JP2002231788A

JP2002231788A - 被処理体移載方法および熱処理方法

Info

Publication number: JP2002231788A
Application number: JP2001027647A
Authority: JP
Inventors: Koichi Sakamoto; 浩一坂本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-02-05
Filing date: 2001-02-05
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】移載機構のフォークの最小ピッチに依存する
ことなく保持部のピッチを狭くすることができ、保持具
の長さや熱処理炉の炉長を伸ばすことなく大幅な処理枚
数の向上が図れる被処理体移載方法を提供する。【解決手段】複数枚の被処理体ｗを移載するためのピ
ッチ変換が可能な複数枚のフォーク１７を有する移載機
構１６を用いて該フォーク１７の最小ピッチよりも狭い
ピッチで被処理体ｗを保持するための多数の保持部２７
を有する保持具１３に被処理体ｗを移載する方法であっ
て、前記移載機構１６のフォーク１７のピッチＰｆを前
記保持部２７のピッチＰｂの数倍に設定し、前記保持具
１３の保持部２７に対して移載機構１６により被処理体
ｗを複数枚ずつ順に位置をずらして移載する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体移載方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造においては、薄板状の
被処理体である半導体ウエハに例えば酸化、拡散、ＣＶ
Ｄ等の各種の処理を施す工程があり、このような処理を
行う装置として、一度に多数枚のウエハの熱処理が可能
な縦型熱処理装置が用いられている。この縦型熱処理装
置は、多数枚例えば１００枚程度のウエハを上下方向に
所定ピッチ間隔で搭載可能な保持具であるボートを下部
の炉口から搬入してウエハを熱処理する縦型の熱処理炉
と、この熱処理炉の下方のローディングエリア内に設け
られ、熱処理炉内からローディングエリア内に搬出され
たボートと、複数枚例えば２５枚程度のウエハを所定ピ
ッチ間隔で収容可能な運搬容器であるキャリア（カセッ
トともいう）との間で、ウエハの移載を行う移載機構と
を備えている。

【０００３】この移載機構は、一度に複数枚例えば５枚
ずつの移載が可能なように、薄板状の複数枚例えば５枚
のフォークを備えている。また、移載機構としては、ピ
ッチ間隔の異なるキャリアとボートとの間でのウエハの
移載を可能とするために、フォークのピッチを無段階で
変換可能にしたものが提案されている（例えば特開平４
−２６１３８号公報参照）。

【０００４】従来の縦型熱処理装置においては、直径が
３００ｍｍのウエハを対象とするものでは、図７に示す
ように、ウエハｗを保持する溝（保持部）２７のピッチ
Ｐｂが８ｍｍで、１００枚のウエハｗの処理が可能なボ
ート１３が用いられ、このボート１３の隣接する溝２７
に対して移載機構により先ず上方からウエハｗを５枚移
載したら（）、次にその下方の溝２７にウエハｗを５
枚移載する（）という具合に順にウエハｗを５枚ずつ
移載する移載方法が採用されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記移
載方法では、ボートの溝の最小ピッチが移載機構のフォ
ークの最小ピッチに依存するため、最新の移載機構のフ
ォークの最小ピッチでも７．５ｍｍが限界であり、従っ
て、それ以下にボートの溝のピッチを狭くすることがで
きなかった。このため、これ以上、大幅な処理枚数の向
上は、ボートの長さおよび熱処理炉の炉長を伸ばさない
限り不可能であった。なお、移載機構の改良によりボー
トの溝ピッチを小さくすることが達成されたとしても、
今度はボート内でのウエハのピッチが狭くなるため、ウ
エハ中心部に処理ガスが到達しずらくなる。このため、
熱処理する際に処理ガスの濃度差がウエハの面内で大き
くなり、成膜時の膜厚の面内均一性が悪化する傾向があ
る。

