JP2617935B2 - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JP2617935B2 JP2617935B2 JP62106028A JP10602887A JP2617935B2 JP 2617935 B2 JP2617935 B2 JP 2617935B2 JP 62106028 A JP62106028 A JP 62106028A JP 10602887 A JP10602887 A JP 10602887A JP 2617935 B2 JP2617935 B2 JP 2617935B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- semiconductor wafer
- processed
- substrate
- wafer
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、被処理基板に披着された膜をアッシング方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術） 一般に半導体集積回路の微細パターンの形成は露光お
よび現像によって形成された有機高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い、半導体ウエハ上に形成された
下地膜をエッチングすることにより行われる。したがっ
て、マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッチ
ング過程を経た後には半導体ウエハの表面から除去する
必要がある。
よび現像によって形成された有機高分子のフォトレジス
ト膜をマスクとして用い、半導体ウエハ上に形成された
下地膜をエッチングすることにより行われる。したがっ
て、マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッチ
ング過程を経た後には半導体ウエハの表面から除去する
必要がある。
このような場合のフォトレジスト膜を除去する処理と
してアッシング処理が行なわれている。
してアッシング処理が行なわれている。
その例として特開昭52−20766号公報に開示されたも
のがある。
のがある。
これによると、アッシングガスを半導体ウエハ上に拡
散して流出させるための複数個の開口がある拡散板を半
導体ウエハ上に近接させ、その拡散板を介してアッシン
グガスを半導体ウエハ上に流出させ、アッシング処理を
行なう。
散して流出させるための複数個の開口がある拡散板を半
導体ウエハ上に近接させ、その拡散板を介してアッシン
グガスを半導体ウエハ上に流出させ、アッシング処理を
行なう。
（発明が解決しようとする課題） 上記した機構によりアッシングガスとしてオゾンを含
むガスを用いてアッシングする場合、オゾンの供給路に
おける分解を防止するため、拡散板を冷却し、被処理基
板であるウエハの表面を高温にしてオゾンを熱分解して
アッシングすることが行なわれている。しかしながら、
このアッシング工程を行うと、ウエハと対向する拡散板
表面にかなり堆積物の付着がみられた。これは汚染の原
因となり、高集積化のクリーン対応としては望ましくな
いという問題点があった。
むガスを用いてアッシングする場合、オゾンの供給路に
おける分解を防止するため、拡散板を冷却し、被処理基
板であるウエハの表面を高温にしてオゾンを熱分解して
アッシングすることが行なわれている。しかしながら、
このアッシング工程を行うと、ウエハと対向する拡散板
表面にかなり堆積物の付着がみられた。これは汚染の原
因となり、高集積化のクリーン対応としては望ましくな
いという問題点があった。
本発明者等は被処理基板対向面等の壁面に反応生成物
が何故付着するのかを検討した。まず種々な手段により
付着物を取り出し、これを分析した結果、被アッシング
物質が付着していることが判った。このアッシング物質
が付着する原因を詳査した結果、被処理基板中の溶剤が
気化し、被処理基板表面から被処理基板対向面等へ気流
によて送られるために付着することが判った。
が何故付着するのかを検討した。まず種々な手段により
付着物を取り出し、これを分析した結果、被アッシング
物質が付着していることが判った。このアッシング物質
が付着する原因を詳査した結果、被処理基板中の溶剤が
気化し、被処理基板表面から被処理基板対向面等へ気流
によて送られるために付着することが判った。
本発明は、前記事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、付着する溶剤だけを予め処理した
ものをアッシングすることにより、溶剤の付着量を減少
させるアッシング方法を提供するものである。
目的とするところは、付着する溶剤だけを予め処理した
ものをアッシングすることにより、溶剤の付着量を減少
させるアッシング方法を提供するものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、被処基板に披着されたアッシングガスによ
りアッシングするに際し、上記被処理基板の少なくとも
被処理面に減圧雰囲気下で加熱処理を施して溶剤を除去
した後、アッシングすることを特徴とする。
りアッシングするに際し、上記被処理基板の少なくとも
被処理面に減圧雰囲気下で加熱処理を施して溶剤を除去
した後、アッシングすることを特徴とする。
