JP2001332476A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2001332476A
JP2001332476A JP2000151513A JP2000151513A JP2001332476A JP 2001332476 A JP2001332476 A JP 2001332476A JP 2000151513 A JP2000151513 A JP 2000151513A JP 2000151513 A JP2000151513 A JP 2000151513A JP 2001332476 A JP2001332476 A JP 2001332476A
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processing
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irradiation
reforming
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JP2000151513A
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English (en)
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Masakazu Sanada
雅和 真田
Osamu Tamada
修 玉田
Sanenobu Matsunaga
実信 松永
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 照射部の配置を工夫することにより、装置の
占有面積を増大させることなく改質を効率的に行うこと
ができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板Wに対して所定の処理を施す処理部
3に、基板W面または基板W面に形成された膜を改質す
るためのビームを照射する照射部13を備え、照射部1
3からのビームを基板Wに対して照射した後に、基板W
を処理部3に搬送して処理を施す。改質後に基板に対し
て処理を施すための処理部に照射部を備え、改質用の専
用装置を別個に設ける必要がないので、基板処理装置の
占有面積を増大させずに効率的に改質を行うことができ
てスループットを向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称す
る)に所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
【0003】従来、この種の基板処理方法や装置として
以下のものが挙げられる。第1従来例:基板面に有機膜
層を形成し、この上に感光層を形成し、所望のパターン
が形成されたマスクを介して露光して感光層をパターン
ニングした後、ドライエッチングによって有機膜層を前
記パターンに形成するパターン形成方法において、有機
膜層を形成した後にその全面にDeepUVを照射して有機膜
層を硬化させる改質処理を行ってから感光層を形成する
高アスペクト比微細パターン形成方法(特開平05-10202
1 号)。
【0004】第2従来例:洗浄槽とは別個に設けられた
表面処理洗浄槽に基板を搬入し、酸素を含む雰囲気中に
て紫外線を照射して基板の濡れ性を向上させる改質処理
を行った後に、基板を洗浄槽に移送して洗浄液を基板に
対して供給する洗浄装置(特開平05-182945 号)。
【0005】第3従来例:半導体素子の金属配線エッチ
ングの前に、金属配線用のパターンの形成に必要なフォ
トレジストパターンを形成し、その後にイオンビームを
照射することによりフォトレジストパターンの表層付近
に対金属エッチングの選択性を高める改質層を形成する
レジストマスクの形成方法(特開平08-031720 号)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例の場合には、次のような問題がある。すなわ
ち、上述した従来例では、改質を効率的に施すための装
置構成が考慮されていないので、いずれも改質を施すこ
とによって処理全体のスループットが低下してしまうと
いう問題がある。また、単に改質のためだけに専用装置
を別個に設けると、やはりスループットが低下するだけ
でなく装置の占有面積が増加するという問題点がある。
【0007】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、照射部の配置を工夫することによ
り、装置の占有面積を増大させることなく改質を効率的
