JP2000323471A - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に塗布された処理液が乾ききらない間
に基板を移動させても処理液が基板周縁部に流出するこ
とを防止する。 【解決手段】 ウェハＷにポリイミド液を供給してこの
ウェハＷをスピンチャック５６で回転させることでウェ
ハＷ上にポリイミド膜を形成する膜形成装置１５におい
て，ウェハＷの周辺部に対してレーザ光を照射する照射
装置８１を設ける。ポリイミド膜が形成されてサイドリ
ンスされた後，レーザ光を周辺部に照射して周辺部の膜
を固化する。固化したポリイミド膜が堰となって，乾き
きっていないポリイミド液が周縁部に流出することを防
止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板に処理液を供
給して当該基板の表面に処理液の膜を形成する膜形成方
法及び膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の
表面にアルミニウム電極を多層に形成する，いわゆる多
層配線技術が行われている。そして，アルミニウム電極
間には層間絶縁膜，例えばポリイミド膜が形成されてい
る。

【０００３】ところで，製品歩留まりの低下を防止する
には，ポリイミド膜を均一に形成することが必要であ
る。また，多層配線技術後に行われるリソグラフィ技術
において，均一な露光処理やエッチング処理等を行うた
めにも，均一なポリイミド膜の形成が不可欠である。そ
こで，均一なポリイミド膜を形成するにあたり，例えば
従来からスピンコート法が行われてきた。このスピンコ
ート法は，ウェハの表面に液状のポリイミドを供給し，
ウェハを回転させてその時の遠心力によって，ウェハ上
のポリイミドを拡散させて塗布する方法である。

【０００４】また従来では，スピンコート法によりポリ
イミド膜を形成したウェハの周縁部に対して，例えばポ
リイミドの溶剤（以下，「溶剤」という。）等の洗浄液
を供給し，当該ウェハの周縁部にあるポリイミド膜を除
去する，いわゆるサイドリンス処理が行われていた。こ
れにより，ウェハの周縁部にあるポリイミド膜がウェハ
の周縁部を支持するピンセットに付着して汚染すること
を防止していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ポリイ
ミド膜は流動性が高く，ウェハの中心部側にある乾きき
らないポリイミド膜がウェハの周縁部側に流れ出してし
まうことがあった。従って，上述のサイドリンス処理を
施しても，その後ウェハの周縁部側に流れ出したポリイ
ミドがピンセットに付着して汚染してしまうという懸念
が生じていた。

【０００６】そこで本発明は，ポリイミド膜のような薄
膜を形成した後，薄膜を形成する処理液が乾ききってい
ない状態で基板を移動させても，処理液が周縁部に流出
することを防止して，ピンセットなど基板を支持する支
持部材が汚染されない膜形成方法及び膜形成装置を提供
して，上記課題を解決することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板に処理液を供給し，当該基板の表面に所定の厚
さの処理液の膜を形成する工程と，前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と，前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と
を有することを特徴とする膜形成方法が提供される。

【０００８】請求項１に記載の膜形成方法によれば，例
えば，基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去した
後に，基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固
化させる。このように，基板周辺部の処理液を固化させ
ることにより，この固化部分がいわゆる堰となり，基板
の中心部側にある乾いていない処理液が基板の周縁部か
ら基板外に流出することが防止できる。ここで，「ウェ
ハＷの周縁部」とは，ウェハＷの側周端面及びエッジ部
分並びにその後のプロセスにおいて半導体デバイス等が
形成されない部分をいい，「ウェハＷの周辺部」とは上
記「ウェハＷの周縁部」よりもウェハＷの内側に位置し
た部分をいう。なお，請求項１の膜形成方法には，上述
した基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる工程とが，何れの工程が先に行われる場合も
含まれる。

【０００９】かかる請求項１における前記基板の周縁部
に形成された処理液の膜を除去する工程は，請求項２の
ように前記基板の周縁部に洗浄液を供給することにより
行われてもよいし，請求項３のように，前記基板の周縁
部に対してレーザ光を照射することにより行われてもよ
いし，さらに請求項４のように，前記基板の周縁部に対
して洗浄液を供給し，レーザ光を照射して行われてもよ
い。

【００１０】これらの方法により，基板の周縁部に形成
された処理液の膜を好適に除去することができるが，特
にレーザ光は，その出力の強弱或いは，照射時間の変更
により，前記処理膜の除去する量を調節ことができるた
め，基板上に形成された処理液の膜の膜厚が異なる場合
にも適応できる。なお，請求項４の前記処理液の膜の除
去工程には，洗浄液を供給すると同時にレーザ光を照射
する場合と，いずれかを先に行う場合が含まれる。

【００１１】上述した請求項１，３，４の各膜形成方法
において，請求項５のように前記基板の周辺部の端部に
形成された処理液の膜を固化させる工程は，前記基板の
周辺部に対してレーザ光を照射することにより行われる
ようにしてもよい。このように，レーザ光を用いて前記
処理液の膜を固化させることにより，レーザ光は比較的
エネルギーが高く指向性に優れているため，短時間でか
つ正確な位置に前記固化部分すなわち堰を形成すること
ができる。

【００１２】請求項６によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周縁部に洗浄液を供給して，当該基板
の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工程と，基
板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周辺
部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程とを
有することを特徴とする，膜形成方法が提供される。

【００１３】請求項６に記載の膜形成方法によれば，例
えば基板の周縁部に洗浄液を供給して，周縁部にある処
理液の膜を溶解除去した後，この基板の周辺部にレーザ
光を照射して，処理液の膜の周辺部の端部を加熱して固
化させるようにしている。従って，この基板の周辺部に
は処理液の固化部分によっていわば堰が形成されること
となる。従って，基板の中心部側にある乾ききらない処
理液の流出は，前記固化部分によって防止される。

【００１４】請求項７の発明によれば，基板に処理液を
供給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形
成する工程と，基板の周辺部に対してレーザ光を照射
し，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる工程と，さらに基板の周縁部にある処理液の
膜を前記レーザ光で除去する工程とを有することを特徴
とする膜形成方法が提供される。

【００１５】請求項７に記載の膜形成方法によれば，処
理液の膜が表面に形成された基板の周辺部にレーザ光を
照射し，先ず基板の周辺部の端部に形成された処理液の
膜を固化させるようにしている。これによって，固化し
た処理液の堰が基板の周辺部に形成されるので，乾きき
っていない処理液の流出を防止できる。次いで，基板の
周縁部にある処理液の膜をレーザ光で除去するので，洗
浄液を使用せずに基板の周縁部にある処理液の膜を除去
することが可能となる。ここで，基板上の処理液の膜厚
に差がある場合には，レーザ光の照射時間を調整して好
適に対処することができる。

【００１６】かかる請求項７の発明において，請求項８
のように，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液
の膜を固化させる工程と，基板の周縁部にある処理液の
膜を前記レーザ光で除去する工程との間に，基板に対し
て照射するレーザ光の出力を調整する工程を具備するよ
うにしてもよい。

【００１７】請求項８に記載の膜形成方法によれば，周
辺部の端部にある処理液の膜を固化させた後に，基板の
周縁部に対して照射するレーザ光の出力を調整するの
で，例えば処理液の膜が厚く形成された箇所には出力の
大きなレーザ光を，また処理液の膜が薄く形成された箇
所には出力の小さなレーザ光を照射することにより，基
板の周縁部から効率よく，かつ常に所定の時間で不要な
処理液の膜を除去することができる。

【００１８】請求項９の発明によれば，基板に処理液を
供給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形
成する工程と，基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ
光を照射して，所定の間隔を有するように前記基板の周
辺部に形成された処理液の膜と前記基板の周縁部に形成
された処理液の膜の２箇所を固化する工程と，その後，
前記固化された２箇所の処理液の膜の間にある処理液の
膜を前記レーザー光で除去する工程とを有することを特
徴とする膜形成方法が提供される。

【００１９】このように，処理液の膜の固化する部分を
２重に形成することにより，いわゆる処理液に対する堰
が２つ形成されることになるため，基板周縁部から乾い
ていない処理液が流出することをより確実に防止でき
る。

【００２０】請求項１０の発明によれば，基板に処理液
を供給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を
形成する工程と，基板の周辺部に対してレーザ光を照射
し，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させると共に当該基板の周縁部にある処理液の膜を
前記レーザ光で除去する工程とを有することを特徴とす
る膜形成方法が提供される。

【００２１】請求項１０に記載の膜形成方法によれば，
例えばスピンコート法によって，基板の周縁部にまで延
出した余分な処理液の膜はレーザ光によって除去され
る。一方，基板の周辺部に対しては，レーザ光で固化し
た処理液による堰が形成されるので，乾ききっていない
処理液の流出を防ぐことができる。しかも，基板の周縁
部にある処理液の膜の除去を上述した堰の形成と同時に
行うので，かかる固化と除去とに要する時間をより短縮
化できる。

【００２２】上述した請求項１〜４の前記基板の周辺部
の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程は，請
求項１１のように前記基板の周辺部に対して紫外線を照
射することにより行われてもよいし，請求項１２のよう
に前記基板の周辺部を加熱することにより行われてもよ
いし，さらに，請求項１３のように基板の周辺部に対し
て硬化剤を供給することにより行われるようにしてもよ
い。上記の方法を用いて処理液の膜を固化させても，固
化部分すなわち堰を基板の周辺部の端部に好適に形成す
ることができる。従って，基板の中心部側にある乾いて
いない処理液が基板の周縁部から基板外に流出すること
が防止される。

【００２３】請求項１４の発明によれば，請求項５〜１
２において前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を
固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程を有す
ることを特徴とする膜形成方法が提供される。請求項５
〜１２のように，レーザ光や加熱素子等を用いて，前記
基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させ
る場合は，基板に熱的な悪影響を与えるおそれがある。
そこで，請求項１４のようにレーザ光や熱が与えられる
基板の周辺部を冷却することにより，熱的な影響を受け
ることを防止する。

【００２４】請求項１５に記載の発明は，請求項３〜１
０に記載の膜形成方法において，基板は略円盤状であっ
て，この基板を回転させながらレーザ光を照射する工程
を有することを特徴としている。

【００２５】請求項１５に記載の膜形成方法によれば，
基板の周辺部や周縁部の一点にレーザ光を照射し続ける
だけで，基板の全周にわたって周辺部や周縁部に対して
レーザ光の照射が行える。

【００２６】請求項１６の発明によれば，上述した請求
項８以外の各膜形成方法において，前記基板は略円盤状
であって，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液
の膜を固化させる工程は，この基板を回転させながら行
われることを特徴とする膜形成方法が提供される。

【００２７】請求項１６に記載の膜形成方法によれば，
例えば前記基板の周辺部の一点に紫外線を照射し続ける
だけで，基板の全周にわたって基板の周辺部の端部に形
成された処理液の膜を固化させることができる。また，
回転の速度を変えることにより，例えば紫外線の照射量
を変えることができる。

【００２８】また，かかる請求項１６の発明は，請求項
１７のように，前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は，前記基板を回転させながら行われ
ることを特徴とする基板の膜形成方法が提供される。

【００２９】請求項１７に記載の膜形成方法によれば，
例えば前記基板の周辺部の一点にレーザ光を照射し続け
るだけで，基板の全周にわたって基板の周縁部に形成さ
れた処理液の膜を除去することができる。また，回転の
速度を変えることにより，例えばレーザ光の照射量を変
えることができ，処理膜の除去量を適宜変更することが
できる。

【００３０】請求項１８の発明によれば，基板に処理液
を供給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を
形成する装置であって，前記基板の周縁部に形成された
処理液の膜を除去する手段と，前記基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜を固化させる手段とを有するこ
とを特徴とする膜形成装置が提供される。

【００３１】このように，前記基板の周縁部に形成され
た処理液の膜を除去する手段と，前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させる手段とを有する
ことにより，請求項１に記載の膜形成方法を好適に実施
することができる。従って，基板周辺部に形成された処
理液の膜にいわゆる堰が形成され，基板中心部側にある
乾いていない処理液が基板周縁部から基板外に流出する
ことが防止される。

