JP4597868B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4597868B2 JP4597868B2 JP2005517124A JP2005517124A JP4597868B2 JP 4597868 B2 JP4597868 B2 JP 4597868B2 JP 2005517124 A JP2005517124 A JP 2005517124A JP 2005517124 A JP2005517124 A JP 2005517124A JP 4597868 B2 JP4597868 B2 JP 4597868B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- substrate
- support plate
- substrates
- piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 287
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 44
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 44
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 27
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 22
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図25及び図26において、この種の支持具30の一例を示す。
この場合、ツィーザ32を下げる際に、ツィーザ32と支持片66とが干渉しない程度の距離を確保する必要があり、支持板58の厚さ(b1)を少なくとも6.5mm以上とする必要がある。支持片66の厚さ(c1)を例えば3mmとし、基板72を上下させる隙間(a1)を4mmとすれば、合計(P1)13.5mmのピッチが必要となる。
基板間ピッチを縮小するために、支持片66,66の厚さ(c1)を薄くすることも考えられるが、強度の観点から単純には薄肉化することはできない。
請求項7に係る本発明は、請求項6記載の基板処理装置において、前記ツィーザは基板を載置する部分が2股に分かれていることを特徴とする基板処理装置である。
請求項8に係る本発明は、請求項6記載の基板処理装置において、前記ツィーザは基板を載置する部分が2股に分かれており、前記ツィーザの2股に別れた部分の内側の幅は前記支持板の直径よりも大きいことを特徴とする基板処理装置である。
図1には、本発明の実施形態に係る熱処理装置10が示されている。この熱処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筺体12には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16は、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
図3及び図4において、第1の実施形態が示され、支持具30は、本体部56と支持板58とから構成されている。本体部56は、炭化珪素又はシリコン(Si)を含浸させた炭化珪素(SiC)からなり、円板状の上板60(図1に示す)、同じく円板状の下板62(図1に示す)、及び上板60と下板62とを接続する複数本、例えば2本の支柱64,64と、該支柱64,64とを接続する支持片66とを有する。支持片66は、2本の支柱64,64をつなぐように支柱64,64と一体的に構成されており、支持片66および支柱64,64はスケルトン(骨組み)構造となっている。支持片66は、上方から見て例えばU字状に形成されて水平方向に延び、後述するツィーザ32の挿入側(基板移載機26側)に向かって突出する突出部68を有する。該支持片66は、支柱64に対して垂直方向に一定間隔隔てて多数形成され、該多数の支持片66にそれぞれ支持板58が支持されている。この支持板58の上面には基板72の下面が接触するように基板72が支持される。なお、支持片66および支柱64は、柱状部材を、支持片66および支柱64となる部分を残して切削加工することにより一体ものとして形成される。
即ち、図27(a),(b)に示すように、例えば支持板58を3箇所で支持している場合、基板72を支持板58に載置する際に、支持板58が支持片66に対して浮くおそれがある。例えば支持板58の基板挿入側の上部(図27(b)の破線部A)に先に基板72が当接した場合(基板72が傾いていた場合)、支持板58は、矢印B方向に回転し、支持片66に対して浮いてしまう。このように支持板58が浮いた際や、浮いた支持板58が元の位置に戻る際に、支持片66と支持板58とが擦れ、パーティクル(異物)が発生したり、支持片66に対して支持板58がずれたりすることがある。
一方、本実施形態においては、スケルトン(骨組み)構造の支持片66で支持板58の少なくとも基板挿入側の外周部を支持しているため、基板72を支持板58に載置する際に、支持板58の基板挿入側(突出部68の先端部側)の上部に先に基板72が当接した場合であっても、支持板58が支持片66に対し浮くことがない。従って、支持片66に対する支持板58のずれ及び支持片66と支持板58との擦れによるパーティクル(異物)の発生を防ぐことができる。
なお、上記実施形態及び実施例の説明では、支持板の直径(面積)が基板よりも小さい場合について説明したが、基板直径よりも支持板直径を大きくすることもできる。この場合は、支持板58の剛性を確保するため、支持板58の厚さをさらに厚くする必要がある。
即ち、比較例においては、支持板58の厚さは、干渉防止のため少なくとも6.5mm必要であるが、上記実施形態においては、1mm〜4mm程度にまで薄くすることができる。更には1mm以下とすることもできる。これにより支持板58の重量が減るので、これを支える支持片66の厚さも薄くすることができる。支持片66の厚さは、比較例においては3mm程度必要であるが、上記実施形態においては約1.5mm〜2mm程度まで薄くすることができる。なお、基板72を移載する隙間は比較例と同様に4mm程度確保する必要がある。
したがって、図26に示した従来例と比較すると、凹部88を形成した分だけ、c2<c1となり、基板間ピッチもP2<P1とすることができる。
支持具30には予め支持板58が載置されている。まず、図19(a)に示すように、ツィーザ32上に基板72を載置する。次に、図19(b)に示すように、基板72を載置したツィーザ32を支持板58及び支持片66a,66b,66c上部と、それらの上方に隣接して設けられた支持板58及び支持片66a,66b,66c下部とに囲まれた空間に挿入する。このとき、ツィーザ32は、支持板58の両側の支持片66a,66bに形成された凹部88の上部位置に挿入される。次に、図19(c)に示すように、ツィーザ32を下方に所定距離移動させることにより、基板72を支持板58上に載置する。このとき、両側の支持片66a,66b上面には凹部88が形成されているので、この凹部88によりツィーザ32と支持片66a,66bとの干渉が避けられる。すなわち、ツィーザ32と支持片66a,66bとの干渉を避けつつ、ツィーザ32を支持片66a,66bの根元部分の上面よりも下方へ移動させることが可能となる。そして、図19(d)に示すように、ツィーザ32を引き抜くことで基板72の支持具30に対する移載が完了する。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の熱処理装置を用いることにより、支持片で支持板を支持した状態における支持板と支持片との合計厚さを薄くでき、基板間ピッチを縮小することができる。
Claims (11)
- 基板を処理する反応炉と、
前記反応炉内で複数枚の基板を複数段に支持する支持具と、
基板を載置するツィーザを具備し前記支持具に対して基板を移載する基板移載機と、
を有する基板処理装置であって、
前記支持具は、
複数枚の基板のそれぞれと接触する複数の支持板と、
この複数の支持板を複数段に支持する複数の支持片と、
を有し、
前記支持板と前記支持片とが厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成され、
前記支持片上面の、少なくとも基板移載時に前記ツィーザと対向することとなる部分に凹部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、前記支持片の、少なくとも基板移載時に前記ツィーザと対向することとなる部分から前記支持板を支持する側の端部にかけて凹部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1又は2記載の基板処理装置において、
前記支持片は、前記支持具の本体部から水平方向に延びるように形成され、
前記支持片の前記本体部側の根元部分の方が、前記凹部が設けられる部分よりも厚くなるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2記載の基板処理装置において、
前記支持片は、前記支持具の本体部から水平方向に延びるように形成され、
前記支持片の前記本体部側の根元部分の方が、先端部分よりも厚くなるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4記載の基板処理装置において、
前記支持片は、前記支持片の根元部分の上面が前記支持板の上面よりも高くならないように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2記載の基板処理装置において、前記支持板は、基板よりも直径が小さい円板形状であることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項6記載の基板処理装置において、
前記ツィーザは基板を載置する部分が2股に分かれていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6記載の基板処理装置において、
前記ツィーザは基板を載置する部分が2股に分かれており、前記ツィーザの2股に別れた部分の内側の幅は前記支持板の直径よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。 - 複数枚の基板のそれぞれと接触する複数の支持板と、この複数の支持板を複数段に支持する複数の支持片とを有し、前記支持板と前記支持片とが厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される支持具に対し、基板を基板移載機のツィーザに載置して移載し、複数枚の基板を複数段に支持する工程と、
前記支持具により支持した複数枚の基板を反応炉内に搬入する工程と、
前記反応炉内で前記支持具により支持した複数枚の基板を熱処理する工程と、
前記支持具により支持した熱処理後の複数枚の基板を前記反応炉より搬出する工程と、
を有し、
前記支持片上面の、少なくとも基板移載時に前記ツィーザと対向することとなる部分に凹部が設けられ、基板移載時に前記ツィーザは前記凹部内に挿入されることを特徴とする基板の製造方法。 - 複数枚の基板のそれぞれと接触する複数の支持板と、この複数の支持板を複数段に支持する複数の支持片とを有し、前記支持板と前記支持片とが厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される支持具に対し、基板を基板移載機のツィーザに載置して移載し、複数枚の基板を複数段に支持する工程と、
前記支持具により支持した複数枚の基板を反応炉内に搬入する工程と、
前記反応炉内で前記支持具により支持した複数枚の基板を熱処理する工程と、
前記支持具により支持した熱処理後の複数枚の基板を前記反応炉より搬出する工程と、を有し、
前記支持片上面の、少なくとも基板移載時に前記ツィーザと対向することとなる部分に凹部が設けられ、基板移載時に前記ツィーザは前記凹部内に挿入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数枚の基板を複数段に支持し、基板移載機により基板が移載される支持具であって、
複数枚の基板のそれぞれと接触する複数の支持板と、
この複数の支持板を複数段に支持する複数の支持片と、
を有し、
前記支持板と前記支持片とが厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成され、
前記支持片上面の、少なくとも基板移載時に基板を載置して移載する前記基板移載機のツィーザと対向することとなる部分に凹部が設けられていることを特徴とする支持具。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004012166 | 2004-01-20 | ||
JP2004012166 | 2004-01-20 | ||
JP2004088843 | 2004-03-25 | ||
JP2004088843 | 2004-03-25 | ||
PCT/JP2005/000651 WO2005069361A1 (ja) | 2004-01-20 | 2005-01-20 | 熱処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010032611A Division JP2010157755A (ja) | 2004-01-20 | 2010-02-17 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005069361A1 JPWO2005069361A1 (ja) | 2007-12-27 |
JP4597868B2 true JP4597868B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=34797770
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517124A Active JP4597868B2 (ja) | 2004-01-20 | 2005-01-20 | 熱処理装置 |
JP2010032611A Pending JP2010157755A (ja) | 2004-01-20 | 2010-02-17 | 基板処理装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010032611A Pending JP2010157755A (ja) | 2004-01-20 | 2010-02-17 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070275570A1 (ja) |
JP (2) | JP4597868B2 (ja) |
WO (1) | WO2005069361A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7033168B1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-04-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer boat for a vertical furnace |
JP2006229040A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
US8012888B2 (en) * | 2006-02-23 | 2011-09-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
KR100951688B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2010-04-07 | 주식회사 테라세미콘 | 열처리 장치 |
JP5071217B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2012-11-14 | 信越半導体株式会社 | 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法 |
US8723185B2 (en) * | 2010-11-30 | 2014-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing wafer distortion through a high CTE layer |
KR101990533B1 (ko) * | 2012-11-06 | 2019-09-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 배치식 기판처리장치 |
JP6304891B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2018-04-04 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
KR101760316B1 (ko) | 2015-09-11 | 2017-07-21 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284429A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Sumitomo Sitix Corp | ウェーハ支持装置 |
WO2001018856A1 (fr) * | 1999-09-03 | 2001-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Support de tranche |
JP2003031647A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003282388A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2003324106A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267317A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
JP3151118B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JPH0992625A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用ボ−ト |
JPH10242067A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用基板支持具 |
JP3692697B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2005-09-07 | 三菱住友シリコン株式会社 | ウェハ支持体及び縦型ボート |
JPH113865A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ウエハー積載用ボート及びその製造方法 |
JP3511466B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2004-03-29 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウェーハ熱処理用部材およびこれを用いた治具 |
JP2001313268A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Asahi Glass Co Ltd | 熱処理用ボート |
US7204887B2 (en) * | 2000-10-16 | 2007-04-17 | Nippon Steel Corporation | Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace |
JP2002134592A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
US6765178B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
JP4467028B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2010-05-26 | 信越石英株式会社 | 縦型ウェーハ支持治具 |
US20030170583A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Heat treatment apparatus and a method for fabricating substrates |
WO2004030073A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
KR101010481B1 (ko) * | 2003-12-13 | 2011-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 거치대 |
US7033168B1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-04-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer boat for a vertical furnace |
-
2005
- 2005-01-20 US US10/573,025 patent/US20070275570A1/en not_active Abandoned
- 2005-01-20 WO PCT/JP2005/000651 patent/WO2005069361A1/ja active Application Filing
- 2005-01-20 JP JP2005517124A patent/JP4597868B2/ja active Active
-
2010
- 2010-02-17 JP JP2010032611A patent/JP2010157755A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284429A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Sumitomo Sitix Corp | ウェーハ支持装置 |
WO2001018856A1 (fr) * | 1999-09-03 | 2001-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Support de tranche |
JP2003031647A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003324106A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板の製造方法 |
JP2003282388A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005069361A1 (ja) | 2005-07-28 |
JPWO2005069361A1 (ja) | 2007-12-27 |
JP2010157755A (ja) | 2010-07-15 |
US20070275570A1 (en) | 2007-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4597868B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4833074B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4820755B2 (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
KR100935141B1 (ko) | 열처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판의 제조 방법, simox 기판의 제조 방법, 지지부 및 기판 지지체 | |
US20080267598A1 (en) | Heat Treating Apparatus | |
JP5043826B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4611229B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007073865A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2005101161A (ja) | 熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4700300B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4559257B2 (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板支持具 | |
JPWO2004001835A1 (ja) | 熱処理装置、基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2006080294A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP2006100303A (ja) | 基板の製造方法及び熱処理装置 | |
JP2004296492A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2005086132A (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法 | |
JP2004356355A (ja) | 熱処理方法、基板の製造方法、半導体装置の製造方法及び熱処理装置 | |
JP2004214260A (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
JP2005203482A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2009147383A (ja) | 熱処理方法 | |
JP2005044891A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2007103765A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005093608A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007005430A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2004281669A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100910 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4597868 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |