JP2002231791A

JP2002231791A - 半導体熱処理用部材およびその搬送方法

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Publication number: JP2002231791A
Application number: JP2001022339A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Takeda; 修一武田; Hiromasa Sato; 浩昌佐藤; Tomohide Otsuka; 朋秀大塚; Atsuo Kitazawa; 厚男北澤; Yutaka Shiotani; 豊塩谷; Taku Haneda; 卓羽田; Yukihisa Miyashita; 幸久宮下
Original assignee: Toshiba Ceramics Co Ltd
Current assignee: Coorstek KK
Priority date: 2001-01-30
Filing date: 2001-01-30
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体熱処理用部材の取扱い時、あるいは搬送
時に汚染されることがない半導体熱処理用部材およびそ
の搬送方法を提供する。【解決手段】基材表面にセラミックス膜が形成された半
導体熱処理用部材において、このセラミックス膜表面に
ポリシリコンのコーティング膜が形成されている半導体
熱処理用部材。また、基材表面に形成されたセラミック
ス膜表面にポリシリコンまたはＳｉＯ_２のコーティング
膜を形成した状態で、納入先に搬送する半導体熱処理用
部材の搬送方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばシリコン単
結晶ウェーハ等の半導体熱処理用部材およびその搬送方
法に係わり、特に基材表面にセラミックス膜が形成され
た半導体熱処理用部材の製造工程および搬送時に汚染さ
れない半導体熱処理用部材およびその搬送方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミックスあるいは金属からな
る基材の表面にセラミックス膜が形成された半導体熱処
理用部材は、広く使用されており、特に、珪素（Ｓｉ）
と炭化珪素（ＳｉＣ）からなるＳｉ含浸ＳｉＣ（以下、
Ｓｉ−ＳｉＣという）材質は緻密性、純度および強度に
優れているため、半導体熱処理用ウェーハボート（以
下、ウェーハボートと記す）等の半導体熱処理用部材に
用いられ、さらに、この熱処理用部材の高純度化を図る
ために、Ｓｉ−ＳｉＣ基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜
（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜という）等セラミックス膜が
形成されていた。

【０００３】このＣＶＤ−ＳｉＣ等のセラミックス膜の
表面は、不純物が少ないために非常に活性であり、一度
金属等の不純物が付着すると、簡単には不純物を除去で
きない。このため、ＣＶＤ膜表面はＣＶＤ後の炉内から
の汚染で、不純物が表面に付着しており、客先に供給す
る前にそれを取り除くのに、長時間のドライ洗浄や酸洗
浄を必要としている。

【０００４】また、基材表面にセラミックス膜が形成さ
れた半導体熱処理用部材は、清浄化を目的として、Ｈ
Ｆ、ＨＦ＋ＨＮＯ_３、ＨＦ＋ＨＣｌ等の洗浄液で洗浄さ
れ、あるいは、酸素や酸素と塩素を用いるような乾式洗
浄と組み合わせて洗浄される場合もあり、さらに、ドラ
イアイスで洗浄する場合もある。これらの洗浄や梱包は
クリーンルーム内で行われ、外部からの汚染を極力防ぐ
ことに努めており、その清浄度も最近ではクラス１００
で行われる場合もある。いずれも外部から当該部材に汚
染物が付着するのを防止し、客先での洗浄を極力省略、
あるいは完全になくすために行っているものである。

【０００５】しかしながら、どんなにクリーンルームの
清浄度を上げても、洗浄時、あるいは洗浄後の汚染付着
を完全に避けることはできない。また、半導体熱処理用
部材の搬送時にも汚染物が付着することが考えられ、客
先での取り扱いでも汚染物が付着することは避けられな
い。さらに、搬送時に包装する袋などからの汚染も考え
られる。このように、梱包までの工程で、半導体熱処理
用部材をどんなに清浄に保っても、出荷以降汚染される
可能性が高い。

【０００６】特に、上記セラミックス膜がＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃの場合、付着した汚染を除去するのは非常に困難であ
り、特に有機物系の汚染が付着した場合は、高温中酸素
等で焼却除去する必要がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、半導体熱処理
用部材の取扱い時、あるいは搬送時に汚染されることが
ない半導体熱処理用部材およびその搬送方法が要望され
ており、本発明は半導体熱処理用部材の取扱い時、ある
いは搬送時に汚染されることがない半導体熱処理用部材
およびその搬送方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、基材表面にセラミッ
クス膜が形成された半導体熱処理用部材において、この
セラミックス膜表面にポリシリコンのコーティング膜が
形成されていることを特徴とする半導体熱処理用部材で
あることを要旨としている。

【０００９】本願請求項２の発明では、上記基材がＳｉ
含浸ＳｉＣ材料であり、上記セラミックス膜がＣＶＤ法
によるＳｉＣ材料であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体熱処理用部材であることを要旨としている。

【００１０】本願請求項３の発明では、上記ポリシリコ
ンのコーティング膜の厚さが、３〜１０μｍであること
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体熱処理用
部材であることを要旨としている。

【００１１】本願請求項４の発明では、上記ポリシリコ
ンのコーティング膜は、酸により溶食して除去されるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載
の半導体熱処理用製部材であることを要旨としている。

【００１２】本願請求項５の発明は、基材表面にセラミ
ックス膜が形成された半導体熱処理用部材の搬送方法に
おいて、このセラミックス膜表面にポリシリコンまたは
ＳｉＯ_２のコーティング膜を形成した状態で、納入先に
搬送することを特徴とする半導体熱処理用部材の搬送方
法であることを要旨としている。

【００１３】本願請求項６の発明では、上記基材がＳｉ
含浸ＳｉＣ材料であり、上記セラミックス膜がＣＶＤ法
によるＳｉＣ材料であることを特徴とする請求項５に記
載の半導体熱処理用部材の搬送方法であることを要旨と
している。

【００１４】本願請求項７の発明では、上記コーティン
グ膜は、使用前に除去されることを特徴とする請求項５
または６に記載の半導体熱処理用製部材の搬送方法であ
ることを要旨としている。

【００１５】本願請求項８の発明では、上記ＳｉＯ_２の
コーティング膜の厚さが、５０〜１００００オングスト
ロームであることを特徴とする請求項５ないし７のいず
れか１項に記載の半導体熱処理用部材の搬送方法である
ことを要旨としている。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係わる半導体熱処理用部
材の実施形態について、特に、基材がＳｉ−ＳｉＣ材料
であり、セラミックス膜がＣＶＤ−ＳｉＣ材料からなる
半導体熱処理用部材のケースで、図面を参照して説明す
る。

【００１７】図１は本発明に係わる半導体熱処理用部材
の実施形態の斜視図である。

【００１８】図１に示すように、半導体熱処理用部材、
例えばウェーハボート１は、Ｓｉ−ＳｉＣの基材から形
成された底板２と支柱３と天板４とを組み立てて構成さ
れている。支柱３は断面が、例えば正方形状で底板２上
に４本立設され、各々の支柱３には半導体ウェーハＷが
搭載されるために支持部５が形成されている。この支持
部５は、図２に示すように、支持溝６を長手方向に櫛歯
状に形成されている。さらに、底板２、支柱３および天
板４を形成する基材の表面７には、所定の膜厚、例えば
数十〜約１００μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ膜８が形成されて
いる。さらに、図２および図２のＡ部を拡大して示す図
３に示すように、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８の表面９にはポリ
シリコンのコーティング膜１０が形成されている。

【００１９】このコーティング膜１０は、ＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ膜８の表面９および内部に存在する汚染物をトラップ
するのに十分な能力を発揮するためおよび外部からＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜８が汚染されるのを十分抑制できるように
するためその厚さが３μｍ以上であることが好ましく、
また、ユーザでの使用時、洗浄槽で表面９のコーティン
グ膜１０を容易に除去でき洗浄負担を軽減するには、１
０μｍ以下であることが好ましく、従って、３μｍ〜１
０μｍであるのが好ましい。３μｍ未満であるとＣＶＤ
−ＳｉＣ膜８の表面９に存在する汚染物を十分トラップ
することができず、また、外部からＣＶＤ−ＳｉＣ膜８
が汚染されるのを十分抑制することができない。１０μ
ｍより大きいとユーザに洗浄負担がかかるばかりでな
く、コーティング膜製造コストもかかる。

【００２０】上記ウェーハボート１は、図４に示すよう
な工程流れに沿って製造され、出荷、搬送される。

【００２１】なお、図１に示すようなウェーハボートの
中間体には同一部分に同一番号にｐ、ｔを添字して説明
する。

【００２２】すなわち、図１に示すウェーハボート１の
製造には、ＳｉＣ粉末と成形助剤を混練する混練工程
と、この混練原料を成形し底板成形体２ｐ、支柱成形体
３ｐおよび天板成形体４ｐを作る成形工程と、これらの
成形体２ｐ、３ｐ、４ｐを加工する工程と、この加工さ
れた成形体２ｐ、３ｐ、４ｐを仮焼する工程と、この仮
焼された成形体２ｔ、３ｔ、４ｔを純化する純化工程
と、この純化された純化体２ｔ、３ｔ、４ｔを接着剤を
用いて接着する接着工程と、この接着されて形成された
ウェーハボート純化体１ｔにシリコンを含浸させ加熱す
る含浸工程と、このシリコンが含浸されたウェーハボー
ト１を研磨する工程と、このウェーハボート１の支柱３
に複数の半導体ウェーハ搭載用の支持溝６を形成する溝
切り工程と、このウェーハボート１を洗浄する工程とよ
りなっている。

【００２３】上記混練工程では、ＳｉＣ粉末にフェノー
ル樹脂、アクリル系樹脂などの成形助剤を混合する。上
記仮焼工程は常法の条件にて、例えばＡｒガス雰囲気中
１５００〜２０００℃で成形体２ｐ、３ｐ、４ｐを約２
時間加熱処理し、仮焼体２ｔ、３ｔ、４ｔを得る。

【００２４】これらの純化体２ｔ、３ｔ、４ｔを接着し
て組み立てられたウェーハボート純化体１ｔは、続いて
シリコンの含浸工程に移されるが、このシリコンの含浸
工程は、図５に示すように、誘導加熱炉本体１１内に設
けられ清浄に保たれたカーボン製の密閉容器１２にウェ
ーハボート仮焼体１ｔを収納する。この密閉容器１２に
収納されたウェーハボート純化体１ｔは、ポリシリコン
が加熱、溶融された溶融シリコンＳが入った溶融シリコ
ン槽１３０上方に溶融シリコンＳと離間状態で置き、一
端が溶融シリコンＳ中に没し他端がウェーハボート成形
体１ｔに取り付けられた耐熱性の毛細管体１４を用い
て、溶融シリコンＳをウェーハボート成形体１ｔに含浸
させる。

【００２５】しかる後、誘導加熱コイル１５を付勢し移
動させながらウェーハボート成形体１ｔの含浸を行う。
この純化体１ｔの含浸を誘導加熱炉本体１１に設けられ
た密閉容器１２を用いて行うことにより、Ｓｉが含浸さ
れたウェーハボート１は金属に汚染されることがない。

【００２６】溝切り工程では、ダイヤモンドブレードを
用いて切削しウェーハボート１の支柱３にウェーハ支持
用の支持溝６を形成する。

【００２７】支持溝６が形成されたウェーハボート１に
は、常法のＣＶＤ法により膜厚、例えば数十μｍ〜約１
００μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ膜８が形成される。

