JP3377996B1 - 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置 - Google Patents

熱処理用ボート及び縦型熱処理装置

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Abstract

【要約】 【課題】 高温の熱処理における被処理体のスリップの
発生を抑制する。 【解決手段】 高さ方向に所定の間隔で形成された爪部
１１を有する複数の支柱１２に、被処理体ｗを搭載する
支持板１３を前記爪部１１を介して多段に取付けてなる
熱処理用ボート９において、前記支持板１３の被処理体
搭載面２３に溝２４及び貫通孔２５を設けている。前記
支持板１３には左右の支柱１２の爪部１１に係止されて
支持板１３の滑落を防止するための係止部２７が設けら
れていることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理用ボート及
び縦型熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、被処理体
例えば半導体ウエハに例えば酸化、拡散、ＣＶＤ、アニ
ール等の各種の熱処理を施す工程があり、これらの工程
を実行するための熱処理装置の一つとして多数のウエハ
を一度に熱処理することが可能な縦型熱処理装置が用い
られている。この縦型熱処理装置においては、多数のウ
エハを搭載するための熱処理用ボートが用いられてい
る。
【０００３】この熱処理用ボートとしては、ウエハの大
口径化（例えば直径３００ｍｍ）に伴って増大する傾向
にある自重応力によるスリップ（結晶欠陥）を低減する
ため、及び、ウエハ中央部よりも昇降温速度の速いウエ
ハ周縁部の熱容量を増大させて処理の面内均一性の向上
を図るため、ウエハの周縁部を環状の支持板で支持する
ようにしたリングボートが提案されている（例えば、特
開平９−２３７７８１号公報等参照）。
【０００４】ところで、このような熱処理用ボートにお
いては、前記支持板の表面に微小な凸凹ないし突起があ
ると、ウエハの裏面を傷付けたり、ウエハに自重応力に
よるスリップが発生し易くなる。一方、このような問題
を解消するために前記支持板の表面を鏡面状に研磨する
と、支持板の表面にウエハが張り付き易くなる。このた
め、前記支持板の表面を研磨してから例えばサンドブラ
スト法等により支持板の表面を荒らすようにすることが
好ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た熱処理用ボートにおいても、高温例えば１０５０℃〜
１２００℃の熱処理において支持板の表面にウエハが張
り付く現象が発生し、この張り付きと支持板表面の極小
な凸凹ないし突起により、ウエハに部分的な自重応力に
よるスリップが発生する問題があった。
【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、高温の熱処理における被処理体のスリップの発生
を抑制することができる熱処理用ボート及び縦型熱処理
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、高さ方向に所定の間隔で形成された爪部を有
する複数の支柱に、被処理体を搭載する支持板を前記爪
部を介して多段に取付けてなる熱処理用ボートにおい
て、前記支持板の被処理体搭載面に溝及び貫通孔を設
け、前記支持板には左右の支柱の爪部に係止されて支持
板の滑落を防止するための係止部が設けられていること
を特徴とする。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記支持板の被処理体載置面には、環状の溝が同心
円状に複数形成され、支持板を上下方向に貫通する貫通
孔が各溝内に位置させてその周方向に所定の間隔で複数
設けられていることを特徴とする。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、前記支持板の被処理体搭載面には被処理体の
