JP2005044891A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板支持体30は、基板34を接触支持する板状部材58と、この板状部材58を支持する支柱64,64とを有する。支柱64,64は、例えば断面がU字型であり、中央部分が内側に突出している。板状部材58の径は、基板34の径よりも小さく、このため、基板34と支柱64,64の支持溝70との間には隙間が形成され、この隙間に例えばU字状のツイーザが挿入される。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハやガラス基板等を熱処理するための熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば縦型熱処理炉を用いて、複数のシリコンウェハ等の基板を熱処理する場合、炭化珪素製の基板支持体(ボート)が用いられている。この基板支持体は、例えば3つの支柱を有し、この3つの支柱には、3点で基板を支持する支持溝が形成されている。
【0003】この場合、1000°C程度以上の温度で熱処理すると、支持溝付近で、基板にスリップ転位欠陥が発生し、これがスリップラインになるという問題があった。スリップラインが発生すると、基板の平坦度が劣化する。これらのため、LSI製造工程における重要な工程の一つであるリソグラフィ工程で、マスク合わせずれ(焦点ずれ又は変形によるマスク合わせずれ)が生じ、所望パターンを有するLSIの製造が困難であるという問題が発生していた。
【0004】このような問題を解決する手段として、支持溝にまずダミーウェハを載置し、このダミーウェハの上に処理すべき基板を載置する技術が知られている(特許文献1参照)。これは、従来の3点支持からダミーウェハによる面支持に変えることにより、処理すべき基板の自重応力集中を抑え、基板の反り発生を防止し、スリップ転位欠陥が発生するのを防止しようとするものである。
【0005】
【特許文献1】特開2000−223495号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例においては、多数の支持溝が形成された櫛型の支柱が用いられ、この支柱の支持溝に板状部材を支持し、さらにこの板状部材に基板を載置するように構成されているので、径の小さい板状部材を支柱に支持するようにすると、支柱の支持溝の突出部分が長くなり、支持溝の加工が困難になり、加工できたとしても機械的強度が保てないという問題がある。
【0007】本発明は、上記従来例における加工上の問題点、及び強度上の問題点を解消し、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な基板や半導体装置を製造することができる熱処理装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の特徴とするところは、基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は、断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状である熱処理装置にある。
【0009】前記板状部材は、SiC(炭化珪素)、Si(シリコン)又はSiO2(酸化珪素)製であることが好ましい。また、前記支柱は、SiC製であることが好ましい。
【0010】前記支柱は、断面がU字型、V字型、C型、コ字型等、板状部材側へ突出するように曲げられた形状である。
【0011】このような支柱には、板状部材を支持するための支持溝を形成することが好ましい。この支持溝は、支柱に形成されたスリットの一部として構成することが好ましい。
【0012】また、支柱は中空加工を施すことにより形成することが好ましい。
【0013】また、板状部材は円柱状であり、その直径は基板の直径よりも小さいことが好ましい。
【0014】さらに、熱処理装置には、前記基板支持体に対して基板を移載する基板移載機を含めることができる。前記板状部材を円板状とし、この板状部材の径を基板の径よりも小さく形成することが好ましい。この場合、前記基板移載機の基板を支持するツイーザは、両側に爪部を有する形状、例えばU字型とし、基板の両側を支持した状態で基板を板状部材に載置できるようにすることが好ましい。
【0015】前記板状部材は、基板の厚さよりも厚いことが好ましい。
【0016】前記支柱に形成された支持溝には嵌合部を形成し、この嵌合部に板状部材を嵌合することが好ましい。
【0017】前記板状部材の基板載置面の面積は基板平坦面の面積よりも小さくすることが好ましい。
【0018】前記基板支持体は、複数枚の基板を略水平状態で隙間をもって複数段に支持するように構成されていることが好ましい。
【0019】熱処理装置は、基板の熱処理が1000°C以上、さらには1350°C以上の温度で行われるものとして用いられるのが好ましい。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1及び図2には、本発明の実施形態に係る熱処理装置10が示されている。この熱処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筺体12には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16は、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
【0021】筺体12内において、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。また、このポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22及び基板枚数検知器24が配置されている。ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22は、ポッド16の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド16内の基板枚数が基板枚数検知器24により検知される。
【0022】さらに、筺体12内には、基板移載機26、ノッチアライナ28及び基板支持体(ボート)30が配置されている。基板移載機26は、例えば5枚の基板を取り出すことができるツイーザ(アーム)32を有し、このツイーザ32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ28及び基板支持体30間で基板34を搬送する。ノッチアライナ28は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
【0023】基板移載機26のツイーザ32は、両側に爪部を有する形状、例えばU字型であり、基板34の両側を支持するようになっている。基板支持体30は、エレベータ36により昇降され、反応炉40に挿入されるようになっている。
なお、後述する板状部材58は、反基板移載機側から基板支持体30にセットされるようにしてある。