【００２８】ドライ洗浄された後、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８
が形成されたウェーハボート１には、ポリシリコンのコ
ーティング膜１０が形成されるが、このコーティング膜
１０の形成は、図６に示すように、ガス導入管１６を介
して、原料ガス、例えばＳｉＨ４ガスはウェーハボート
１が収納された処理炉１７内に供給され、加熱されて、
ウェーハボート１の全面に亘って付着し、ポリシリコン
のコーティング膜１０が形成される。

【００２９】コーティング膜１０が形成されたウェーハ
ボート１は、検査され、梱包されて、出荷、搬送され
る。

【００３０】上記のようにして製造されたウェーハボー
ト１のＣＶＤ−ＳｉＣ膜８上には、ポリシリコンのコー
ティング膜１０が形成されており、このコーティング膜
１０はＣＶＤ−ＳｉＣ膜８に拡散する汚染物、特に金属
汚染物をトラップするため、出荷直前または使用前に
酸、例えばＨＦ−ＨＮＯ_３で洗浄することにより、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜８の内部あるいは表面９に存在する汚染物
をコーティング膜１０と共に取り去り、ウェーハボート
１を清浄な状態にすることができる。

【００３１】また、検査工程、梱包工程、出荷工程およ
び搬送工程において、コーティング膜１０が形成されて
いるので、外部からの汚染物はこのコーティング膜１０
で抑制され、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８が汚染されることがな
く、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８の表面９の清浄が保たれる。

【００３２】なお、本発明の半導体熱処理用部材は、上
述した実施形態に限定されるものではなく、基材として
Ｓｉ−ＳｉＣ材料のみならず、自焼結ＳｉＣ材料、黒鉛
材料、Ｓｉ_３Ｎ_４焼結体材料、アルミナ材料、単結晶あ
るいは多結晶シリコン材等を、また、セラミックス膜と
しては、ＰＶＤ法によるＳｉＣ材料、ＣＶＤ法あるいは
塗布法等によるＳｉ_３Ｎ_４、ガラス状カーボン材料、Ａ
ｌＮ材料等とし、これらのうちのいずれかの組み合わせ
によって製造されたものに適用できる。

【００３３】次に本発明に係わる半導体熱処理用部材の
搬送方法の第１の実施形態について、特に、基材がＳｉ
−ＳｉＣ材料であり、セラミックス膜がＣＶＤ−ＳｉＣ
材料からなる半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製部材のケー
スで説明する。

【００３４】例えば、上述したようにして製造されたウ
ェーハボート１をポリシリコンのコーティング膜１０が
形成されたまま出荷、搬送する。ユーザでの使用前にウ
ェーハボート１をＨＦ−ＨＮＯ_３で洗浄し、上記のよう
にコーティング膜１０を除去する。

【００３５】このように、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜形成工程以
降および搬送時にウェーハボート１が汚染されることな
く、清浄な状態が保たれ、従って、ユーザは、従来のよ
うに空焼き（ドライ洗浄）を行う必要がなく、ウェット
洗浄のみでの使用が可能になり、生産性が向上する。さ
らに、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜が汚染されていないので、ウェ
ット洗浄も上記コーティング膜１０の除去のみで済み、
ウェット洗浄時間を短縮できる。さらに、上記のよう
に、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８の内部あるいは表面９に存在す
る汚染物をコーティング膜１０と共に取り去り、ウェー
ハボート１を清浄な状態にすることができる。

【００３６】なお、本発明に係わる半導体熱処理用Ｓｉ
−ＳｉＣ製部材は、上記のようにコーティング膜１０が
形成されたまま出荷、搬送される場合に限らず、ユーザ
からの要求などにより、出荷直前にＨＦ−ＨＮＯ_３で洗
浄し、コーティング膜１０を除去する場合にも、ＣＶＤ
−ＳｉＣ膜形成工程以降、コーティング膜除去工程迄の
間、外部からの汚染物はこのコーティング膜１０で抑制
され、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８が汚染されることがなく、さ
らに、上記のように、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜８の内部あるい
は表面９に存在する汚染物をコーティング膜１０と共に
取り去り、ウェーハボート１を清浄な状態にすることが
できる。

