JP5410769B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
また、上記特許文献2に記載された方法を用いて製造したシリコンウェーハは、酸素を含有する雰囲気下にて、急速加熱・急速冷却熱処理を行うため、熱処理後のウェーハの表面、すなわち、鏡面研磨されたデバイス形成面に酸化膜が形成されるが、その条件等によっては、ウェーハ表面の粗さが悪化するという問題があった。
これらの問題は、半導体デバイスプロセスにおける歩留を低下させる要因となるため好ましくない。
このような範囲に酸素分圧を調整して上記急速加熱・急速冷却熱処理を行うことにより、酸化膜の膜厚を上記範囲に制御しやすいため好ましい。
したがって、本発明に係る熱処理を施したシリコンウェーハは、デバイスプロセスにおける歩留まりの向上にも寄与するものである。
本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法においては、CZ法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたウェーハに対して、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。本発明は、この急速加熱・急速冷却熱処理を、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を1300℃以上シリコンの融点以下の温度で行い、前記ウェーハ表面に厚さ24.3nm以上32.0nm以下の酸化膜を形成することを特徴とするものである。
すなわち、鏡面研磨後の熱処理において、ウェーハ内部の酸素が過剰に外方拡散され、ウェーハ表層の酸素濃度が低下し、転位に対する酸素のピニング力が低下するため、ウェーハ内部に発生した転位が、ウェーハ表面にまで伸張しやすくなっていると考えられる。
また、最高到達温度および酸化膜の厚さを、上記範囲内に制御して急速加熱・急速冷却熱処理を行うことにより、該熱処理時の酸化膜の形成によるウェーハ表面の粗さの悪化も抑制することができる。
CZ法によるシリコン単結晶インゴットの製造は、周知の方法にて行うことができる。具体的には、石英ルツボに充填した多結晶シリコンを加熱してシリコン融液とし、このシリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら種結晶を引き上げ、所望の直径まで拡径して直胴部を形成し、その後、シリコン融液から切り離すことにより、シリコン単結晶インゴットを育成する。
次に、このようにして得られたシリコン単結晶インゴットを、周知の方法により、シリコンウェーハに加工する。具体的には、シリコン単結晶インゴットを内周刃またはワイヤソー等によりウェーハ状にスライスした後、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨等の加工を行う。
図1に示すRTP装置10は、雰囲気ガス導入口20aおよび雰囲気ガス排出口20bを備えた反応管20と、反応管20の上部に離間して複数配置されたランプ30と、反応管20内の反応空間25にウェーハWを支持するウェーハ支持部40とを備えている。
前記ウェーハ支持部40は、ウェーハWを直接支持する環状のサセプタ40aと、サセプタ40aを支持するステージ40bとを備えている。
また、各構成材料は、例えば、反応管20およびステージ40bは、石英からなり、サセプタ40aは、シリコンからなる。また、ランプ30は、例えば、ハロゲンランプで構成される。
反応空間25内の温度制御は、ウェーハ支持部40のステージ40b内に埋め込まれた複数の放射温度計50により、ウェーハW裏面内のウェーハ径方向について多数点(例えば、9点)の平均温度を測定し、その各測定温度に基づいて、制御手段(図示せず)により複数のランプ30の個別の出力制御等を行う。
また、前記RTP装置の装置寿命の観点から、前記最高到達温度は1300℃以上1380℃以下であることがより好ましい。
なお、前記酸化膜の厚さの上限値としては、急速加熱・急速冷却熱処理後、形成された酸化膜を生産性よく除去する観点から、100nm以下であることが好ましい。
図2に示すように、まず、鏡面研磨されたシリコンウェーハを温度T0(例えば、500℃)で保持し、酸素含有雰囲気下、昇温速度ΔTu(℃/秒)で、最高到達温度T1(℃)まで急速加熱し、所定時間t(秒)保持した後、降温速度ΔTd(℃/秒)で最高到達温度T1(℃)から温度T0(℃)まで急速冷却する。
前記酸素分圧が1.0%未満である場合には、酸化膜の膜厚を上記範囲に制御することが難しく、また、雰囲気中の酸素のウェーハ内への内方拡散量が減少し、その結果、酸素のピニング力が低下し、半導体デバイスプロセスでの転位の発生を抑制することが難しくなる。
一方、前記酸素分圧が20%を超える場合には、酸素分圧が高すぎるため、形成される酸化膜が厚くなり、この酸化膜を生産性よく除去することが難しくなる。
前記酸素ガス以外のガスとして窒素ガスを用いる場合には、急速加熱・急速冷却熱処理においてウェーハ表面に窒化膜が形成され、この窒化膜の除去のため、新たにエッチング工程等を増やさなければならず、工程が増加するため好ましくない。
また、前記酸素ガス以外のガスとして水素ガスを用いる場合には、酸素および水素の混合ガスは爆発の危険性があるため好ましくない。
前記不活性ガスとしては、特に、アルゴンガスを用いることが好ましい。アルゴンガスであれば、上記のような窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、急速加熱・急速冷却熱処理を行うことができる。
前記昇温速度ΔTuまたは降温速度ΔTdが10℃/秒未満である場合には、生産性が劣るという問題がある。
一方、前記昇温速度ΔTuまたは降温速度ΔTdが150℃/秒を超える場合には、急激すぎる温度変化にシリコンウェーハが耐えられず、スリップが発生する。
なお、ここでいう最高到達温度T1とは、図1に示すようなRTP装置を用いた急速加熱・急速冷却熱処理の場合は、ウェーハW裏面内のウェーハ径方向について多数点(例えば、9点)の平均温度とする。
前記保持時間tが、1秒未満である場合は、急速加熱・急速冷却熱処理の本来の目的であるGrown−in欠陥の低減やBMD密度の向上等を達成することが難しい。
一方、前記保持時間tが、60秒を超える場合は、生産性が悪くなるとともに、ウェーハ内部の酸素の外方拡散が増大するため好ましくない。
(試験1)最高到達温度、酸化膜厚および表面粗さの関係
CZ法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られた、両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ(直径300mm、厚さ775mm、酸素濃度1.3×1018atoms/cc)を、図1に示すようなRTP装置内に導入し、酸素100%雰囲気下(流量20slm)、温度T0:500℃、昇温速度ΔTuおよび降温速度ΔTd:50℃/秒で、最高到達温度T1およびその保持時間tを変化させて、図2に示すような熱処理シーケンスで急速加熱・急速冷却熱処理を行い、ウェーハ表面に形成される酸化膜厚を変化させたアニールウェーハを得た。
また、前記酸化膜をフッ酸洗浄により除去した後、レーザ光散乱式パーティクルカウンタ(SP1およびSP2;KLA−Tencor社製)にて、表面粗さ(ヘイズ)のウェーハ面内平均値を測定した。
また、図4に、各最高到達温度T1における酸化膜の膜厚とSP1のヘイズのウェーハ面内平均値の関係のグラフを、図5に、各最高到達温度T1における酸化膜の膜厚とSP2のヘイズのウェーハ面内平均値の関係のグラフを示す。図4,5ともに、縦軸がヘイズ、横軸が酸化膜厚を示している。
CZ法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られた、両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ(直径300mm、厚さ775mm、酸素濃度1.3×1018atoms/cc)に上記従来例で示した熱処理を施し、酸素を外方拡散させた後、図1に示すようなRTP装置内に導入し、アルゴンで希釈した酸素含有雰囲気下(全ガス流量20slm)、酸素分圧を変化させて、最高到達温度T1:1350℃、最高到達温度T1での保持時間t:15秒間とし、それ以外は試験1と同様の条件で、急速加熱・急速冷却熱処理を行い、各アニールウェーハのウェーハ中心における深さ方向の酸素濃度プロファイルを二次イオン質量分析装置(SIMS;Ims−6f;Cameca社製)にて評価した。
さらに、試験1の従来例において得られたアニールウェーハについても、同様の条件で酸素濃度プロファイルの評価を行った。
しかしながら、酸素分圧0.4%の場合には、十分な酸素濃度が得られなかった(図示せず)。
また、従来例のアニールのみを行ったウェーハ(AT)は、図6に示すように、酸素含有雰囲気下で急速加熱・急速冷却熱処理をさらに行ったアニールウェーハよりも、ウェーハ表層の酸素濃度が大きく低下していることが認められた。
CZ法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られた、両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ(直径300mm、厚さ775mm、酸素濃度1.3×1018atoms/cc)を、図1に示すようなRTP装置内に導入し、酸素100%雰囲気下(流量20slm)、最高到達温度およびその保持時間を変化させて急速加熱・急速冷却熱処理を行い、各アニールウェーハのウェーハ中心における深さ方向の酸素濃度プロファイルを二次イオン質量分析装置(SIMS;Ims−6f;Cameca社製)にて評価し、ウェーハ表層(表面から約1〜2μm)における最大酸素濃度を求めた。
図7に、ウェーハ表層における最大酸素濃度と最高到達温度との関係のグラフを示す。
特に、1300℃以上の場合に、最大酸素濃度は研磨基板(PW)を上回ることから、転位抑制効果も同程度になると推定される。
したがって、上記結果から、酸素濃度低下の抑制という観点からも、急速加熱・急速冷却熱処理の最高到達温度は1300℃以上とすることが好ましい。
20 反応管
30 ランプ
40 ウェーハ支持部
50 放射温度計
Claims (4)
- チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたウェーハを熱処理する方法において、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を1300℃以上シリコンの融点以下で、前記ウェーハ表面に厚さ24.3nm以上32.0nm以下の酸化膜を形成する急速加熱・急速冷却熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記酸素含有雰囲気において、酸素分圧を1.0%以上20%以下とすることを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記酸素含有雰囲気が、アルゴンおよび酸素からなることを特徴とする請求項1または2記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記最高到達温度での保持時間を1秒以上60秒以下とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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