【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、移載機構のフォークの最小ピッチに依存すること
なく保持部のピッチを狭くすることができ、保持具の長
さや熱処理炉の炉長を伸ばすことなく大幅な処理枚数の
向上が図れる被処理体移載方法を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、複数枚の被処理体を移載するためのピッチ変
換が可能な複数枚のフォークを有する移載機構を用いて
該フォークの最小ピッチよりも狭いピッチで被処理体を
保持するための多数の保持部を有する保持具に被処理体
を移載する方法であって、前記移載機構のフォークのピ
ッチを前記保持部のピッチの数倍に設定し、前記保持具
の保持部に対して移載機構により被処理体を複数枚ずつ
順に位置をずらして移載することを特徴とする。

【０００８】請求項２の発明は、請求項１記載の被処理
体移載方法において、前記保持具を少なくとも２個使用
し、一方の保持具を熱処理炉内に搬入して被処理体を熱
処理している間に、他方の保持具に被処理体を移載する
ことを特徴とする。

【０００９】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の被処理体移載方法において、前記保持具を搬入して被
処理体を熱処理する熱処理炉が、ＣＶＤ法により被処理
体に面内均一な薄膜を成膜するために、昇温過程もしく
は降温過程で被処理体の中央部と周縁部に温度差を設け
て成膜処理することを特徴とする。

【００１０】請求項４の発明は、複数枚の被処理体を移
載するためのピッチ変換が可能な複数枚のフォークを有
する移載機構を用いて該フォークの最小ピッチよりも狭
いピッチで被処理体を保持するための多数の保持部を有
する保持具に被処理体を移載し、該保持具を熱処理炉内
に搬入して被処理体を熱処理する熱処理方法であって、
前記移載機構のフォークのピッチを前記保持部のピッチ
の数倍に設定し、前記保持具の保持部に対して移載機構
により被処理体を複数枚ずつ順に位置をずらして移載す
ることを特徴とする。

【００１１】請求項５の発明は、請求項４記載の熱処理
方法において、前記保持具を少なくとも２個使用し、一
方の保持具を熱処理炉内に搬入して被処理体を熱処理し
ている間に、他方の保持具に被処理体を移載することを
特徴とする請求項４記載の熱処理方法。

【００１２】請求項６の発明は、請求項４または５記載
の熱処理方法において、前記保持具を搬入して被処理体
を熱処理する熱処理炉が、ＣＶＤ法により被処理体に面
内均一な薄膜を成膜するために、昇温過程もしくは降温
過程で被処理体の中央部と周縁部に温度差を設けて成膜
処理することを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態に
おけるウエハ移載方法を説明する説明図、図２は同移載
方法に用いる移載機構の概略的側面図、図３はボートに
移載されたウエハを熱処理する熱処理装置の縦断面図、
図４はキャリアとボートとの間でウエハの移載を行う移
載機構の斜視図、図５は２ボート運用の一例を示す概略
的平面図である。

【００１４】先ず、縦型熱処理装置（熱処理装置）の概
略的構成を図３を参照して説明する。この縦型熱処理装
置１は、例えばＣＶＤ処理に適するように構成された縦
型の熱処理炉２を備えている。この熱処理炉２は、縦長
の石英製の反応管３と、この反応管３内の後述の被処理
体例えば半導体ウエハｗを加熱するために反応管３の周
囲に設置された円筒状のヒータ４と有している。図示例
の反応管３は、上端が閉塞され下端が開口された外管３
ａと、上下両端が開口された内管３ｂとを同心状に配置
した二重管構造とされている。

【００１５】前記反応管３の下部には、内管３ｂの内側
の下方から上方へ処理ガスを導入するガス導入部５と、
内管３ｂと外管３ａの間（環状空間）を上方から下方に
流下する処理後の排気ガスを排気する排気部６とを有す
る短円筒状の金属製例えばステンレス鋼製のマニホール
ド７が気密に接続されている。マニホールド７の下部開
口は炉口８とされ、熱処理炉２の下方はローディングエ
リア９とされている。

【００１６】ローディングエリア９には、前記炉口８を
気密に閉塞する蓋体１０を開閉するための昇降機構１１
が設けられている。前記蓋体１０の上部には炉口８の断
熱手段である保温筒１２が載置され、この保温筒１２の
上部には円形で薄板状の多数枚のウエハｗを上下方向に
所定ピッチ間隔で搭載可能な保持具である例えば石英製
のボート１３が載置されている。前記昇降機構１１によ
り蓋体１０の開閉操作と共にローディングエリア９内か
ら反応管３内へのボート１３の搬入（ロード）および反
応管３内からローディングエリア９内へのボート１３の
搬出（アンロード）が行われるように構成されている。