【００３７】また、出荷時、あるいは使用前における上
記コーティング膜１０の除去により、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜
８に存在する不純物の総量は、空焼き（ドライ洗浄）な
しで、２ｐｐｍから０．０８ｐｐｍに減少させることが
でき、また、ユーザ受入れ検査での合格率が向上し、洗
浄の省略によるコストダウンも図れ、さらに、ユーザで
の立上げ不具合も解消される。

【００３８】さらに、本発明に係わる半導体熱処理用部
材の搬送方法の第２の実施形態について、上記第１の実
施形態と同様のケースで説明する。

【００３９】本第２の実施形態は上述した第１の実施形
態がウェーハボートにポリシリコンのコーティング膜を
形成した状態で出荷、搬送するのに対して、ＳｉＯ_２コ
ーティング膜を形成し、この状態で出荷、搬送するもの
である。

【００４０】例えば、図４に示すような工程に沿って製
造されたウェーハボート２１は、図７に示すように、そ
のＣＶＤ−ＳｉＣ膜２２のＳｉＣ膜表面２３上にこのＳ
ｉＣ膜表面２３よりも薄いＳｉＯ_２コーティング膜２４
を形成する。

【００４１】ＳｉＯ_２コーティング膜２４は、酸素、ま
たは水蒸気存在下において、ウェーハボート２１を１０
００〜１３５０℃の高温で熱処理することで形成され
る。酸素、水蒸気は混合して使われることもあり、水蒸
気は、水の蒸発によって生成してもよく、また、水素と
酸素の反応によって生成してもよい。例えば、ＳｉＯ_２
コーティング膜２４は、酸素雰囲気中１２００℃で、１
時間の酸化によりＳｉＣ膜表面２３に約１０００オング
ストロームのＳｉＯ_２コーティング膜を生成することが
できる。

【００４２】ＳｉＯ_２コーティング膜２４の厚さは、５
０〜１００００オングストロームが好ましく、より好ま
しくは、５００〜５０００オングストロームである。膜
厚を５０〜１００００オングストロームとしたのは、５
０より小さいと十分な汚染防止機能が得られず、また、
酸化膜表面の汚れとＳｉＣ表面との間隔が狭くなり、こ
の両者間に挟まれたＳｉＯ_２を溶解する酸が浸透するた
めの十分な隙間が確保できず、ＳｉＯ_２を溶解できな
い。

【００４３】また、１００００オングストロームを超え
るとその成膜が困難であり、さらに、ユーザにおける使
用前の洗浄に多くの時間を要し、従来と比較して長い洗
浄時間が必要になる。

【００４４】上記のようにしてＣＶＤ−ＳｉＣ膜２２の
上にＳｉＯ_２コーティング膜２４が形成されたウェーハ
ボート２１は、ＳｉＯ_２コーティング膜２４が形成され
た状態で出荷、搬送される。

【００４５】ユーザは使用直前にＨＦ溶液にウェーハボ
ート２１を浸漬してＳｉＯ_２コーティング膜２４を溶
解、除去（ウェット洗浄）する。これによりウェーハボ
ート２１は使用可能な清浄な状態となる。

【００４６】上記のようにウェーハボート２１は、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜２２にＳｉＯ_２コーティング膜２４を形成
した後は、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２２がＳｉＯ_２コーティン
グ膜２４により保護されるので、以後の工程および搬送
時にウェーハボート２１（ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２２）が汚
染されることなく、清浄な状態が保たれる。

【００４７】また、上記のようにユーザは、従来のよう
に空焼き（ドライ洗浄）を行う必要がなく、ウェット洗
浄のみでの使用が可能になり、生産性が向上する。さら
に、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１２が汚染されていないので、ウ
ェット洗浄もＳｉＯ_２コーティング膜２４の除去のみで
済み、ウェット洗浄時間を短縮できる。