【0024】図3において、反応炉40が示されている。この反応炉40は、反応管42を有し、この反応管42内に基板支持体30が挿入される。反応管42の下方は、基板支持体30を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ44により密閉されるようにしてある。また、反応管42の周囲は、均熱管46により覆われ、さらに均熱管46の周囲にヒータ48が配置されている。熱電対50は、反応管42と均熱管46との間に配置され、反応炉40内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管42には、処理ガスを導入する導入管52と、処理ガスを排気する排気管54とが接続されている。
【0025】次に上述したように構成された熱処理装置10の作用について説明する。
まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
【0026】次に、基板移載機26により、ポッドオープナ22の位置にあるポッド16から基板を取り出し、ノッチアライナ28に移載する。このノッチアライナ28においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機26により、ノッチアライナ28から基板を取り出し、基板支持体30に移載する。
【0027】このようにして、1バッチ分の基板を基板支持体30に移載すると、例えば700°C程度の温度に設定された反応炉40内に複数枚の基板を装填した基板支持体30を挿入し、シールキャップ44により反応管42内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、導入管52から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。基板を熱処理する際、基板は例えば1000°C程度以上の温度に加熱される。なお、この間、熱電対50により反応管42内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、熱処理プログラムに従って基板の熱処理を実施する。
【0028】基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を700°C程度の温度に降温した後、基板支持体30を反応炉40からアンロードし、基板支持体30に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体30を所定位置で待機させる。なお、炉内温度降温の際も、熱電対50により反応管42内の温度をモニタしながら、予め設定された降温プログラムに従って降温を実施する。次に、待機させた基板支持体30の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機26により、基板支持体30から基板を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置18により、基板が収容されたポッド16をポッド棚20に搬送し、さらにポッドステージ14に搬送して完了する。
【0029】次に上記基板支持体30について詳述する。
図4乃至図6において、基板支持体30は、本体部56と、板状部材58とから構成されている。本体部56は、円板状の上板60と、同じく円板状の下板62と、上板60と下板62とを接続支持する例えば2つの支柱64,64とから構成されている。上板60、下板62及び支柱64は、一体に形成することもできるし、別体であってもよい。上板60又は下板62には半径方向に熱ストレス放散スリット66が形成され、急激な熱ストレスがあった場合には該スリット66により熱膨張或いは熱収縮による応力を緩和するようになっている。2つの支柱64,64は、基板34の挿入方向に対して直交する位置で互いに対向するように配置されている。
【0030】板状部材58は、耐熱性材料から作られ、例えばSiC(炭化珪素)、Si(シリコン)又はSiO2(酸化珪素)製である。この実施形態においては、板状部材58はSi製である。この板状部材58の上面に基板34が接触支持される。また、この板状部材58は、支柱64に支持されている。
【0031】この板状部材58の径は、基板34の径より小さく、即ち、板状部材58の上面は、基板34の下面である平坦面の面積より小さな面積を有し、基板34は、該基板34の周縁を残して板状部材58に支持されている。基板34は例えば直径が300mmであり、したがって、板状部材58の直径は300mm未満であり、100mm〜250mm程度(基板外径の1/3〜5/6程度)が好ましい。
【0032】また、この板状部材58の厚さは、基板34の厚さよりも厚く形成されている。基板34の厚さは、例えば700μmであり、したがって、支持部58の厚さは、700μmを越えており、10mmまでは可能であり、少なくとも基板34の厚さの2倍以上、例えば3mm〜10mmが好ましく、更に3mm〜6mmが好ましく、更には4mm〜5mmが好ましい。板状部材58の厚さをこのような厚さとするのは、板状部材58自体の剛性を増し、板状部材58の熱処理時の変形を抑制するためである。
【0033】板状部材58の上面には、接着防止層を形成することができる。この接着防止層は、例えばシリコン表面を処理することにより、又はCVD等によりシリコン表面上に堆積(deposition)することにより形成したシリコン窒化膜(SiN)、炭化珪素皮膜(SiC)、酸化珪素膜(SiO2)、ガラス状炭素、微結晶ダイヤモンド等、耐熱性及び耐磨耗性に優れた材料からなり、基板34の処理後に板状部材58と基板34との接着を防止するようにしてある。接着防止層を炭化珪素製の膜とした場合、膜の厚さは、0.1μm〜50μmとすることが好ましい。炭化珪素製の膜を厚くすると、シリコンと炭化珪素との熱膨張率の差により、シリコン製の板状部材58が炭化珪素製の膜に引っ張られて支持部全体の変形量が大きくなり、この大きな変形によって基板34にスリップが発生するおそれがある。これに対して炭化珪素製の膜を上記のような厚さとすると、シリコン製の板状部材58が炭化珪素製の膜に引っ張られる量が少なくなり、支持部全体の変形量も少なくなる。即ち、炭化珪素製の膜を薄くすると板状部材58と膜との熱膨張率の差による応力が低減し、板状部材全体の変形量が少なくなり、板状部材全体の熱膨張率も本来のシリコンの熱膨張率(基板がシリコンの場合は略同等の熱膨張率)に近づき、スリップの発生を防止できるものである。
【0034】支柱64は、図7にも示すように、断面の両端が板状部材58の外側にあって断面の中央部分が板状部材58側へ突出するように曲げられた形状、例えば断面がU字状であるように形成されている。支柱64は、耐熱性材料から作られ、例えばSiC製である。この支柱64には、水平方向に延びた略長方形のスリット68が上下方向に多数形成されている。このスリット68の下端は、支持溝70を構成している。この支持溝70の両側には嵌合部72が段差部分として形成されている。板状部材58は、この嵌合部72に嵌合し、支持溝70に支持されるものである。
【0035】このような支柱64は中空加工を施すことにより容易に形成することができる。即ち、まず円柱状に形成し、次に中心部分を軸方向に切削等により除いて円筒状となるよう中空加工を施し、次に直径方向で2つに分かれるよう切断し、最後にスリット68を形成することにより支柱64とする。