に行うことができる基板処理装置を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の基板処理装置は、基板に対して所
定の処理を施す処理部に、基板面、または基板面に形成
された膜を改質するためのビームを照射する照射部を備
え、前記照射部からのビームを基板に対して照射した後
に、前記基板に対して前記処理部で処理を施すことを特
徴とするものである。
【0009】また、請求項2に記載の基板処理装置は、
請求項1に記載の基板処理装置において、前記処理部は
搬送口を備え、この搬送口に前記照射部が付設されてい
ることを特徴とするものである。
【0010】また、請求項3に記載の基板処理装置は、
請求項1または2に記載の基板処理装置において、前記
処理部は、基板に対して処理液を供給するノズルを備え
ていることを特徴とするものである。
【0011】また、請求項4に記載の基板処理装置は、
請求項1に記載の基板処理装置において、前記処理部
は、基板面に沿って移動し、基板に対して処理液を供給
するノズルを備えて構成されているとともに、前記照射
部は前記ノズルが処理液を供給する際の進行方向側に取
り付けられていることを特徴とするものである。
【0012】また、請求項5に記載の基板処理装置は、
基板に対して所定の処理を施す複数個の処理部を備え、
搬送部が各処理部に基板を搬送するように構成された基
板処理装置において、前記搬送部は、処理部に対して進
退可能に構成され、基板を支持する支持アームと、基板
面または基板面に形成された膜を改質するためのビーム
を照射する照射部とを基台に備え、前記照射部と前記支
持アームとを相対移動させてビームを基板に対して照射
した後に、前記支持アームを処理部に進入させて前記基
板を処理部に搬入するようにしたことを特徴とするもの
である。
【0013】
【作用】請求項1に記載の発明によれば、改質後に基板
に対して処理を施すための処理部に照射部を備えている
ので、照射部を備えた改質用の専用装置を別個に設ける
必要がない。
【0014】また、請求項2に記載の発明によれば、搬
送口を通して基板を処理部に搬入する際に、照射部から
ビームを照射することができる。
【0015】また、請求項3に記載の発明によれば、処
理部は、現像液、塗布液や洗浄液などの処理液をノズル
から基板に対して供給する処理部であってもよい。
【0016】また、請求項4に記載の発明によれば、処
理液を供給する直前に照射部からビームを照射すること
ができる。
【0017】また、請求項5に記載の発明によれば、複
数個の処理部間で基板を搬送する搬送部の基台に照射部
を備えているので、支持アームに支持した基板を処理部
に搬入するまでに改質を行うことができる。
【0018】特に、搬送部が各処理部の間を移動して各
処理部にアクセスする構成の場合には、移動中にビーム
を照射することができる。また、搬送部が各処理部の中
央部に配置され、支持アームが旋回することで各処理部
にアクセス可能に構成されている場合には、旋回中にビ
ームを照射することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。 <第1実施例>図1及び図2は本発明に係る基板処理装
置の一例である基板塗布装置を示す。特に、図1は要部
の斜視図であり、図2は搬送口付近の断面図である。
【0020】この基板塗布装置は、基板Wに対して塗布
液を供給するものであり、壁部材1で周囲を囲われた処
理部3内に、図示しない搬送手段によって基板Wを搬入
して処理を施す。正面(図では右側)の壁部材1には、
処理部3内のスピンチャック5と図示しない搬送手段と
の間で基板Wを受け渡すための搬送口7が形成されてい
る。この搬送口7は、基板Wを水平姿勢で搬送可能なよ
うに横長状に形成されている。
【0021】スピンチャック5の周囲には、塗布液など
の周囲への飛散を防止するためのカップ9が配備されて
いるとともに、カップ9の側方には塗布液などの処理液
を基板Wに供給するためのノズル11が配備されてい
る。なお、基板Wがスピンチャック5に保持された後、
スピンチャック5とカップ9とが相対的に昇降してカッ
プ9内に基板Wが収容されるようになっている。塗布液
を供給するためのノズル11は、図示した待機位置と供
給位置との間で揺動駆動されるように構成されており、
供給位置ではノズル11の先端部がスピンチャック5の
回転中心に一致するように制御される。
【0022】搬送口7が形成された正面の壁部材1であ
って、搬送口7の上部にあたる壁部材1の内側には、照
射部13が取り付けられている。この照射部13は、少
なくとも基板Wの直径に相当する範囲にわたって線状に
ビームBを照射する。このビームBは、基板Wの表面や
基板Wに被着された膜を改質するためのものであり、例
えば、DeepUVが挙げられる。
【0023】次に、上述した構成の装置による処理の一
例について説明する。なお、図示しない搬送手段で搬送
されている基板Wには既に有機膜が被着されているもの
とする。
【0024】この場合には、基板Wが有機膜面を上に向
けた状態で搬送され、遅くとも基板Wの端縁が搬送口7
に達するまでに照射部13からDeepUVのビームBの照射
を開始する。この状態で基板Wがスピンチャック5の上
方に達するまで移動されると、搬入処理の終了とともに
基板Wの有機膜全面にはDeepUVのビームBが照射される
ことになる。これにより基板Wの表面に被着されていた
有機膜が改質されて硬化する。したがって、その後にス
ピンチャック5に基板Wを吸着させた状態で回転させ、
ノズル11から感光性材料を供給して感光膜の塗布を行
っても、有機膜と感光膜とが混合しにくくなり、高アス
ペクト比のパターンを形成することができる。
【0025】上述したように改質後に基板Wに対して処
理を施すための処理部3に対して照射部13を備えたこ
とにより、改質用の専用装置を別個に設ける必要がない
ので、基板塗布装置の占有面積を増大させずに効率的に
改質を行うことができる。したがって、処理全体のスル
ープットを向上させることができる。
【0026】また、搬送口7に照射部13を設けている
関係上、搬送口7を通して基板Wを処理部3内に搬入す
る動作と並行して改質処理を施せるので効率的な処理が
可能となる。
【0027】なお、上記の説明では、「基板塗布装置」
を例に採って説明したが「基板洗浄装置」であっても同
様の効果を奏する。
【0028】すなわち、上記の処理部3が回転式の洗浄
処理を行うための構成である場合、処理部3内に搬送口
7を通して搬入される際に紫外線のビームBを基板Wに
照射する。これにより基板Wの表面が改質されて、洗浄
液との濡れ性が向上し、その後に処理部3で実施される
洗浄処理が効率的に行えるのである。
【0029】また、上記の構成を「基板現像装置」に適
用し、処理部3内においてノズル11から現像液を供給
する構成であっても同様の効果を奏する。
【0030】なお、図3に示すように、「基板現像装
置」の場合であってスリット状の開口部を備えたノズル
を基板Wに沿って移動させて現像処理を施す構成の場合
には次のような構成が好ましい。
【0031】すなわち、基板Wの表面に沿って移動可能
に構成され、基板Wの直径に相当する長さのスリット状
の開口部21a を備えたノズル21には、ビームBを照
射する照射部23が付設されている。この照射部23も
少なくとも基板Wの直径に相当する長さにわたってビー
ムBを照射する。また、照射部23は、ノズル21が現
像液を基板Wに供給する際の進行方向側に取り付けられ
ている。
【0032】このような構成によると、照射部23のビ
ームBにより改質がされた直後にノズル21から現像液
を供給して処理を施すことになるので、改質の効果が高
い状態で所定の処理を施すことができ、安定した処理が
可能となる。
【0033】また、上記のように照射部23がノズル2
1と一体になって移動する構成でなくとも、単独で照射
部23が基板Wの表面に沿って移動して改質処理を施
し、その後ノズル21により現像処理が施されるような
構成であってもよい。
【0034】さらに、処理部3の天井面に位置固定式の
照射部を設けておき、スピンチャック5に基板Wが載置
されるまでの間に、基板Wの表面全体にわたってビーム
Bを照射するような構成であってもよい。
【0035】<第2実施例>図4ないし図6は本発明に
係る基板処理装置の一例を示す。特に、図4はその平面
図であり、図5は搬送部の要部を示した平面図であり、
図6は搬送部の要部を示した側面図である。
【0036】この実施例にける基板処理装置は、基板W
に対して所定の処理を施すための複数個の処理部31〜
35を備えている。具体的なその構成は、例えば、3個
の処理部31〜33が冷却や加熱処理などの熱処理を施
す熱処理部であり、2個の処理部34,35が被膜形成
のための塗布処理を施す塗布部である。
【0037】また、熱処理部31〜33と塗布部34,
35との間には、平面視Tの字状を呈する移動路37が
設けられており、熱処理部31〜33からの熱が塗布部
34,35に影響を与えないように隔てられている。
【0038】熱処理部31〜33と塗布部34,35と
によって挟まれた部分の移動路37には搬送部39が取
り付けられている。この搬送部39は、鉛直軸周りに旋
回可能であって、かつ、移動路37のうち熱処理部31
〜33と塗布部34,35とによって挟まれた部分を水
平方向(図の左右方向)に移動可能に構成されている。
また、移動路37の左側には、未処理あるいは処理済み
の基板Wを収納した複数個のカセット41を載置した載
置台43が配置されている。
【0039】載置台43に隣接した部分の移動路37に
は、カセット41に沿って移動可能であって、カセット
41および搬送部39の間で基板Wを移載するための移
載部45が取り付けられている。この移載部45は、後
述する搬送部39との間で基板Wの受け渡しができるよ
うに、搬送部39の支持アームと干渉しない形状に形成
してある。この例では、薄板状の支持アーム45aを採
用している。
【0040】図5に示すように搬送部39は、旋回可能
に構成された基台39aの上部に支持アーム39bと、
改質用のビームBを照射する照射部39cとを備えてい
る。支持アーム39bは、先端部が開放されたCの字状
を呈し、処理部31〜35に対して進退可能に構成され
ている。
【0041】照射部39cは、搬送部39の支持アーム
39bが各処理部31〜35に対して進退する際に干渉
することがないように「コ」の字状に構成されていると
ともに、基台39aの先端側(図5の左側)に取り付け
られている。この照射部39cは、例えば、紫外線を照
射するものである。
【0042】次に、このように構成された基板処理装置
における基板の処理動作について説明する。
【0043】まず、いずれかのカセット41に対向する
位置に移載部45を移動させ、移載部45がカセット4
1から処理対象である基板Wを取り出す。
【0044】次に、移載部45が基板Wを搬送部39に
対して渡す。このようにして移載部45から基板Wを支
持アーム39bに受け取った搬送部39は、処理部31
〜35のうち所望の位置に向けて移動を開始する。
【0045】そして、支持アーム39bを所望の処理部
側に進出させて基板Wを搬入するまでに、照射部39c
からビームBを照射して基板Wの改質を行う。例えば、
基板Wを熱処理部31に搬入するため、支持アーム39
bを進出させる際に照射部39cからビームBを照射す
る。
【0046】このように支持アーム39bに支持した基
板Wを処理部31〜35に搬入するまでに改質を施すこ
とができるので、効率的に処理を施すことができる。ま
た、搬送部39が各処理部31〜35の間を移動しなが
ら支持アーム39bを進出させて基板WにビームBを照
射することにより、搬送中に改質処理を行うことがで
き、搬送を含めた装置全体におけるスループットを向上
することができる。
【0047】なお、上記の構成では、照射部39cを位
置固定とし、支持アーム39bを進出させる際にビーム
Bを照射するようにしているが、移載部45側に進出さ
せた支持アーム39bに基板Wを受け取り、支持アーム
39bを基台39a側に戻す際にビームBを照射させる
ようにしてもよい。
【0048】また、照射部39cを基台39aに対して
移動可能に構成し、支持アーム39bを進退移動させる
ことなく照射部39cを移動させてビームBを基板Wに
照射するように構成してもよい。
【0049】なお、上述した装置では、基台39aが移
動路37を移動して各処理部31〜35にアクセスする
ように構成されているが、搬送部39を中心にして周囲
に各処理部を配置した構成を採用してもよい。この場合
には、搬送部39が旋回することで所望の処理部との間
で基板Wの受け渡しを行うが、上述したように基板Wを
処理部に搬入しながらビームBを照射して改質を行うこ
とができる。また、搬入時にビームBを照射するのでは
なく、基板Wを支持アームに保持したまま旋回している
際に照射するようにしてもよい。
【0050】本発明は、上述した形態で実施する際に以
下の点についても考慮することが好ましい。
【0051】(1)照射部13,23、39cは、改質
処理に合わせてビームBの波長が適宜に選択されるこ
と。
【0052】(2)照射部13,23,39cから基板
Wに対するビームBの照射量は、基板Wの相対移動速度
かビームBの照射エネルギーを調整することによって調
整すること。
【0053】なお、本発明における照射部13,23,
39aは、上述したDeepUV、紫外線の他に、可視光から
紫外線の範囲の光やイオンビームを照射する構成であっ
てもよい。
【0054】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、改質後に基板に対して処理を
施すための処理部に照射部を備え、改質用の専用装置を
別個に設ける必要がないので、基板処理装置の占有面積
を増大させることなく効率的に改質を行うことができ
る。したがって、処理全体のスループットを向上させる
ことができる。
【0055】また、請求項2に記載の発明によれば、搬
送口を通して基板を処理部に搬入する際に並行して改質
を施すことができるので、効率的な処理が可能となる。
【0056】また、請求項3に記載の発明によれば、現
像液、塗布液や洗浄液などの処理液をノズルから基板に
