KR102030681B1 - 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 - Google Patents

기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102030681B1
KR102030681B1 KR1020140116374A KR20140116374A KR102030681B1 KR 102030681 B1 KR102030681 B1 KR 102030681B1 KR 1020140116374 A KR1020140116374 A KR 1020140116374A KR 20140116374 A KR20140116374 A KR 20140116374A KR 102030681 B1 KR102030681 B1 KR 102030681B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
processing
moisture
water
Prior art date
Application number
KR1020140116374A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160027802A (ko
Inventor
조윤선
김한옥
노성덕
김강원
Original Assignee
주식회사 제우스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 제우스 filed Critical 주식회사 제우스
Priority to KR1020140116374A priority Critical patent/KR102030681B1/ko
Priority to TW104125972A priority patent/TWI567855B/zh
Priority to JP2015167844A priority patent/JP6282250B2/ja
Priority to CN201510540823.8A priority patent/CN105390418B/zh
Publication of KR20160027802A publication Critical patent/KR20160027802A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102030681B1 publication Critical patent/KR102030681B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체용 기판을 식각 및 세정하는 기판 액처리 장치에 관한 것이다. 기판 액처리 장치는, 테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부; 상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 상기 기판의 처리면을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 상기 기판 또는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열부; 상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 수분 공급부; 를 포함한다. 이에 의해 수분의 증발을 억제하여 기판을 액처리 하는 선택비를 높일 수 있다.