張り付きを抑制するための微細な凹凸が設けられている
ことを特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、前記支柱の上端側及び下端側にはダミープレートが
前記爪部を介して取付けられ、前記ダミープレートには
左右の支柱の爪部に係止されてダミープレートの滑落を
防止するための係止部が設けられていることを特徴とす
る。
【００１１】請求項５の発明は、高さ方向に所定の間隔
で形成された爪部を有する複数の支柱に、被処理体を搭
載する支持板を前記爪部を介して多段に取付けてなる熱
処理用ボートを備えた縦型熱処理装置において、前記支
持板の被処理体搭載面に溝及び貫通孔を設け、前記支持
板には左右の支柱の爪部に係止されて支持板の滑落を防
止するための係止部が設けられていることを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を
示す縦型熱処理装置の断面図、図２は熱処理用ボートの
ボート本体の縦断面図、図３は熱処理用ボートの支持板
部分を示す横断面図、図４は図３のＢ−Ｂ線拡大断面
図、図５は熱処理用ボートのダミープレート部分を示す
横断面図である。
【００１３】図１において、１は縦型熱処理装置で、被
処理体例えば半導体ウエハｗを収容して所定の処理例え
ばＣＶＤ処理を施すため熱処理炉を構成する処理容器例
えば石英製の反応管２を備えている。反応管２は、図示
例では内管２ａと外管２ｂの二重管構造とされている
が、外管２ｂだけの単管構造であってもよい。また、反
応管２の下部には、反応管２内に処理ガスやパージ用の
不活性ガスを導入するガス導入管部（ガス導入ポート）
３と、反応管２内を排気する排気管部（排気ポート）４
とを有する環状のマニホールド５が気密に接続されてい
る。
【００１４】前記ガス導入管部３にはガス供給系の配管
が接続され、前記排気管部４には反応管２内を減圧制御
可能な真空ポンプや圧力制御弁等を有する排気系の配管
が接続されている（図示省略）。前記マニホールド５
は、図示しないベースプレートに取付けられている。ま
た、前記反応管２の周囲には、反応管２内を所定の温度
例えば３００〜１２００℃に加熱制御可能な円筒状のヒ
ータ８が設けられている。
【００１５】前記反応管２の下端のマニホールド５は、
熱処理炉の炉口６を形成しており、熱処理炉の下方には
炉口６を開閉する蓋体７が昇降機構８により昇降可能に
設けられている。前記蓋体７は、マニホールド５の開口
端に当接して炉口６を密閉するようになっている。
【００１６】この蓋体７上には、大口径例えば直径３０
０ｍｍで多数例えば７５〜１００枚程度のウエハｗを水
平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する後述の
熱処理用ボート（単に、ボートともいう。）９が炉口断
熱手段である保温筒１０を介して載置されている。前記
ボート９は、昇降機構８による蓋体７の上昇により反応
管２内にロード（搬入）され、蓋７体の下降により反応
管２内からアンロード（搬出）されるようになってい
る。
【００１７】一方、前記熱処理用ボート９は、図２〜図
４に示すように、高さ方向に所定の間隔で形成された爪
部１１を有する複数例えば３本の支柱１２に、ウエハｗ
を搭載する支持板１３を前記爪部１１を介して多段に取
付けて構成されている。具体的には、前記熱処理用ボー
ト９は、底板１４と天板１５の間に前記複数の支柱１２
を介設してなるボート本体１６と、このボート本体１６
の支柱１２に前記爪部１１を介して多段に支持された支
持板１３と、これら支持板１３の領域における熱処理条
件を均一にするために前記支柱１２の上端側及び下端側
に前記爪部１１を介して複数例えば３〜４枚ずつ支持さ
れた図５に示すようなダミープレート１７とから主に構
成されている。前記支柱１２は、支持板１３やウエハｗ
を囲むように周方向に所定の間隔で配置されている。支
柱１２と底板１４及び天板１５とは例えば溶接等により
一体的に接合されている。
【００１８】前記ボート本体１６、支持板１３及びダミ
ープレート１７は、中高温例えば１０００℃以下の熱処