対して供給する処理部であっても上述した効果を得るこ
とができる。
【0057】また、請求項4に記載の発明によれば、改
質した直後に処理を施すことになるので、改質の効果が
高い状態で所定の処理を施すことができる。したがっ
て、安定した処理が可能となる。
【0058】また、請求項5に記載の発明によれば、支
持アームに支持した基板を処理部に搬入するまでに改質
を行うことができるので、効率的に処理を施すことがで
きる。
【0059】特に、基台が各処理部の間を移動する構成
の場合には、移動中にビームを照射することにより、搬
送を含めた装置全体におけるスループットを向上するこ
とができる。また、基台が移動せずに旋回して周囲の各
処理部に対してアクセスする構成の場合には、旋回中に
ビームを照射することにより同様の効果を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例に係る基板塗布装置の要部を示した
斜視図である。
【図2】搬送口付近の断面図である。
【図3】基板現像装置の要部を示した図である。
【図4】第2実施例の基板処理装置を示した平面図であ
る。
【図5】搬送部を示した平面図である。
【図6】搬送部を示した側面図である。
【符号の説明】
W … 基板 1 … 壁部材 3 … 処理部 5 … スピンチャック 7 … 搬送口 9 … カップ 11 … ノズル 13 … 照射部 B … ビーム 23 … 照射部 31〜33 … 熱処理部 34,35 … 塗布部 39c … 照射部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 568 (72)発明者 玉田 修 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 松永 実信 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H025 AB16 EA05 2H096 AA25 CA14 GA29 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA12 MA26 MA27 5F046 HA07 LA18

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に対して所定の処理を施す処理部
    に、基板面、または基板面に形成された膜を改質するた
    めのビームを照射する照射部を備え、 前記照射部からのビームを基板に対して照射した後に、
    前記基板に対して前記処理部で処理を施すことを特徴と
    する基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理部は搬送口を備え、この搬送口に前記照射部が
    付設されていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の基板処理装置
    において、 前記処理部は、基板に対して処理液を供給するノズルを
    備えていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理部は、基板面に沿って移動し、基板に対して処
    理液を供給するノズルを備えて構成されているととも
    に、前記照射部は前記ノズルが処理液を供給する際の進
    行方向側に取り付けられていることを特徴とする基板処
    理装置。
  5. 【請求項5】 基板に対して所定の処理を施す複数個の
    処理部を備え、搬送部が各処理部に基板を搬送するよう
    に構成された基板処理装置において、 前記搬送部は、処理部に対して進退可能に構成され、基
    板を支持する支持アームと、基板面または基板面に形成
    された膜を改質するためのビームを照射する照射部とを
    基台に備え、 前記照射部と前記支持アームとを相対移動させてビーム
    を基板に対して照射した後に、前記支持アームを処理部
    に進入させて前記基板を処理部に搬入するようにしたこ
    とを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012144286A1 (ja) * 2011-04-19 2012-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム
WO2018037756A1 (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置、結晶化膜付き基板の検査方法、及び半導体装置の製造方法
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