（作 用） 本発明のアッシング方法では、被処理基板の少なくと
も被処理面の溶剤を除去することにより被処理基板との
対向面等の壁面に被アッシング物質が付着せず、アッシ
ング速度及び均一性の向上を可能とするものである。
も被処理面の溶剤を除去することにより被処理基板との
対向面等の壁面に被アッシング物質が付着せず、アッシ
ング速度及び均一性の向上を可能とするものである。
（実施例） 以下、本発明方法を半導体製造工程のアッシング工程
に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
まず第１図に基づいてアッシング装置の構成を説明す
る。昇降機構１例えばデュアルタイプエアーシリンダ１
段目のエアーシリンダにより上下動自在な有蓋円筒状の
アルミ製上チャンバー２が設けられている。この上チャ
ンバー２の底面中心軸付近にはアッシングガスを流出さ
せるための流出口３例えば口径8mm程度の円筒状ノズル
が設けられている。この流出口３で形成される上記底面
の表面には例えば絶縁材からなる厚さ5mmの耐熱ガラス
製円板４が設けられている。そして、上記流出口３と円
板４は、昇降機構１例えばデュアルタイプエアーシリン
ダの２段目のエアーシリンダより上下動自在に設定され
ている。即ち、昇降機構１は２段階の昇降動作を行い、
上チャンバー２と流出口３及び円板４は別々に上下動自
在に昇降される。上記上チャンバー２と気密に係合する
如く下チャンバー５が設けられ、この下チャンバー５内
には温度制御機構６により温調自在に構成された円板状
ウエハ載置台７が設けられている。この載置台７上には
被処理基板例えば半導体ウエハ８が必要に応じて吸着さ
れる如く設置される。
る。昇降機構１例えばデュアルタイプエアーシリンダ１
段目のエアーシリンダにより上下動自在な有蓋円筒状の
アルミ製上チャンバー２が設けられている。この上チャ
ンバー２の底面中心軸付近にはアッシングガスを流出さ
せるための流出口３例えば口径8mm程度の円筒状ノズル
が設けられている。この流出口３で形成される上記底面
の表面には例えば絶縁材からなる厚さ5mmの耐熱ガラス
製円板４が設けられている。そして、上記流出口３と円
板４は、昇降機構１例えばデュアルタイプエアーシリン
ダの２段目のエアーシリンダより上下動自在に設定され
ている。即ち、昇降機構１は２段階の昇降動作を行い、
上チャンバー２と流出口３及び円板４は別々に上下動自
在に昇降される。上記上チャンバー２と気密に係合する
如く下チャンバー５が設けられ、この下チャンバー５内
には温度制御機構６により温調自在に構成された円板状
ウエハ載置台７が設けられている。この載置台７上には
被処理基板例えば半導体ウエハ８が必要に応じて吸着さ
れる如く設置される。
上記上チャンバー２と下チャンバー５による密閉部を
減圧するための減圧機構９と切換え弁10aが設けられ、
切換え弁10aと下チャンバー５の間には凝縮機構11と溶
剤回収機構12が設けられている。
減圧するための減圧機構９と切換え弁10aが設けられ、
切換え弁10aと下チャンバー５の間には凝縮機構11と溶
剤回収機構12が設けられている。
また、上記ウエハ８の表面にアッシングガスを参照す
る如く酸素供給源13と切換え弁10bを備えたオゾン発生
器14が配設されている。そして、アッシング処理後のア
ッシングガスは図示しないオゾン分解器により分解さ
れ、切換え弁10cを備えた排気機構15より排気される。
る如く酸素供給源13と切換え弁10bを備えたオゾン発生
器14が配設されている。そして、アッシング処理後のア
ッシングガスは図示しないオゾン分解器により分解さ
れ、切換え弁10cを備えた排気機構15より排気される。
次に上述したアッシング装置による半導体ウエハのア
ッシング方法を説明する。
ッシング方法を説明する。
昇降機構１により上チャンバー２と流出口３及び円板
４を上昇させ、図示しない搬送機構により、下チャンバ
ー５に内設された載置台７上の予め定められた位置に被
処理基板、例えば半導体ウエハ８を自動的に搬送し、載
置する。半導体ウエハ８は必要に応じて半導体ウエハ８
オリフラ合わせを予め行うと同一特性の素子を再現性よ
く製造できる。
４を上昇させ、図示しない搬送機構により、下チャンバ
ー５に内設された載置台７上の予め定められた位置に被
処理基板、例えば半導体ウエハ８を自動的に搬送し、載
置する。半導体ウエハ８は必要に応じて半導体ウエハ８
オリフラ合わせを予め行うと同一特性の素子を再現性よ
く製造できる。
次に、上チャンバー２と下チャンバー５を相対的に移
動、つまりこの実施例では上チャンバー２が下降して下
チャンバー５と連結してアッシング処理室内を密閉状態
に設定する。この時、流出口３及び円板４は半導体ウエ
ハ８面から例えば30〜70mm程度の間隔をあけた位置とな
るように上昇したままに設定する。
動、つまりこの実施例では上チャンバー２が下降して下
チャンバー５と連結してアッシング処理室内を密閉状態
に設定する。この時、流出口３及び円板４は半導体ウエ
ハ８面から例えば30〜70mm程度の間隔をあけた位置とな
るように上昇したままに設定する。
図示しない中心位置合わせ機構により半導体ウエハ８
の中心位置合わせをし、図示しない搬送機構例えばハン
ドアームにより載置台７の中心と半導体ウェハ８の中心
を合わせて載置する。この後、切換え弁10b,10cを閉
じ、切換え弁10aを開いて減圧機構９、例えば真空ポン
