JPS6339093B2 - - Google Patents
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- JPS6339093B2 JPS6339093B2 JP54076128A JP7612879A JPS6339093B2 JP S6339093 B2 JPS6339093 B2 JP S6339093B2 JP 54076128 A JP54076128 A JP 54076128A JP 7612879 A JP7612879 A JP 7612879A JP S6339093 B2 JPS6339093 B2 JP S6339093B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板を熱酸化や熱拡散等の熱処
理あるいはガスエツチングやプラズマエツチング
等のエツチング処理あるいは気相堆積処理をおこ
なう時に基板を保持するために用いる治具に関
し、特に前記各種の処理において半導体基板を汚
染させず、劣化が小さいため何度も使用が可能
で、取扱いが容易である半導体用基板の保持治具
に関するものである。
理あるいはガスエツチングやプラズマエツチング
等のエツチング処理あるいは気相堆積処理をおこ
なう時に基板を保持するために用いる治具に関
し、特に前記各種の処理において半導体基板を汚
染させず、劣化が小さいため何度も使用が可能
で、取扱いが容易である半導体用基板の保持治具
に関するものである。
第１図は、半導体基板を熱処理、エツチング処
理あるいは気相堆積処理する際に用いる半導体基
板の保持治具を示す。
理あるいは気相堆積処理する際に用いる半導体基
板の保持治具を示す。
第１図ａは基板保持治具の平面図、第１図ｂは
Ａ−Ｂの側断面図である。１，２はそれぞれ石英
でつくられた基板保持板および基板保持用フツク
である。基板保持用フツク２は基板保持板１に複
数個熔着されており、これらの基板保持用フツク
でもつて半導体基板を基板保持板１に固定させた
状態で熱処理等をおこなう。
Ａ−Ｂの側断面図である。１，２はそれぞれ石英
でつくられた基板保持板および基板保持用フツク
である。基板保持用フツク２は基板保持板１に複
数個熔着されており、これらの基板保持用フツク
でもつて半導体基板を基板保持板１に固定させた
状態で熱処理等をおこなう。
上記のような従来の基板保持治具は以下の欠点
を有している。
を有している。
第１として、Si3N4、多結晶Si、SiO2等の気相
堆積処理に使用する場合数回使用するたびごとに
基板保持治具に被着した堆積物をエツチング除去
する必要がある。その際のエツチング液として弗
酸や弗酸と硝酸の混合液を用いるため石英製の基
板保持治具自体もエツチングされ基板保持板１の
表面が凸凹になり、何度かのエツチング除去の処
理で使用できなくなる。
堆積処理に使用する場合数回使用するたびごとに
基板保持治具に被着した堆積物をエツチング除去
する必要がある。その際のエツチング液として弗
酸や弗酸と硝酸の混合液を用いるため石英製の基
板保持治具自体もエツチングされ基板保持板１の
表面が凸凹になり、何度かのエツチング除去の処
理で使用できなくなる。
第２として、半導体基板をエツチング処理する
際、フレオン１４や１２等のハロゲン化合物を用
いたプラズマエツチングや塩化水素ガスを用いた
ガスエツチングをおこなうと石英製の基板保持治
具自体もエツチングされ基板保持板の表面が凹凸
になる等の劣化がはげしい。
際、フレオン１４や１２等のハロゲン化合物を用
いたプラズマエツチングや塩化水素ガスを用いた
ガスエツチングをおこなうと石英製の基板保持治
具自体もエツチングされ基板保持板の表面が凹凸
になる等の劣化がはげしい。
第３として、基板保持治具を取扱う際、石英製
であるため基板保持板１が割れたりフツク部２が
折れる等の破損がおこりやすい。
であるため基板保持板１が割れたりフツク部２が
折れる等の破損がおこりやすい。
第４として高精度加工の基板保持治具を必要と
する場合でも石英の熔着加工により製作している
ため精度の高い治具が得られない。
する場合でも石英の熔着加工により製作している
ため精度の高い治具が得られない。
第５として、熱処理する際、石英製の基板保持
治具と半導体基板との熱膨張係数が大きく異なる
ため半導体基板に熱膨張係数の差による破損が生
じやすい。
治具と半導体基板との熱膨張係数が大きく異なる
ため半導体基板に熱膨張係数の差による破損が生
じやすい。
本発明は、上記のような従来の基板保持治具の
欠点を解消するためになされたものであり、金属
酸化物あるいはシリコン炭化物でつくられた基板
保持板と上記基板保持板に設けた貫通孔に設置し
た基板保持用フツクからなる基板処理用基板保持
治具を提供するものである。
欠点を解消するためになされたものであり、金属
酸化物あるいはシリコン炭化物でつくられた基板
保持板と上記基板保持板に設けた貫通孔に設置し
た基板保持用フツクからなる基板処理用基板保持
治具を提供するものである。
以下本発明の基板保持治具を第２図をもとに詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示しており、第２
図ａは基板保持治具の平面図、第２図ｂはＡ−Ｂ
の側断面図である。１は金属酸化物あるいはシリ
コン炭化物で形成された基板保持板、３は基板保
持板に複数個設けられた貫通孔、２は金属で形成
された基板保持用フツクである。
図ａは基板保持治具の平面図、第２図ｂはＡ−Ｂ
の側断面図である。１は金属酸化物あるいはシリ
コン炭化物で形成された基板保持板、３は基板保
持板に複数個設けられた貫通孔、２は金属で形成
された基板保持用フツクである。
基板保持板１はその主面が処理半導体基板より
大きい寸法になつている。また本実施例において
は処理半導体基板の形状をシリコンウエハーの如
く円形状の基板と想定して基板保持板１の形状も
円形になつている。貫通孔３も同様に円形の半導
体処理半導体基板を想定して円形に配列されてい
る。また、この貫通孔３の形状は基板保持用フツ
ク２が回転してフツクの方向が大きく変化するの
を防止するため円形以外の形状にする。基板保持
用フツク２は、貫通孔３と相似形またはこれに近
い形状の断面形状を有しており基板保持板１の表
裏両面から基板保持板１の中心に向かつて折曲が
つた形状で取付けられている。
大きい寸法になつている。また本実施例において
は処理半導体基板の形状をシリコンウエハーの如
く円形状の基板と想定して基板保持板１の形状も
円形になつている。貫通孔３も同様に円形の半導
体処理半導体基板を想定して円形に配列されてい
る。また、この貫通孔３の形状は基板保持用フツ
ク２が回転してフツクの方向が大きく変化するの
を防止するため円形以外の形状にする。基板保持
用フツク２は、貫通孔３と相似形またはこれに近
い形状の断面形状を有しており基板保持板１の表
裏両面から基板保持板１の中心に向かつて折曲が
つた形状で取付けられている。
このフツクにより処理半導体基板を２ケ所以上
で支持して基板保持板１に保持できるようになつ
ている。
で支持して基板保持板１に保持できるようになつ
ている。
以上本発明の一実施例である半導体用基板の保
持治具の構造について記した。次に基板保持治具
の材料について記す。基板保持板１および基板保
持用フツク２に要求される性質として熱に対して
安定であり、基板の処理温度において変質、変形
が小さいこと、処理基板および処理装置を汚染し
ないこと、弗酸や弗酸と硝酸の混合液におかされ
ないこと、エツチング処理においては処理基板上
のエツチング物質よりもエツチング速度が非常に
小さいこと、加工が容易で破損しにくいこと等が
あげられる。
持治具の構造について記した。次に基板保持治具
の材料について記す。基板保持板１および基板保
持用フツク２に要求される性質として熱に対して
安定であり、基板の処理温度において変質、変形
が小さいこと、処理基板および処理装置を汚染し
ないこと、弗酸や弗酸と硝酸の混合液におかされ
ないこと、エツチング処理においては処理基板上
のエツチング物質よりもエツチング速度が非常に
小さいこと、加工が容易で破損しにくいこと等が
あげられる。
本発明の実施例において、上記の条件をみたす
基板保持板１としてサフアイアAl2O3や酸化タン
タルTa2O5等の金属酸化物またはシリコン炭化物
SiC等の化学的に安定で融点の高い物質を、基板
保持用フツク２として、白金Pt等の加工が容易
で化学的に安定な融点の高い金属を採用した。
基板保持板１としてサフアイアAl2O3や酸化タン
タルTa2O5等の金属酸化物またはシリコン炭化物
SiC等の化学的に安定で融点の高い物質を、基板
保持用フツク２として、白金Pt等の加工が容易
で化学的に安定な融点の高い金属を採用した。
しかし、上記の金属酸化物、シリコン炭化物ま
たは白金以外の物質であつても、前述した処理目
的に合致しておれば本実施例以外の材料でもよ
い。
たは白金以外の物質であつても、前述した処理目
的に合致しておれば本実施例以外の材料でもよ
い。
本発明の半導体用基板の保持治具は、金属酸化
物またはシリコン炭化物からなる基板保持板に貫
通孔を設け、この貫通孔を介して金属物からなる
基板保持用フツクが取り付けられているので、以
下の効果を有する。
物またはシリコン炭化物からなる基板保持板に貫
通孔を設け、この貫通孔を介して金属物からなる
基板保持用フツクが取り付けられているので、以
下の効果を有する。
第１として、Si3N4、多結晶Si、SiO2等の気相
堆積処理に本発明の基板保持治具を使用した場
合、弗酸や弗酸と硝酸の混合液で基板保持治具に
付着した堆積物をエツチング除去しても基板保持
治具はエツチングされないので表面が凹凸になる
などの消耗がなく何度も使用できる。
堆積処理に本発明の基板保持治具を使用した場
合、弗酸や弗酸と硝酸の混合液で基板保持治具に
付着した堆積物をエツチング除去しても基板保持
治具はエツチングされないので表面が凹凸になる
などの消耗がなく何度も使用できる。
第２として、半導体基板をエツチング処理する
場合、フレオン１２や１４によりプラズマエツチ
ングしても基板保持治具はエツチングされないの
で上記第１の効果と同様何度でも使用できる。
場合、フレオン１２や１４によりプラズマエツチ
ングしても基板保持治具はエツチングされないの
で上記第１の効果と同様何度でも使用できる。
第３として、この基板保持治具は石英よりも破
損しにくい物質で形成されているので取扱いにお
いて特別な配慮を必要としない。
損しにくい物質で形成されているので取扱いにお
いて特別な配慮を必要としない。
第４として、この基板保持治具の貫通孔は機械
加工や成型時に高精度に形成できると共に基板保
持用フツクが金属で形成されているので折曲げが
自由に制御できまた表裏両面の基板保持用フツク
が同時に形成できるので高精度な基板保持治具が
簡単な加工で製作できる。
加工や成型時に高精度に形成できると共に基板保
持用フツクが金属で形成されているので折曲げが
自由に制御できまた表裏両面の基板保持用フツク
が同時に形成できるので高精度な基板保持治具が
簡単な加工で製作できる。
第５として、この基板保持治具を半導体基板の
各種熱処理に用いた場合、金属酸化物またはシリ
コン炭化物と半導体基板との熱膨張係数の差は従
来の石英製の基板保持治具と半導体基板との熱膨
張係数の差よりも小さいので石英製の基板保持治
具を用いる場合よりも歪による破損が生じにく
い。
各種熱処理に用いた場合、金属酸化物またはシリ
コン炭化物と半導体基板との熱膨張係数の差は従
来の石英製の基板保持治具と半導体基板との熱膨
張係数の差よりも小さいので石英製の基板保持治
具を用いる場合よりも歪による破損が生じにく
い。
以上のように本発明の半導体基板の保持治具は
数多くの効果を有しており、半導体製造の生産性
という点から有益である。
数多くの効果を有しており、半導体製造の生産性
という点から有益である。
第１図ａ，ｂは従来の半導体用基板の保持治具
の平面図および側断面図、第２図ａ，ｂは本発明
の一実施例である半導体用基板の保持治具の平面
図および側断面図である。 １……基板保持板、２……基板保持用フツク、
３……貫通孔。
の平面図および側断面図、第２図ａ，ｂは本発明
の一実施例である半導体用基板の保持治具の平面
図および側断面図である。 １……基板保持板、２……基板保持用フツク、
３……貫通孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属酸化物またはシリコン炭化物で形成され
かつ所定部に貫通孔が設けられている基板保持板