【００３２】かかる請求項１８の発明は，請求項１９の
ように前記処理液の膜を除去する手段は，前記基板の周
縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有するようにし
てもよい。このように，前記供給部を設けることによ
り，洗浄液によって前記処理液の膜を除去することがで
きるため，上述した請求項２の膜形成方法が好適に実施
できる。

【００３３】さらに請求項２０のように，前記基板の処
理液の膜を固化する手段を前記基板に対してレーザ光を
照射する照射装置としてもよい。こうすることにより，
前記基板の周縁部に形成された処理液の膜は，前記洗浄
液により除去され，前記基板の周辺部に形成された処理
液の膜は，レーザ光により固化できる。したがって，請
求項６に記載の膜形成方法を好適に実施できる。

【００３４】請求項２１の発明によれば，基板に処理液
を供給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を
形成する装置であって，前記基板の周辺部に対してレー
ザ光を照射可能な照射装置を備えたことを特徴とする膜
形成装置が提供される。

【００３５】請求項２１に記載の膜形成装置によれば，
処理液の膜が表面に形成された基板の周辺部に対して照
射装置からのレーザ光を照射して加熱することができる
から，基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固
化することができる。従って，請求項５，６に記載の膜
形成方法を好適に実施することができる。

【００３６】そして請求項２０又は２１における照射装
置は，請求項２２のように，少なくとも基板の周縁部ま
で移動自在に構成してもよい。

【００３７】かかる構成によれば，照射装置から基板の
周辺部に対してレーザ光を照射した後に，照射装置を移
動させて基板の周辺部よりもさらに外側の周縁部にレー
ザ光を照射することが可能である。従って，請求項７に
記載の膜形成方法を好適に実施することができる。

【００３８】請求項２３によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，基板の周辺部に対してレーザ光を照射
する第１の照射装置と，基板の周縁部に対してレーザ光
を照射する第２の照射装置とを有することを特徴とす
る，膜形成装置が提供される。

【００３９】請求項２３に記載の膜形成装置によれば，
基板の周辺部及び基板の周縁部に対してそれぞれ第１，
第２の照射装置から同時にレーザ光を照射することがで
きる。従って，例えば第１の照射装置よりも第２の照射
装置の出力を大きくし，基板の周辺部に照射するレーザ
光よりも光強度の強いレーザ光，即ちエネルギーの高い
レーザ光を基板の周縁部に照射すれば，固化した処理液
の堰が基板の周辺部に形成され，同時に基板の周縁部に
ある不要な処理液の膜を除去することができる。その結
果，請求項１０に記載の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。

【００４０】請求項２４によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に対して紫外線を照
射可能な照射装置を備えたことを特徴とする膜形成装置
が提供される。

【００４１】このように，紫外線の照射装置を備えるこ
とにより，請求項２１におけるレーザ光の代わりに紫外
線を照射して，基板の周辺部の端部に形成された処理液
の膜を固化することができる。従って，請求項１１に記
載の膜形成方法を好適に実施することができる。

【００４２】請求項２５によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部を加熱する加熱素子
を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供される。

【００４３】このように，基板の周辺部を加熱する加熱
素子を備えることにより，基板の周辺部に形成された処
理液の膜を加熱して，前記処理液の膜を固化することが
できる。従って，請求項１２に記載の膜形成方法を好適
に実施することができる。

【００４４】請求項２６の発明によれば，基板に処理液
を供給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を
形成する装置であって，前記基板の周辺部に硬化剤を供
給する供給部を備えたことを特徴とする膜形成装置が提
供される。

【００４５】このように，基板の周辺部に硬化剤を供給
する供給部を備えることにより，基板の周辺部の端部に
形成された処理液の膜に硬化剤を供給して，前記処理液
の膜を固化することができる。従って，請求項１３に記
載の膜形成方法を好適に実施することができる。

【００４６】請求項２７の発明によれば，請求項１８〜
２５の膜形成装置において，前記基板の周辺部を冷却す
る冷却装置を有することを特徴とする膜形成装置が提供
される。

【００４７】このように，基板の周辺部を冷却する冷却
装置を備えることにより，基板の周辺部を冷却して，例
えば，レーザ光の照射による温度上昇を抑制することが
できる。従って，請求項１４に記載の膜形成方法を好適
に実施することができる。

【００４８】また，かかる請求項２７における冷却装置
は，請求項２８のように前記基板の周辺部に対応した前
記基板の裏面に冷却水を供給するように構成されていて
もよいし，請求項２９のように前記基板の周辺部に冷却
された気体を供給するように構成されていてもよい。

【００４９】請求項２８によれば，基板周辺部の裏面に
対して冷却水を供給するため，処理液に直接触れること
なく，基板周辺部の温度上昇を抑制することができる。
また，請求項２９によれば，処理液に直接触れてもさほ
ど影響を与えない気体を用いて基板周辺部を冷却するこ
とができるので，冷却装置の配置位置の自由度が広が
る。

【００５０】以上の各膜形成装置は，請求項３０のよう
に前記基板を回転させる基板支持機構を有するようにし
てもよい。

【００５１】かかる構成によれば，例えば基板支持機構
によって回転する基板の周辺部にレーザ光を照射するこ
とができる。従って，請求項１５，１６又は１７に記載
の膜形成方法を好適に実施することができる。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態にかか
る膜形成装置を備えた膜形成システムについて説明す
る。図１〜３は膜形成システムの外観を示しており，図
１は平面図，図２は正面図，図３は背面図である。

【００５３】膜形成システム１は図１に示すように，例
えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現
像処理装置１に搬入出したり，カセットＣにウェハＷを
搬入出したりするためのカセットステーション２と，枚
葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置し
てなる処理ステーション３とを一体に接続した構成を有
している。

【００５４】カセットステーション２では，カセット載
置台６上の所定の位置にカセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在であり，カセ
ットＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００５５】ウェハ搬送体８はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ_３に
属するアライメントユニット３２及びエクステンション
ユニット３３に対してもアクセスできるように構成され
ている。

【００５６】処理ステーション３では，ウェハＷの周縁
部を保持するピンセット１０と，ウェハＷの裏面を保持
するピンセット１１，１２とを上中下に備えた主搬送装
置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１３の周
囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理装置群
を構成している。膜形成システム１においては，４つの
処理装置群Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，Ｇ_４が配置可能である。
第１及び第２の処理装置群Ｇ_１，Ｇ_２は膜形成装置１の
正面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ _３はカセ
ットステーション２に隣接して配置されており，第４の
処理装置群Ｇ_４は主搬送装置１３を挟んで第３の処理装
置群Ｇ_３と相対向するようにして配置されている。ま
た，必要に応じて第５の処理装置群Ｇ_５も背面側に配置
可能である。

【００５７】第１の処理装置群Ｇ_１では図２に示すよう
に，処理液としてのポリイミド液をウェハＷに供給して
処理する膜形成装置１５と，後述のポンプ６８，７１を
収納可能な収納室１６とが上下２段に配置されている。
第２の処理装置群Ｇ_２では，膜形成装置１５と基本的に
同様な構成を有する膜形成装置１７と，収納室１６と基
本的に同様な構成を有する収納室１８とが上下２段に積
み重ねられている。なお，これらの収納室１６，１８の
下部には，後述するポリイミド液供給タンク６５及び溶
剤供給タンク７０を収納可能なケミカルボックス１９，
１９が設けられている。

【００５８】第３の処理装置群Ｇ_３では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，ポリイミド膜とウェハＷとの定着性を高
めるアドヒージョンユニット３１，ウェハＷの位置合わ
せを行うアライメントユニット３２，ウェハＷを待機さ
せるエクステンションユニット３３，加熱処理を行うベ
ーキングユニット３４，３５，３６，３７等が下から順
に８段に重ねられている。

【００５９】第４の処理装置群Ｇ_４では，例えばクーリ
ングユニット４０，載置したウェハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，ベー
キングユニット４４，４５，４６，４７等が下から順に
８段に積み重ねられている。

【００６０】膜形成システム１は以上のように構成され
ている。次に，本発明の実施の形態にかかる膜形成装置
１５について説明する。

【００６１】膜形成装置１５は図４，５に示すように，
ケーシング５４内に備えられたカップ５５内部で真空吸
着したウェハＷを回転自在なスピンチャック５６を備え
ており，このウェハＷの下側にはウェハＷの裏面周縁部
に洗浄液，例えば溶剤等を供給して洗浄する，いわゆる
バックリンスを行うための洗浄液供給手段５７，５７が
設けられている。また，ウェハＷから飛散したポリイミ
ド液は，スピンチャック５６の外方からカップ５５の底
部に設けられた排液管５８を通じて，カップ５５の下方
に設置されているドレインタンク５９へと排出される。

【００６２】本実施の形態にかかる膜形成装置１５にお
いては，ウェハＷに供給されるポリイミド液は，各々ポ
リイミド液供給ノズルＰ_１〜Ｐ_４から供給されるように
なっており，これらのポリイミド液供給ノズルＰ_１〜Ｐ
_４はウェハＷに溶剤を供給する溶剤供給ノズルＴ_１〜Ｔ
_４とそれぞれ組になってノズルホルダ６０，６１，６
２，６３に夫々組み込まれている。

【００６３】ノズルホルダ６０，６１，６２，６３は上
記カップ５５の外側に配置する保持機構６４によって保
持されるようになっている。これらのノズルホルダ６
０，６１，６２，６３はそれぞれ基本的に同一の構成を
有しており，例えば図４に示したノズルホルダ６０に基
づいてその構成を説明すると，ノズルホルダ６０にはポ
リイミド液供給ノズルＰ_１と，溶剤供給ノズルＴ_１とが
設けられている。

【００６４】ポリイミド液供給ノズルＰ_１へは，上記ケ
ミカルボックス１９に収納されているポリイミド液供給
タンク６５から，ポリイミド液供給チューブ６６を通じ
て所定のポリイミド液が供給されるようになっており，
このポリイミド液供給チューブ６６には途中にパーティ
クル等の不純物を除去するフィルタ６７が介装されてい
る。また，ポリイミド液は収納室１６内のポンプ６８等
によって送られるようになっている。

【００６５】またノズルホルダ６０には，温度調節流体
を循環させるためのチューブによって構成された往路６
９ａ，復路６９ｂが設けられており，往路６９ａを通じ
て外部から供給される温度調節水等の温度調節流体を往
路６９ａから復路６９ｂに循環させている。これによ
り，ポリイミド液供給チューブ６６内を流通するポリイ
ミド液を一定温度に保ち，ポリイミド液供給ノズルＰ_１
からウェハＷに対して吐出されるポリイミド液が常に所
定温度となるように配慮されている。

【００６６】一方，溶剤供給ノズルＴ_１にはケミカルボ
ックス１９に収納されている溶剤供給タンク７０の溶剤
がポンプ７１によって溶剤供給チューブ７２を通じて送
液されるようになっており，ノズルホルダ６０には溶剤
供給チューブ７２内を流通する溶剤を所定温度に維持す
るために，所定温度の温度調節流体を流通させるチュー
ブからなる往路７３ａ，７３ｂが設けられている。

【００６７】なお，ノズルホルダ６１，６２，６３には
ポリイミド液供給ノズルＰ_２，Ｐ_３，Ｐ_４と，溶剤供給
ノズルＴ_２，Ｔ_３，Ｔ_４とが夫々設けられており，ノズ
ルホルダ６０，６１，６２，６３には後述するスキャン
アーム８０ａの保持する保持ピン６０ａ，６１ａ，６２
ａ，６３ａがそれぞれ設けられている。

【００６８】そして，スピンチャック５５を挟んで保持
機構６４の反対側には他の保持機構７４が設けられてお
り，この保持機構７４にはウェハＷの周縁部に溶剤を供
給して洗浄する，いわゆるサイドリンス専用のノズルホ
ルダ７５，７６，７７，７８が備えられている。ノズル
ホルダ７５，７６，７７，７８は基本的に同様の構成を
有しており，ノズルホルダ７５，７６，７７，７８には
ウェハＷの周縁部に溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル
Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３，Ｓ_４と，後述するスキャンアーム８
０ａに保持される保持ピン７５ａ，７６ａ，７７ａ，７
８ａとがそれぞれ設けられている。

【００６９】そして，前出のノズルホルダ６０，６１，
６２，６３及びノズルホルダ７５，７６，７７，７８は
保持機構６４，７４からスキャン機構８０のスキャンア
ーム８０ａによってそれぞれ取り出される。このスキャ
ンアーム８０ａは三次元方向，即ちＸ方向，Ｙ方向，Ｚ
方向への移動が可能であり，ノズルホルダ６０，６１，
６２，６３及びノズルホルダ７５，７６，７７，７８を
保持した状態でウェハＷの上方に位置する所定の位置ま
で移動するように構成されている。

【００７０】また，カップ５５の上方には，ウェハＷの
周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装置８１が備
えられている。この照射装置８１は移動機構８３によっ
てカップ５５上方の所定の位置まで移動することができ
るように構成されており，光源が例えばＧａＡｌＡｓ等
で出力が数Ｗ程度の赤外レーザダイオード８１ａと，発
生したレーザ光をウェハＷの周辺部に対して垂直に照射
させるためのレンズ８１ｂとを有している。

【００７１】本実施の形態にかかる膜形成装置１５は以
上のように形成されている。次に，膜形成装置１５の作
用効果について説明する。

【００７２】ウェハＷが膜形成装置１５に搬入される
と，このウェハＷはカップ５５内のスピンチャック５６
に真空引きされて吸着保持される。次いで，スピンチャ
ック５６が回転して，所定のポリイミド液を供給するポ
リイミド液供給ノズルＰ_ｘ，例えばポリイミド液供給ノ
ズルＰ_１が選択されて，スキャンアーム８０ａがポリイ
ミド液供給ノズルＰ_１を有するノズルホルダ６０を保持
機構６４まで取りに行く。

【００７３】そして，ノズルホルダ６０がカップ５５上
方の所定位置，例えばウェハＷの中心部まで移動して，
回転するウェハＷの中心部に溶剤供給ノズルＴ_１から所
定の溶剤を供給し拡散させる。次いで，溶剤の供給後に
ノズルホルダ６０が移動して，図６に示すように回転の
停止したウェハＷの中心部にポリイミド液供給ノズルＰ
_１から所定のポリイミド液を供給する。かかる供給終了
後，スキャンアーム８０ａは処理位置から退避し，ノズ
ルホルダ６０をもとの保持機構６４に戻しに行く。

【００７４】次いで，ポリイミド液の供給されたウェハ
Ｗをスピンチャック５６で回転させてウェハＷに供給さ
れたポリイミド液を拡散させて，図７に示すようにウェ
ハＷ上にポリイミド膜Ｐを形成する。そして，ウェハＷ
の回転によってウェハＷの周縁部まで延出したポリイミ
ド膜Ｐを除去するために，いわゆるサイドリンス及びバ
ックリンスが行われる。

【００７５】即ち，保持機構７４に移動したスキャンア
ーム８０ａによって，例えばノズルホルダ７５が取り出
され，ノズルホルダ７５が図８に示すように，スキャン
アーム８０ａに保持された状態でウェハＷの周縁部上方
の所定位置まで移動する。このとき，ウェハＷは再び回
転が開始されている。そして，回転するウェハＷの周縁
部に溶剤吐出ノズルＳ_１から溶剤が吐出されてサイドリ
ンスが行われる。また，このサイドリンスと並行して，
当該ウェハＷの裏面周縁部に対して洗浄液供給手段５
７，５７から溶剤が供給されてバックリンスが行なわれ
る。かかるサイドリンス及びバックリンスによって，ウ
ェハＷの周縁部にある不要なポリイミド膜Ｐが溶剤に溶
解し，図９に示すように除去される。

【００７６】そして，上記サイドリンス及びバックリン
ス終了後に，ウェハＷの周辺部上方に照射装置８１を移
動させて，図１０に示すように，回転するウェハＷの周
辺部に照射装置８１からレーザ光を照射する。このレー
ザ光の照射によってウェハＷの周辺部が加熱されるの
で，ウェハＷの周辺部にあるポリイミド膜Ｐの端部８２
が図１１に示すように固化する。

【００７７】この固化したポリイミド膜Ｐの端部８２は
いわば堰として機能する。従って，例えばウェハＷをピ
ンセット１０で搬送している最中に乾ききっていないポ
リイミド液が当該ピンセット１０の移動，停止等により
ウェハＷの周縁部方向に移動しようとしても，このポリ
イミド液はポリイミド膜Ｐの固化した端部８２によって
せき止められる。その結果，ポリイミド液がウェハＷの
周縁部側に流出することを未然に防止することができ，
ポリイミド液がピンセット１０に付着して汚染すること
を防止することができる。

【００７８】そのようにして，膜形成装置１５にて所定
のポリイミド膜が形成されたウェハＷは，その後ベーキ
ングユニット４４，クーリングユニット４３に順次搬送
されて所定の処理が施される。膜形成装置１７において
も膜形成装置１５と同様なプロセスによってポリイミド
膜Ｐが形成される。なお，この実施に形態においては，
サイドリンス及びバックリンスが行われ，ウェハＷの周
縁部のポリイミド膜Ｐが除去された後に，ウェハＷの周
辺部に形成されたポリイミド膜Ｐの端部を固化したが，
その逆すなわちウェハＷの周辺部の端部に形成されたポ
リイミド膜Ｐを固化し，堰を形成した後に，ウェハＷ周
縁部のポリイミド膜Ｐを除去してもよい。

【００７９】前記実施の形態ではウェハＷの周縁部にあ
るポリイミド膜Ｐを除去するためにサイドリンスとバッ
クリンスとを併用した例を挙げて説明したが，これに替
えて，レーザ光の照射によってウェハＷの周縁部にある
ポリイミド膜Ｐを除去するようにしてもよい。

【００８０】即ち図１２に示すように，先ずポリイミド
が表面に塗布されたウェハＷの周辺部上方に照射装置８
１を移動させて，ウェハＷの周辺部にレーザ光を照射
し，端部を固化させてポリイミド膜Ｐの堰を形成する。
次いで図１３に示すように，照射装置８１をウェハＷの
周縁部まで移動させると共に，レーザ光の出力を高め
る。そして，ウェハＷに形成されたポリイミド膜Ｐの堰
の最外端に位置する周縁部にレーザ光を照射し，ウェハ
Ｗの外側周縁部にあるポリイミド膜Ｐを蒸発させて，こ
れを除去する。また，レーザ光の出力を高める代わり
に，ポリイミド膜Ｐの堰を形成した後で，除去しようと
するポリイミド膜Ｐに照射装置８１からのレーザ光を複
数回重ねて照射してもよい。また，ウェハＷの回転速度
を遅くしてポリイミド膜Ｐに照射されるレーザ光のエネ
ルギー量を実質的に多くするようにしてもよい。

【００８１】かかる方法によれば，レーザ光によってウ
ェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去するので，
従来のようにウェハＷの周縁部に溶剤を供給しなくて
も，即ちサイドリンスやバックリンスを行わなくても，
当該ウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去する
ことが可能となる。なお，かかる方法とは逆に，レーザ
光によりウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去
した後に，ウェハＷ周辺部の端部のポリイミド膜Ｐをレ
ーザ光により固化してもよい。

【００８２】さらに図１４に示したように，ウェハＷの
周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装置９０
と，ウェハＷの周縁部に対してレーザ光を照射する第２
の照射装置９１とを備えるようにしてもよい。

【００８３】かかる構成によれば，ウェハＷの周辺部に
対して第１の照射装置９０からのレーザ光を，ウェハＷ
の周縁部に対して第２の照射装置９１からのレーザ光を
それぞれ同時に照射することができるので，ポリイミド
膜Ｐの固化と除去を同時に行うことができる。従って，
前記実施の形態，即ち周辺部のポリイミド膜Ｐを固化さ
せた後に周縁部のポリイミド膜Ｐを除去するプロセスよ
りも，ポリイミド膜Ｐの固化及び除去に要する時間を短
縮化することができる。この際，例えば第１の照射装置
９０よりも第２の照射装置９１の出力を大きくしてウェ
ハＷの周辺部よりも光強度の強いレーザ光，即ちよりエ
ネルギの高いレーザ光をウェハＷの周縁部に照射すれ
ば，ポリイミド膜Ｐの固化よりも時間のかかるポリイミ
ド膜Ｐの除去に要する時間をより短縮化することができ
る。さらに，第１，第２の照射装置９０，９１を移動さ
せるための適宜の移動機構８３も不要となるので，装置
全体の簡素化を図ることも可能である。なお，図１４に
示した例では，第１の照射装置９０と第２の照射装置９
１とが一体化されていたが，もちろん第１，第２の照射
装置９０，９１を別体にして各々好適な位置に別々に配
置するようにしてもよい。

【００８４】次に，本発明のさらに別の実施の形態を説
明する。図１５に示すように，この実施の形態では，サ
イドリンス用の各ノズルホルダ１７５〜１７８にウェハ
Ｗの周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射する照射
装置１８１〜１８４をそれぞれ搭載している。例えば，
ノズルホルダ１７５〜１７８では，ウェハＷの周縁部に
対して溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルＳ_１，Ｓ_２，
Ｓ_３，Ｓ_４と照射装置１８１〜１８４とが回転するウェ
ハの接線方向に向けて隣接するように配置されている。

【００８５】ウェハＷ上にポリイミド溶剤を供給した
後，溶剤吐出ノズルＳ_１，Ｓ_２，Ｓ_３，Ｓ_４及び照射装
置１８１〜１８４がウェハＷの周縁部に位置する１つの
ノズルホルダ１７５〜１７８を移動させ，溶液吐出ノズ
ルＳ_１，Ｓ_２，Ｓ_３，Ｓ_４から溶液を吐出しつつ照射装
置１８１〜１８４からレーザ光を照射する。その後，照
射装置１８１〜１８４がウェハＷの周辺部に位置するよ
うに１つのノズルホルダ１７５〜１７８を移動させ，照
射装置１８１〜１８４からレーザ光を照射して堰を形成
する。

【００８６】この実施の形態によれば，照射装置を移動
するための特別な手段は不要となり，装置全体の簡素化
を図ることができる。なお，この実施の形態では，先に
ウェハＷ周縁部のポリイミド膜Ｐを除去し，その後ウェ
ハＷ周辺部端部に堰を形成したが，その逆すなわち先に
ウェハＷ周辺部端部のポリイミド膜Ｐに堰を形成してか
らウェハＷ周縁部のポリイミド膜Ｐを除去してもよい。

【００８７】さらに，図１６に示すように，各ノスルホ
ルダ１７５〜１７８にさらに別の照射装置１９１〜１９
４をウェハＷの接線方向に向けて隣接するように配置し
てのよい。この場合，図１５に示した動作に加えて，照
射装置１９１〜１９４については，ウェハＷの周辺部を
レーザ光で照射するときにだけ使用する。これにより，
堰を形成する時にはより大きなエネルギーが必要となる
が，それを２つの照射装置を使ってレーザ光を照射する
ことで，照射装置のコントロールをＯＮ・ＯＦＦだけで
行え，照射装置内のエネルギーコントロールは不要とな
り，照射装置の構成を簡略化することができる。

【００８８】次に，本発明のまた別の実施の形態を説明
する。図１７に示すように，この実施の形態では，ウェ
ハＷ上にポリイミド溶剤を供給した後，照射装置８１に
より内外２重の堰２０１，２０２を形成した後，これら
の堰２０１，２０２間に残存する溶剤２０３を照射装置
８１により除去している。本実施の形態によれば，サイ
ドリンスやバックリンスを行わなくても，より確実に当
該ウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去するこ
とが可能となる。また，堰を２重にすることにより，ポ
リイミド溶液が基板周縁部に流れる可能性をさらに低減
できる。

【００８９】上述した実施の形態では，レーザ光を使っ
て堰の形成等を行っていたが，本発明は基板の周辺部に
処理液の堰等ができるように構成すればよく，例えば，
レーザ光に代えて紫外線を用いて紫外線のエネルギーで
堰の形成及び処理液の除去を行うようにしてもよい。ま
た，図１８に示すように，ウェハＷの周辺部及び周縁部
に近接可能に加熱素子２１１を配置し，加熱素子２１１
のエネルギーで堰を形成，或いは処理液の除去を行うよ
うにしてもよい。さらに，図１９に示すように，ウェハ
Ｗの周辺部に近接可能に，処理液を硬化することができ
る硬化剤を供給する硬化剤供給ヘッド２１２を配置し，
硬化剤供給ヘッド２１２からウェハＷ上に硬化剤を供給
することで堰の形成を行うようにしてもよい。

【００９０】上述した実施の形態では，堰を形成するた
めにウェハＷ上にレーザ光の照射等を行っているため，
ウェハＷに熱的な悪影響を及ぼすおそれがある。そこ
で，例えば，図２０に示すように，照射装置８１のレー
ザ照射位置の直下におけるウェハＷの裏面側で，ウェハ
Ｗの裏面に向けて冷却水を噴出するノズル２１３を配置
し，レーザの照射と冷却水の噴出とを同時に行うように
してもよい。また，図２１に示すように，照射装置８１
に隣接し，かつ，照射装置８１より内周側に（ウェハＷ
から見て）冷却された気体，例えば窒素ガスを噴出する
ノズル２１４を配置し，レーザ光の照射と冷却ガスの噴
出とを同時に行うようにしてもよい

【００９１】前記実施の形態では，処理液の膜としてポ
リイミド膜を形成する場合を例に挙げて説明したが，本
発明は他の薄膜，例えばスピン・オン・グラス膜（ＳＯ
Ｇ膜）を形成する場合も応用可能である。特に，ＳＯＤ
膜の形成に本発明を適用する場合，堰が形成されたまま
であると，ＳＯＤ膜の上にさらに上層を形成していくと
上層に凹凸を生じてウェハＷ上の実装領域にまで悪影響
を生じるため，例えばＳＯＤ膜の形成して加熱処理した
後に堰を除去することが好ましい。

【００９２】また基板もウェハには限定されず，例えば
ＬＣＤ基板やＣＤ基板等の他の基板であってもよい。

【００９３】以上の本発明によれば，レーザ光等で基板
の周辺部に処理液の子株分を形成するので，基板の中心
部にある乾ききらない処理液が基板の周縁部側に流出す
ることが防止できる。したがって，基板を支持する支持
部材の汚染を防止することが可能である。

【００９４】

【発明の効果】請求項１〜１７によれば，基板の周辺部
に処理液の固化部分を形成するので，この固化部分がい
わゆる堰となり，基板の中心部側にある乾ききらない処
理液が基板の周縁部側に流出することを防止できる。従
って，基板を支持する支持部材の汚染を防止することが
可能である。

【００９５】特に請求項９によれば，いわゆる堰が２重
に形成されるため，基板中心側にある乾ききらない処理
液が基板の周縁部に流出することがより確実に防止され
る。

【００９６】また，請求項１４のように，基板の周辺部
を冷却することにより，基板に与えられる熱的影響を最
小限に抑制することができる。

【００９７】請求項１８によれば，請求項１の膜形成方
法が好適に実施することができ，請求項１９は，請求項
２の膜形成方法，請求項２０は，請求項６の膜形成方
法，請求項２１は，請求項５及び６の膜形成方法，請求
項２２は，請求項７の膜形成方法，請求項２３は，請求
項１０の膜形成方法，請求項２４は，請求項１１の膜形
成方法，請求項２５は，請求項１２の膜形成方法，請求
項２６は，請求項１３の膜形成方法，請求項２７〜２９
は，請求項１４の膜形成方法，請求項３０は，請求項１
５〜１７の膜形成方法をそれぞれ好適に実施することが
できる。

【００９８】特に，請求項２３によれば，請求項１０の
膜形成方法を好適に実施することができる。また，基板
の周辺部と周縁部とに同時にレーザ光を照射するので，
処理液の膜の固化及び除去に要する時間を請求項２２よ
りも短縮化できる。さらに，照射装置を基板の基板の周
縁部に移動させる適宜の移動機構が不要となるので，装
置全体の簡素化を図ることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置を備え
た膜形成システムの平面図である。

【図２】図１の膜形成システムの正面図である。

【図３】図１の膜形成システムの背面図である。

【図４】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置の概略
的な説明図である。

【図５】図４の膜形成装置の平面図である。

【図６】ウェハにポリイミド液を塗布する様子を示す説
明図である。

【図７】図６のポリイミド液を拡散させてポリイミド膜
を形成したウェハを示す説明図である。

【図８】図７のウェハにサイドリンス及びバックリンス
を施す様子を示す説明図である。

【図９】図８のウェハ及びポリイミド膜の拡大図であ
る。

【図１０】図９のウェハの周辺部にレーザ光を照射する
様子を示す説明図である。

【図１１】図１０のウェハ及びポリイミド膜の拡大図で
ある。

【図１２】ウェハの周辺部にレーザ光を照射する様子を
示す説明図である。

【図１３】図１２の状態からウェハの周縁部にレーザ光
を照射する様子を示す説明図である。

【図１４】ウェハの周辺部及び周縁部にレーザ光をそれ
ぞれ同時に照射する様子を示す説明図である。

【図１５】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。

【図１６】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。

【図１７】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。

【図１８】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を加熱する様子を示す説明図である。

【図１９】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部に硬化剤を供給する様子を示す説明図である。

【図２０】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。

【図２１】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 膜形成システム １０ ピンセット １５，１７ 膜形成装置 ５７ 洗浄水供給手段 ６５ ポリイミド液供給タンク ７０ 溶剤供給タンク ８１ 照射装置 ６０，６１，６２，６３ ノズルホルダ ７５，７６，７７，７８ ノズルホルダ Ｓ_１〜Ｓ_４ 溶剤吐出ノズル Ｔ_１〜Ｔ_４ 溶剤供給ノズル Ｐ_１〜Ｐ_４ ポリイミド液供給ノズル Ｐ ポリイミド膜 Ｗ ウェハ

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，前記基板
   の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工程と，前
   記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
   せる工程とを有することを特徴とする，膜形成方法。
2. 【請求項２】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
   膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に洗浄液を供給
   することにより行われることを特徴とする，請求項１に
   記載の膜形成方法。
3. 【請求項３】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
   膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に対してレーザ
   光を照射することにより行われることを特徴とする，請
   求項１に記載の膜形成方法。
4. 【請求項４】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
   膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に対して洗浄液
   を供給し，レーザ光を照射して行われることを特徴とす
   る，請求項１に記載の膜形成方法。
5. 【請求項５】 前記基板の周辺部の端部に形成された処
   理液の膜を固化させる工程は，前記基板の周辺部に対し
   てレーザ光を照射することにより行われることを特徴と
   する，請求項１，３又は４のいずれかに記載の膜形成方
   法。
6. 【請求項６】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，基板の周
   縁部に洗浄液を供給して，当該基板の周縁部に形成され
   た処理液の膜を除去する工程と，基板の周辺部に対して
   レーザ光を照射し，前記基板の周辺部の端部に形成され
   た処理液の膜を固化させる工程とを有することを特徴と
   する，膜形成方法。
7. 【請求項７】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，基板の周
   辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周辺部の端
   部に形成された処理液の膜を固化させる工程と，さらに
   基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除去す
   る工程とを有することを特徴とする，膜形成方法。
8. 【請求項８】 前記基板の周辺部の端部に形成された処
   理液の膜を固化させる工程と，基板の周縁部にある処理
   液の膜を前記レーザ光で除去する工程との間に，基板に
   対して照射するレーザ光の出力を調整する工程を具備す
   ることを特徴とする，請求項７に記載の膜形成方法。
9. 【請求項９】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，基板の周
   辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射して，前記基板
   の周辺部に形成された処理液の膜と前記基板の周縁部に
   形成された処理液の膜との２箇所を所定の間隔を有する
   ように固化する工程と，その後，前記固化された２箇所
   の処理液の膜の間にある処理液の膜を前記レーザー光で
   除去する工程とを有することを特徴とする，膜形成方
   法。
10. 【請求項１０】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，基板の
    周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周辺部の
    端部に形成された処理液の膜を固化させると共に当該基
    板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除去する
    工程とを有することを特徴とする，膜形成方法。
11. 【請求項１１】 前記基板の周辺部の端部に形成された
    処理液の膜を固化させる工程は，前記基板の周辺部に対
    して紫外線を照射することにより行われることを特徴と
    する，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の膜形
    成方法。
12. 【請求項１２】 前記基板の周辺部の端部に形成された
    処理液の膜を固化させる工程は，前記基板の周辺部を加
    熱することにより行われることを特徴とする，請求項
    １，２，３又は４のいずれかに記載の膜形成方法。
13. 【請求項１３】 前記基板の周辺部の端部に形成された
    処理液の膜を固化させる工程は，基板の周辺部に対して
    硬化剤を供給することにより行われることを特徴とす
    る，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の膜形成
    方法。
14. 【請求項１４】 前記基板の周辺部に形成された処理液
    の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程
    を有することを特徴とする，請求項５，６，７，８，
    ９，１０，１１又は１２のいずれかに記載の膜形成方
    法。
15. 【請求項１５】 前記基板は略円盤状であって，この基
    板を回転させながらレーザ光を照射する工程を有するこ
    とを特徴とする，請求項３，４，５，６，７，８，９又
    は１０のいずれかに記載の膜形成方法。
16. 【請求項１６】 前記基板は略円盤状であって，前記基
    板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
    工程は，この基板を回転させながら行われることを特徴
    とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，１
    ０，１１，１２，１３又は１４のいずれかに記載の膜形
    成方法。
17. 【請求項１７】 前記基板の周縁部に形成された処理液
    の膜を除去する工程は，前記基板を回転させながら行わ
    れることを特徴とする，請求項１６に記載の膜形成方
    法。
18. 【請求項１８】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって，
    前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する手
    段と，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜
    を固化させる手段とを有することを特徴とする，膜形成
    装置。
19. 【請求項１９】 前記処理液の膜を除去する手段は，前
    記基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有す
    ることを特徴とする，請求項１８に記載の膜形成装置。
20. 【請求項２０】 前記基板の処理液の膜を固化する手段
    は，前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置であ
    ることを特徴とする，請求項１８に記載の膜形成装置。
21. 【請求項２１】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって，
    前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装
    置を備えたことを特徴とする，膜形成装置。
22. 【請求項２２】 前記照射装置は，少なくとも基板の周
    縁部まで移動自在であることを特徴とする，請求項２０
    又は２１のいずれかに記載の膜形成装置。
23. 【請求項２３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって，
    基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装
    置と，基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の
    照射装置とを有することを特徴とする，膜形成装置。
24. 【請求項２４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって，
    前記基板の周辺部に対して紫外線を照射可能な照射装置
    を備えたことを特徴とする，膜形成装置。
25. 【請求項２５】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって，
    前記基板の周辺部を加熱する加熱素子を備えたことを特
    徴とする，膜形成装置。
26. 【請求項２６】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって，
    前記基板の周辺部に硬化剤を供給する供給部を備えたこ
    とを特徴とする，膜形成装置。
27. 【請求項２７】 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置
    を有することを特徴とする，請求項１８，１９，２０，
    ２１，２２，２３，２４又は２５のいずれかに記載の膜
    形成装置。
28. 【請求項２８】 前記冷却装置は，前記基板の周辺部に
    対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するように構成
    されていることを特徴とする，請求項２７に記載の膜形
    成装置。
29. 【請求項２９】 前記冷却装置は，前記基板の周辺部に
    冷却された気体を供給するように構成されていることを
    特徴とする，請求項２７に記載の膜形成装置。
30. 【請求項３０】 前記基板を回転させる基板支持機構を
    有することを特徴とする，請求項１８，１９，２０，２
    １，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８又は３
    ０のいずれかに記載の膜形成装置。