プにより気密状態の処理室の圧力を例えば100〜300Torr
程度に減圧する。この前処理工程に際し、載置台７に内
蔵された温度制御機構６で制御されるヒーターにより少
なくとも半導体ウエハ８の表面を100℃〜300℃程度、例
えば150℃に設定する。勿論、半導体ウエハ８の表面に
レーザー光を照射して所定温度に設定してもよい。そこ
で、半導体ウエハ８中の溶剤は気化され、減圧機構９に
よる期待の流れにより凝縮機構11に運ばれ、凝縮機構11
内で冷却されることにより液化し、溶剤回収機構21に回
収される。またこの時、流出口３及び円板４は半導体ウ
エハ８の表面から例えば30〜70mm程度と十分な間隔をあ
けているので、これらの壁面等への溶剤等の付着は前処
理時には発生しない。この結果、半導体ウエハ８中の溶
剤が除かれることにより、アッシング処理工程時の処理
速度と均一性が向上し、半導体ウエハ８との対向面通の
壁面への被アッシング物質の付着の発生が防止できる。
の中心位置合わせをし、図示しない搬送機構例えばハン
ドアームにより載置台７の中心と半導体ウェハ８の中心
を合わせて載置する。この後、切換え弁10b,10cを閉
じ、切換え弁10aを開いて減圧機構９、例えば真空ポン
プにより気密状態の処理室の圧力を例えば100〜300Torr
程度に減圧する。この前処理工程に際し、載置台７に内
蔵された温度制御機構６で制御されるヒーターにより少
なくとも半導体ウエハ８の表面を100℃〜300℃程度、例
えば150℃に設定する。勿論、半導体ウエハ８の表面に
レーザー光を照射して所定温度に設定してもよい。そこ
で、半導体ウエハ８中の溶剤は気化され、減圧機構９に
よる期待の流れにより凝縮機構11に運ばれ、凝縮機構11
内で冷却されることにより液化し、溶剤回収機構21に回
収される。またこの時、流出口３及び円板４は半導体ウ
エハ８の表面から例えば30〜70mm程度と十分な間隔をあ
けているので、これらの壁面等への溶剤等の付着は前処
理時には発生しない。この結果、半導体ウエハ８中の溶
剤が除かれることにより、アッシング処理工程時の処理
速度と均一性が向上し、半導体ウエハ８との対向面通の
壁面への被アッシング物質の付着の発生が防止できる。
そして、前処理が終了すると切換え弁10aを閉じ、減
圧機構９を停止した後載置台７に内蔵された温度制御機
構で制御されるヒーターにより半導体ウエハ８の表面を
少なくとも150℃〜500℃程度、例えば300℃に再設定す
る。また、流出口３及び円板４は昇降機構１の２段目の
昇降動作により下降して、半導体ウエハ８の表面から例
えば0.5〜20mm程度の間隔となるように設定する。それ
から、切換え弁10b,10cを開き、酸素供給源13を備えた
オゾン発生器14により発生したアッシングガスを流出口
３の図示しない拡散板により拡散して円板４の中心部に
設けられた流出口３から半導体８の表面に流出させ、半
導体ウエハ８のアッシング処理を行なう。
圧機構９を停止した後載置台７に内蔵された温度制御機
構で制御されるヒーターにより半導体ウエハ８の表面を
少なくとも150℃〜500℃程度、例えば300℃に再設定す
る。また、流出口３及び円板４は昇降機構１の２段目の
昇降動作により下降して、半導体ウエハ８の表面から例
えば0.5〜20mm程度の間隔となるように設定する。それ
から、切換え弁10b,10cを開き、酸素供給源13を備えた
オゾン発生器14により発生したアッシングガスを流出口
３の図示しない拡散板により拡散して円板４の中心部に
設けられた流出口３から半導体８の表面に流出させ、半
導体ウエハ８のアッシング処理を行なう。
また、アッシング処理後のアッシングガスは図示しな
いオゾン分解器により分解され、排気機構15から排気さ
れる。
いオゾン分解器により分解され、排気機構15から排気さ
れる。
以上で半導体ウエハ８のアッシング処理が終了し、昇
降機構１の２段階の昇降機構を用い上チャンバー２と流
出口３及び円板４を向上させた後、図示しない搬送機構
により次工程へ半導体ウエハ８を搬送する。
降機構１の２段階の昇降機構を用い上チャンバー２と流
出口３及び円板４を向上させた後、図示しない搬送機構
により次工程へ半導体ウエハ８を搬送する。
上記実施例の昇降機構１はデュアルタイプエアーシリ
ンダを用いて説明したが、２段階の昇降機構であればよ
く、シリンダとモータ等の組み合わせによる昇降機構で
もよい。
ンダを用いて説明したが、２段階の昇降機構であればよ
く、シリンダとモータ等の組み合わせによる昇降機構で
もよい。
上記実施例の減圧機構９は、密閉されたチャンバー内
を減圧できる機構であればよく、真空ポンプに限定する
ものではない。
を減圧できる機構であればよく、真空ポンプに限定する
ものではない。
また、前記処理としての減圧・加熱処理機構はアッシ
ング処理機構とは別に設けてもよく、並設して処理をし
てもよい。そして、前処理の減圧・加熱処理機構を別に
設けた場合の前処理形態は、枚葉処理でもバッチ処理で
もよい。
ング処理機構とは別に設けてもよく、並設して処理をし
てもよい。そして、前処理の減圧・加熱処理機構を別に
設けた場合の前処理形態は、枚葉処理でもバッチ処理で
もよい。
そして、円板４の材質をガラスを使用して説明した
が、耐熱ガラスであればよく、石英ガラスを使用しても
よい。また、円板４は半導体ウエハ８より大きければよ
く、さらに流出口３の半導体ウエハ８対向面は、同ウエ
ハの大きさより小さいことである。
が、耐熱ガラスであればよく、石英ガラスを使用しても
よい。また、円板４は半導体ウエハ８より大きければよ
く、さらに流出口３の半導体ウエハ８対向面は、同ウエ
ハの大きさより小さいことである。
以上述べたようにこの実施例によれば、半導体ウエハ
の中心を載置台の中心に合わせて載置し、密閉したチャ
ンバー内でウエハを減圧・加熱してウエハ中の溶剤を除
去した後、ウエハの中心軸上に設けられた流出口よりウ
エハ上に均一にアッシングガスに流出させることがで
き、第２図に示すように、従来の前処理なしの場合に比
較してアッシング処理能力を向上でき、汚染の発生を防
止できる。
の中心を載置台の中心に合わせて載置し、密閉したチャ
ンバー内でウエハを減圧・加熱してウエハ中の溶剤を除
去した後、ウエハの中心軸上に設けられた流出口よりウ
エハ上に均一にアッシングガスに流出させることがで
き、第２図に示すように、従来の前処理なしの場合に比
較してアッシング処理能力を向上でき、汚染の発生を防
止できる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、被処理基板の少
なくとも被処理面に減圧雰囲気下で加熱処理を施して溶
剤を除去した後、、アッシングを行うので、アッシング
処理時の速度と均一性が向上し、被アッシング物質の付
着をほとんどなくすことができる効果がある。
なくとも被処理面に減圧雰囲気下で加熱処理を施して溶
剤を除去した後、、アッシングを行うので、アッシング
処理時の速度と均一性が向上し、被アッシング物質の付
着をほとんどなくすことができる効果がある。
第１図は本発明のアッシング方法におけるアッシング装
置の構成図、第２図は第１図におけるアッシング装置に
おいて、前処理をした場合としない場合のアッシング分
布特性曲線図である。 ２……上チャンバー、３……流出口 ４……円板、５……下チャンバー ７……載置台、８……半導体ウエハ 10a,10b,10c……切換え弁
置の構成図、第２図は第１図におけるアッシング装置に
おいて、前処理をした場合としない場合のアッシング分
布特性曲線図である。 ２……上チャンバー、３……流出口 ４……円板、５……下チャンバー ７……載置台、８……半導体ウエハ 10a,10b,10c……切換え弁
Claims (1)
- 【請求項１】被処基板に披着された膜をアッシングガス
によりアッシングするに際し、上記被処理基板の少なく
とも被処理面に減圧雰囲気下で加熱処理を施して溶剤を
除去した後、アッシングすることを特徴とするアッシン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62106028A JP2617935B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62106028A JP2617935B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | アツシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271933A JPS63271933A (ja) | 1988-11-09 |
| JP2617935B2 true JP2617935B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=14423187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62106028A Expired - Fee Related JP2617935B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617935B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262553U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-10 | ||
| JP2756473B2 (ja) * | 1988-11-10 | 1998-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アッシング装置 |
| US6756187B2 (en) | 2002-01-04 | 2004-06-29 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method for removing patterned layer from lower layer through reflow |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236668A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Fujitsu Ltd | アツシング方法 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62106028A patent/JP2617935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63271933A (ja) | 1988-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |