スを流出し、アッシング処理を行なう。
そして、アッシング処理後のアッシングガスは図示しな
いオゾン分解器により分解され、排気管21より排気され
る。
いオゾン分解器により分解され、排気管21より排気され
る。
次に上述したアッシング装置による半導体ウエハのアッ
シング方法を説明する。
シング方法を説明する。
上記上チャンバー５を上記昇降機構により上昇させ、図
示しない搬送機構例えばハンドアームにより下チャンバ
ー９内に搬送する。この時上記リストピン17はシリンダ
ー16により上昇している。そしてこのリストピント17上
に上記半導体ウエハ14を載置する。この後リストピン17
は先端が載置台12表面より低い位置まで下降し、上記半
導体ウエハ14を上記載置台12上に設定する。
示しない搬送機構例えばハンドアームにより下チャンバ
ー９内に搬送する。この時上記リストピン17はシリンダ
ー16により上昇している。そしてこのリストピント17上
に上記半導体ウエハ14を載置する。この後リストピン17
は先端が載置台12表面より低い位置まで下降し、上記半
導体ウエハ14を上記載置台12上に設定する。
次に、上チャンバー５が下降し下チャンバー９と連結し
てチャンバー内を密閉状態にする。この時、上チャンバ
ー５と下チャンバー９との結合部分に設けられたパッキ
ング10の断面がなだらかなＬ状であるため、上チャンバ
ー５と下チャンバー９との平行度が多少ずれても処理室
内を密閉状態に保つことができる。また、このパッキン
グ10の先端が外側を向いているためチャンバー内部から
の真空圧に強く設けられている。しかし、このパッキン
グ10もチャンバー内を加熱する影響で同時に加熱し、ア
ッシングガスにより上記パッキング10もアッシングされ
てしまうため、チャンバー内から仕切る状態に仕切り板
11が設けられ、これにより熱を逃がし、上記パッキング
10の加熱を和らげている。
てチャンバー内を密閉状態にする。この時、上チャンバ
ー５と下チャンバー９との結合部分に設けられたパッキ
ング10の断面がなだらかなＬ状であるため、上チャンバ
ー５と下チャンバー９との平行度が多少ずれても処理室
内を密閉状態に保つことができる。また、このパッキン
グ10の先端が外側を向いているためチャンバー内部から
の真空圧に強く設けられている。しかし、このパッキン
グ10もチャンバー内を加熱する影響で同時に加熱し、ア
ッシングガスにより上記パッキング10もアッシングされ
てしまうため、チャンバー内から仕切る状態に仕切り板
11が設けられ、これにより熱を逃がし、上記パッキング
10の加熱を和らげている。
また、上チャンバー５と下チャンバー９が連結すると同
時に上記円板７の周辺部下面に、複数箇所例えば３箇所
に設けられた円筒状スペーサー８が上記載置台12と接触
する。このスペーサー８は、接触した時点の上記円板７
と上記半導体ウエハ14との間隔が例えば0.5〜200mm程度
になる状態に設けられており、上記スペーサー８と上記
載置台12が接触することにより常に所望の間隔を得るこ
とができる。
時に上記円板７の周辺部下面に、複数箇所例えば３箇所
に設けられた円筒状スペーサー８が上記載置台12と接触
する。このスペーサー８は、接触した時点の上記円板７
と上記半導体ウエハ14との間隔が例えば0.5〜200mm程度
になる状態に設けられており、上記スペーサー８と上記
載置台12が接触することにより常に所望の間隔を得るこ
とができる。
この時上記半導体ウエハ14はすでに図示しない温度制御
機構により載置台12を例えば300℃程度に加熱すること
により同時に加熱されている。この加熱によりチャンバ
ー周辺に放熱することを防ぎ、周辺部や下部に断熱片13
が設けられているため、特別な冷却機構も必要としない
ため装置全体がコンパクトになる。
機構により載置台12を例えば300℃程度に加熱すること
により同時に加熱されている。この加熱によりチャンバ
ー周辺に放熱することを防ぎ、周辺部や下部に断熱片13
が設けられているため、特別な冷却機構も必要としない
ため装置全体がコンパクトになる。
そして、加熱した上記半導体ウエハ14上に、酸素供給源
18を備えたオゾン発生器19により発生したアッシングガ
スをガス流量調節器20により、流量が例えば３〜15l/mi
n程度となるように調節し、上記円板７の流出口６から
流出し、アッシングする。この時、上記載置台12がアル
ミニウム製である場合、表面がアッシングガスにより酸
化してしまうため、表面をアルマイト加工又はテフロン
加工をして対オゾン性を良くする。
18を備えたオゾン発生器19により発生したアッシングガ
スをガス流量調節器20により、流量が例えば３〜15l/mi
n程度となるように調節し、上記円板７の流出口６から
流出し、アッシングする。この時、上記載置台12がアル
ミニウム製である場合、表面がアッシングガスにより酸
化してしまうため、表面をアルマイト加工又はテフロン
加工をして対オゾン性を良くする。
上記流出口６から載置台12上に載置された半導体ウエハ
14の表面に、半導体ウエハ14の中心部から放射状に均一
にアッシングガスを流出させ半導体ウエハ14のアッシン
グ処理を行なう。
14の表面に、半導体ウエハ14の中心部から放射状に均一
にアッシングガスを流出させ半導体ウエハ14のアッシン
グ処理を行なう。
そして、アッシング処理後のアッシングガスは、図示し
ないオゾン分解器により分解し、排気管21から排気す
る。
ないオゾン分解器により分解し、排気管21から排気す
る。
以上で、半導体ウエハ14のアッシング処理が終了し、図
示しない搬送機構により次工程へ半導体ウエハ14を搬送
する。上記実施例では、パッキング10を上チャンバー５
に設けたが、下チャンバー５に設けても差し支えはな
い。
示しない搬送機構により次工程へ半導体ウエハ14を搬送
する。上記実施例では、パッキング10を上チャンバー５
に設けたが、下チャンバー５に設けても差し支えはな
い。
また、リストピン17をシリンダー16による上下動機構を
説明したが、上下動するものであれば、上記機構に限定
するものではない。
説明したが、上下動するものであれば、上記機構に限定
するものではない。
以上述べたようにこの実施例によれば、載置台にリスト
ピンを設け、このリストピンにより被処理基板の上下動
操作を行なうことにより、枚葉処理を行なうことが可能
となる。また、このリストピンとウエハとの接触面積が
狭いため、ウエハの熱低下がなくアッシング速度に悪影
響をあたえることがない。またこのリストピンがセラミ
ック製であるため、対熱性が良く、アッシングガスによ
り酸化されることがない。
