JPH09251960A - 半導体製造用ボート - Google Patents
半導体製造用ボートInfo
- Publication number
- JPH09251960A JPH09251960A JP5920896A JP5920896A JPH09251960A JP H09251960 A JPH09251960 A JP H09251960A JP 5920896 A JP5920896 A JP 5920896A JP 5920896 A JP5920896 A JP 5920896A JP H09251960 A JPH09251960 A JP H09251960A
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- boat
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造用ボートにおいて、全ての製品ウ
ェハ範囲に均熱範囲を一致させ、かつガス供給を定常に
行う。 【解決手段】 ボート本体１のうち、従来ダミーウェ
ハが設置される空間内にブロック体１ａを設置し、該ブ
ロック体１ａにより処理ガスの流れを整え、かつ必要な
熱容量を受熱させてウェハ列端部のウェハまで均熱加熱
する。これにより、ガスの流れを安定させ、かつ全ての
製品ウェハに同等の温度を加えることができる。
ェハ範囲に均熱範囲を一致させ、かつガス供給を定常に
行う。 【解決手段】 ボート本体１のうち、従来ダミーウェ
ハが設置される空間内にブロック体１ａを設置し、該ブ
ロック体１ａにより処理ガスの流れを整え、かつ必要な
熱容量を受熱させてウェハ列端部のウェハまで均熱加熱
する。これにより、ガスの流れを安定させ、かつ全ての
製品ウェハに同等の温度を加えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用治具
に関し、特に拡散ＣＶＤ等の装置に用いる半導体製造用
ボートに関する。
に関し、特に拡散ＣＶＤ等の装置に用いる半導体製造用
ボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように拡散，ＣＶＤ等の半導
体製造装置は、ヒーター７を備えた炉芯管４内にガス流
入口４ａから処理ガスを導入し、その処理ガスをガス流
入口４ｂから排気しつつ、処理ガスとウェハ２とを接触
させてウェハ２の処理を行っている。
体製造装置は、ヒーター７を備えた炉芯管４内にガス流
入口４ａから処理ガスを導入し、その処理ガスをガス流
入口４ｂから排気しつつ、処理ガスとウェハ２とを接触
させてウェハ２の処理を行っている。
【０００３】従来、ウェハ２を炉芯管４内に半導体製造
用ボートを使って設置するにあたっては、ベース５の搭
載台５ａ上にボート本体１を載置し、ボート本体１の下
段側に１０〜２０枚ほどのダミーウェハ８をセットし、
その上に製品のウェハ２を複数載置し、ボート本体１の
上段側に１０〜２０枚ほどのダミーウェハ８を再びセッ
トし、これをボートエレベータ６により炉芯管４の底部
から組み込んでいた。
用ボートを使って設置するにあたっては、ベース５の搭
載台５ａ上にボート本体１を載置し、ボート本体１の下
段側に１０〜２０枚ほどのダミーウェハ８をセットし、
その上に製品のウェハ２を複数載置し、ボート本体１の
上段側に１０〜２０枚ほどのダミーウェハ８を再びセッ
トし、これをボートエレベータ６により炉芯管４の底部
から組み込んでいた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダミーウェ
ハ８は、並列に並べられた複数の製品ウェハ２のうち端
部に位置する製品ウェハ２付近での処理ガスの流れに乱
流を生じるのを防止するために設けられている。
ハ８は、並列に並べられた複数の製品ウェハ２のうち端
部に位置する製品ウェハ２付近での処理ガスの流れに乱
流を生じるのを防止するために設けられている。
【０００５】しかしダミーウェハ８はボート本体１と異
なる材質のため、ダミーウェハ８には製品ウェハ２と同
様に処理ガスによる成膜が生じ、これがパーティクルと
なって製品ダミー２に付着し、製品ウェハ２の成膜に影
響を及ぼしてしまうという問題があった。
なる材質のため、ダミーウェハ８には製品ウェハ２と同
様に処理ガスによる成膜が生じ、これがパーティクルと
なって製品ダミー２に付着し、製品ウェハ２の成膜に影
響を及ぼしてしまうという問題があった。
【０００６】そこで、実開平５−３６８３８号公報や実
開昭６３−１６７７２６号公報に示される半導体ボート
では、ダミーウェハをボート本体と同じ材質で構成して
いる。これらの技術によって、製品ウェハへのダミーウ
ェハからのパーティクルの付着についての問題が解決さ
れている。
開昭６３−１６７７２６号公報に示される半導体ボート
では、ダミーウェハをボート本体と同じ材質で構成して
いる。これらの技術によって、製品ウェハへのダミーウ
ェハからのパーティクルの付着についての問題が解決さ
れている。
【０００７】ところで製品ウェハに熱処理を施すにあた
っては、ウェハ列の両端及び中間部での処理温度が均一
である必要がある。
っては、ウェハ列の両端及び中間部での処理温度が均一
である必要がある。
【０００８】しかしながら実開昭６３−１６７７２６号
公報に示される半導体ボートでは、ウェハ列の端部に位
置するウェハに隣接して設置されたダミーウェハは、製
品ウェハとは同じ厚みをもつ薄いウェハであり、割れや
すく、その破片がパーティクルの原因になりかねない。
さらにウェハ列端部付近に処理ガスの流れに左右されな
いほどに十分な熱容量を確保することは困難を伴い、し
たがって処理ガス中での均一加熱される範囲をウェハ列
端部の製品ウェハ付近まで延長して確保することは不可
能であった。
公報に示される半導体ボートでは、ウェハ列の端部に位
置するウェハに隣接して設置されたダミーウェハは、製
品ウェハとは同じ厚みをもつ薄いウェハであり、割れや
すく、その破片がパーティクルの原因になりかねない。
さらにウェハ列端部付近に処理ガスの流れに左右されな
いほどに十分な熱容量を確保することは困難を伴い、し
たがって処理ガス中での均一加熱される範囲をウェハ列
端部の製品ウェハ付近まで延長して確保することは不可
能であった。
【０００９】また実開平５−３６８３８号公報に示され
る半導体ボートでは、石英ボートと一体型の石英ダミー
を設けており、熱容量を確保することは可能であるが、
石英ダミーの一部がウェハの外径より大きな矩形状を呈
しており、この矩形部分で処理ガスの流れに乱流を生じ
させてしまう虞れがあり、この乱流によって製品ウェハ
と処理ガスとの接触は、ウェハ列の中間部と端部とで不
均一になってしまうという可能性があった。
る半導体ボートでは、石英ボートと一体型の石英ダミー
を設けており、熱容量を確保することは可能であるが、
石英ダミーの一部がウェハの外径より大きな矩形状を呈
しており、この矩形部分で処理ガスの流れに乱流を生じ
させてしまう虞れがあり、この乱流によって製品ウェハ
と処理ガスとの接触は、ウェハ列の中間部と端部とで不
均一になってしまうという可能性があった。
【００１０】また特開平４−１６５６２２号公報には、
円筒状のダミーボートを用いた構成が開示されている
が、この円筒状ダミーボートは処理ガスの流れを制御す
るためのものであって、必要な熱容量を受熱するもので
はない。
円筒状のダミーボートを用いた構成が開示されている
が、この円筒状ダミーボートは処理ガスの流れを制御す
るためのものであって、必要な熱容量を受熱するもので
はない。
【００１１】また必要な熱容量を受熱するには、加熱ヒ
ータによる加熱領域内に設置される必要があるが、特開
平４−１６５６２２号公報に示される半導体ボートで
は、ダミーボートはウェハボートから切り離し、かつ加
熱ヒータによる加熱領域から離して反応管内に設置する
ものであるから、ダミーボートに必要な熱容量を受熱す
ることを意図したものではない。このようなダミーボー
トを用いても、ウェハ列の端部付近まで均熱範囲を延長
して確保することは不可能である。
ータによる加熱領域内に設置される必要があるが、特開
平４−１６５６２２号公報に示される半導体ボートで
は、ダミーボートはウェハボートから切り離し、かつ加
熱ヒータによる加熱領域から離して反応管内に設置する
ものであるから、ダミーボートに必要な熱容量を受熱す
ることを意図したものではない。このようなダミーボー
トを用いても、ウェハ列の端部付近まで均熱範囲を延長
して確保することは不可能である。
【００１２】本発明の目的は、全ての製品ウェハ範囲に
均熱範囲を一致させ、かつガス供給を定常に行うように
した半導体製造用ボートを提供することにある。
均熱範囲を一致させ、かつガス供給を定常に行うように