【００４８】なお、本発明の半導体熱処理用部材の搬送
方法は、上述した実施形態に限定されるものではなく、
基材としてＳｉ−ＳｉＣ材料のみならず、自焼結ＳｉＣ
材料、黒鉛材料、Ｓｉ_３Ｎ_４焼結体材料、アルミナ材
料、単結晶あるいは多結晶シリコン材等を、また、セラ
ミックス膜としては、ＰＶＤ法によるＳｉＣ材料、ＣＶ
Ｄ法あるいは塗布法等によるＳｉ_３Ｎ_４、ガラス状カー
ボン材料、ＡｌＮ材料等とし、これらのうちのいずれか
の組み合わせによって製造されたものに適用できる。

【００４９】

【実施例】図７に示す本発明に係わる半導体熱処理用Ｓ
ｉ−ＳｉＣ製部材のＣＶＤ−ＳｉＣ表面にＳｉＯ_２コー
ティング膜を形成したウェーハボートについて、汚染度
合を調べた。

【００５０】試験方法：ＣＶＤ−ＳｉＣ膜に１０００
オングストロームのＳｉＯコーティング膜を形成したウ
ェーハボート（実施例）およびＳｉＯコーティング膜を
形成しないウェーハボート（従来例）に油性インクの筆
記具によりマーキングを施した。しかる後、２試料をＨ
Ｆ溶液に浸漬し、ウェーハボートの汚染状態を調べた。

【００５１】試験結果：実施例は汚れが残留していな
い。これに対して、従来例には汚れが残存していた。従
って、実施例のようにＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面にＳｉＯ
_２コーティング膜を形成することにより汚染を防止でき
ることがわかった。

【００５２】

【発明の効果】本発明に係わる半導体熱処理用部材によ
れば、その取扱い時に汚染されない半導体熱処理用部材
を提供することができる。

【００５３】また、本発明に係わる半導体熱処理用部材
の搬送方法によれば、その搬送時に汚染されることがな
い半導体熱処理用部材の搬送方法を提供することができ
る。

【００５４】すなわち、基材表面にセラミックス膜が形
成された半導体熱処理用部材において、このセラミック
ス膜表面にポリシリコンのコーティング膜を形成したの
で、コーティング膜形成工程以降、コーティング膜除去
工程迄の間において、半導体熱処理用部材が外部から汚
染されるのを防止することができる。

【００５５】また、本発明に係わる半導体熱処理用部材
は、基材がＳｉ含浸ＳｉＣ材料であり、セラミックス膜
がＣＶＤ法によるＳｉＣ材料である場合には、特に有効
なものとなる。

【００５６】また、ポリシリコンのコーティング膜の厚
さは、３〜１０μｍであるので、セラミックス膜もしく
わＣＶＤ−ＳｉＣ膜の内部あるいは表面に存在する汚染
物を確実にトラップすることができ、さらに、外部から
半導体熱処理用部材が汚染されるのを防止できる。ま
た、ユーザの使用時、洗浄槽で表面のコーティング膜を
容易に除去できる。

【００５７】また、ポリシリコンのコーティング膜は、
酸により溶食して除去されるので、セラミックス膜表面
あるいは内部に存在する汚染物をコーティング膜と共に
取り去り、半導体熱処理用部材を清浄な状態にすること
ができる。

【００５８】また、セラミックス膜表面にポリシリコン
またはＳｉＯ_２のコーティング膜を形成した状態で、納
入先に搬送するので、いずれかのコーティング膜形成後
の工程および搬送時に半導体熱処理用部材が汚染される
ことなく、清浄な状態が保たれ、従って、ユーザは、従
来のように空焼き（ドライ洗浄）を行う必要がなく、ウ
ェット洗浄のみでの使用が可能になり、生産性が向上す
る。さらに、セラミックス膜が汚染されないので、ウェ
ット洗浄も薄膜の除去のみで済み、ウェット洗浄時間を
短縮できる。

【００５９】また、本発明に係わる半導体熱処理部材
は、基材がＳｉ含浸ＳｉＣ材料であり、セラミックス膜
がＣＶＤ法によるＳｉＣ材料である半導体熱処理用部材
の搬送方法として、特に有効なものとなる。

【００６０】また、ポリシリコンまたはＳｉＯ_２のコー
ティング膜は、使用前に除去されるので、半導体熱処理
用部材は清浄に保たれ、洗浄が容易になる。

【００６１】また、ＳｉＯ_２コーティング膜の厚さは、
５０〜１００００オングストロームであるので、十分な
汚染防止機能が得られ、その成膜も容易であり、さら
に、ユーザがＳｉＯ_２コーティング膜を除去するために
行う使用前の洗浄もその時間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる半導体熱処理用部材の実施形態
を示す斜視図。

【図２】図１に示す実施形態の溝部の断面図。

【図３】図２に示す実施形態の溝部のＡ部の拡大図。

【図４】本発明に係わる半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製
部材の搬送方法の工程図。

【図５】本発明に係わる半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製
部材のシリコンの含浸工程に用いられる誘導加熱炉の概
念図。

【図６】本発明に係わる半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製
部材のコーティング膜形成工程に用いられる加熱炉の概
念図。

【図７】本発明に係わる半導体熱処理用Ｓｉ−ＳｉＣ製
部材の搬送方法の第２の実施形態に用いられるＳｉ−Ｓ
ｉＣ製部材の溝部の断面図。

【符号の説明】

１ウェーハボート２底板３支柱４天板５支持部６支持溝７表面８ＣＶＤ−ＳｉＣ膜９ＳｉＣ膜表面１０コーティング膜１１誘導加熱炉本体１２密閉容器１３溶融シリコン槽１４毛細管体１５誘導加熱コイル１６ガス導入管１７処理炉２１ウェーハボート２２ＣＶＤ−ＳｉＣ膜２３ＳｉＣ膜表面２４ＳｉＯ_２コーティング膜Ｗ半導体ウェーハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大塚朋秀山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者北澤厚男山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者塩谷豊山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者羽田卓山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者宮下幸久山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地東芝セラミックス株式会社小国製造所内Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA29 BA37 BB03 CA05 CA12 DA08 GA02 KA46 KA47 5F031 CA02 HA62 HA63 5F045 BB14 EM08 EM09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材表面にセラミックス膜が形成された
半導体熱処理用部材において、このセラミックス膜表面
にポリシリコンのコーティング膜が形成されていること
を特徴とする半導体熱処理用部材。
【請求項２】上記基材がＳｉ含浸ＳｉＣ材料であり、
上記セラミックス膜がＣＶＤ法によるＳｉＣ材料である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体熱処理用部
材。
【請求項３】上記ポリシリコンのコーティング膜の厚
さが、３〜１０μｍであることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の半導体熱処理用部材。
【請求項４】上記ポリシリコンのコーティング膜は、
酸により溶食して除去されることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれか１項に記載の半導体熱処理用製部
材。
【請求項５】基材表面にセラミックス膜が形成された
半導体熱処理用部材の搬送方法において、このセラミッ
クス膜表面にポリシリコンまたはＳｉＯ_２のコーティン
グ膜を形成した状態で、納入先に搬送することを特徴と
する半導体熱処理用部材の搬送方法。
【請求項６】上記基材がＳｉ含浸ＳｉＣ材料であり、
上記セラミックス膜がＣＶＤ法によるＳｉＣ材料である
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体熱処理用部材
の搬送方法。
【請求項７】上記コーティング膜は、使用前に除去さ
れることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体
熱処理用製部材の搬送方法。
【請求項８】上記ＳｉＯ_２のコーティング膜の厚さ
が、５０〜１００００オングストロームであることを特
徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の半導
体熱処理用部材の搬送方法。