JP5455449B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
CZ法によりv/G(v:引上速度、G:単結晶内の引上軸方向の温度勾配)を制御して空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を有するシリコン単結晶インゴットを育成し、その後、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域からスライスして得られた両面が鏡面研磨されたウェーハ(直径300mm、厚さ775mm)に対して、図1に示すようなRTP装置10を用いて、急速加熱・急速冷却熱処理を行った。
・昇温速度ΔTu :10℃/秒
・降温速度ΔTd :10℃/秒
以上の条件で得られたアニールウェーハに対して、デバイス形成面であるウェーハ表面のLPD(Light Point Defect)を、KLA−Tencor社製Surfscan−SP2(≧40nm)で測定した。また、デバイス形成面であるウェーハ表面に対して繰り返し研磨を行うことで、同様な方法でウェーハの表面から深さ方向のLPD分布を測定した。
20 反応管
30 ウェーハ保持部
32 サセプタ
34 回転体
40 加熱部
50 ハロゲンランプ
60 連結部
Claims (1)
- チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して熱処理を行うシリコンウェーハの熱処理方法であって、
前記シリコンウェーハの半導体デバイスが形成される表面側が接する第1空間内にアルゴンガスを供給し、前記シリコンウェーハの裏面側が接する第2空間内に酸素ガスを供給し、1300℃以上1400℃以下の最高到達温度で急速加熱・急速冷却熱処理を行い、
前記急速加熱・急速冷却熱処理後のシリコンウェーハにおける裏面側に形成された酸化膜の厚さは15nm以上であることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
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