KR100870244B1 - Ipa를 이용한 기판 건조 장치 - Google Patents

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이복규
용수빈
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세메스 주식회사
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Abstract

IPA를 이용한 기판 건조 장치가 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 IPA를 이용한 기판 건조 장치는, 기판을 유지하고 회전시키는 스핀 헤드와, 스핀 헤드에 연결되어 스핀 헤드를 회전시키는 스핀 헤드 구동부와, 스핀 헤드를 감싸도록 배치되며 기판에 공급되는 유체들이 비산되는 것을 방지하는 보울과, 스핀 헤드의 상부에 위치하여 기판의 표면으로 유체들을 분사하는 상부 노즐 및 스핀 헤드의 상부면에 설치되며 기판의 하부면으로 기판의 온도 저하를 방지하기 위한 유체를 분사하는 하부 노즐을 포함한다.
기판, 세정, 건조, IPA

Description

IPA를 이용한 기판 건조 장치 {Apparatus for drying substrates using isopropyl alcohol}
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 IPA를 이용한 기판 건조 장치를 나타낸 종단면도이다.
도 2는 도 1의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에서 상부 노즐 구동부가 상부 노즐을 직선 구동하여 IPA 용액 및 N2 가스를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에서 상부 노즐 구동부가 상부 노즐을 회전 구동하여 IPA 용액 및 N2 가스를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에서 하부 노즐이 기판의 하부면으로 순수를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 정면도이다.
도 5는 도 4의 하부 노즐을 회전 구동시켜 순수를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 정면도이다.
도 6은 도 4의 하부 노즐을 직선 구동시켜 순수를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 정면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 스핀 헤드
200: 스핀 헤드 구동부
300: 보울
400: 상부 노즐
500: 하부 노즐
본 발명은 기판 건조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 IPA를 이용한 기판 건조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 가공 공정에는 감광액 도포 공정(Photoresist Coating), 현상 공정(Develop & Bake), 식각 공정(Etching), 화학기상증착 공정 (Chemical Vapor Deposition), 애싱 공정(Ashing) 등이 있으며, 각각의 여러 단계의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위한 공정으로 약액(Chemical) 또는 순수(DI water, Deionized Water)를 이용한 세정 공정(Wet Cleaning Process)이 있다.
또한, 세정 공정을 진행하고 난 후, 반도체 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(Drying) 공정이 있다. 건조 공정을 수행하기 위하여 사용되는 기판 건조 장치는 기계 역학적인 회전력을 이용하여 반도체 기판을 건조 시키는 스핀 건조 장치(Spin dry)와 IPA(이소프로필 알코올, isopropyl alcohol)의 화학적 반응을 이용하여 반도체 기판을 건조시키는 IPA 건조 장치가 사용된다.
일반적인 스핀 건조 장치는 기판을 지지하는 스핀 헤드의 회전 작용에 의하여 기판을 건조하는데, 건조 처리 후 반도체 기판 상에 물반점(water mark)을 발생시키는 등, 반도체 소자의 고집적화 및 기판의 대구경화에 따른 불순물 입자의 측면을 고려할 때 많은 문제점을 안고 있다.
따라서, IPA 건조 장치가 널리 사용되는 데, IPA 건조 장치는 IPA의 화학적 반응에 의하여 반도체 기판을 건조시키는 장치이다. 즉, IPA 용액을 증발시켜 기판 상의 순수와 IPA 용액의 치환에 의해 건조 공정을 수행한다.
그러나, 종래의 기판 건조 장치는 아래와 같은 문제점이 있다.
IPA 용액이 증발할 때에 기판 표면의 온도가 급격하게 저하되는 문제가 발생하므로 건조 공정에 시간이 걸리고 이에 따라 IPA의 소모량이 증가하는 문제가 발생하였다. 또한, 물반점(water mark)이나 건조 불량에 따른 파티클(particle)이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 IPA에 의한 기판 건조 공정을 수행함에 있어서 기판의 하부면에 일정 온도의 순수를 공급함으로써 기판 표면의 급격한 온도 저하를 방지하고 물반점이나 건조 불량에 의한 파티클의 발생을 억제하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 IPA를 이용한 기판 건조 장치는, 기판을 유지하고 회전시키는 스핀 헤드와, 상기 스핀 헤드에 연결되어 상기 스핀 헤드를 회전시키는 스핀 헤드 구동부와, 상기 스핀 헤드를 감싸도록 배치되며 상기 기판에 공급되는 유체들이 비산되는 것을 방지하는 보울과, 상기 스핀 헤드의 상부에 위치하여 상기 기판의 표면으로 상기 유체들을 분사하는 상부 노즐 및 상기 스핀 헤드의 상부면에 설치되며 상기 기판의 하부면으로 상기 기판의 온도 저하를 방지하기 위한 유체를 분사하는 하부 노즐을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다
이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 IPA를 이용한 기판 건조 장치를 설명하 기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 IPA를 이용한 기판 건조 장치를 나타낸 종단면도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 IPA를 이용한 기판 건조 장치는, 스핀 헤드(100)와, 스핀 헤드 구동부(200)와, 보울(300)과, 상부 노즐(400) 및 하부 노즐(500)을 포함한다.
