JP5495920B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 97
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
CZ法によりv/G(v:引上速度、G:単結晶内の引上軸方向の温度勾配)を制御して空孔型点欠陥が存在する領域を有するシリコン単結晶インゴットを製造し、該領域からスライスして得られた両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ(直径300mm、厚さ775μm、酸素濃度1.1×1018atoms/cm3)に対して、図1に示すようなRTP装置を用いて、シリコンウェーハの裏面の外周部(最外周から2mmの領域)をリング状に保持するサセプタを使用して、RTPを行った。
表1に、本試験における条件毎の裏面欠陥発生数及びスリップ長の評価結果を示す。
RTPにおける最高到達温度を1300℃として、その他は試験1と同様な条件にて各々RTPを行って、条件毎にサンプルを作製した。
20 反応管
30 ウェーハ保持部
40 加熱部
Claims (2)
- チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを熱処理する方法であって、
前記シリコンウェーハの回転数を250rpm以上350rpm以下とし、前記シリコンウェーハの半導体デバイスが形成される表面側及び前記表面側に対向する裏面側に不活性ガスを供給し、かつ、最高到達温度を1300℃以上1400℃以下として、急速加熱・急速冷却熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記シリコンウェーハの裏面側に供給する不活性ガスの流量は、前記シリコンウェーハの表面側に供給する不活性ガスの流量よりも少ないことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099770A JP5495920B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099770A JP5495920B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011233556A JP2011233556A (ja) | 2011-11-17 |
JP5495920B2 true JP5495920B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=45322631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010099770A Active JP5495920B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5495920B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7014694B2 (ja) | 2018-10-15 | 2022-02-01 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP2022129531A (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-06 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
CN117219561B (zh) * | 2023-11-09 | 2024-02-09 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 降低harp工艺中晶圆滑片风险的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG100658A1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-12-26 | Ibm | Dc or ac electric field business anneal |
JP2003224130A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ |
JP2004235489A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Trecenti Technologies Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2005167025A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2006093218A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sharp Corp | ランプ加熱装置および半導体装置の製造方法 |
US7398693B2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Adaptive control method for rapid thermal processing of a substrate |
JP2010040587A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
-
2010
- 2010-04-23 JP JP2010099770A patent/JP5495920B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011233556A (ja) | 2011-11-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A621 | Written request for application examination |
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