理温度で使用される場合には石英製であってもよいが、
比較的高温例えば１０５０℃〜１２００℃程度の熱処理
温度で使用される場合には炭化珪素（ＳｉＣ）製である
ことが好ましい。この場合、純度の低い炭化珪素からウ
エハｗへの汚染を防止するために、前記ボート本体１
６、支持板１３及びダミープレート１７には、加工後、
例えばＣＶＤ処理により保護膜が形成されていることが
好ましい。前記支持板１３及びダミープレート１７は、
略同じ外形に形成されている。
【００１９】前記天板１５及び底板１４は、それぞれ環
状に形成されている。高温の熱処理で使用される場合、
天板１５には熱応力を逃すためのスリット１８が設けら
れていることが好ましい。図示例では、天板１５及び底
板１４の周縁部の一部には棒状の温度検出器との干渉を
避けるための切欠部１９が設けられている。ボート本体
１６においては、前方からの支持板１３及びダミープレ
ート１７の着脱（取付取外）やウエハｗの出し入れを可
能とするために、前方が開口側となるように、左右及び
後方の少なくとも３ヵ所に支柱１２が配置されている。
なお、後方の支柱１２を左右に振り分けることにより、
支柱１２が計４本とされていてもよい。
【００２０】支持板１３及びダミープレート１７を安定
に支持するために、左右の支柱１２は、ボート本体１６
の左右方向の中心線Ｌａよりも若干前方に位置をずらし
て配置されている。そして、これら支柱１２の内側に
は、例えばボート本体１６の開口側から回転式研削刃を
挿入し、支柱１２の内側を研削して溝部２０を加工する
ことにより水平な爪部１１が所定ピッチ間隔で形成され
ている。この場合、爪部１１の熱容量を抑えてウエハｗ
の面内温度の均一化を図るために、爪部１１は薄く且つ
小さく形成されていることが好ましい。
【００２１】また、縦型熱処理装置１の高さの関係で設
定された熱処理用ボート９の限られたボート本体１６内
のスペースに所定枚数のウエハｗの搭載領域を確保する
ために、ダミープレート１７を支持する爪部１１のピッ
チ間隔Ｐａは、支持板１３を支持する爪部１１のピッチ
間隔Ｐｂよりも狭く形成されている。前記左右の支柱１
２の溝部２０の奥部はボート本体１６の前後方向の中心
線Ｌｂと平行に形成され、後方の支柱１２の溝部２０の
奥部は左右方向の中心線Ｌａと平行に形成されている。
そして、支持板１３及びダミープレート１７の外周に
は、左右の支柱１２の溝部２０の奥部と平行な切欠部２
１と、後方の支柱１２の溝部２０の奥部と平行な切欠部
２２とが形成され、ボート本体１６に対する支持板１３
及びダミープレート１７の確実且つ容易な取付性の向上
を図っている。
【００２２】前記支持板１３は、ウエハｗの周縁部を載
置し得るように円形のウエハｗよりも外径が若干大きい
環状に形成されている。ウエハｗの裏面を傷付けたり、
ウエハｗに自重応力によるスリップが発生したりしない
ようするために、支持板１３のウエハ搭載面（被処理体
搭載面）２３は鏡面状に研磨され、更に、ウエハｗの張
り付きを抑制するために、例えばサンドブラスト法等の
粗面加工により支持板１３のウエハ搭載面２３に微細な
凹凸（図示省略）が設けられている。
【００２３】そして、高温例えば１０５０℃〜１２００
℃の熱処理において支持板１３のウエハ搭載面２３にウ
エハｗが張り付く現象を抑制するために、前記支持板１
３のウエハ搭載面２３には溝２４及び貫通孔２５が設け
られている。図示例では、支持板１３のウエハ搭載面２
３に環状の溝２４が同心円状に複数例えば２つ形成さ
れ、支持板１３を上下方向に貫通する貫通孔２５が各溝
２４内に位置させてその周方向に所定の間隔で複数設け
られている。なお、前記溝２４は複数であることが好ま
しいが、１つであってもよい。また、前記溝２４は、周
方向に連続していることが好ましいが、周方向に断続的
に形成されていてもよい。更に、前記溝２４は、環状で
あることが好ましいが、放射状に形成されていてもよ
い。
【００２４】また、支持板１３の周縁部にはウエハｗの
滑落を防止するための立上り壁２６がウエハｗと略同じ
高さで設けられていることが好ましい。なお、支持板１
３のウエハ搭載面２３は微細な凹凸（粗面加工）や溝２
４、貫通孔２５（ウエハ移載時にウエハとウエハ搭載面
との間に溜まる空気を逃す機能）によってウエハｗが滑
りにくくなっているため、前記立上り壁２６は設けられ
ていなくてもよい。
【００２５】前記支持板１３には左右の支柱１２の爪部
１１に係止されて支持板１３の滑落を防止するための係
止部２７が設けられている。前記係止部２７は支持板１
３の裏面の左右縁部にそれぞれ下向きに突設され、前記
左右の爪部１１の後方側側面にそれぞれ当接して係止さ
れることにより、支持板１３の前方への移動を阻止する
ようになっている。なお、支持板１３の後方及び左右方
向への移動は支柱１２によって阻止される。
【００２６】前記係止部２７の熱容量を抑えてウエハｗ
の面内温度の均一化を図るために、係止部２７は薄く且
つ小さく形成されていることが好ましい。また、同様の
理由により、支持板１３の裏面は、前記係止部２７を除
いて極力平坦に形成されている。
【００２７】前記ダミープレート１７には、前記支持板
１３と同様に、図５に示すように左右の支柱１２の爪部
１１に係止されてダミープレート１７の滑落を防止する
ための係止部２８が設けられている。また、高温の熱処
理に使用されるダミープレート１７には、熱応力を逃す
ためのスリット２９が中心から前方に向う半径方向に設
けられていることが好ましい。
【００２８】以上の構成からなる熱処理用ボート９若し
くはこの熱処理用ボート９を使用した縦型熱処理装置１
によれば、熱処理用ボート９が、高さ方向に所定の間隔
で形成された爪部１１を有する複数の支柱１２に、ウエ
ハｗを搭載する支持板１３を前記爪部１１を介して多段
に取付けてなり、前記支持板１３のウエハ搭載面２３に
溝２４及び貫通孔２５を設けてなるため、支持板１３の
ウエハ搭載面２３とウエハｗとの間に空気層を形成する
ことができ、この空気層によってウエハｗの張り付きが
抑制されるようになり、高温の熱処理におけるウエハｗ
の張り付きとウエハ搭載面２３の極小な凸凹ないし微細
な凹凸や突起に起因するウエハｗの部分的な自重応力に
よるスリップの発生を抑制することが可能となる。
【００２９】また、前記支持板１３には左右の支柱１２
の爪部１１に係止されて支持板１３の滑落を防止するた
めの係止部２７が設けられているため、振動等による支
持板１３の滑落を防止することができ、耐震性及び耐久
性の向上が図れる。また、前記支柱１２の上端側及び下
端側にはダミープレート１７が前記爪部１１を介して取
付けられ、前記ダミープレート１７には左右の支柱１２
の爪部１１に係止されてダミープレート１７の滑落を防
止するための係止部２８が設けられているため、振動等
によるダミープレート１７の滑落を防止することがで
き、耐震性及び耐久性の向上が図れる。
【００３０】ダミープレート１７は、ＳｉＣ製の場合、
型成形が可能であるため、インゴットをスライスして製
作されるダミーウエハと異なり、係止部２８を容易に一
体形成することができる。更に、前記熱処理用ボート９
においては、ボート本体１６と支持板１３が別体に形成
されているため、製造、洗浄及び支持板１３の交換等が
容易である。
【００３１】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、支持板１３は、移載
機構によるウエハｗの移載を容易にするために前方が開
口された馬蹄形状に形成されていてもよい。また、前記
ボート本体１６、支持板１３及びダミープレート１７の
材質としては、炭化珪素が好ましいが、ポリシリコン
（Ｓｉ）であってもよい。被処理体としては、半導体ウ
エハ以外に、例えばＬＶＤ基板等であってもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
【００３３】（１）請求項１の発明によれば、高さ方向
に所定の間隔で形成された爪部を有する複数の支柱に、
被処理体を搭載する支持板を前記爪部を介して多段に取
付けてなる熱処理用ボートにおいて、前記支持板の被処
理体搭載面に溝及び貫通孔を設け、前記支持板には左右
の支柱の爪部に係止されて支持板の滑落を防止するため