스핀 헤드(Spin head, 100)는 원통 또는 반추형의 지지판을 가지고 있고 그 지지판의 상부면에 기판(10)이 놓여져 고정되며 그 중앙을 중심으로 대략 200~300 rpm의 회전 속도로 수평으로 회전시킨다. 기판(10)의 고정을 위해 스핀 헤드(100)의 상부면에 복수의 기판 지지핀(101)이 기판(10)의 원주면을 따라 배치될 수 있다.
스핀 헤드 구동부(200)는 스핀 헤드(100)의 하단에 연결되어 수평 방향의 회전력을 전달한다. 스핀 헤드 구동부(200)는 기판(10)을 보울(300) 내로 반입하거나 처리가 끝난 기판(10)을 보울(300) 밖으로 반출할 때에 또는 챔버 내에서 공정을 진행할 때에, 필요에 따라 스핀 헤드(100)를 상하로 움직이도록 할 수 있다.
보울(Bowl, 300)은 내부 중앙에 기판(10)이 삽입되는 공간을 제공하기 위해 스핀 헤드(100)를 감싸도록 배치되어 있고 환형의 통 형상을 가진다. 보울(300)은 기판(10)의 외곽을 둘러싸며 소정의 높이를 가지도록 설치되어 있어 노즐에서 분사되는 약액 또는 순수가 외부의 다른 장치나 주위로 튀어 나가는 것을 차단하게 되고, 공정을 수행할 때에 사용된 약액 또는 순수는 보울(300)의 하단을 통해 외부로 배출된다.
보울(300)과 스핀 헤드(100)는 상대적으로 상하로 움직이도록 되어 있어 기판(10)을 보울(300) 내로 반입하거나, 처리가 끝난 기판(10)을 보울(300) 밖으로 반출하도록 되어 있다. 따라서, 보울(300)을 상하로 움직이도록 하는 실린더 등의 액츄에이터(도시되지 않음)가 설치될 수 있다.
공정챔버 내에는 식각(Ehching), 세정(Cleaning) 및 건조(Drying)를 위한 유체들을 공급하는 다수의 노즐이 존재할 수 있다.
상부 노즐(400)은 스핀 헤드(100)의 상부에 위치하여 기판(10)으로 식각, 세정 및 건조를 위한 유체들을 분사하게 된다. 상부 노즐(400)은 회전하는 기판(10)의 표면에 식각, 세정 및 건조를 위한 유체들을 순차적으로 분사시켜, 기판(10) 표면에 산화막 제거, 불순물 제거, 세정 및 건조를 순차적으로 실행할 수 있도록 구성되어 있다.
상부 노즐(400)은 필요에 따라 복수의 노즐 분사구를 포함한다.
바람직하게는, 상부 노즐(400)은 IPA 용액(403)을 분사하는 제1 분사구(401) 및 N2 가스(404)를 분사하는 제2 분사구(402)를 포함한다.
IPA(이소프로필 알코올, isopropyl alcohol, 403)는 휘발성을 이용하여 기판(10)을 건조시킬 때에 사용하는 화학 물질이다. IPA 용액(403)이 기판(10)의 표면을 통과함에 따라 세정 공정 후에 기판(10) 표면에 잔류하는 순수의 수소와 치환반응을 일으켜 수분을 제거하게 된다.
N2 가스(404)는 IPA 용액(403)의 증발을 활성화시키는 역할을 한다. 즉, IPA 용액(403)의 증발 온도를 높여 기판(10)의 건조 효과를 향상시킨다. 또한, 상온의 N2 가스(404)에 의한 IPA 용액(403)의 온도 저하를 유도할 수 있다.
또한, 상부 노즐(400)은 식각을 위한 HF(Hydrofluoric Acid) 용액 등 식각액(etchant)을 분사하기 위한 분사구와 세정을 위한 순수(DI water)를 분사하기 위한 분사구를 더 포함할 수 있다. 다른 실시예에 의하면, 식각액을 분사하기 위한 분사구 또는 세정용 순수를 분사하기 위한 분사구를 가지는 별도의 노즐을 구비할 수도 있다.
상부 노즐 구동부(420)는 식각, 세정 및 건조를 위한 유체들을 기판(10)의 중심부로부터 가장자리 부분까지 고루 분사할 수 있도록 상부 노즐(400)을 이동시킨다. 상부 노즐 구동부(420)는 바람직하게는 보울(300)의 외벽 바깥에 고정되어 설치되어 있다. 상부 노즐(400)은 노즐 아암(410)의 일단에 연결되어 있고 상부 노즐 구동부(420)는 노즐 아암(410)의 반대편 일단에 연결되어 있다.
상부 노즐 구동부(420)에 의해 상부 노즐(400)을 이동시키는 방법은 직선 운동 방식과 회전 운동 방식이 있으며, 두 가지 방식을 각각 사용하거나, 혼용하여 사용할 수 있다.
도 2는 도 1의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에서 상부 노즐 구동부가 상부 노즐을 직선 구동하여 IPA 용액 및 N2 가스를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상부 노즐 구동부(420)는 상부 노즐(400)을 기판(10)의 중심부로부터 가장자리 부분까지 직선 운동시킨다. 이 경우, 상부 노즐(400)에 구비된 제1 분사구(401)과 제2 분사구(402)는 상부 노즐(400)의 이동 방향에 일렬로 배치되게 된다. 따라서, 제1 분사구(401)에서 IPA 용액(403)을 분사하는 동안, 제2 분사구(402)가 제1 분사구(401)를 뒤따라 이동하면서 N2 가스(404)를 분사하게 된다.
도 3은 도 1의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에서 상부 노즐 구동부가 상부 노즐을 회전 구동하여 IPA 용액 및 N2 가스를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상부 노즐 구동부(420)는 상부 노즐(400)을 기판(10)의 중심부로부터 가장자리 부분까지 회전 운동시킨다. 이 경우, 상부 노즐(400)에 구비된 제1 분사구(401)과 제2 분사구(402)는 상부 노즐(400)의 이동 방향의 접선 방향에 일렬로 배치되게 된다. 따라서, 제1 분사구(401)에서 IPA 용액(403)을 분사하는 동안, 제2 분사구(402)가 제1 분사구(401)를 뒤따라 이동하면서 N2 가스(404)를 분사하게 된다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 분사구(401)과 제2 분사구(402)는 상부 노즐(400)의 이동 방향 또는 이동 방향의 접선 방향에 일렬로 배치된다. 따라서, 어느 방식에 의해서든 제1 분사구(401)에서 IPA 용액(403)을 분사하는 동안, 제2 분사구(402)가 제1 분사구(401)를 뒤따라 이동하면서 N2 가스(404)를 분사하게 되어 건조 공정을 실행하게 된다.
하부 노즐(500)은 스핀 헤드(100)의 상부면에 설치되며 기판(10)의 하부면으로 순수(501)를 분사한다.
도 4는 도 1의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에서 하부 노즐이 기판의 하부면으로 순수를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 정면도이다.
하부 노즐(500)의 하단은 스핀 헤드(100)의 상부면에 연결되며 하부 노즐(500)의 분사구는 기판(10) 하부면의 중심을 향하는 방향과 일정 각도를 이루게 된다. 하부 노즐(500)은 순수를 분사하기 위한 적어도 하나의 분사구를 가진다. 하부 노즐(500)은 기판(10)이 회전할 때에 기판(10)의 반지름 방향으로 고온의 순수(501)를 분사하게 된다. 이 때에, 기판(10)에 작용하는 원심력에 의해 순수는 기판(10) 하부면의 전체 면적에 골고루 퍼지게 된다.
순수(501)는 기판(10)을 건조시키는 공정을 진행함에 있어서, IPA 용액의 증발에 따른 응축 냉각에 의한 기판(10) 표면의 급격한 온도 저하를 방지하는 역할을 하게 된다. 즉, 기판(10)의 표면으로 IPA 용액(403) 및 N2 가스(404)를 분사하여 기판(10)을 건조시키는 동안, 고온의 순수(501)를 기판(10)의 하부면으로 분사하여 기판(10) 전체의 온도를 일정하게 유지시키게 된다. 순수(501)의 온도는 약 60℃인 것이 바람직하며, 이 온도는 건조 공정의 진행 상태에 따라 변할 수 있다.
건조 공정 동안 순수(501)에 의해 기판(10)의 온도가 일정하게 유지됨으로써, 물반점 및 건조 불량에 따른 파티클의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 기판(10) 전체가 급격한 온도 저하 없이 일정 온도가 유지되어 IPA 용액(403)에 의한 건조 시간이 줄어들게 되어 IPA 용액의 소모량을 감소시키는 효과가 있다.
하부 노즐(500)은 순수(501)을 분사하는 분사구 외에, 건조를 위한 N2 가스를 분사하는 분사구(도시되지 않음)를 더 포함할 수도 있다.
한편, 하부 노즐(500)이 기판(10) 하부면의 중심부로부터 가장자리 부분으로 순수를 분사할 수 있도록 하부 노즐(500)을 구동시키는 하부 노즐 구동부(도시되지 않음)가 구비될 수 있다. 이는 순수의 분사 방향이 고정되어 있으므로 기판(10)의 영역에서 순수의 영향을 받지 않는 부분이 발생할 수 있기 때문이다.
도 5는 도 4의 하부 노즐을 회전 구동시켜 순수를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 정면도이다.
바람직하게는, 하부 노즐 구동부(도시되지 않음)는 하부 노즐(500)의 하단의 중심축을 기준으로 하부 노즐(500)의 분사구를 소정 각도(δ)만큼 회전시킬 수 있다. 즉, 하부 노즐(500)의 분사구를 소정 각도(δ)로 회전시키면 하부 노즐(500)의 분사 각도가 변경되면서 순수를 기판(10) 하부면의 중심부로부터 가장자리 부분으로 골고루 분사하게 된다. 하부 노즐(500)의 하단의 중심축의 위치는 하부 노즐(500)의 분사 각도가 예각으로 유지될 수 있도록 기판(10) 하부면의 중심 근처에 위치하는 것이 바람직하다.
도 6은 도 4의 하부 노즐을 직선 구동시켜 순수를 분사할 때의 상태를 설명하기 위한 정면도이다.
다른 실시예에 의하면, 하부 노즐 구동부(도시되지 않음)는 하부 노즐(500) 자체를 기판(10) 하부면의 중심부와 가장자리 사이를 왕복하도록 이동시킬 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 IPA를 이용한 기판 건조 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판(10)이 이송되어 스핀 헤드(100) 상에 놓여지면 기판(10)은 기판 지지핀(101)에 의해 고정되고, 스핀 헤드 구동부(200)는 스핀 헤드(100)를 회전시킨다.
기판(10)이 회전하게 되면 식각액에 의한 식각 공정이 진행된다. 일반적으로, 습식 식각 공정에 있어서 기판(10) 상의 실리콘막을 식각하기 위한 식각액으로는 HF(불산, Hydrofluoric Acid) 용액이 사용된다. HF 용액을 공정챔버 내로 분사하여 회전하는 기판(10) 표면의 실리콘막을 식각하게 된다. 식각액을 분사하기 위한 분사구는 상부 노즐(400)에 구비되거나, 상부 노즐(400)과는 별도의 노즐에 구비될 수 있다.
식각 공정이 끝난 후, 기판(10) 표면의 식각 잔류물을 제거하여 세정 또는 린스(rinse)하기 위하여, 기판(10)을 계속 회전시키면서 세정용 순수(DI water)를 분사시킨다. 세정용 순수를 분사하기 위한 분사구는 상부 노즐(400)에 구비되거나, 상부 노즐(400)과는 별도의 노즐에 구비될 수 있다.
세정 공정이 끝난 후, 기판(10) 표면을 건조시키는 건조 공정이 진행된다. 즉, 회전하는 기판(10) 표면의 중심부로부터 가장자리 부분으로 상부 노즐(400)의 제1 분사구(401)가 이동하면서 IPA 용액(403)을 분사하여 기판(10) 표면을 건조시키게 된다. IPA 용액(403)은 용액이 증발할 때의 휘발성을 이용하여 기판(10)을 건조시키는 데, IPA 용액(403)이 기판(10)의 표면을 통과함에 따라 세정 공정 후에 기판(10) 표면에 잔류하는 순수의 수소와 치환반응을 일으켜 수분을 제거하게 된다.
IPA 용액(403)에 의한 건조가 이루어지는 동안, 상부 노즐(400)의 제2 분사구(402)가 제1 분사구(401)를 뒤따라 이동하면서, N2 가스(404)를 분사하여 기판(10) 표면을 건조시킨다. N2 가스(404)는 IPA 용액(403)의 증발을 활성화시키는 역할을 한다.
위와 같이 IPA 용액(403) 및 N2 가스(404)에 의해 기판(10) 표면의 건조가 이루어지는 동안, 하부 노즐(500)은 기판(10) 하부면의 중심부로부터 가장자리 부분으로 고온의 순수(501)를 분사한다. 바람직하게는, 순수(501)의 온도는 약 60℃이다. 순수(501)의 공급으로 인해, 건조 공정 동안 기판(10) 전체의 온도 분포를 균일하게 할 수 있어, 물반점이나 건조 불량에 따른 파티클이 발생하는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 기판(10) 전체의 온도를 상승시킴으로써, IPA 용액(403)에 의한 신속한 건조가 일어나게 되어 건조 시간을 단축시킬 수 있다. 즉, IPA 용액(403)의 소모량을 감소시킬 수 있다.
위와 같이 IPA 용액(403), N2 가스(404) 및 고온의 순수(501)를 이용한 건조 공정이 끝난 후에는, 기판(10) 하부면에 남아 있을 수 있는 순수(501)를 제거하고 자 건조시킨다. 순수(501)를 제거하기 위해서 스핀 헤드(100)를 계속 회전시켜 회전력에 의해 건조시키거나, N2 가스(404)를 분사하여 건조시키는 방법 등을 사용할 수 있다. 따라서, 하부 노즐(500)은 순수(501)를 건조시키기 위해 N2 가스를 분사하는 분사구(도시되지 않음)를 구비할 수 있다.
건조 공정을 마친 후, 스핀 헤드 구동부(200)는 동작을 중지하여 스핀 헤드(100)의 회전을 멈추고, 기판(10)은 이송되거나, 다른 공정이 진행된다.
상기 기판(10)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)에 한정되지 않고, 액정표시장치(LCD, Liquid crystal display)는 물론, PDP(Plasma Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display), FED(Field Emission Display), 또는 ELD(Electro Luminescence Display) 등의 평판표시장치(FPD, Flat panel display)에 해당하는 모든 기판에 적용 가능하다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 IPA를 이용한 기판 건조 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 웨이퍼의 하부면에 일정 온도의 순수를 공급함으로써 웨이퍼 표면의 급격한 온도 저하를 방지하고 물반점이나 건조 불량에 의한 파티클의 발생을 억제할수 있다.
둘째, 건조 공정 동안 웨이퍼 표면의 온도를 일정하게 유지함으로써 건조 공정에 소요되는 시간을 단축시키고 그에 따라 IPA의 소모량을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 기판을 유지하고 회전시키는 스핀 헤드;
    상기 스핀 헤드에 연결되어 상기 스핀 헤드를 회전시키는 스핀 헤드 구동부;
    상기 스핀 헤드를 감싸도록 배치되며 상기 기판에 공급되는 유체들이 비산되는 것을 방지하는 보울;
    상기 스핀 헤드의 상부에 위치하여 상기 기판의 표면으로 상기 유체들을 분사하는 상부 노즐; 및
    상기 스핀 헤드의 상부면에 설치되며 상기 기판의 하부면으로 상기 기판의 온도 저하를 방지하기 위한 유체를 분사하는 하부 노즐; 및
    상기 하부 노즐이 상기 기판 하부면의 중심부로부터 가장자리 부분으로 상기 기판의 온도 저하를 방지하기 위한 상기 유체를 분사할 수 있도록, 상기 하부 노즐을 직선 또는 회전 구동시키는 하부 노즐 구동부를 포함하는 기판 건조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 노즐은,
    상기 기판의 표면을 건조시키기 위해 IPA 용액을 분사하는 제1 분사구; 및
    상기 IPA 용액을 활성화시키기 위해 N2 가스를 분사하는 제2 분사구를 포함하는 기판 건조 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 노즐이 상기 기판 표면의 중심부로부터 가장자리 부분으로 상기 유체들을 분사할 수 있도록 상기 상부 노즐을 구동시키는 상부 노즐 구동부를 더 포함하는 기판 건조 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 온도 저하를 방지하기 위한 유체의 온도는 60℃인 기판 건조 장치.
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