【0036】また、支柱64は、図7に示すように、断面が板状部材支持側へ突出するように曲げられた形状としたので、支柱64の機械的強度を保つことができる。基板34を直接支柱64で支持する場合と比較して、基板34を板状部材58に支持する場合は、板状部材58の分だけ重量が増加するが、上記構造とすることにより基板34及び板状部材58を支持するのに十分耐えられる機械的強度を得ることができる。また、従来の櫛型の支柱と比較すると、この実施形態においては、突出部分を長くしても加工が容易で機械的強度を保つことができるので、板状部材58の直径が基板34の直径よりも小さい場合に有効である。なお、支柱64は、断面がU字型である以外に、V字型、C字型、コ字型等であってもよい。
【0037】板状部材58に基板34が支持された状態においては、板状部材58の径が基板34の径よりも小さいので、基板34の周縁部分と支柱64の支持溝70との間には隙間が形成される。この隙間には、前述したツイーザ32を挿入することができる。
【0038】基板34を基板支持体30に挿入する場合は、予め支柱64に板状部材58を支持溝70に嵌合支持しておき、ツイーザ32に基板34を支持した状態でツイーザ32を支柱64のスリット68に挿入し、ツイーザ32の位置を若干下げることにより、基板34を板状部材58上に載置し、前述した隙間からツイーザ32を引き抜く。一方、基板34を基板支持体30から取り出す場合は、基板挿入と逆順序で行い、まずツイーザ32を前述した隙間に挿入し、ツイーザ32の位置を若干上昇させてツイーザ32に基板34を載置し、ツイーザ32を引き抜く。
【0039】なお、上記実施形態の説明にあっては、熱処理装置として、複数の基板を熱処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【0040】本発明の熱処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
【0041】SOI(Silicon On Insulator)ウエハの一種であるSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)ウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
【0042】まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウエハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施形態の熱処理装置を用いて、例えばAr、O2雰囲気のもと、1300°C〜1400°C、例えば1350°C以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウエハ内部にSiO2層が形成された(SiO2層が埋め込まれた)SIMOXウエハが作製される。
【0043】また、SIMOXウエハの他,水素アニールウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中で1200°C程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりIC(集積回路)が作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
【0044】また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。
【0045】以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の熱処理装置を用いることにより、基板のスリップの発生を防止することができる。
【0046】本発明の熱処理装置は、半導体装置の製造工程にも適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の熱処理装置を用いることにより、スリップの発生を防止することができる。
【0047】以上のように、本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次のような実施形態が含まれる。
【0048】
(1)基板を処理室内に搬入する工程と、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であり、前記基板支持体の板状部材に基板を支持する工程と、基板を前記基板支持体に支持した状態で熱処理する工程と、基板を処理室より搬出する工程とを有する基板の製造方法。
(2)基板を処理室内に搬入する工程と、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は断面断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であり、前記基板支持体の板状部材に基板を支持する工程と、基板を前記基板支持体に支持した状態で熱処理する工程と、基板を処理室より搬出する工程とを有する半導体装置の製造方法。
(3)基板を処理室内に搬入する工程と、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は断面断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であり、前記基板支持体の板状部材に基板を支持する工程と、基板を前記基板支持体に支持した状態で熱処理する工程と、基板を処理室より搬出する工程とを有する基板処理方法。
(4)基板と接触して基板を支持する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は、断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であることを特徴とする基板支持体。
【0049】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板にスリップ転位欠陥が生じるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施形態に係る熱処理装置の一部を示す平面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線断面図である
【図5】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の正面図である。
【図6】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の側面図である。
【図7】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の支柱を示す斜視図である。
10 熱処理装置
30 基板支持体
34 基板
58 板状部材
64 支柱
68 スリット
70 支持溝
72 嵌合部
74 嵌合溝
Claims (1)
- 基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、基板と接触する板状部材と、この板状部材を支持する支柱とを有し、この支柱は、断面の両端が板状部材の外側にあって断面の中央部分が板状部材側へ突出するように曲げられた形状であることを特徴とする熱処理装置。
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