と、上記貫通孔に貫通して設置された金属物より
なるとともに上記保持板の両主面で折曲げられた
基板保持用フツクとからなることを特徴とする半
導体用基板の保持治具。 ２ 金属酸化物がAlまたはTaの酸化物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体用基板の保持治具。 ３ 金属物がPtであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項記載の半導体用基板
の保持治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612879A JPS561526A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Substrate holding jig for substrate treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612879A JPS561526A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Substrate holding jig for substrate treatment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS561526A JPS561526A (en) | 1981-01-09 |
| JPS6339093B2 true JPS6339093B2 (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=13596287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7612879A Granted JPS561526A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Substrate holding jig for substrate treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS561526A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0491584U (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-10 | ||
| JPH0491583U (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-10 | ||
| KR20230033134A (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-08 | 주식회사 디오 | 디지털 오버덴쳐의 제조방법 |
| KR20230033133A (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-08 | 주식회사 디오 | 디지털 오버덴쳐의 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5230923A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-09 | Osaka Gas Co Ltd | Burner with total use-hour indicator |
| JPH0513004Y2 (ja) * | 1985-06-20 | 1993-04-06 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5378765A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-12 | Toshiba Corp | Semiconductor wafer heating stand for gas phase growth |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639223Y2 (ja) * | 1977-10-14 | 1981-09-12 | ||
| JPS5544352Y2 (ja) * | 1977-11-09 | 1980-10-17 |
-
1979
- 1979-06-15 JP JP7612879A patent/JPS561526A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5378765A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-12 | Toshiba Corp | Semiconductor wafer heating stand for gas phase growth |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0491584U (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-10 | ||
| JPH0491583U (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-10 | ||
| KR20230033134A (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-08 | 주식회사 디오 | 디지털 오버덴쳐의 제조방법 |
| KR20230033133A (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-08 | 주식회사 디오 | 디지털 오버덴쳐의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS561526A (en) | 1981-01-09 |
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