JPH05315246A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH05315246A JPH05315246A JP11475292A JP11475292A JPH05315246A JP H05315246 A JPH05315246 A JP H05315246A JP 11475292 A JP11475292 A JP 11475292A JP 11475292 A JP11475292 A JP 11475292A JP H05315246 A JPH05315246 A JP H05315246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- exposure
- resist
- rotary stage
- aligner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハの露光領域のみを加熱してレジス
ト発泡を抑止し、しかも回路パターン形成領域のレジス
ト膜の過剰ベーキングを防止し、更に半導体ウェハ裏面
のパーティクルの付着を少なくする露光装置を提供す
る。 【構成】表面上にレジストを塗布した半導体ウェハ５の
エッジ部を露光するための光源装置３と上記半導体ウェ
ハを支持する回転ステージ２が配置された露光装置にお
いて、上記光源装置３による半導体ウェハ５の露光領域
のみを同時に加熱可能な様に、赤外線照射装置１が配置
され、上記回転ステージ２が上記半導体ウェハ５を回転
支持可能な様に、少なくとも３個の上記半導体ウェハ５
の微小領域と接触した支持部２ａを有してなる。
ト発泡を抑止し、しかも回路パターン形成領域のレジス
ト膜の過剰ベーキングを防止し、更に半導体ウェハ裏面
のパーティクルの付着を少なくする露光装置を提供す
る。 【構成】表面上にレジストを塗布した半導体ウェハ５の
エッジ部を露光するための光源装置３と上記半導体ウェ
ハを支持する回転ステージ２が配置された露光装置にお
いて、上記光源装置３による半導体ウェハ５の露光領域
のみを同時に加熱可能な様に、赤外線照射装置１が配置
され、上記回転ステージ２が上記半導体ウェハ５を回転
支持可能な様に、少なくとも３個の上記半導体ウェハ５
の微小領域と接触した支持部２ａを有してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の露光装置に係
り、特に露光装置における半導体ウェハのエッジ露光に
係わる装置に関するものである。
り、特に露光装置における半導体ウェハのエッジ露光に
係わる装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ表面全体に形成されたレジ
スト膜の露光工程では、回路パターン形成領域の露光と
半導体ウェハのエッジ部露光（エッジ露光）が別々の作
業で行われる。
スト膜の露光工程では、回路パターン形成領域の露光と
半導体ウェハのエッジ部露光（エッジ露光）が別々の作
業で行われる。
【０００３】後者の半導体ウェハのエッジ露光において
は、レジスト膜に紫外線が照射されると、レジスト膜中
の感光剤が光分解して窒素（Ｎ2）ガスが発生し、この
Ｎ2ガスがレジスト膜とウェハとの界面に集中して溜ま
り、レジスト膜を破裂させるレジスト発泡の問題があ
る。
は、レジスト膜に紫外線が照射されると、レジスト膜中
の感光剤が光分解して窒素（Ｎ2）ガスが発生し、この
Ｎ2ガスがレジスト膜とウェハとの界面に集中して溜ま
り、レジスト膜を破裂させるレジスト発泡の問題があ
る。
【０００４】そのため、エッジ露光においては半導体ウ
ェハを加熱することによりレジスト層と半導体ウェハと
の密着性を向上させ、発生したＮ2ガスを雰囲気中に放
出し、レジスト発泡を抑止する必要がある。
ェハを加熱することによりレジスト層と半導体ウェハと
の密着性を向上させ、発生したＮ2ガスを雰囲気中に放
出し、レジスト発泡を抑止する必要がある。
【０００５】図３は従来の露光装置の断面図である。
【０００６】図３に示す様に、表面上にレジスト膜４が
形成された半導体ウェハ５がホットプレート型の加熱式
バキューム吸着回転ステージ６上に載置されている。こ
の加熱式バキューム吸着回転ステージ６は回転可能であ
り、しかも半導体ウェハ５をバキューム系８により加熱
式バキューム吸着回転ステージ６に真空吸着させ、密着
性を良くしている。また半導体ウェハ５はステージ加熱
系７により、加熱式バキューム吸着回転ステージ６を介
して加熱される。
形成された半導体ウェハ５がホットプレート型の加熱式
バキューム吸着回転ステージ６上に載置されている。こ
の加熱式バキューム吸着回転ステージ６は回転可能であ
り、しかも半導体ウェハ５をバキューム系８により加熱
式バキューム吸着回転ステージ６に真空吸着させ、密着
性を良くしている。また半導体ウェハ５はステージ加熱
系７により、加熱式バキューム吸着回転ステージ６を介
して加熱される。
【０００７】表面にレジスト膜４が形成された半導体ウ
ェハ５を毎分２０回転以下の回転速度で回転させ、しか
もステージ加熱系７により半導体ウェハ５を加熱しなが
ら、露光光源（紫外線）装置３から紫外線を３００ｍｗ
／ｃｍ2以上の照射で半導体ウェハエッジから２〜５ｍ
ｍ程度の幅の領域を露光する。
ェハ５を毎分２０回転以下の回転速度で回転させ、しか
もステージ加熱系７により半導体ウェハ５を加熱しなが
ら、露光光源（紫外線）装置３から紫外線を３００ｍｗ
／ｃｍ2以上の照射で半導体ウェハエッジから２〜５ｍ
ｍ程度の幅の領域を露光する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のエッジ露光
装置は、まず半導体ウェハ５裏面全体を加熱式バキュー
ム吸着回転ステージ６に真空吸着させて露光を行うため
に、加熱式バキューム吸着回転ステージ６上のダストが
半導体ウェハ５裏面に転写してしまい、この半導体ウェ
ハ５裏面に付着したダストが後工程において半導体ウェ
ハ５表面にパーティクルとして付着し歩留まりを低下さ
せるという問題があった。
装置は、まず半導体ウェハ５裏面全体を加熱式バキュー
ム吸着回転ステージ６に真空吸着させて露光を行うため
に、加熱式バキューム吸着回転ステージ６上のダストが
半導体ウェハ５裏面に転写してしまい、この半導体ウェ
ハ５裏面に付着したダストが後工程において半導体ウェ
ハ５表面にパーティクルとして付着し歩留まりを低下さ
せるという問題があった。
【０００９】更に、半導体ウェハ全体を加熱するために
回路パターン形成領域のレジスト膜が過剰ベーキングさ
れてしまい問題があった。
回路パターン形成領域のレジスト膜が過剰ベーキングさ
れてしまい問題があった。
【００１０】そこで本発明は、半導体ウェハの露光領域
のみを加熱してレジスト発泡を抑止し、しかも回路パタ
ーン形成領域のレジスト膜の過剰ベーキングを防止し、
更に半導体ウェハ裏面のパーティクルの付着を少なくす
る露光装置を提供することを目的とする。
のみを加熱してレジスト発泡を抑止し、しかも回路パタ
ーン形成領域のレジスト膜の過剰ベーキングを防止し、
更に半導体ウェハ裏面のパーティクルの付着を少なくす
る露光装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、表面上にレジストが塗布した半導体ウェハのエッジ
部を露光するための光源装置と前記半導体ウェハを支持
する回転ステージが配置された露光装置において、前記
光源装置による半導体ウェハの露光領域のみを同時に加
熱可能な様に、赤外線照射装置が配置されてなることを
特徴とする露光装置によって解決される。
ば、表面上にレジストが塗布した半導体ウェハのエッジ
部を露光するための光源装置と前記半導体ウェハを支持
する回転ステージが配置された露光装置において、前記
光源装置による半導体ウェハの露光領域のみを同時に加
熱可能な様に、赤外線照射装置が配置されてなることを
特徴とする露光装置によって解決される。
【００１２】更に、上記課題は本発明によれば、前記回
転ステージが前記半導体ウェハを回転支持可能な様に、
少なくとも３個の前記半導体ウェハの微小領域と接触し
た支持部を有してなることを特徴とする露光装置によっ
て好適に解決される。
転ステージが前記半導体ウェハを回転支持可能な様に、
少なくとも３個の前記半導体ウェハの微小領域と接触し
た支持部を有してなることを特徴とする露光装置によっ
て好適に解決される。
【００１３】
【作用】本発明によれば、図１に示す様に半導体ウェハ
５のエッジ露光において、エッジ上方に配置された露光
光源装置３により、半導体ウェハ５の表面上に形成され
たレジスト膜４に紫外線を照射した露光領域に対して、
赤外線照射装置１により赤外線を照射すると、赤外線は
薄膜であるレジスト膜４に吸収され、直ちに熱エネルギ
ーに変換されるので即時に露光領域のみを加熱すること
が出来、また照射するエネルギー、波長を制御すること
により所定の温度で加熱が可能となり露光の際のレジス
ト発泡を抑止することが出来る。更に、赤外線を照射す
る領域は半導体ウェハ５の露光領域のみであるので、回
路パターン形成領域の過剰ベーキングを防止することが
出来る。
５のエッジ露光において、エッジ上方に配置された露光
光源装置３により、半導体ウェハ５の表面上に形成され
たレジスト膜４に紫外線を照射した露光領域に対して、
赤外線照射装置１により赤外線を照射すると、赤外線は
薄膜であるレジスト膜４に吸収され、直ちに熱エネルギ
ーに変換されるので即時に露光領域のみを加熱すること
が出来、また照射するエネルギー、波長を制御すること
により所定の温度で加熱が可能となり露光の際のレジス
ト発泡を抑止することが出来る。更に、赤外線を照射す
る領域は半導体ウェハ５の露光領域のみであるので、回
路パターン形成領域の過剰ベーキングを防止することが
出来る。
【００１４】更に本発明によれば、回転ステージ２を所
定の回転速度（毎分２０回転以下）で回転しても、回転
ステージ２の支持部２ａと半導体ウェハ５との摩擦力に