【００１７】また、熱処理炉２は、ヒータ４のパワー
（電力）を上げることにより昇温し、ヒータ４のパワー
を下げることにより自然空冷によって降温する。これに
より、熱処理炉２は、ＣＶＤ法によりウエハに面内均一
な薄膜を成膜するために、昇温過程もしくは降温過程で
ウエハｗの中央部と周縁部に温度差を積極的に設けて成
膜処理することが可能になっている。なお、熱処理炉
は、例えば反応管３とヒータ４との間に送風手段１４に
より空気を送風し強制空冷によって降温されるように構
成されていても良い。

【００１８】前記ローディングエリア９内には、図４に
示すように、複数枚例えば２５枚程度のウエハｗを所定
ピッチ間隔で収容したキャリア１５と、アンロードされ
たボート１３との間でウエハｗの移載を行う移載機構１
６が設けられている。この移載機構１６は、前後方向に
進退移動可能で上下方向にピッチ変換が可能な縦長薄板
状の複数枚例えば５枚のフォーク１７と、単独で進退移
動可能な一枚のフォーク１７ａとを有し、複数枚ずつと
一枚ずつのウエハｗの移載が選択可能になっている。

【００１９】また、移載機構１６は、直方体状のベース
部１８と、このベース部１８上に長手方向に沿って進退
移動可能に設けられた第１の移動部１９と、この第１の
移動部１９よりも上方に配置され第１の移動部１９から
独立して進退移動可能に設けられた第２の移動部２０と
を備え、第１の移動部１９に図示しない可変ピッチ機構
を介して前記５枚のフォーク１７が取付けられ、第２の
移動部２０に前記１枚のフォーク１７ａが取付けられて
いる。前記ベース部１８は、昇降機構２１により上下移
動可能に設けられていると共に、回動機構２２により水
平回動可能に設けられている。

【００２０】前記フォーク１７，１７ａは、図２にも示
すように、例えばセラミックス製の長尺の薄板からな
り、一端が可動部１９，２０に固定され、他端が可動部
１９，２０から水平に延出された片持ち支持構造とさ
れ、フォーク１７，１７ａの上面にウエハｗが水平に支
持されるようになっている。フォーク１７，１７ａは、
例えば直径が３００ｍｍで厚さｔｗが０．７５５ｍｍの
ウエハの荷重に耐え得るよう（撓まないよう）に厚さｔ
ｆが例えば３ｍｍ程度とされている。ピッチ変換が可能
な５枚のフォーク１７のピッチＰｆは、例えば最小７．
５ｍｍ〜最大２０．５ｍｍに無段階で変換可能とされて
いる。

【００２１】一方、前記ボート１３は、上端板２３と下
端板２４との間に複数本例えば３〜４本の支柱２５を配
設してなり、下部にはボート搬送アーム機構により支持
可能な括れ部（支持部）２６が形成されている。そし
て、前記支柱２５の内側には、図１の（ａ），（ｂ）に
示すように、多数枚のウエハｗを水平状態で上下方向に
所定ピッチ間隔で保持可能な多数の溝（保持部）２７が
形成されている。溝２７のピッチＰｂは、前記ピッチ変
換可能なフォーク１７の最小ピッチ（７．５ｍｍ）より
も狭い（小さい）例えば６．４ｍｍとされている。

【００２２】従って、ボート１３の有効長さを従来と同
じ８００ｍｍ（＝８ｍｍピッチ×ウエハ１００枚処理）
とすると、本実施の形態のボート１３はウエハｗを１２
５枚（＝８００ｍｍ÷６．４ｍｍ）搭載して処理可能に
なっている。ボート１３の溝ピッチＰｂが６．４ｍｍと
されても、６．４ｍｍ−ウエハの厚さ０．７７５ｍｍ−
フォークの厚さ３ｍｍ＝２．６２５ｍｍのマージンがあ
るため、ウエハｗの移載作業に支障を来す恐れはない。

【００２３】次に、以上の構成からなる縦型熱処理装置
におけるウエハ移載方法、熱処理方法および作用につい
て説明する。先ず、移載機構１６のピッチ変換可能な５
枚のフォーク１７のピッチＰｆをキャリア１５内のウエ
ハｗの収納ピッチに設定し（変換し）、これらのフォー
ク１７をキャリア１５内に挿入してウエハｗを支持し、
５枚のウエハｗをキャリア１５内から取出す。次に、前
記フォーク１７のピッチＰｆをボート１３の溝ピッチＰ
ｂの数倍例えば２倍である１２．８ｍｍに設定し（変換
し）、図１の（ａ）に示すように、５枚のウエハｗをボ
ート１３の溝２７に例えば上方から一つ置きすなわち奇
数の溝に移載する（）。

【００２４】次に、再び前述と同様に、キャリア１５内
からウエハｗを取出し、フォーク１７のピッチＰｆをボ
ート１３の溝ピッチＰｂの２倍に変換し、図１の（ｂ）
に示すように、５枚のウエハｗをボート１３の溝２７に
例えば上方から一つずつ位置をずらしてすなわち偶数の
溝に移載する（）。キャリア１５内が空になったら次
のキャリアと交換しながら、以上の操作を繰り返して、
ボート１３の溝２７にウエハｗを複数枚例えば５枚ずつ
位置をずらして順に移載して行けばよい。

【００２５】ボート１３にウエハ２を所定枚数例えば１
２５枚搭載し終わったなら、昇降機構１１により蓋体１
０を上昇させて、ボート１３を熱処理炉２内に搬入する
と共に炉口８を蓋体１０で密閉し、所定の熱処理例えば
ＣＶＤ処理を開始する。熱処理を行う場合、ボート１３
上のウエハｗのピッチが狭いと、ウエハｗ上の面内均一
な処理が低下する場合があるが、ＣＶＤ法によりウエハ
ｗに面内均一な薄膜を成膜するために、ヒータ４のパワ
ーを上げる昇温過程もしくはヒータ４のパワーを下げる
降温過程でウエハｗの中央部と周縁部に温度差を設けて
成膜処理するようにすると、熱処理時のウエハｗのピッ
チが狭くなることによる面内均一性の悪化を解消するこ
とができる。

【００２６】熱処理が終了したなら、昇降機構１１によ
り蓋体１０を降下させて、炉口８を開放すると共に、ボ
ート１３をローディングエリア９内に搬出し、移載機構
１６の前記とは逆の操作によりボート１３からキャリア
１５内に既処理ウエハを戻せばよい。

【００２７】このように、本発明の実施形態のウエハ移
載方法ないし熱処理方法によれば、複数枚のウエハｗを
移載するためのピッチ変換が可能な薄板状の複数枚のフ
ォーク１７を有する移載機構１６を用いて該フォーク１
７の最小ピッチよりも狭いピッチでウエハｗを保持する
ための多数の溝（保持部）２７を有するボート１３にウ
エハｗを移載するに際して、前記移載機構１６のフォー
ク１７のピッチＰｆを前記ボート１３のピッチＰｂの数
倍に設定し、前記ボート１３の溝２７に対して移載機構
１６によりウエハｗを複数枚ずつ順に位置をずらして移
載するため、移載機構１６のフォーク１７の最小ピッチ
に依存することなく溝２７のピッチＰｂを狭くすること
ができ、従って、ボート１３の長さや熱処理炉２の炉長
を伸ばすことなく大幅な処理枚数の向上が図れる。前述
の例では、１２５枚処理が可能になったが、ボート１３
の溝ピッチ２７を例えば５．３３ｍｍにすれば、現状の
ボート高さで１５０枚処理が可能となる。

【００２８】また、前記ボート１３を搬入してウエハｗ
を熱処理する熱処理炉２が、ＣＶＤ法によりウエハｗに
面内均一な薄膜を成膜するために、昇温過程もしくは降
温過程でウエハｗの中央部と周縁部に温度差を設けて成
膜処理するため、熱処理時のウエハｗのピッチが狭くな
ることによる面内均一性の悪化を解消することができ
る。

【００２９】ところで、前述したウエハ移載方法によれ
ば、ウエハｗのバッチ処理枚数の増大が図れるが、その
分、移載時間が多くかかるようになるため、スループッ
トの点では劣る。そこで、スループットの向上を図るた
めに、前記ボート１３を少なくとも２個使用し、一方の
ボート１３を熱処理炉内に搬入してウエハｗを熱処理し
ている間に、他方のボート１３にウエハｗを移載する、
いわゆる２ボート運用を採用することが好ましい。

【００３０】この場合、例えば図５に示すように、ロー
ディングエリア９内には２個のボート１３を載置可能な
ボート載置部２８ａ，２８ｂと、これらボート載置部２
８ａ，２８ｂおよび蓋体１０の保温筒１２上の間でボー
ト１３の移し替えが可能なボート搬送アーム機構２９と
が設けられる。一方のボート１３が熱処理炉２内にある
間、他方のボート１３は第１のボート載置台２８ａ上に
載置されており、この第１のボート載置台２８ａ上のボ
ート１３とキャリア１５との間で移載機構１６によるウ
エハｗの移載が行われる。

【００３１】ウエハｗの移載が終了したなら、その他方
のボート１３をボート搬送アーム機構２９により第１の
ボート載置台２８ａ上から第２のボート載置台２８ｂ上
に移す。熱処理が終了したなら、一方のボート１３を蓋
体１０の降下によりローディングエリア９内に搬出し、
前記ボート搬送アーム機構２９によりその一方のボート
１３を蓋体１０の保温筒１２上から第１のボート載置台
２８ａ上に移すと共に、他方のボート１３を第２のボー
ト載置台２８ｂ上から蓋体１０の保温筒１２上に移し、
その他方のボート１３を熱処理炉２内に搬入して熱処理
を開始すると共に、第１のボート載置台２８ａ上の一方
のボート１３とキャリア１５との間でウエハｗの移載を
開始すればよい。

【００３２】このようにボート１３を少なくとも２個使
用し、一方のボート１３を熱処理炉２内に搬入してウエ
ハｗの熱処理を行っている間に、他方のボート１３に対
するウエハｗの移載を行うようにするため、処理枚数の
向上で移載時間が多くかかったとしても、トータルの時
間が長くなることがなく、スループットの向上が図れ
る。この場合、移載機構１６は、搬送時のボート１３と
の干渉を避けるために、図５に仮想線で示す作業位置Ｘ
から実線で示す退避位置Ｙに旋回アーム３０を介して横
方向に退避可能に構成されていることが好ましい。この
場合、旋回アーム３０の基部が昇降機構により上下移動
可能に設けられ、旋回アーム３０の先端部に移載機構１
６のベース部１８が水平回動可能に設けられている。

【００３３】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記の例では、フォ
ークのピッチをボートの溝ピッチの２倍に設定したが、
３倍に設定してもよい。また、被処理体としては、半導
体ウエハ以外に、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等が適
用可能である。

【００３４】ウエハ移載方法の他の例としては、例えば
図６に示すように、フォーク１７のピッチをボート１３
の溝ピッチＰｂの３倍に設定して、実線で示すように複
数枚のウエハｗをボート１３の溝２７に上方から二つ置
きの溝に移載する（Ａ）。次に、同様にして、一点鎖線
で示すようにウエハｗをボート１３の溝２７に上方から
一つずつ位置をずらして移載し（Ｂ）、更に二点鎖線で
示すようにウエハｗをボート１３の溝２７に上方から一
つずつ位置をずらして移載する（Ｃ）ようにしても良
い。この場合、移載順序としては、Ａ→Ｂ→Ｃのパター
ンであっても良く、あるいは、Ａ→Ｃ→Ｂのパターンで
あっても良い。