ピンを設け、このリストピンにより被処理基板の上下動
操作を行なうことにより、枚葉処理を行なうことが可能
となる。また、このリストピンとウエハとの接触面積が
狭いため、ウエハの熱低下がなくアッシング速度に悪影
響をあたえることがない。またこのリストピンがセラミ
ック製であるため、対熱性が良く、アッシングガスによ
り酸化されることがない。
以上説明したように本発明によれば、載置台に少なくと
も被処理基板との接触部がセラミックで形成されたリス
トピンを設け、このリストピンにより被処理基板の上下
動操作を行うことにより、大口径の被処理基板に適した
被処理基板を１枚１枚処理する枚葉処理を行うことが可
能となり、また、被処理基板の熱低下による被処理基板
への悪影響がないため、製品の歩留りを向上することが
できる。
も被処理基板との接触部がセラミックで形成されたリス
トピンを設け、このリストピンにより被処理基板の上下
動操作を行うことにより、大口径の被処理基板に適した
被処理基板を１枚１枚処理する枚葉処理を行うことが可
能となり、また、被処理基板の熱低下による被処理基板
への悪影響がないため、製品の歩留りを向上することが
できる。
第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのアッシ
ング装置の構成図、第２図は従来のアッシング装置を示
すものである。 2,14……半導体ウエハ、８……スペーサー、 10……パッキング、11……仕切り板、 13……断熱片、17……リストピン。
ング装置の構成図、第２図は従来のアッシング装置を示
すものである。 2,14……半導体ウエハ、８……スペーサー、 10……パッキング、11……仕切り板、 13……断熱片、17……リストピン。
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバー内に設けられた載置台に被処理
基板を載置し、処理する処理装置において、 前記載置台に設けられ前記被処理基板の裏面より前記被
処理体を上下動させる少なくとも前記被処理基板との接
触部がセラミックスで形成されたリストピンを設けたこ
とを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010027A JPH06103663B2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010027A JPH06103663B2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179525A JPS63179525A (ja) | 1988-07-23 |
| JPH06103663B2 true JPH06103663B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=11738914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62010027A Expired - Fee Related JPH06103663B2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103663B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142828A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5199483A (en) * | 1991-05-15 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling wafers |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147528A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
| JPS61231738A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送機構 |
| JPS6153930B2 (ja) * | 1980-07-08 | 1986-11-20 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | |
| JPS61267317A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
| JPS61288424A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-18 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | ピンリフト プラズマ処理装置 |
| JPS61289623A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153930U (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP62010027A patent/JPH06103663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153930B2 (ja) * | 1980-07-08 | 1986-11-20 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | |
| JPS61147528A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
| JPS61231738A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送機構 |
| JPS61267317A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
| JPS61288424A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-18 | テ−ガル・コ−ポレ−シヨン | ピンリフト プラズマ処理装置 |
| JPS61289623A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63179525A (ja) | 1988-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |