KR20090113296A - 표면 세정 방법 - Google Patents

표면 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090113296A
KR20090113296A KR1020097017235A KR20097017235A KR20090113296A KR 20090113296 A KR20090113296 A KR 20090113296A KR 1020097017235 A KR1020097017235 A KR 1020097017235A KR 20097017235 A KR20097017235 A KR 20097017235A KR 20090113296 A KR20090113296 A KR 20090113296A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
spray
cleaning step
nozzle
liquid
Prior art date
Application number
KR1020097017235A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101456914B1 (ko
Inventor
라인하르트 젤머
Original Assignee
램 리서치 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리서치 아게 filed Critical 램 리서치 아게
Publication of KR20090113296A publication Critical patent/KR20090113296A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101456914B1 publication Critical patent/KR101456914B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/04—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto specially adapted for plate glass, e.g. prior to manufacture of windshields
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

판형상 물체의 표면을 세정하는 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은:
⊙ 액체가 분사 노즐을 통하여 연속적인 액체 유동으로 표면에 분사되어 자유 유동 세정으로 표면을 처리하는 단계와,
⊙ 액체가 스프레이 노즐을 통하여 물방울의 형태로 표면을 향하게 하여 스프레이 세정으로 표면을 처리하는 단계를 포함한다.
상기 표면은 자유 유동 세정 단계와 자유 유동 세정 단계 이후의 스프레이 세정 단계 이전에 스프레이 세정으로 처리된다.
판형상 물체, 스프레이, 세정, 자유 유동, 표면 처리

Description

표면 세정 방법{METHOD FOR CLEANING A SURFACE}
본 발명은 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법에 관한 것이다. 이러한 판형상 물체는 반도체 웨이퍼, 또는 컴팩트 디스크와 같은 디스크 형상 물체와, 평판 표시 장치와 같은 다각형 물체일 수도 있다. 이러한 세정 방법은 반도체 웨이퍼의 구조적 표면으로부터 입자를 제거하기 위하여 통상적으로 사용된다.
표면으로부터 입자를 제거하는 데 있어서의 미해결의 딜레마는 다음과 같다. 입자는 통상적으로 표면에 들러붙어 있으며 기계적 에너지에 의해서만 제거할 수 있다. 더 효과적으로 제거하기 위하여 더 높은 기계적 에너지가 표면에 가해진다. 부정적인 효과는 더 높은 기계적인 에너지가 입자를 제거하는 데 사용되어야만 하며, 이는 더 많은 스트레스를 주게 되고, 이는 다른 측면에서는 부정적인 효과를 가져온다. 그러므로, 입자 제거 효율은 표면에 너 많은 손상을 주지 않고는 주어진 제거 기술로는 개선할 수 없다.
그러나, 반도체 구조의 손상은 받아 들일 수 없다. 그러므로, 입자를 제거하기 위한 기계적인 교반은 문제를 내포하고 있으며, 이는 구조체가 작을 때 더 증 가한다.
본 발명의 목적은 판형상 물체(특히, 구조적 반도체 웨이퍼)의 표면에 심각한 손상을 입히지 않고 입자를 효과적으로 제거할 수 있는 세정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 상기 목적은, 분배 노즐을 통하여 연속적인 액체 유동으로 액체를 표면에 분사하는 자유 유동 세정으로 표면을 처리하는 단계와; 액체가 스프레이 노즐을 통하여 물방울의 형태로 표면을 향하도록 되어 있어 스프레이 세정으로 표면을 처리하는 단계를 포함하고, 상기 표면은 자유 유동 세정 단계 이전에 스프레이 세정 단계에서 처리되고 자유 유동 세정 단계 후에 스프레이 세정 단계에서 처리되는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법을 제공함으로써 달성된다.
스프레이 물방울은 0.001과 0.1 mm(1-100㎛)의 평균 입경(D30)을 가진다. 본 원에서의 평균 입경(D30)은 용량 분포에 기초를 두고 있으며 다음과 같이 계산된다. : D30 = (ΣDi3Ni/ΣNi)∧(1/3).
하나의 실시예에 있어서, 스프레이 세정 단계에 이어지는 자유 유동 세정 단계의 순서는 적어도 두 번은 실행되어야 한다.
스프레이 세정 단계에 이어지는 자유 유동 세정 단계의 순서는 적어도 세번은 실행되는 것이 바람직하다.
다른 하나의 실시예에 있어서, 알칼리 세정액 및/또는 스프레이 세정 단계(B)를 사용하는 적어도 하나의 자유 유동 세정 단계는 오존, 과산화수소와 오존의 혼합물, 과산화수소로부터 선택된 하나의 산화제를 포함한다.
세정액은 암모니아를 포함하는 것이 바람직하다. 유용한 세정액은 과산화수소와 80 내지 99.8 중량%의 물을 함유하는 암모니아를 포함하는 수용액이다.
다른 하나의 실시예에 있어서, 적어도 하나의 스프레이 세정 단계는 물, 유기 솔벤트 알칼리 화합물, 산성 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 세정액을 이용한다.
낮은 자유 세정 단계와 스프레이 세정 단계는 적절하게 5s 이하로 겹쳐질 때, 이는 비산을 제한하기 위하여 세정하는 동안에 표면의 습윤을 유지하는 데 도움이 된다.
판형상 물체가 적어도 하나의 세정 단계 중에 회전한다면, 세정은 웨이퍼 전반에 걸쳐 고르게 이루어진다. 다르게는, 노즐(스프레이 노즐 및/또는 자유 유동 노즐)은 판형상 물체가 움직이지 않는 동안에 웨이퍼를 가로질러 주사된다.
스프레이 세정 단계는 에어리스 스프레이 노즐, 내부 혼합 2국면 혼합 노즐 또는 외부 혼합 2국면 혼합 노즐로 이루어진 군으로부터 선택된 스프레이 노즐을 사용한다.
스프레이 세정 단계는 외부 혼합 2국면 노즐을 사용하는 것이 바람직하다.
하나의 실시예에 있어서, 스프레이 노즐의 구멍은 판형상 물체와 0.1 내지 10 cm, 바람직하게는 0.3 내지 5cm 범위의 거리(d)에 위치한다.
다른 하나의 실시예에 있어서, 적어도 두 개의 스프레이 세정 단계는 각각 5 내지 45s, 바람직하게는 8 내지 30s의 간격으로 스프레이 세정 단계가 실시된다.
스프레이 노즐은 판형상 물체가 회전하는 동안에 판형상 물체를 측면방향으로 가로질러 주사하는 것이 바람직하다.
속도, 폭과 폭에 걸친 속도의 변화와 같은 측면방향 운동의 변수들은 제어될 수 있으며, 이 때문에 노즐은 판형상 물체를 가로질러 주사하고 이에 의해 판형상 물체의 표면의 각점은 같은 기간에 처리될 수 있다.
판형상 물체는 스프레이 세정 중에 회전되고 스프레이 노즐은 회전 중심으로부터 판형상 물체의 에지까지 표면을 가로질러 방사 방향으로 이동하는 것이 바람직하다.
본 발명의 세정 방법의 상세는 바람직한 실시예의 설명을 읽으면 명백하게 될 것이다.
형성된 300mm 반도체 웨이퍼는 스핀 처리장치의 스핀척 상에 위치한다. 다르게는, 세정 공정 이전에, 웨이퍼 상의 층은 에칭 또는 스트리핑될 수 있다(즉, 농후 황산과 과산화수소로).
제 1 단계(예비 헹금 단계(R) : 5 l/min의 유량으로의 헹금액(탈이온수)이 웨이퍼가 300rpm의 스핀 속도로 스핀되는 동안에 웨이퍼의 중심에 공급된다.
제 2 단계(자유 유동 단계(A) : 희석 SC 1(0.7 내지 32 용적 %의 과산화수 소, 28.4 내지 35 용적%의 암모니아수, 70.9 용적%의 물)이 웨이퍼가 600rpm의 스핀 속도로 회전하는 동안에 웨이퍼 상에 10 l/min의 유량으로 40℃에서 분배된다.
제 3 단계(스프레이 단계(B)) : 캐리어 가스(연속 국면(cp) = 질소, 분산 국면(dp) = 탈이온수)로서 질소를 가진 탈이온수 스프레이는 1000rpm의 스핀 속도로 25℃에서 웨이퍼에 스프레이된다. 질소 유량 90 sl/min(sl = 표준 리터 1013 hPa, 25 ℃); 70 ml/min의 탈이온수 유량. 스프레이 하는 동안에 스프레이 노즐은 중심으로부터 에지로 10 mm/s(0.01 m/s)의 속도로 웨이퍼를 가로질러 천천히 주사한다.
제 4 단계(최종 헹금 단계(R)) : 5 l/min의 유량으로 헹금액(탈이온수)이 300 rpm의 스핀 속도로 스핀되면서 웨이퍼의 중심에 공급한다.
제 5 단계(건조 단계(D)) : 헹금액(탈이온수)은 물이 웨이퍼에 공급되면서 2 용적%의 2-프로파놀을 가진 질소 가스로 제거하고, 액체-가스 경계층은 중심으로부터 에지로 주사되고 이에 의해 웨이퍼는 액체가 제거된 후에 완전하게 건조된 상태가 된다.
이러한 공정의 공정 단계의 순서는 R-A-B-R-D(종래 기술)의 순서로 요약할 수 있고, 여기에서 단계 A는 60s 이루어지고, 단계 B는 45s 이루어진다.
본 발명에 따라서(실시예 1), 제 2 및 제 3 공정 단계는 R-A-B-A-B-R-D의 순서에 앞서 1회 반복되고, 각각 단계 A는 30s 이루어지고, 단계 B는 22.5s 이루어진다.
놀랍게도, 입자 제거 효율은 각 단계의 공정 변수를 변경하지 않으면서 전체 처리 시간을 증가시키지 않고도 상당히 증가(20 % 이상)시킬 수 있다.
각각의 공정 단계는 이전의 단계와 중첩될 수도 있으며, 이는 최종적으로 건조될 때까지 세정하는 동안에 표면의 습윤 상태를 유지하는 데 도움이 된다. 이러한 중첩은 0.5 내지 5s의 범위 일 수도 있다.
다르게는(실시예 2), 제 2 및 제 3 공정 단계는 R-A-B-A-B-A-B-R-D에 앞서 2회 반복되며, 여기에서 각각 단계 A는 20s, 단계 B는 15s 일어난다. 전체 공정 시간은 또한 증가되지 않는다. 이러한 공정 순서는 크지는 않지만 입자 제거 효율을 더욱 증가시키게 된다.
표 1은 두 개의 본 발명의 예(1 및 2)와 하나의 비교예(0 = 종래 기술)를 나타낸다.
[표 1]
예 제 1 유체(A) (연속 액체 유동(A) 제 2 유체(B) (스프레이 단계(B) 연속 국면(cp) 분산 국면(dp)) 순서
0(종래 기술) SC 1 - 60s cp : 질소; dp: 탈이온수 - 45s R-A-B-R-D
1 SC 1 - 30s cp : 질소; dp: 탈이온수 - 22.5s R-A-B-A-B-R-D
2 SC 1 - 20s cp : 질소; dp: 탈이온수 - 15s R-A-B-A-B-A-R-D
표 2는 두 개의 본 발명의 예(1 및 2)와 하나의 인용된 비교예의 세정 효율을 나타낸다.
[표 2]
예 반복 A-B 전체 세정 시간 입자 제거 효율
0(종래 기술) 1x(무반복) 105s 64.2
1 2x 105s 77.7
2 3x 105s 78
본 발명의 다른 실시예를 이하에서 요약한다. 여기에서 사용된 약어는 다음과 같다.
A : 자유 유동 세정 단계, 액체가 연속으로 자유 유동하여 표면에 부어진다.
B : 스프레이 세정 단계, 액체가 스프레이 노즐로 표면에 분사된다.
R : 헹굼 단계, 탈이온수가 자유 유동으로 공급된다(CO2 와 같은 가스가 녹아 있는 탈이온수에서).
D : 건조 단계, 표면으로부터 액체가 제거된다.
R-B-A-B-R-D : 본 발명에 따른 기본 공정이며, 핵심적인 순서 B-A-B는 예비 헹굼과 함께 실시되고 헹굼과 건조 순서로 이어진다.
R-B-A1-A2-B-R-D : 이는 적어도 두 개의 스프레이 세정 단계 사이에서 두 개 이상의 자유 유동 세정 단계가 실행, 즉 두 개의 다른 세정액으로 실행될 수 있다.
R-B-A-B-A-R-D : 이 순서는 예비 헹굼 단계 이후에 스프레이 세정 단계로 개시될 수도 있다.
B-A-B-A-R-D : 이 순서는 예비 헹굼없이 스프레이 세정 단계를 개시할 수도 있다.
B-A-B-R-D : 이 순서는 예비 헹굼없이 최종 자유 유동 세정 단계 없이 스프레이 세정 단계를 개시할 수도 있다.
B-A-B-D : 이러한 세정 순서로서 마지막(제 2) 스프레이 단계(B)(A와 D 사이)는 동시에 헹궁 단계로서의 작용을 한다. 그러므로, 액체를 사용하는 것이 바 람직하고 이는 어떠한 잔류물도 남기지 않고 증발한다.
A-B-A-B-A-R-D
단계 A SC 1(과산화수소와 암모니아의 수용액)이 사용된다.
다르게는, 콜린 수용액(또는 다른 콰터너리 아민)이 사용될 수도 있다.

Claims (14)

  1. 액체가 분사 노즐을 통하여 연속적인 액체 유동으로 표면에 분사되어, 자유 유동 세정으로 표면을 처리하는 단계와,
    액체가 스프레이 노즐을 통하여 물방울의 형태로 표면을 향하게 하여 스프레이 세정으로 표면을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 표면은 자유 유동 세정 단계와 자유 유동 세정 단계 이후의 스프레이 세정 단계 이전에 스프레이 세정으로 처리되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    스프레이 세정 단계에 이어지는 상기 자유 유동 세정 단계의 순서는 적어도 두번 실행되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나의 자유 유동 세정 단계 및/또는 스프레이 세정 단계는 알칼리 세정액을 사용하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 알칼리 세정액은 오존, 과산화수소, 오존과 과산화수소의 혼합물로부터 선택된 산화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 세정액은 암모니아성인 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스프레이 세정 단계는 물, 유기 용제 알칼리 화합물, 산성 화합물로부터 선택된 세정액을 사용하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 낮은 자유 세정 단계와 상기 스프레이 세정 단계는 5s이하로 중첩되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 판형상 물체는 적어도 하나의 세정 단계 동안 회전되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 스프레이 세정 단계는 에어리스 스프레이 노즐, 내부 혼합 2국면 노즐 또는 외부 혼합 2국면 노즐로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 스프레이 노즐을 사용하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 스프레이 세정 단계는 외부 혼합 2국면 노즐을 사용하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 스프레이 노즐의 구멍은 0.1 내지 10cm, 바람직하게는 0.3 내지 5cm의 범위로 판형상 물체의 표면까지의 거리(d)에 위치하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 적어도 두 개의 스프레이 세정 단계는 각각 5 내지 45s, 바람직하게는 8 내지 30s 동안 지속되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  13. 청구항 2에 있어서,
    상기 적어도 두 개의 자유 유동 세정 단계는 5 내지 45s, 바람직하게는 8 내지 30s 동안 지속되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
  14. 청구항 9에 있어서,
    상기 스프레이 노즐은 판형상 물체를 측면 방향으로 가로질러 주사하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체의 표면을 세정하는 방법.
KR1020097017235A 2007-01-22 2008-01-09 표면 세정 방법 KR101456914B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT1052007 2007-01-22
ATATA105/2007 2007-01-22
PCT/EP2008/050180 WO2008090019A1 (en) 2007-01-22 2008-01-09 Method for cleaning a surface

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090113296A true KR20090113296A (ko) 2009-10-29
KR101456914B1 KR101456914B1 (ko) 2014-10-31

Family

ID=39242422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097017235A KR101456914B1 (ko) 2007-01-22 2008-01-09 표면 세정 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8932408B2 (ko)
EP (1) EP2106303B1 (ko)
JP (1) JP5017375B2 (ko)
KR (1) KR101456914B1 (ko)
CN (1) CN101583439B (ko)
TW (1) TWI457993B (ko)
WO (1) WO2008090019A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100154826A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Tokyo Electron Limited System and Method For Rinse Optimization
JP2012054451A (ja) * 2010-09-02 2012-03-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 貼り合わせ基板の製造方法および半導体基板洗浄液
CA2856196C (en) 2011-12-06 2020-09-01 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
CA2992280C (en) 2015-07-13 2022-06-21 Delta Faucet Company Electrode for an ozone generator
CA2946465C (en) 2015-11-12 2022-03-29 Delta Faucet Company Ozone generator for a faucet
WO2017112795A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Delta Faucet Company Fluid delivery system including a disinfectant device
CN106856161B (zh) * 2016-12-14 2019-12-13 北京七星华创电子股份有限公司 一种采用二相流雾化清洗晶圆表面污染物的方法
JP6811675B2 (ja) * 2017-04-28 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN109261619A (zh) * 2018-10-15 2019-01-25 郑州旭飞光电科技有限公司 液晶基板玻璃表面黑点污渍的清洗方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3277404B2 (ja) * 1993-03-31 2002-04-22 ソニー株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JPH08274052A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hitachi Ltd 板状物の洗浄方法および装置
JPH0969509A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Matsushita Electron Corp 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3892792B2 (ja) * 2001-11-02 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄装置
JP2004200246A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板洗浄方法及び装置
JP2004298514A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Toto Ltd 食器類洗浄装置
JP2004335838A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法
US10179351B2 (en) 2005-02-07 2019-01-15 Planar Semiconductor, Inc. Method and apparatus for cleaning flat objects with pulsed liquid jet
TWI324797B (en) * 2005-04-05 2010-05-11 Lam Res Corp Method for removing particles from a surface
JP4986565B2 (ja) * 2005-12-02 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2106303B1 (en) 2012-10-10
TWI457993B (zh) 2014-10-21
WO2008090019A1 (en) 2008-07-31
CN101583439A (zh) 2009-11-18
KR101456914B1 (ko) 2014-10-31
EP2106303A1 (en) 2009-10-07
US20100012157A1 (en) 2010-01-21
TW200837816A (en) 2008-09-16
JP2010517255A (ja) 2010-05-20
CN101583439B (zh) 2013-03-13
JP5017375B2 (ja) 2012-09-05
US8932408B2 (en) 2015-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090113296A (ko) 표면 세정 방법
KR101437071B1 (ko) 액체 에어로솔 입자 제거 방법
US9059104B2 (en) Process for selectively removing nitride from substrates
US20170301534A1 (en) Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and computer-readable storage medium that stores substrate liquid processing program
US20070000524A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH11340184A (ja) 半導体装置の製造方法
US20170316961A1 (en) Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and computer-readable storage medium that stores substrate liquid processing program
CN106783538B (zh) 一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法
US11854792B2 (en) Systems and methods for preventing stiction of high aspect ratio structures and/or repairing high aspect ratio structures
EP2224470B1 (en) Method for cleaning silicon wafer
US6579810B2 (en) Method of removing a photoresist layer on a semiconductor wafer
US20020036006A1 (en) Wet cleaning process and wet cleaning equipment
CN101325152B (zh) 用于将半导体晶片清洗、干燥和亲水化的方法
US20020179112A1 (en) Method of cleaning electronic device
JP2003249474A (ja) 水供給装置および水供給方法
JP2004200246A (ja) 基板洗浄方法及び装置
JP5185688B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100809591B1 (ko) 매엽식 기판 세정 방법
US20070272280A1 (en) System and method for spray cleaning ceramic packages
JP2008066738A (ja) 洗浄乾燥装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171017

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181012

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191011

Year of fee payment: 6