Description

기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD}
본 발명은 반도체용 기판을 식각 및 세정하는 기판 액처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.
일반적으로 습식 식각 및 세정 장치는 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.
한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 빠르게 제거하기 위해서는 공정을 고온 상태에서 진행할 필요가 있었다.
이와 같이 고온에서 처리액을 공급하는 경우 처리액에 포함된 수분이 급속히 증발하여 처리액과 농도가 높아지고, 이에 따라 장치 내 파티클이 다량 발생하고, 처리액의 농도 변화로 인해 처리 효율이 낮아지는 문제점이 있었다..
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 고온에서의 기판 액처리 공정 시 처리액 내의 수분 증발을 억제하는 기판 액처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 장치는, 테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부; 상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 상기 기판의 처리면을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 상기 기판 또는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열부; 상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 수분 공급부; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 수분 공급부는, 수분을 미스트 또는 증기 상태로 분사한다.
바람직하게, 상기 수분 공급부의 수분을 분사하는 분사구는 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 형성된다.
바람직하게, 상기 기판은, 처리면이 상부를 향해 지지되고, 상기 처리액과 상기 수분은, 상기 기판의 상부 공간으로 공급된다.
바람직하게, 상기 기판의 상부에서 상기 처리액 공급부를 왕복 구동시키는 구동수단; 을 더 포함하고, 상기 수분 공급부는, 상기 기판의 상부 공간에 설치된다.
바람직하게, 상기 기판의 상부에서 상기 처리액 공급부를 왕복 구동시키는 구동수단; 을 더 포함하고, 상기 수분 공급부는, 상기 구동수단에 의해 상기 처리액 공급부와 함께 왕복 구동된다.
바람직하게, 상기 기판의 상부에서 상기 처리액 공급부를 왕복 구동시키는 구동수단; 을 더 포함하고, 상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고, 상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진다.
바람직하게, 상기 기판은, 처리면이 하부를 향해 지지되고, 상기 처리액과 상기 수분은, 상기 기판과 테이블 사이의 공간으로 공급된다.
바람직하게, 상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는, 각각 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진다.
바람직하게, 상기 처리액 공급부는, 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어지고, 상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고, 상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진다.
바람직하게, 상기 수분 공급부의 노즐은, 상기 기판의 수평면에 대하여 0°~ 20°기울어져 수분을 분사한다.
바람직하게, 상기 처리액은, SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)이다.
바람직하게, 상기 수분은, DIW(탈이온수)이다. 이때, 상기 수분은, 상온보다 높고, 끓는점보다 낮은 온도로 공급된다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 방법은, 상기 기판 또는 상기 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하면서, 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급한다.
바람직하게, 상기 처리액은 상기 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액이다.
바람직하게, 상기 수분은 상기 처리액과 동시에 분사된다.
바람직하게, 상기 처리액을 공급하는 시간과 상기 수분을 공급하는 시간이 적어도 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
본 발명의 기판 액처리 장치에 의하면, 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급함으로써 수분의 증발을 억제하여 기판을 액처리 하는 선택비를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 구성도.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 구성도.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 의한 구성도.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 의한 구성도.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 의한 구성도.
이하에서는 본 발명의 실시예를 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다. 본 발명의 기판 액처리 장치는 제1 내지 제5 실시예로 구분할 수 있으며, 각 실시예의 구성요소는 기본적으로 동일하나, 일부 구성에 있어서 차이가 있다. 또한 발명의 여러 실시예 중 동일한 기능과 작용을 하는 구성요소에 대해서는 도면상의 도면부호를 동일하게 사용하기로 한다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 기판 액처리 장치는 도 1에 도시한 바와 같이 크게 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30), 가열부(40), 처리액 회수부(50) 및 수분 공급부(60)로 이루어진다.
기판 지지부(10)는 테이블(11) 상부에 기판(W)을 이격하여 지지한다. 테이블(11) 상부의 외곽에는 복수개의 척핀(12)이 설치되어 기판(W)을 내측으로 지지하며, 기판(W)의 처리면은 상부를 향하여 지지된다. 이때, 액처리하기 위한 기판 뿐 아니라 더미 기판을 사용할 수도 있다.
회전 구동부(20)는 테이블(11) 하부의 회전축을 구동시켜 테이블(11)을 회전시킨다.
처리액 공급부(30)는 기판(W)의 상부면을 식각, 세정 또는 건조하기 위한 처리액을 공급하는 1 이상의 처리액공급 노즐(31)을 구비한다. 처리액공급 노즐(31)은 기판(W)의 상부 공간에 설치되고, 구동 수단에 의해 왕복 구동될 수 있다. 이때, 처리액은 SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)을 사용할 수 있다.
가열부(40)는 기판(W)의 액처리 효율을 향상시키기 위하여 기판(W)의 상부에 히터를 설치할 수 있다. 히터는 구동수단에 의해 스윙 형태로 이동하여 회전하는 기판(W)을 균일하게 가열시킬 수 있다. 도면에 도시하지는 않았지만 기판에 처리액을 공급하기 전 처리액의 혼합에 의한 발열반응을 이용하거나 처리액을 직접 가열함으로써 고온의 처리액을 기판에 직접 공급하는 처리액 방식을 사용할 수 있다.
이러한 처리액 가열 방식과 상술한 히터 가열 방식은 단독 또는 복합적으로 사용할 수 있다.
처리액 회수부(50)는 테이블(11) 둘레에 설치되어 기판(W)으로부터 배출되는 처리액을 회수할 수 있도록 상부가 내측으로 돌출된 1 이상의 컵(51, 52)을 구비한다. 도면에 도시하지는 않았지만 기판의 적재나, 처리액의 분리 회수를 위하여 회전축 또는 컵은 상대적으로 승강되도록 설치될 수 있다.
수분 공급부(60)는 기판(W)의 상부 공간에 처리액 공급부(30)와 별개로 설치된 수분공급 노즐(61)을 구비하고, 수분공급 노즐(61)은 구동 수단에 의해 스윙 형태로 왕복 구동될 수 있다.
수분공급 노즐(61)은 처리액이 공급되는 기판(W)의 상부 공간에 수분을 분사시켜 처리액 공급 시 수분의 증발을 억제하여 기판(W)의 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 수분공급 노즐(61)은 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 형성되고, 수분을 미스트 또는 증기 상태로 분사하여 수분의 분사 효율을 높일 수 있다. 공급되는 수분은 DIW(탈이온수)를 사용할 수 있고, 85℃ ~ 95℃의 수분을 공급하는 것이 바람직하나, 상온보다 높고 끓는점보다 낮은 온도라면 가능하다.
위와 같이 처리액 공급부(30)와 수분 공급부(60)의 분사 위치가 다르더라도 기판이 회전함에 따라 처리액과 수분은 충분히 혼합될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예는 도 2에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제1 실시예와 동일하며, 가열부(40) 및 수분 공급부(60)의 구조에 있어 차이가 있다.
가열부(40)는 기판(W)의 상부에 설치된 히터를 구비한다. 히터는 기판(W)의 영역과 동일하거나 기판(W)의 영역보다 더 크게 형성되어 기판(W)의 전체 영역을 균일하게 가열시킬 수 있다.
수분 공급부(60)는 기판(W)의 상부 공간에 수분공급 노즐(62)을 구비하고, 수분공급 노즐(62)은 구동 수단에 의해 처리액공급 노즐(32)과 함께 왕복 구동된다. 즉, 제1 실시예에 의한 처리액공급 노즐(31)과 수분공급 노즐(61)은 각각 왕복 운동을 하나, 제2 실시예에 의한 처리액공급 노즐(32)과 수분공급 노즐(62)은 하나의 구동 수단에 의해 왕복 운동을 한다는 차이가 있다. 이때 처리액공급 노즐(32)과 수분공급 노즐(62)의 분사구가 서로 번갈아 형성되어 처리액과 수분의 혼합을 용이하게 할 수도 있다.
본 발명의 제3 실시예는 도 3에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30), 가열부(40) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제1 실시예와 동일하며, 수분 공급부의 구조에 있어 차이가 있다.
수분 공급부는 처리액공급 노즐(33)에 의해 처리액이 공급되는 기판(W)의 상부 공간에 수분을 공급하도록 1 이상의 수분공급 노즐(63)을 구비하고, 수분공급 노즐(63)은 처리액 회수부(50)를 구성하는 컵(52)에 설치된다.
본 발명의 제4 실시예는 도 4에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 가열부(40) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제2 실시예와 동일하며, 회전 구동부(20), 처리액 공급부, 수분 공급부의 구조와 기판(W)의 지지방향에 있어 차이가 있다.
기판(W)은 처리면이 하부를 향하여 기판지지부(10)에 지지된다.
회전 구동부(20)는 회전축 내부에 기판(W)을 액처리 하기 위한 처리액이나 냉각유체, 불활성 가스 등을 공급하기 위한 중공이 형성되어 있다.
처리액 공급부는 기판(W)의 하부면을 식각, 세정 또는 건조하기 위한 처리액을 공급하는 1 이상의 처리액공급 노즐(34)을 구비한다. 처리액공급 노즐(34)은 테이블(11)의 상부 중앙 부분에 설치되어 기판(W)과 테이블(11) 사이의 공간으로 처리액을 공급할 수 있다. 처리액은 회전 구동부(20)의 중공을 통해 공급될 수 있다.
수분 공급부는 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 1 이상의 수분공급 노즐(64)을 구비한다. 수분공급 노즐(64)은 테이블(11)의 상부 중앙 부분에 설치되어 기판(W)과 테이블(11) 사이의 공간으로 처리액을 공급할 수 있다. 수분은 회전 구동부(20)의 중공을 통해 공급될 수 있다.
본 발명의 제5 실시예는 도 5에 도시한 바와 같이 기판 지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부, 가열부(40) 및 처리액 회수부(50)의 구조는 제4 실시예와 동일하며, 수분 공급부의 구조에 있어 차이가 있다.
수분 공급부는 처리액공급 노즐(35)에 의해 처리액이 공급되는 기판(W)과 테이블(11) 사이의 공간에 수분을 공급하도록 1 이상의 수분공급 노즐(65)을 구비하고, 수분공급 노즐(65)은 처리액 회수부(50)를 구성하는 컵(51)에 설치된다. 수분공급 노즐(65)은 기판(W)의 수평면에 대하여 0°~ 20°기울어져 수분을 분사할 수 있으며, 20°를 초과하면 처리액이 공급되는 공간 내부로 수분이 충분히 공급되지 않아 수분 증발 억제의 효과를 기대하기 어려운 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 방법은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 또는 기판(W)에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하여, 기판(W)의 처리면에 처리액을 공급하고, 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하여 기판(W)의 처리면을 액처리 한다.
이때, 처리액은 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액으로, 예컨대 SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)을 사용할 수 있다. 이때, 기판(W)의 처리면에 처리액과 수분을 동시에 공급할 수 있다.
또한, 처리액을 공급하는 시간과 수분을 공급하는 시간이 적어도 일부 중첩되게 할 수도 있으며, 수분을 단속적(intermittent)으로 공급할 수도 있다. 즉, 처리액을 공급하는 시간 동안 수분을 공급하는 시간을 일치시키지 않고, 처리액이 공급되는 시간 중 일부 동안만 수분을 공급할 수도 있다.
이상에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상을 중심으로 그 변형물 또는 균등물에까지 미침은 자명하다 할 것이다.
10 : 기판 지지부
20 : 회전 구동부
30 : 처리액 공급부
40 : 가열부
50 : 처리액 회수부
51, 52 : 컵
60 : 수분 공급부

Claims (18)

  1. 테이블 상부에 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부;
    상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부;
    상기 기판의 처리면을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급부;
    상기 기판의 상부에서 상기 기판을 가열하는 가열부;
    상기 테이블 둘레에 설치되어 기판으로부터 배출되는 처리액을 회수하는 처리액 회수부; 및
    상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하는 수분 공급부; 를 포함하고,
    상기 기판은, 처리면이 하부를 향해 지지되고,
    상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는, 각각 상기 테이블의 상부에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어져, 상기 처리액과 상기 수분이 상기 기판과 상기 테이블 사이의 공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 수분 공급부는, 수분을 미스트 또는 증기 상태로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 수분 공급부의 수분을 분사하는 분사구는 1 이상의 홀 또는 슬릿 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부와 상기 수분 공급부는, 각각 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 상기 테이블의 상부 중앙 부분에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어지고,
    상기 처리액 회수부는, 내측이 돌출된 1 이상의 컵을 구비하고,
    상기 수분 공급부는, 상기 컵에 설치되는 1 이상의 노즐로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 컵에 설치된 노즐은, 상기 기판의 수평면에 대하여 0°~ 20°기울어져 수분을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액은, SPM(황산과 과산화수소수의 혼합물)인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 수분은, DIW(탈이온수)인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 수분은, 상온보다 높고, 끓는점보다 낮은 온도로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  15. 기판을 회전시키면서 처리면을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서,
    상기 기판의 상부에서 상기 기판을 가열하면서, 상기 처리액이 공급되는 공간으로 수분을 공급하고,
    상기 기판은, 처리면이 하부를 향해 지지되고,
    상기 처리액과 상기 수분은, 각각 상기 기판을 지지하는 테이블의 상부에 설치되는 1 이상의 노즐로부터 공급되어, 상기 처리액과 상기 수분이 상기 기판과 상기 테이블 사이의 공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 처리액은 상기 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 수분은 상기 처리액과 동시에 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 처리액을 공급하는 시간과 상기 수분을 공급하는 시간이 적어도 일부 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
KR1020140116374A 2014-09-02 2014-09-02 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 KR102030681B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140116374A KR102030681B1 (ko) 2014-09-02 2014-09-02 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
TW104125972A TWI567855B (zh) 2014-09-02 2015-08-10 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP2015167844A JP6282250B2 (ja) 2014-09-02 2015-08-27 基板液処理装置及び基板液処理方法
CN201510540823.8A CN105390418B (zh) 2014-09-02 2015-08-28 基板液处理装置及基板液处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140116374A KR102030681B1 (ko) 2014-09-02 2014-09-02 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160027802A KR20160027802A (ko) 2016-03-10
KR102030681B1 true KR102030681B1 (ko) 2019-10-10

Family

ID=55422560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140116374A KR102030681B1 (ko) 2014-09-02 2014-09-02 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6282250B2 (ko)
KR (1) KR102030681B1 (ko)
CN (1) CN105390418B (ko)
TW (1) TWI567855B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP7088810B2 (ja) * 2018-11-07 2022-06-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102324610B1 (ko) 2019-12-26 2021-11-09 세메스 주식회사 기판 가열 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323471A (ja) 1999-03-08 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
JP2007523463A (ja) * 2004-02-24 2007-08-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び方法
JP2009267101A (ja) 2008-04-25 2009-11-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013021183A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および天板洗浄方法
JP2014157936A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW561516B (en) * 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5320383B2 (ja) * 2010-12-27 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2013138062A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Jet Co Ltd 薬液混合装置
JP5926086B2 (ja) * 2012-03-28 2016-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN103426722A (zh) * 2012-05-23 2013-12-04 联华电子股份有限公司 基板的处理方法
JP6100487B2 (ja) * 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN104662644B (zh) * 2012-09-27 2018-11-27 斯克林集团公司 处理液供给装置及方法、处理液及基板处理装置及方法
JP2014209600A (ja) * 2013-03-26 2014-11-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323471A (ja) 1999-03-08 2000-11-24 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
JP2007523463A (ja) * 2004-02-24 2007-08-16 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び方法
JP2009267101A (ja) 2008-04-25 2009-11-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013021183A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および天板洗浄方法
JP2014157936A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI567855B (zh) 2017-01-21
JP2016054294A (ja) 2016-04-14
KR20160027802A (ko) 2016-03-10
JP6282250B2 (ja) 2018-02-21
CN105390418A (zh) 2016-03-09
CN105390418B (zh) 2018-11-13
TW201611164A (zh) 2016-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4870837B2 (ja) 基板乾燥装置及びその方法
KR102285832B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6431208B2 (ja) 基板液処理装置及び方法
JP2015135943A5 (ko)
KR102030681B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
US11854792B2 (en) Systems and methods for preventing stiction of high aspect ratio structures and/or repairing high aspect ratio structures
CN107881032A (zh) 无水基板清洁组合物、基板处理方法和基板处理装置
CN105993061A (zh) 半导体装置的制造方法
KR20090113296A (ko) 표면 세정 방법
JPS62188323A (ja) 基板の洗浄並びに乾燥方法及び装置
KR101022783B1 (ko) 기판 건조 방법
KR101927478B1 (ko) 기판 액처리 방법 및 장치
TW201733694A (zh) 清洗裝置
KR101486331B1 (ko) 기판 건조장치
KR100968258B1 (ko) 기판 건조 방법
KR20160019606A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 건조 방법
JP2009194090A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102028417B1 (ko) 기판 액처리 장치
TWI776399B (zh) 濕式處理設備與濕式處理方法
KR20110091626A (ko) 기판 건조 장치 및 방법
JP2014036205A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100870244B1 (ko) Ｉｐａ를 이용한 기판 건조 장치
KR101870728B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 방법
KR102080682B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 방법
KR20120078574A (ko) 기판 건조 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant