JPH0794435A - 拡散装置 - Google Patents
拡散装置Info
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- JPH0794435A JPH0794435A JP23639993A JP23639993A JPH0794435A JP H0794435 A JPH0794435 A JP H0794435A JP 23639993 A JP23639993 A JP 23639993A JP 23639993 A JP23639993 A JP 23639993A JP H0794435 A JPH0794435 A JP H0794435A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚，膜質が均一になる被処理基板の熱処理
ができ、反応管の形状を単純化してその加工を容易にな
し、安価に実施でき、かつ１１００℃以上の熱処理に耐
える装置及び炉内温度の安定化が図れる装置を提供す
る。 【構成】 ガス導入口１１Ａ、ガス供給溝１５及びガス
排気口１２Ａを有するリング状筒であるフランジ１０上
に内部反応管６Ｂを載せ、内部反応管６Ｂの下部フラン
ジ６Ｂ1 にはガス供給溝１５に連通する孔６Ｂ2 を複数
個設け、これらの孔６Ｂ2 を塞がないように外部反応管
６Ａを載せて組み合わせて反応管６を構成し、炉内温度
が１１００℃以上の場合、外，内部反応管６Ａ，６Ｂを
ＳｉＣ製、フランジ１０をＳｉＣ製或いは石英製とし、
炉内温度が１１００℃以下の場合、外，内部反応管６
Ａ，６Ｂ及びフランジ１０を石英製とすると共にヒータ
と外部反応管６Ａとの間にＳｉＣ製均熱管を配置してな
る。
ができ、反応管の形状を単純化してその加工を容易にな
し、安価に実施でき、かつ１１００℃以上の熱処理に耐
える装置及び炉内温度の安定化が図れる装置を提供す
る。 【構成】 ガス導入口１１Ａ、ガス供給溝１５及びガス
排気口１２Ａを有するリング状筒であるフランジ１０上
に内部反応管６Ｂを載せ、内部反応管６Ｂの下部フラン
ジ６Ｂ1 にはガス供給溝１５に連通する孔６Ｂ2 を複数
個設け、これらの孔６Ｂ2 を塞がないように外部反応管
６Ａを載せて組み合わせて反応管６を構成し、炉内温度
が１１００℃以上の場合、外，内部反応管６Ａ，６Ｂを
ＳｉＣ製、フランジ１０をＳｉＣ製或いは石英製とし、
炉内温度が１１００℃以下の場合、外，内部反応管６
Ａ，６Ｂ及びフランジ１０を石英製とすると共にヒータ
と外部反応管６Ａとの間にＳｉＣ製均熱管を配置してな
る。
Description
【０００１】本発明は、被処理基板の拡散処理又は熱処
理工程で用いる拡散装置に関する。
理工程で用いる拡散装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来装置の１例の構成を示す断面
図で、縦型の場合を示している。従来装置は、図３に示
すようにヒータ断熱層２とその内側に配置された発熱体
３からなるヒータ４が縦に配置され、その内部にＳｉＣ
製均熱管５，更にその内部に石英製反応管６があり、そ
の中に挿入される形で石英キャップ（保温筒）９にシリ
コンウェーハ８あるいは資料を装填するためのＳｉＣ製
ボート７が載せられる。反応管６にはガスを導入するた
めのガス導入口１１Ａとこのガス導入口１１Ａに連通し
反応管６の側壁に取付けられたガスノズル６1 及びガス
を排気するためのガス排気口１２Ａが装着されている。
反応管６下部の開口フランジに、外気と遮断するためＯ
リング１３を有し、炉口はボート７を載せた石英キャッ
プ９が載置されたエレベータキャップ１４で、該Ｏリン
グ１３を介して密閉される。
図で、縦型の場合を示している。従来装置は、図３に示
すようにヒータ断熱層２とその内側に配置された発熱体
３からなるヒータ４が縦に配置され、その内部にＳｉＣ
製均熱管５，更にその内部に石英製反応管６があり、そ
の中に挿入される形で石英キャップ（保温筒）９にシリ
コンウェーハ８あるいは資料を装填するためのＳｉＣ製
ボート７が載せられる。反応管６にはガスを導入するた
めのガス導入口１１Ａとこのガス導入口１１Ａに連通し
反応管６の側壁に取付けられたガスノズル６1 及びガス
を排気するためのガス排気口１２Ａが装着されている。
反応管６下部の開口フランジに、外気と遮断するためＯ
リング１３を有し、炉口はボート７を載せた石英キャッ
プ９が載置されたエレベータキャップ１４で、該Ｏリン
グ１３を介して密閉される。
【０００３】またウェーハ８は反応管６内に挿入され、
ヒータ断熱層２とその内側に配置された発熱体３からな
るヒータ４により加熱され、均熱管５は熱容量の高いＳ
ｉＣ製等の管が用いられているが、該均熱管５は熱容量
が高いため、急激な温度変化が起こりづらくなり、反応
管６内（炉内）温度を安定に保つことができる。反応管
６は不純物の含有率が極めて低く、加工の安易な石英に
より製作されている。反応ガス又は不活性ガス等のキャ
リアガスは、ガス導入口１１Ａから導入され、反応管６
の側壁に取付けられたガスノズル６1 を通り、反応管６
の上部から反応管６内に導入され、排気口１２Ａから排
出されてウェーハ８が拡散処理又は熱処理される。
ヒータ断熱層２とその内側に配置された発熱体３からな
るヒータ４により加熱され、均熱管５は熱容量の高いＳ
ｉＣ製等の管が用いられているが、該均熱管５は熱容量
が高いため、急激な温度変化が起こりづらくなり、反応
管６内（炉内）温度を安定に保つことができる。反応管
６は不純物の含有率が極めて低く、加工の安易な石英に
より製作されている。反応ガス又は不活性ガス等のキャ
リアガスは、ガス導入口１１Ａから導入され、反応管６
の側壁に取付けられたガスノズル６1 を通り、反応管６
の上部から反応管６内に導入され、排気口１２Ａから排
出されてウェーハ８が拡散処理又は熱処理される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、反応管６には反応管側面の１箇所にガスノズル６1
が取付けられているため、室温程度の低温度の反応ガス
や不活性ガスが流れるので、ノズル側での炉内温度が低
くなり、ウェーハへ均一な拡散処理や熱処理を行えなく
なるという課題がある。又、反応管６が石英製なので、
炉内温度を１１００℃以上で用いると変形してくるの
で、炉内温度を１１００℃以上で用いるには、反応管６
の材質をＳｉＣ等の高温に耐えうるものにする必要があ
る。しかしＳｉＣでは不純物の含有率が高く、また表面
が荒れてくるとパーティクルが発生するので、ＳｉＣ表
面をＣＶＤコートする必要があるが、ガスノズル６1 内
へのＣＶＤコートが困難であるという課題がある。ま
た、反応管６にガス導入口１１Ａやガス排気口１２Ａの
取付け、それにガスノズル６1 や天井部の二重構造等、
複雑な構造をＳｉＣで加工しようとすると、ＳｉＣは非
常に加工性が悪いので、非常に高価なものとなるという
課題がある。
は、反応管６には反応管側面の１箇所にガスノズル６1
が取付けられているため、室温程度の低温度の反応ガス
や不活性ガスが流れるので、ノズル側での炉内温度が低
くなり、ウェーハへ均一な拡散処理や熱処理を行えなく
なるという課題がある。又、反応管６が石英製なので、
炉内温度を１１００℃以上で用いると変形してくるの
で、炉内温度を１１００℃以上で用いるには、反応管６
の材質をＳｉＣ等の高温に耐えうるものにする必要があ
る。しかしＳｉＣでは不純物の含有率が高く、また表面
が荒れてくるとパーティクルが発生するので、ＳｉＣ表
面をＣＶＤコートする必要があるが、ガスノズル６1 内
へのＣＶＤコートが困難であるという課題がある。ま
た、反応管６にガス導入口１１Ａやガス排気口１２Ａの
取付け、それにガスノズル６1 や天井部の二重構造等、
複雑な構造をＳｉＣで加工しようとすると、ＳｉＣは非
常に加工性が悪いので、非常に高価なものとなるという
課題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明装置は上記の課題
を解決するため、図１に示すように、ガス導入口１１
Ａ、ガス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有するリン
グ状筒であるフランジ１０上に内部反応管６Ｂを載せ、
内部反応管６Ｂの下部フランジ６Ｂ1 にはガス供給溝１
５に連通する孔６Ｂ2 を複数個設け、これらの孔６Ｂ2
を塞がないように外部反応管６Ａを載せて組み合わせて
反応管６を構成したことを特徴とする。
を解決するため、図１に示すように、ガス導入口１１
Ａ、ガス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有するリン
グ状筒であるフランジ１０上に内部反応管６Ｂを載せ、
内部反応管６Ｂの下部フランジ６Ｂ1 にはガス供給溝１
５に連通する孔６Ｂ2 を複数個設け、これらの孔６Ｂ2
を塞がないように外部反応管６Ａを載せて組み合わせて
反応管６を構成したことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明装置はこのような構成であるから、反応
ガスや不活性ガスをガス導入口１１Ａから導入すると、
これらのガスはガス供給溝１５を経て内，外部反応管６
Ｂ，６Ａ間の周囲全体から上方に向かって流れ、内，外
部反応管６Ｂ，６Ａ上部より反応管６内，即ち内部反応
管６Ｂ内に入って下方に向かって流れ、下部のガス排気
口１２Ａより排気されることにより、室温程度の反応ガ
スや不活性ガスが外，内部反応管６Ａ，６Ｂ間内に流れ
ても、両反応管６Ａ，６Ｂ間の周囲全体に流れながら上
方へ向かうので、局所的な温度低下が起きず、また従来
のノズル型の場合よりもガスの流速が遅くなり、充分に
加熱されてから内部反応管６Ｂ内に導入されるので、被
処理基板８の膜厚，膜質が均一になる熱処理ができるこ
とになる。又、反応管６を内，外部反応管６Ｂ，６Ａと
フランジ１０に分割できる分割型にしたので、内，外部
反応管６Ｂ，６Ａの形状を単純化することができ、反応
管６の加工が容易になり安価に実施できることになる。
ガスや不活性ガスをガス導入口１１Ａから導入すると、
これらのガスはガス供給溝１５を経て内，外部反応管６
Ｂ，６Ａ間の周囲全体から上方に向かって流れ、内，外
部反応管６Ｂ，６Ａ上部より反応管６内，即ち内部反応
管６Ｂ内に入って下方に向かって流れ、下部のガス排気
口１２Ａより排気されることにより、室温程度の反応ガ
スや不活性ガスが外，内部反応管６Ａ，６Ｂ間内に流れ
ても、両反応管６Ａ，６Ｂ間の周囲全体に流れながら上
方へ向かうので、局所的な温度低下が起きず、また従来
のノズル型の場合よりもガスの流速が遅くなり、充分に
加熱されてから内部反応管６Ｂ内に導入されるので、被
処理基板８の膜厚，膜質が均一になる熱処理ができるこ
とになる。又、反応管６を内，外部反応管６Ｂ，６Ａと
フランジ１０に分割できる分割型にしたので、内，外部
反応管６Ｂ，６Ａの形状を単純化することができ、反応
管６の加工が容易になり安価に実施できることになる。
【０００７】又、内，外部反応管６Ｂ，６Ａをボート
７、保温筒９と共にＳｉＣ製とすることにより１１００
℃以上の熱処理に耐える装置を容易に得ることができ、
かつ内，外部反応管６Ｂ，６Ａの熱容量，延いては反応
管６の熱容量がＳｉＣ製とすることで大きくなるので、
急激な温度変化が起き難くなり、炉内温度の安定化を図
ることができることになる。
７、保温筒９と共にＳｉＣ製とすることにより１１００
℃以上の熱処理に耐える装置を容易に得ることができ、
かつ内，外部反応管６Ｂ，６Ａの熱容量，延いては反応
管６の熱容量がＳｉＣ製とすることで大きくなるので、
急激な温度変化が起き難くなり、炉内温度の安定化を図
ることができることになる。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明装置の
第１実施例の構成を示す断面図及びその要部の断面図で
ある。図１において４はヒータ断熱層２とその内側に配
置された発熱体３からなるヒータ、９は石英製保温筒
（キャップ）、７はシリコンウェーハ８を装填したＳｉ
Ｃ製ボート、１３はＯリング、１４は載置板（エレベー
タキャップ）である。この第１実施例は、ガス導入口１
１Ａ、環状のガス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有
するリング状筒である石英製フランジ１０上にＳｉＣ製
内部反応管６Ｂを載せ、この内部反応管６Ｂの下部フラ
ンジ６Ｂ1 には、前記ガス供給溝１５に連通する孔６Ｂ
2 を複数個、例えば８個同心状に穿設し、これらの孔６
Ｂ2 を塞がないようにＳｉＣ製外部反応管６Ａを載せて
組み合わせた反応管６を構成する。図２は第２実施例の
構成を示す断面図である。この第２実施例は、図１の実
施例においてヒータ４と外部反応管６Ａとの間にＳｉＣ
製均熱管５を配置すると共に外，内部反応管６Ａ，６Ｂ
及びボート７を石英製とした以外、全く同じ構成であ
る。図１の第１実施例は炉内温度が１１００℃以上でウ
ェーハの処理を行う、主に熱処理装置として使用する場
合、図２の第２実施例は炉内温度を１１００℃以下でウ
ェーハの処理を行う不純物拡散装置や、酸化装置又はウ
ェーハの熱処理装置としても使用できる場合の例であ
る。
第１実施例の構成を示す断面図及びその要部の断面図で
ある。図１において４はヒータ断熱層２とその内側に配
置された発熱体３からなるヒータ、９は石英製保温筒
（キャップ）、７はシリコンウェーハ８を装填したＳｉ
Ｃ製ボート、１３はＯリング、１４は載置板（エレベー
タキャップ）である。この第１実施例は、ガス導入口１
１Ａ、環状のガス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有
するリング状筒である石英製フランジ１０上にＳｉＣ製
内部反応管６Ｂを載せ、この内部反応管６Ｂの下部フラ
ンジ６Ｂ1 には、前記ガス供給溝１５に連通する孔６Ｂ
2 を複数個、例えば８個同心状に穿設し、これらの孔６
Ｂ2 を塞がないようにＳｉＣ製外部反応管６Ａを載せて
組み合わせた反応管６を構成する。図２は第２実施例の
構成を示す断面図である。この第２実施例は、図１の実
施例においてヒータ４と外部反応管６Ａとの間にＳｉＣ
製均熱管５を配置すると共に外，内部反応管６Ａ，６Ｂ
及びボート７を石英製とした以外、全く同じ構成であ
る。図１の第１実施例は炉内温度が１１００℃以上でウ
ェーハの処理を行う、主に熱処理装置として使用する場
合、図２の第２実施例は炉内温度を１１００℃以下でウ
ェーハの処理を行う不純物拡散装置や、酸化装置又はウ
ェーハの熱処理装置としても使用できる場合の例であ
る。
【０００９】上記構成の第１，第２実施例において、反
応ガスや不活性ガスをガス導入口１１Ａから導入する
と、これらのガスはガス供給溝１５を経て内，外部反応
管６Ｂ，６Ａ間の周囲全体から上方に向かって流れ、
内，外部反応管６Ｂ，６Ａ上部より反応管６内，即ち内
部反応管６Ｂ内に入って下方に向かって流れ、下部のガ
ス排気口１２Ａより排気されることにより、室温程度の
反応ガスや不活性ガスが内，外部反応管６Ｂ，６Ａ間内
に流れても、両反応管６Ｂ，６Ａ間の周囲全体に流れな
がら上方へ向かうので、局所的な温度低下が起きず、ま
た従来のノズル型の場合よりもガスの流速が遅くなり、
充分に加熱されてから内部反応管６Ｂ内に導入されるの
で、ウェーハ８の膜厚，膜質が均一になる熱処理ができ
ることになる。又、反応管６を内，外部反応管６Ｂ，６
Ａと、ガス導入口１１Ａ，ガス供給溝１５及びガス排気
口１２Ａを有するフランジ１０に分割できる分割型にし
たので、内，外部反応管６Ｂ，６Ａの形状を単純化し簡
単な構造とすることができ、反応管６の加工が容易にな
り安価に実施できることになる。
応ガスや不活性ガスをガス導入口１１Ａから導入する
と、これらのガスはガス供給溝１５を経て内，外部反応
管６Ｂ，６Ａ間の周囲全体から上方に向かって流れ、
内，外部反応管６Ｂ，６Ａ上部より反応管６内，即ち内
部反応管６Ｂ内に入って下方に向かって流れ、下部のガ
ス排気口１２Ａより排気されることにより、室温程度の
反応ガスや不活性ガスが内，外部反応管６Ｂ，６Ａ間内
に流れても、両反応管６Ｂ，６Ａ間の周囲全体に流れな
がら上方へ向かうので、局所的な温度低下が起きず、ま
た従来のノズル型の場合よりもガスの流速が遅くなり、
充分に加熱されてから内部反応管６Ｂ内に導入されるの
で、ウェーハ８の膜厚，膜質が均一になる熱処理ができ
ることになる。又、反応管６を内，外部反応管６Ｂ，６
Ａと、ガス導入口１１Ａ，ガス供給溝１５及びガス排気
口１２Ａを有するフランジ１０に分割できる分割型にし
たので、内，外部反応管６Ｂ，６Ａの形状を単純化し簡
