JPH0533004Y2 - - Google Patents

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JPH0533004Y2
JPH0533004Y2 JP3633688U JP3633688U JPH0533004Y2 JP H0533004 Y2 JPH0533004 Y2 JP H0533004Y2 JP 3633688 U JP3633688 U JP 3633688U JP 3633688 U JP3633688 U JP 3633688U JP H0533004 Y2 JPH0533004 Y2 JP H0533004Y2
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resist
processing chamber
lamp house
lamp
processing
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【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案は、例えば、半導体ウエハに塗布され
たレジストの耐熱性の向上を目的としたレジスト
処理等に用いられるレジスト処理装置に関するも
のである。
[従来の技術] 従来の紫外線照射によるレジストの処理につい
ては、半導体ウエハに塗布されたレジストにマス
クパターンを露光する処理、ウエハ表面に付着し
有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等におい
て、紫外線照射が利用されているが、最近レジス
ト処理工程のひとつであるベーキング工程への適
用が注目されている。
ベーキング工程とは、レジスト塗付、露光、現
像によるレジストパターンを形成する工程と、こ
のレジストパターンを用いてイオン注入やプラズ
マエツチング等を行う工程との中間の工程であつ
て、レジストの半導体基板への接着性や耐熱性の
向上等を目的とした加熱工程である。そして最近
では、現像後のベーキング工程の前、あるいはベ
ーキング時にレジストに紫外線を当てて、より短
時間にベーキング時の耐熱性や耐プラズマエツチ
ング性(以下、耐プラズマ性という)を高める方
法が検討されている。
このように、レジストベーキング工程において
は紫外線を照射することが検討されている。レジ
ストに紫外線を照射すると、レジスト中に含まれ
る有機溶媒の分解蒸発やレジスト自体が化学反応
を起こして発生するガス、あるいはウエハにレジ
ストを塗布する前に施された下地処理から生じる
ガス等が急激に発生し、レジスト膜の形状が変化
したり、発泡したり剥離を起こすことがある。
この場合、最近の研究では減圧雰囲気中にレジ
ストを置いて紫外線を照射すると、ガスの急激な
発生によるレジスト膜の変形、発泡、剥離等が少
くなることが判つている。
従つて、最近では処理室内を減圧にする機構を
具備したレジスト処理装置の商品化が検討される
に至つているが、レジストの種類によつては常圧
雰囲気で強い紫外線を照射し、短時間に処理して
しまつた方が良いものもある。
従つて、望ましくは、減圧雰囲気中で処理する
こともできるし、常圧雰囲気中で強い紫外線を照
射して処理することもできるレジスト処理装置が
要求されている。
[考案が解決しようとする課題] 上述のようにレジスト処理装置における処理を
常圧下で行つたり、また減圧下で行つたりするこ
とが必要となつている。ところが、真空中もしく
は減圧下でレジストの塗布されたウエハに光が照
射されると、照射光の中の紫外線の作用による
か、あるいは熱線による加熱によつてレジスト表
面から揮発物等の発生、放出が行われる。この放
出された揮発物等は、減圧下であると飛散してレ
ジスト膜と光源との間に介在する光照射窓に付着
して照射光の透過を妨げたりするという問題があ
る。さらに同一の装置でレジスト処理を常圧下で
行わせる場合は、前述の如く減圧下で行う場合に
比して、レジストに強い紫外線を照射するように
しなければならないという問題がある。
この考案はかかる課題を解決するためになされ
たもので、減圧下においては光照射処理を行うこ
とによつてレジストの塗布されたウエハから放出
される揮発物等が光照射窓に付着するのを防止す
ることのできる装置であり、常圧下においては強
い紫外線を照射することのできるレジスト処理装
置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、この考案のレジ
スト処理装置は、内部にランプを収納した第一の
光照射窓を有するランプハウスと、このランプハ
ウスからの光の照射を受け、被処理物が配置され
る処理室と、この処理室の減圧機構とを有し、前
記ランプハウスと処理室との間には、上面を第二
の光照射窓に覆われ、下面に透光性多孔板を有
し、側面にガス流入口が設けられたガスフローユ
ニツトが着脱自在に配置され、さらに前記ランプ
ハウスまたは処理室の上下移動を可能にする移動
機構が備えた構成を有し、第二の照射窓に対して
垂直方向にガスを流出させるものである。
[作用] 上記の構成によつて、常圧下ではガスフローユ
ニツトを取はずすことにより、ランプとレジスト
との照射距離は短くなつて、同じランプでも減圧
下に比較して強い紫外線を照射することができ、
また減圧下では揮発物が窓へ付着することもな
い。
[実施例] 第1図はこの発明のレジスト処理装置における
一実施例を示し断面図で、1はランプハウス、2
はランプ、3はミラー、4は第1の光照射窓、5
は処理室、6は処理台、7はウエハ搬送口、8は
このウエハ搬送口7のシヤツタ、9は処理室5を
減圧するために排気する排気口、10,11はラ
ンプハウス1及び処理室5とガスフローユニツト
14を結合する際の気密性を向上するためのOリ
ング、12,13はそれぞれガスフローユニツト
14の上面及び下面を構成する第2の光照射窓と
透光性多孔板であり、この透孔性多孔板13は光
13aを多数有し、15はN2等の不活性ガスの
流入口、16は処理室5の下部にある支持台、1
7はランプハウス1の支柱、18はこの支柱17
を上下動させるエアシリンダ、19は処理台6に
載置された被処理物である半導体のウエハであ
る。
第1図の装置は減圧下における光照射処理を行
う場合を示した図で、ウエハ19に塗布されたレ
ジストに対してランプ2からの光を照射してレジ
スト処理を行うと、紫外線による作用あるいは熱
線による加熱作用によつてレジスト表面から揮発
物等が発生する。即ち、レジスト表面から微粒子
がガスとなつて放出される。このガス放出された
微粒子は減圧下にあつては処理室の周囲に飛散し
て、第2の光照射窓12に付着しようとする。と
ころが処理室5内はガスフローユニツト14によ
つてN2ガス等の不活性ガスを吸入させながら排
気口9から差動排気を行つて、所定の減圧雰囲気
になるように圧力制御が行われると共に、透光性
多孔板13に設けられた多数の孔13aから垂直
方向に不活性ガスを流出させているので、レジス
トから放出される揮発性の微粒子は光照射窓12
に付着することはない。
次に、源圧下で使用した第1図の装置を常圧下
で使用する場合について説明する。
ウエハに塗布されるレジストの種類によつて
は、常圧下で強い紫外線を照射し、短時間に処理
してしまつた方が良いものがある。即ち、常圧下
で強い紫外線を照射しても、前述のレジストの発
泡や変形が生じないレジストもあり、このような
レジストに対して紫外線の照射により所望の耐熱
性等が得られるのならば、特に減圧にする必要は
ない。従つて、常圧下においては、第1図の装置
に対して、エアシリンダ18を作動させてランプ
ハウス1を幾分上昇させた後、第2の光照射窓1
2及び透光性多孔板13からなるガスフローユニ
ツト14を取はずす、これらがスフローユニツト
14を取はずして後、エアシリンダ18を作動さ
せて支柱17を下降させる。そして、処理室5の
上側にOリング11を介してランプハウス1を取
付ける。
尚、常圧下では減圧する必要はないので、排気
口9からの排気は行わず、不図示の排気バルブを
閉にするなどしておく。
ガスフローユニツト14を取はずすと、処理台
6とランプ2の距離が短縮される結果、レジツト
に対するランプ2からの照射距離は短くなり、そ
のため、ランプ2の光出力はガスフローユニツト
14の取付けられていた時と同じであつてもレジ
ストへの照射強度は強められることになる。
そのため、減圧下におけるよりも常圧下におけ
る場合、ランプ2は同じであつてもレジストに対
して強い紫外線が照射されて処理は短時間で済む
ことになる。従つて、ランプ2を交換したり、ラ
ンプ2への供給電力を増加させたりする必要がな
い。
尚、この実施例では源圧下で処理する場合、光
照射窓12の付近に不活性ガスを流すようにした
ので、光照射窓が揮発物で汚れてくもりを生じる
こともなく、多孔板を使用したのでレジストを塗
布したウエハ19に対し、不活性ガスの流れが均
一になる。
また、この実施例では被処理物に半導体のウエ
ハを使用したが、これに限らずフオトレジスト膜
を塗布した液晶用の基板や、CCD用のセラミツ
クス基板等にも応用が可能である。
[考案の効果] 以上説明したとおり、この考案のレジスト処理
装置は、内部にランプを収納した第一の光照射窓
を有するランプハウスと、このランプハウスから
の光の照射を受け、被処理物が配置される処理室
と、この処理室の減圧機構とを有し、前記ランプ
ハウスと処理室との間には、上面を第二の光照射
窓に覆われ、下面に透光性多孔板を有し、側面に
ガス流入口が設けられたガスフローユニツトが着
脱自在に配置され、さらに前記ランプハウスまた
は処理室の上下移動を可能にする移動機構が備え
ているので、処理室内を減圧にする機構を具備
し、光照射窓のくもりが防止されると共に、常圧
雰囲気においては強い紫外線の照射が可能とな
り、レジストの種類、性質に応じた処理が有効に
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のレジスト処理装置における
一実施例を示し断面図である。 図中、1……ランプハウス、2……ランプ、
4,12……光照射窓、5……処理室、6……処
理台、9……排気口、10,11……Oリング、
13……透光性多孔板、13a……孔、14……
ガスフローユニツト、15……流入口、17……
支柱、18……エアシリンダ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 内部にランプを収納した第一の光照射窓を有す
    るランプハウスと、このランプハウスからの光の
    照射を受け、被処理物が配置される処理室と、こ
    の処理室の減圧機構とを有し、前記ランプハウス
    と処理室との間には、上面を第二の光照射窓に覆
    われ、下面に透光性多孔板を有し、側面にガス流
    入口が設けられたガスフローユニツトが着脱自在
    に配置され、さらに前記ランプハウスまたは処理
    室の上下移動を可能にする移動機構が備えられて
    なることを特徴とするレジスト処理装置。
JP3633688U 1988-03-22 1988-03-22 Expired - Lifetime JPH0533004Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP3633688U JPH0533004Y2 (ja) 1988-03-22 1988-03-22

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Publication Number Publication Date
JPH01140819U JPH01140819U (ja) 1989-09-27
JPH0533004Y2 true JPH0533004Y2 (ja) 1993-08-23

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