より半導体ウェハ５を回転ステージ２の回転に追従する
様に、少なくとも３個の領域と接触しているので、半導
体ウェハ５を回転させながら露光することが出来るの
で、半導体ウェハのエッジから一定幅の領域を露光する
ことが出来る。その結果、半導体ウェハ５の裏面と支持
部２ａとの接触領域は微小であるので、それだけ半導体
ウェハ５の裏面への回転ステージのダストの付着を少な
くすることが出来る。
定の回転速度（毎分２０回転以下）で回転しても、回転
ステージ２の支持部２ａと半導体ウェハ５との摩擦力に
より半導体ウェハ５を回転ステージ２の回転に追従する
様に、少なくとも３個の領域と接触しているので、半導
体ウェハ５を回転させながら露光することが出来るの
で、半導体ウェハのエッジから一定幅の領域を露光する
ことが出来る。その結果、半導体ウェハ５の裏面と支持
部２ａとの接触領域は微小であるので、それだけ半導体
ウェハ５の裏面への回転ステージのダストの付着を少な
くすることが出来る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による実施例を図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１６】図１および図２は本発明による１実施例を
示し、特に図１はエッジ露光装置の正面図を示し、図２
は回転ステージの要部斜視図である。
示し、特に図１はエッジ露光装置の正面図を示し、図２
は回転ステージの要部斜視図である。
【００１７】図１に示す様に、本発明による露光装置は
表面上にレジスト膜４が形成された半導体ウェハ５を支
持する回転ステージ２と、レジスト膜４を露光する露光
光源（紫外線）装置３と、半導体ウェハ５を加熱する赤
外線照射装置１から構成される。
表面上にレジスト膜４が形成された半導体ウェハ５を支
持する回転ステージ２と、レジスト膜４を露光する露光
光源（紫外線）装置３と、半導体ウェハ５を加熱する赤
外線照射装置１から構成される。
【００１８】半導体ウェハ５のエッジの上方には、露光
光源装置３が配置されており、半導体ウェハ５のエッジ
に対して紫外線を照射してレジスト膜４の露光を行う。
また半導体ウェハ５の上方には、赤外線照射装置１が配
置しており、上記レジスト膜４の露光領域に対して赤外
線を照射して加熱を行う。
光源装置３が配置されており、半導体ウェハ５のエッジ
に対して紫外線を照射してレジスト膜４の露光を行う。
また半導体ウェハ５の上方には、赤外線照射装置１が配
置しており、上記レジスト膜４の露光領域に対して赤外
線を照射して加熱を行う。
【００１９】次に、図２に示す様に、半導体ウェハ５が
回転ステージ２の３本の支持部２ａ上に載置されてお
り、この回転ステージ２を毎分２０回転以下の回転速度
で回転させ、半導体ウェハ５を回転させる。また支持部
２ａは半導体ウェハ５の裏面に対する金属汚染を防止す
るためにセラミック材あるいはテフロン材を使用する。
回転ステージ２の３本の支持部２ａ上に載置されてお
り、この回転ステージ２を毎分２０回転以下の回転速度
で回転させ、半導体ウェハ５を回転させる。また支持部
２ａは半導体ウェハ５の裏面に対する金属汚染を防止す
るためにセラミック材あるいはテフロン材を使用する。
【００２０】上記露光装置により、表面にレジスト膜４
が形成された半導体ウェハ５を毎分２０回転以下の回転
速度で回転させながら、露光光源装置３による紫外線の
３００ｍｗ／ｃｍ2以上の照度で半導体ウェハエッジか
ら２〜５ｍｍ程度の幅の領域を照射および赤外線照射装
置１により、この露光領域に対して赤外線を照射して６
０℃程度に加熱を行う。
が形成された半導体ウェハ５を毎分２０回転以下の回転
速度で回転させながら、露光光源装置３による紫外線の
３００ｍｗ／ｃｍ2以上の照度で半導体ウェハエッジか
ら２〜５ｍｍ程度の幅の領域を照射および赤外線照射装
置１により、この露光領域に対して赤外線を照射して６
０℃程度に加熱を行う。
【００２１】赤外線照射装置１は、露光のショット領域
を６０℃程度に加熱可能であれば、その取付位置および
赤外線の種類に対しては特に制約はない。
を６０℃程度に加熱可能であれば、その取付位置および
赤外線の種類に対しては特に制約はない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば半導
体ウェハエッジのみを加熱することによりレジスト発泡
を抑止出来るだけでなく、回路パターン形成領域のレジ
スト層の過剰ベーキングを防止することが出来る。更に
半導体ウェハ裏面と回転ステージとの接触部を微小領域
としてあるので、半導体ウェハ裏面のパーティクルを低
減させ歩留まりを向上させることが出来る。
体ウェハエッジのみを加熱することによりレジスト発泡
を抑止出来るだけでなく、回路パターン形成領域のレジ
スト層の過剰ベーキングを防止することが出来る。更に
半導体ウェハ裏面と回転ステージとの接触部を微小領域
としてあるので、半導体ウェハ裏面のパーティクルを低
減させ歩留まりを向上させることが出来る。
【図１】実施例を示す露光装置正面図である。
【図２】回転ステージ要部斜視図である。
【図３】従来例を示す露光装置断面図である。
１ 赤外線照射装置 ２ 回転ステージ ２ａ 支持部 ３ 露光光源（紫外線）装置 ４ レジスト膜 ５ 半導体ウェハ ６ 加熱式バキューム吸着回転ステージ ７ ステージ加熱系 ８ バキューム系
Claims (2)
- 【請求項１】 表面上にレジストを塗布した半導体ウェ
ハのエッジ部を露光するための光源装置と前記半導体ウ
ェハを支持する回転ステージが配置された露光装置にお
いて、 前記光源装置による半導体ウェハの露光領域のみを同時
に加熱可能な様に、赤外線照射装置が配置されてなるこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記回転ステージが前記半導体ウェハを
回転支持可能な様に、少なくとも３個の前記半導体ウェ
ハの微小領域と接触した支持部を有してなることを特徴
とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11475292A JPH05315246A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11475292A JPH05315246A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315246A true JPH05315246A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14645796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11475292A Pending JPH05315246A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315246A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980020620A (ko) * | 1996-09-10 | 1998-06-25 | 김광호 | 반도체소자 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| KR100724623B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2007-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광장비내에서의 웨이퍼엣지 노광방법 |
| JP2008160083A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-07-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| CN107636818A (zh) * | 2015-05-08 | 2018-01-26 | 瓦里安半导体设备公司 | 衬底处理与加热系统 |
| KR20190101713A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP11475292A patent/JPH05315246A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980020620A (ko) * | 1996-09-10 | 1998-06-25 | 김광호 | 반도체소자 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| KR100724623B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2007-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광장비내에서의 웨이퍼엣지 노광방법 |
| JP2008160083A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-07-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| TWI421636B (zh) * | 2006-11-20 | 2014-01-01 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置與方法 |
| CN107636818A (zh) * | 2015-05-08 | 2018-01-26 | 瓦里安半导体设备公司 | 衬底处理与加热系统 |
| KR20190101713A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
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