単な構造とすることができ、反応管６の加工が容易にな
り安価に実施できることになる。
【００１０】炉内温度が１１００℃以上でウェーハ８の
処理を行う装置の場合は主に図１に示す第１実施例の構
成で用いられ、内，外部反応管６Ｂ，６Ａ、ボート７、
保温筒９はＳｉＣ製であり、フランジ１０は石英製（ヒ
ータ４外にあるフランジ１０はヒータ４内（反応管６
内）を１１００℃に上げてもその温度には追従せず、石
英製でも変形しない）であるが、炉口部（石英製フラン
ジ１０の側面）より輻射熱が発散するのを防ぐために、
石英製フランジ１０に微細な気泡を入れることもある。
内，外部反応管６Ｂ，６Ａ、ボート７、保温筒９はＳｉ
Ｃ製であるので、炉内温度が１１００℃以上で使用して
変形が起きない。
処理を行う装置の場合は主に図１に示す第１実施例の構
成で用いられ、内，外部反応管６Ｂ，６Ａ、ボート７、
保温筒９はＳｉＣ製であり、フランジ１０は石英製（ヒ
ータ４外にあるフランジ１０はヒータ４内（反応管６
内）を１１００℃に上げてもその温度には追従せず、石
英製でも変形しない）であるが、炉口部（石英製フラン
ジ１０の側面）より輻射熱が発散するのを防ぐために、
石英製フランジ１０に微細な気泡を入れることもある。
内，外部反応管６Ｂ，６Ａ、ボート７、保温筒９はＳｉ
Ｃ製であるので、炉内温度が１１００℃以上で使用して
変形が起きない。
【００１１】又、内，外部反応管６Ｂ，６Ａをボート
７、保温筒９と共にＳｉＣ製とすることにより１１００
℃以上の熱処理に耐える装置を容易に得ることができ、
かつ内，外部反応管６Ｂ，６Ａの熱容量，延いては反応
管６の熱容量がＳｉＣ製とすることで大きくなるので、
急激な温度変化が起き難くなり、炉内温度の安定化を図
ることができることになる。更に、内，外部反応管６
Ｂ，６ＡのＳｉＣ表面に容易にＣＶＤコートができ、Ｓ
ｉＣから発生する表面荒れに伴うパーティクルの発生が
無くなる。
７、保温筒９と共にＳｉＣ製とすることにより１１００
℃以上の熱処理に耐える装置を容易に得ることができ、
かつ内，外部反応管６Ｂ，６Ａの熱容量，延いては反応
管６の熱容量がＳｉＣ製とすることで大きくなるので、
急激な温度変化が起き難くなり、炉内温度の安定化を図
ることができることになる。更に、内，外部反応管６
Ｂ，６ＡのＳｉＣ表面に容易にＣＶＤコートができ、Ｓ
ｉＣから発生する表面荒れに伴うパーティクルの発生が
無くなる。
【００１２】なお、図１の第１実施例は１１００℃以下
でウェーハ８の処理を行う場合にも適用できることは勿
論であり、この場合は反応管６の熱容量がＳｉＣ製とす
ることで大きくなるので、均熱管５を設けなくてもよ
い。図２の第２実施例では反応管６が石英製でその熱量
が小さいので、ＳｉＣ製均熱管５を設ける必要がある。
でウェーハ８の処理を行う場合にも適用できることは勿
論であり、この場合は反応管６の熱容量がＳｉＣ製とす
ることで大きくなるので、均熱管５を設けなくてもよ
い。図２の第２実施例では反応管６が石英製でその熱量
が小さいので、ＳｉＣ製均熱管５を設ける必要がある。
【００１３】また、図１，図２に示す装置の両方の場合
に言えることだが、内，外部反応管６Ｂ，６Ａ及びフラ
ンジ１０のように分割型にしていることで、取付けや取
外し作業をする場合、作業者が一度に全部持つ必要がな
く各部品を別に持てばよく、作業性が良い。特にウェー
ハ８が大口径化（８インチ）してきているので、１本当
りの反応管の重量が重くなってきているため、分割型に
することで作業性を改善できるばかりでなく、落として
破損する等の危険を解消することができる。
に言えることだが、内，外部反応管６Ｂ，６Ａ及びフラ
ンジ１０のように分割型にしていることで、取付けや取
外し作業をする場合、作業者が一度に全部持つ必要がな
く各部品を別に持てばよく、作業性が良い。特にウェー
ハ８が大口径化（８インチ）してきているので、１本当
りの反応管の重量が重くなってきているため、分割型に
することで作業性を改善できるばかりでなく、落として
破損する等の危険を解消することができる。
【００１４】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ガス導入
口１１Ａ、ガス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有す
るリング状筒であるフランジ１０上に内部反応管６Ｂを
載せ、内部反応管６Ｂの下部フランジ６Ｂ1 にはガス供
給溝１５に連通する孔６Ｂ2 を複数個設け、これらの孔
６Ｂ2 を塞がないように外部反応管６Ａを載せて組み合
わせて反応管６を構成したので、反応ガスや不活性ガス
の反応管６内への導入及び反応管よりの排気を内，外部
反応管６Ｂ，６Ａ間の周囲全体を通して行うため、ガス
の局所的な温度低下が起きず、かつガスが反応管６内へ
充分に加熱されて導入されることになり、膜厚，膜質が
均一になる被処理基板の加熱処理ができる。又、反応管
６を内，外部反応管６Ｂ，６Ａとガス導入口１１Ａ、ガ
ス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有するフランジ１
０に分割できる分割型にしたので、内，外部反応管６
Ｂ，６Ａの形状を単純化することができ、反応管６の加
工が容易になり安価に実施することができる。又、内，
外部反応管６Ｂ，６Ａをボート７、保温筒９と共にＳｉ
Ｃ製とすることにより１１００℃以上の熱処理に耐える
装置を容易に得ることができ、かつ内，外部反応管６
Ｂ，６Ａの熱容量，延いては反応管６の熱容量がＳｉＣ
製とすることで大きくなるので、急激な温度変化が起き
難くなり、炉内温度の安定化を図ることができる。
口１１Ａ、ガス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有す
るリング状筒であるフランジ１０上に内部反応管６Ｂを
載せ、内部反応管６Ｂの下部フランジ６Ｂ1 にはガス供
給溝１５に連通する孔６Ｂ2 を複数個設け、これらの孔
６Ｂ2 を塞がないように外部反応管６Ａを載せて組み合
わせて反応管６を構成したので、反応ガスや不活性ガス
の反応管６内への導入及び反応管よりの排気を内，外部
反応管６Ｂ，６Ａ間の周囲全体を通して行うため、ガス
の局所的な温度低下が起きず、かつガスが反応管６内へ
充分に加熱されて導入されることになり、膜厚，膜質が
均一になる被処理基板の加熱処理ができる。又、反応管
６を内，外部反応管６Ｂ，６Ａとガス導入口１１Ａ、ガ
ス供給溝１５及びガス排気口１２Ａを有するフランジ１
０に分割できる分割型にしたので、内，外部反応管６
Ｂ，６Ａの形状を単純化することができ、反応管６の加
工が容易になり安価に実施することができる。又、内，
外部反応管６Ｂ，６Ａをボート７、保温筒９と共にＳｉ
Ｃ製とすることにより１１００℃以上の熱処理に耐える
装置を容易に得ることができ、かつ内，外部反応管６
Ｂ，６Ａの熱容量，延いては反応管６の熱容量がＳｉＣ
製とすることで大きくなるので、急激な温度変化が起き
難くなり、炉内温度の安定化を図ることができる。
【図１】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明装置の第１実
施例の構成を示す断面図及びその要部の断面図である。
施例の構成を示す断面図及びその要部の断面図である。
【図２】第２実施例の構成を示す断面図である。
【図３】従来装置の１例の構成を示す簡略断面図であ
る。
る。
４ ヒータ ５ 均熱管 ６ 反応管 ６Ａ 外部反応管 ６Ｂ 内部反応管 ６Ｂ1 下部フランジ ６Ｂ2 孔 ７ ボート ８ 被処理基板（シリコンウェーハ） ９ 保温筒 １０ フランジ １１Ａ ガス導入口 １２Ａ ガス排気口 １５ ガス供給溝
Claims (3)
- 【請求項１】 ガス導入口（１１Ａ）、ガス供給溝（１
５）及びガス排気口（１２Ａ）を有するリング状筒であ
るフランジ（１０）上に内部反応管（６Ｂ）を載せ、こ
の内部反応管（６Ｂ）の下部フランジ（６Ｂ1 ）にはガ
ス供給溝（１５）に連通する孔（６Ｂ2 ）を複数個設
け、これらの孔（６Ｂ2 ）を塞がないように外部反応管
（６Ａ）を載せて組み合わせて反応管（６）を構成した
ことを特徴とする拡散装置。 - 【請求項２】 内，外部反応管（６Ｂ，６Ａ）をＳｉＣ
製とし、フランジ（１０）をＳｉＣ製或いは石英製とす
ることを特徴とする請求項１の拡散装置。 - 【請求項３】 内，外部反応管（６Ｂ，６Ａ）及びフラ
ンジ（１０）を石英製とすると共にヒータ（４）と外部
反応管（６Ａ）との間にＳｉＣ製均熱管（５）を配置し
てなる請求項１の拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23639993A JP3450033B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23639993A JP3450033B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794435A true JPH0794435A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3450033B2 JP3450033B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17000189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23639993A Expired - Lifetime JP3450033B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3450033B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736636B2 (en) | 2000-06-20 | 2004-05-18 | Tokyo Electron Limited | Thermal processor with gas supply |
| JP2007042843A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | Ａｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびＡｌ含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにＡｌ含有窒化物半導体基板 |
| JP2009152628A (ja) * | 2009-02-23 | 2009-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 反応管のクリーニング方法 |
| JP2009182295A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP23639993A patent/JP3450033B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736636B2 (en) | 2000-06-20 | 2004-05-18 | Tokyo Electron Limited | Thermal processor with gas supply |
| JP2007042843A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | Ａｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびＡｌ含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにＡｌ含有窒化物半導体基板 |
| JP2009182295A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009152628A (ja) * | 2009-02-23 | 2009-07-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 反応管のクリーニング方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3450033B2 (ja) | 2003-09-22 |
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