【００３５】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３６】（１）請求項１もしくは４の発明によれ
ば、移載機構のフォークのピッチを保持部のピッチの数
倍に設定し、保持具の保持部に対して移載機構により被
処理体を複数枚ずつ順に位置をずらして移載するため、
移載機構のフォークの最小ピッチに依存することなく保
持部のピッチを狭くすることができ、従って、保持具の
長さや熱処理炉の炉長を伸ばすことなく大幅な処理枚数
の向上が図れる。

【００３７】（２）請求項２もしくは５の発明によれ
ば、前記保持具を少なくとも２個使用し、一方の保持具
を熱処理炉内に搬入して被処理体を熱処理している間
に、他方の保持具に被処理体を移載するため、スループ
ットの向上が図れる。

【００３８】（３）請求項３もしくは６の発明によれ
ば、前記保持具を搬入して被処理体を熱処理する熱処理
炉が、ＣＶＤ法により被処理体に面内均一な薄膜を成膜
するために、昇温過程もしくは降温過程で被処理体の中
央部と周縁部に温度差を設けて成膜処理するため、熱処
理時の被処理体のピッチが狭くなることによる面内均一
性の悪化を解消することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるウエハ移載方法を
説明する説明図である。

【図２】同移載方法に用いる移載機構の概略的側面図で
ある。

【図３】ボートに移載されたウエハを熱処理する熱処理
装置の縦断面図である。

【図４】キャリアとボートとの間でウエハの移載を行う
移載機構の斜視図である。

【図５】２ボート運用の一例を示す概略的平面図であ
る。

【図６】ウエハ移載方法の他の例を説明する説明図であ
る。

【図７】従来のウエハ移載方法を説明する説明図であ
る。

【符号の説明】

ｗ半導体ウエハ（被処理体）２熱処理炉１３ボート（保持具）１６移載機構１７フォーク２７溝（保持部）ＰｆフォークのピッチＰｂボートの溝ピッチ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数枚の被処理体を移載するためのピッ
チ変換が可能な複数枚のフォークを有する移載機構を用
いて該フォークの最小ピッチよりも狭いピッチで被処理
体を保持するための多数の保持部を有する保持具に被処
理体を移載する方法であって、前記移載機構のフォーク
のピッチを前記保持部のピッチの数倍に設定し、前記保
持具の保持部に対して移載機構により被処理体を複数枚
ずつ順に位置をずらして移載することを特徴とする被処
理体移載方法。
【請求項２】前記保持具を少なくとも２個使用し、一
方の保持具を熱処理炉内に搬入して被処理体を熱処理し
ている間に、他方の保持具に被処理体を移載することを
特徴とする請求項１記載の被処理体移載方法。
【請求項３】前記保持具を搬入して被処理体を熱処理
する熱処理炉が、ＣＶＤ法により被処理体に面内均一な
薄膜を成膜するために、昇温過程もしくは降温過程で被
処理体の中央部と周縁部に温度差を設けて成膜処理する
ことを特徴とする請求項１または２記載の被処理体移載
方法。
【請求項４】複数枚の被処理体を移載するためのピッ
チ変換が可能な複数枚のフォークを有する移載機構を用
いて該フォークの最小ピッチよりも狭いピッチで被処理
体を保持するための多数の保持部を有する保持具に被処
理体を移載し、該保持具を熱処理炉内に搬入して被処理
体を熱処理する熱処理方法であって、前記移載機構のフ
ォークのピッチを前記保持部のピッチの数倍に設定し、
前記保持具の保持部に対して移載機構により被処理体を
複数枚ずつ順に位置をずらして移載することを特徴とす
る熱処理方法。
【請求項５】前記保持具を少なくとも２個使用し、一
方の保持具を熱処理炉内に搬入して被処理体を熱処理し
ている間に、他方の保持具に被処理体を移載することを
特徴とする請求項４記載の熱処理方法。
【請求項６】前記保持具を搬入して被処理体を熱処理
する熱処理炉が、ＣＶＤ法により被処理体に面内均一な
薄膜を成膜するために、昇温過程もしくは降温過程で被
処理体の中央部と周縁部に温度差を設けて成膜処理する
ことを特徴とする請求項４または５記載の熱処理方法。