した半導体製造用ボートを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体製造用ボートは、ボート本体に
ブロック体を有し、複数のウェハを一定間隔を置いて並
列に並べて保持する半導体製造用ボートであって、ボー
ト本体は、保温筒に支持されて前記ウェハ列を加熱雰囲
気中で処理ガス中に設置するものであり、ブロック体
は、ウェハ径と同一径を有し、前記ウェハ列の両端部付
近に該ウェハ列を挾んで設置され、端部のウェハ付近で
の処理ガスを整流し、かつ必要な熱容量を受熱して処理
ガス中での均一加熱の範囲を端部のウェハ付近にまで延
長して確保するものである。
め、本発明に係る半導体製造用ボートは、ボート本体に
ブロック体を有し、複数のウェハを一定間隔を置いて並
列に並べて保持する半導体製造用ボートであって、ボー
ト本体は、保温筒に支持されて前記ウェハ列を加熱雰囲
気中で処理ガス中に設置するものであり、ブロック体
は、ウェハ径と同一径を有し、前記ウェハ列の両端部付
近に該ウェハ列を挾んで設置され、端部のウェハ付近で
の処理ガスを整流し、かつ必要な熱容量を受熱して処理
ガス中での均一加熱の範囲を端部のウェハ付近にまで延
長して確保するものである。
【００１４】また前記ブロック体は、半導体製造用ボー
トとは同一の材質からなるものである。
トとは同一の材質からなるものである。
【００１５】また前記ブロック体は、厚肉とした中空の
筒形状をなすものである。
筒形状をなすものである。
【００１６】また前記ブロック体は、ウェハと対面する
端面が閉塞されたものである。
端面が閉塞されたものである。
【００１７】また前記ブロック体は、筒体の両開口部を
閉塞して内部を密閉した構造のものである。
閉塞して内部を密閉した構造のものである。
【００１８】
【作用】ボート本体のうち、従来ダミーウェハが設置さ
れる空間内にブロック体を設置し、該ブロック体により
処理ガスの流れを整え、かつ必要な熱容量を受熱させて
ウェハ列端部のウェハまで均熱加熱する。
れる空間内にブロック体を設置し、該ブロック体により
処理ガスの流れを整え、かつ必要な熱容量を受熱させて
ウェハ列端部のウェハまで均熱加熱する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図により説明す
る。
る。
【００２０】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る半導体製造用ボートを設置した半導体製造装置
を示す断面図、図２はブロック体を示す斜視図である。
１に係る半導体製造用ボートを設置した半導体製造装置
を示す断面図、図２はブロック体を示す斜視図である。
【００２１】図において本発明に係る半導体製造用ボー
トを用いる拡散，ＣＶＤ等の製造装置は、炉芯管４を用
いており、炉芯管４の外周にはヒータ７が装備されてお
り、炉芯管４の上部には処理ガスのガス導入口４ａが開
示されており、炉芯管４の底部はベース５で閉塞され、
ガス排出口４ｂが炉芯管４の下部側壁に開口されてい
る。
トを用いる拡散，ＣＶＤ等の製造装置は、炉芯管４を用
いており、炉芯管４の外周にはヒータ７が装備されてお
り、炉芯管４の上部には処理ガスのガス導入口４ａが開
示されており、炉芯管４の底部はベース５で閉塞され、
ガス排出口４ｂが炉芯管４の下部側壁に開口されてい
る。
【００２２】またベース５はボートエレベータ６により
昇降され、昇降上死点で炉芯管４の底部を閉塞するよう
になっている。またベース５には保温筒３が上方に向け
て植設されている。
昇降され、昇降上死点で炉芯管４の底部を閉塞するよう
になっている。またベース５には保温筒３が上方に向け
て植設されている。
【００２３】本発明に係る半導体製造用ボートは、ブロ
ック体１ａを有し、複数のウェハを一定間隔を置いて並
列に並べて保持するものであって、ボート本体１は、ベ
ース５の保温筒３に支持されて炉芯管４内のヒータ７に
よる加熱範囲内に設置され、ウェハ列を処理ガス中に保
持するようになっている。
ック体１ａを有し、複数のウェハを一定間隔を置いて並
列に並べて保持するものであって、ボート本体１は、ベ
ース５の保温筒３に支持されて炉芯管４内のヒータ７に
よる加熱範囲内に設置され、ウェハ列を処理ガス中に保
持するようになっている。
【００２４】ブロック本体１ａは、ウェハ径と同一径を
有し、ウェハ列の両端部に該ウェハ列を挾んで設置さ
れ、端部のウェハ付近での処理ガスを整流し、かつ必要
な熱容量を受熱して処理ガス中での均一加熱の範囲を端
部のウェハ付近にまで延長して確保するようになってい
る。またブロック体１ａは、ボート本体１と同じ材質か
ら構成されている。また本実施形態では、ウェハ列両端
部のウェハ付近での処理ガスを整流する機能をより高め
るため、製品ウェハ２によるウェハ列の上下端にダミー
ウェハ８が１〜３枚程度に低減して配置されている。な
お、このダミーウェハ８は、ボート本体１と同じ材質か
ら構成されており、パーティクルの発生を抑えている。
またダミーウェハ８は、必要に応じて完全になくしても
よく、このダミーウェハ８を用いることは本発明の特徴
ではない。
有し、ウェハ列の両端部に該ウェハ列を挾んで設置さ
れ、端部のウェハ付近での処理ガスを整流し、かつ必要
な熱容量を受熱して処理ガス中での均一加熱の範囲を端
部のウェハ付近にまで延長して確保するようになってい
る。またブロック体１ａは、ボート本体１と同じ材質か
ら構成されている。また本実施形態では、ウェハ列両端
部のウェハ付近での処理ガスを整流する機能をより高め
るため、製品ウェハ２によるウェハ列の上下端にダミー
ウェハ８が１〜３枚程度に低減して配置されている。な
お、このダミーウェハ８は、ボート本体１と同じ材質か
ら構成されており、パーティクルの発生を抑えている。
またダミーウェハ８は、必要に応じて完全になくしても
よく、このダミーウェハ８を用いることは本発明の特徴
ではない。
【００２５】さらにブロック体１ａは、厚肉とした中空
の筒形状をなすものであり、ウェハと対面する端面１ｂ
が閉塞されている。本実施形態では、ブロック体１ａの
高さｈ1，ｈ2は１００〜１５０ｍｍ，肉厚ｔを３〜５ｍ
ｍ程度とし、必要な熱容量を受熱できる容積をもつよう
に構成している。
の筒形状をなすものであり、ウェハと対面する端面１ｂ
が閉塞されている。本実施形態では、ブロック体１ａの
高さｈ1，ｈ2は１００〜１５０ｍｍ，肉厚ｔを３〜５ｍ
ｍ程度とし、必要な熱容量を受熱できる容積をもつよう
に構成している。
【００２６】本実施形態によれば、ボート本体１上での
ウェハ列の両端部にブロック本体１ａ，１ａが介装され
ており、しかもブロック本体１ａはウェハ径と同一径と
なっており、ウェハ列の端部付近での処理ガスの流れを
ブロック体１ａにより整流するため、ウェハ列に沿う処
理ガスの流れを安定させてウェハへのガス供給を定常に
行うようにすることができる。さらにヒータ７からの熱
を受けてブロック体１ａは必要な熱容量を受熱すること
となり、全ての製品ウェハ範囲に均熱範囲を一致させる
ことができる。
ウェハ列の両端部にブロック本体１ａ，１ａが介装され
ており、しかもブロック本体１ａはウェハ径と同一径と
なっており、ウェハ列の端部付近での処理ガスの流れを
ブロック体１ａにより整流するため、ウェハ列に沿う処
理ガスの流れを安定させてウェハへのガス供給を定常に
行うようにすることができる。さらにヒータ７からの熱
を受けてブロック体１ａは必要な熱容量を受熱すること
となり、全ての製品ウェハ範囲に均熱範囲を一致させる
ことができる。
【００２７】したがって、酸化における酸化膜厚，拡散
における層抵抗等のウェハ間，ウェハ内均一性を維持す
ることができる。
における層抵抗等のウェハ間，ウェハ内均一性を維持す
ることができる。
【００２８】また図５に示すようにブロック体１ａを設
けることによりダミーウェハ８を１〜３枚まで低減する
ことができるため、パーティクルの発生を低く抑えるこ
とができる。さらにブロック体１ａは、ボート本体１と
同じ材質から構成しているため、ブロック体１ａには成
膜がしにくくなり、パーティクルの発生を低く抑えるこ
とができる。
けることによりダミーウェハ８を１〜３枚まで低減する
ことができるため、パーティクルの発生を低く抑えるこ
とができる。さらにブロック体１ａは、ボート本体１と
同じ材質から構成しているため、ブロック体１ａには成
膜がしにくくなり、パーティクルの発生を低く抑えるこ
とができる。
【００２９】（実施形態２）次に本発明の実施形態２に
ついて図面を参照して説明する。図３は、本発明の実施
形態２に係るブロック体を示す斜視図である。図３にお
いて本実施形態２に係るブロック体１ａは、両開口部が
閉塞されて内部を密閉した構造の筒体となっている。あ
るいは２ケ所以上穴を開けた構造になっている。
ついて図面を参照して説明する。図３は、本発明の実施
形態２に係るブロック体を示す斜視図である。図３にお
いて本実施形態２に係るブロック体１ａは、両開口部が
閉塞されて内部を密閉した構造の筒体となっている。あ
るいは２ケ所以上穴を開けた構造になっている。
【００３０】本実施形態２によれば、両開口部が閉塞さ
れて内部を密閉した構造の筒体となっているため、実施
形態１に比べてウェハ列端部付近でのガス流に乱流が生
じることを防止することができ、全ての製品ウェハ範囲
に均熱範囲をよりよく一致させることができるという利
点がある。
れて内部を密閉した構造の筒体となっているため、実施
形態１に比べてウェハ列端部付近でのガス流に乱流が生
じることを防止することができ、全ての製品ウェハ範囲
に均熱範囲をよりよく一致させることができるという利
点がある。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ボ
ート本体上のウェハ列端部付近に隣接してブロック体を
設け、そのブロック体をウェハ径と同じ径に形成したた
め、ウェハ列の端部付近での処理ガスの流れをブロック
体により整流することができ、ウェハ列に沿う処理ガス
の流れを安定させてウェハへのガス供給を定常に行うよ
うにすることができる。さらにヒータからの熱を受けて
ブロック体は必要な熱容量を受熱することとなり、全て
の製品ウェハ範囲に均熱範囲を一致させることができ
る。
ート本体上のウェハ列端部付近に隣接してブロック体を
設け、そのブロック体をウェハ径と同じ径に形成したた
め、ウェハ列の端部付近での処理ガスの流れをブロック
体により整流することができ、ウェハ列に沿う処理ガス
の流れを安定させてウェハへのガス供給を定常に行うよ
うにすることができる。さらにヒータからの熱を受けて
ブロック体は必要な熱容量を受熱することとなり、全て
の製品ウェハ範囲に均熱範囲を一致させることができ
る。
【００３２】さらに、ブロック体を設けることによりダ
ミーウェハを１〜３枚まで低減することができるため、
パーティクルの発生を低く抑えることができる。さらに
ブロック体は、ボート本体と同じ材質から構成している
ため、ブロック体には成膜がしにくくなり、パーティク
ルの発生を低く抑えることができる。したがって、パー
ティクルの低減，ダミーの費用および管理工数を削減す
ることができる。
ミーウェハを１〜３枚まで低減することができるため、
パーティクルの発生を低く抑えることができる。さらに
ブロック体は、ボート本体と同じ材質から構成している
ため、ブロック体には成膜がしにくくなり、パーティク
ルの発生を低く抑えることができる。したがって、パー
ティクルの低減，ダミーの費用および管理工数を削減す
ることができる。
【００３３】さらにブロック体を両開口部が閉塞されて
内部を密閉した構造の筒体とすることにより、ウェハ列
端部付近でのガス流に乱流が生じることを防止すること
ができ、全ての製品ウェハ範囲に均熱範囲をよりよく一
致させることができる。
内部を密閉した構造の筒体とすることにより、ウェハ列
端部付近でのガス流に乱流が生じることを防止すること
ができ、全ての製品ウェハ範囲に均熱範囲をよりよく一
致させることができる。
【００３４】さらにブロック体は、保温筒に支えられて
おり、支持箇所が低温になるのを防止することができ
る。
おり、支持箇所が低温になるのを防止することができ
る。
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体製造用ボート
を設置した半導体製造装置を示す断面図である。
を設置した半導体製造装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る半導体製造用ボート
におけるブロック体を示す斜視図である。
におけるブロック体を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態２に係る半導体製造用ボート
におけるブロック体を示す斜視図である。
におけるブロック体を示す斜視図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
【図５】本発明と従来例とのパーティクル増加数を比較
した図である。
した図である。
１ ボート本体 ２ 製品ウェハ ３ 保温筒 ４ 炉芯管 ５ ベース ６ ボートエレベーター ７ ヒータ ８ ダミーウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｖ
Claims (5)
- 【請求項１】 ボート本体にブロック体を有し、複数の
ウェハを一定間隔を置いて並列に並べて保持する半導体
製造用ボートであって、 ボート本体は、保温筒に支持されて前記ウェハ列を加熱
雰囲気で処理ガス中に設置するものであり、 ブロック体は、ウェハ径と同一径を有し、前記ウェハ列
の両端部付近に該ウェハ列を挾んで設置され、端部のウ
ェハ付近での処理ガスを整流し、かつ必要な熱容量を受
熱して処理ガス中での均一加熱の範囲を端部のウェハ付
近にまで延長して確保するものであることを特徴とする
半導体製造用ボート。 - 【請求項２】 前記ブロック体は、半導体製造用ボート
とは同一の材質からなるものであることを特徴とする請
求項１に記載の半導体製造用ボート。 - 【請求項３】 前記ブロック体は、厚肉とした中空の筒
形状をなすものであることを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体製造用ボート。 - 【請求項４】 前記ブロック体は、ウェハと対面する端
面が閉塞されたものであることを特徴とする請求項３に
記載の半導体製造用ボート。 - 【請求項５】 前記ブロック体は、筒体の両開口部を閉
塞して内部を密閉した構造のものであることを特徴とす
る請求項３に記載の半導体製造用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5920896A JPH09251960A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 半導体製造用ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5920896A JPH09251960A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 半導体製造用ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251960A true JPH09251960A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13106766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5920896A Pending JPH09251960A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 半導体製造用ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251960A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235934A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、ボート、熱処理方法、及び半導体の製造方法 |
| JP2013069985A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013080771A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2016042663A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382016A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-08 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 被処理体ボート及びそれを用いた縦型熱処理装置 |
| JPH04206629A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP5920896A patent/JPH09251960A/ja active Pending
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