の係止部が設けられているため、支持板の被処理体搭載
面と被処理体との間に空気層を形成して被処理体の張り
付きを抑制することができ、高温の熱処理における被処
理体の張り付きに起因するスリップの発生を抑制するこ
とができると共に、振動等による支持板の滑落を防止す
ることができる。
【００３４】（２）請求項２の発明によれば、前記支持
板の被処理体載置面には、環状の溝が同心円状に複数形
成され、支持板を上下方向に貫通する貫通孔が各溝内に
位置させてその周方向に所定の間隔で複数設けられてい
るため、支持板の被処理体搭載面と被処理体との間に空
気層を形成して被処理体の張り付きを抑制することがで
き、高温の熱処理における被処理体の張り付きに起因す
るスリップの発生を抑制することができる。
【００３５】（３）請求項３の発明によれば、前記支持
板の被処理体搭載面には被処理体の張り付きを抑制する
ための微細な凹凸が設けられているため、被処理体の張
り付きを更に抑制ないし防止することができ、高温の熱
処理における被処理体の張り付きに起因するスリップの
発生を更に十分に抑制ないし防止することができる。
【００３６】（４）請求項４の発明によれば、前記支柱
の上端側及び下端側にはダミープレートが前記爪部を介
して取付けられ、前記ダミープレートには左右の支柱の
爪部に係止されてダミープレートの滑落を防止するため
の係止部が設けられているため、振動等によるダミープ
レートの滑落を防止することができる。
【００３７】（５）請求項５の発明によれば、高さ方向
に所定の間隔で形成された爪部を有する複数の支柱に、
被処理体を搭載する支持板を前記爪部を介して多段に取
付けてなる熱処理用ボートを備えた縦型熱処理装置にお
いて、前記支持板の被処理体搭載面に溝及び貫通孔を設
け、前記支持板には左右の支柱の爪部に係止されて支持
板の滑落を防止するための係止部が設けられているた
め、支持板の被処理体搭載面と被処理体との間に空気層
を形成して被処理体の張り付きを抑制することができ、
高温の熱処理における被処理体の張り付きに起因するス
リップの発生を抑制することができると共に、振動等に
よる支持板の滑落を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す縦型熱処理装置の縦
断面図である。
【図２】熱処理用ボートのボート本体を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線縦断面図で
ある。
【図３】熱処理用ボートの支持板部分を示す横断面図で
ある。
【図４】図３のＢ−Ｂ線拡大断面図である。
【図５】熱処理用ボートのダミープレート部分を示す横
断面図である。
【符号の説明】
ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 縦型熱処理装置 ９ 熱処理用ボート １１ 爪部 １２ 支柱 １３ 支持板 １７ ダミープレート ２３ ウエハ搭載面（被処理体搭載面） ２４ 溝 ２５ 貫通孔 ２７ 係止部 ２８ 係止部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ (56)参考文献 特開 平10−270369（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−260746（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/22

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高さ方向に所定の間隔で形成された爪部
    を有する複数の支柱に、被処理体を搭載する支持板を前
    記爪部を介して多段に取付けてなる熱処理用ボートにお
    いて、前記支持板の被処理体搭載面に溝及び貫通孔を設
    け、前記支持板には左右の支柱の爪部に係止されて支持
    板の滑落を防止するための係止部が設けられていること
    を特徴とする熱処理用ボート。
  2. 【請求項２】 前記支持板の被処理体載置面には、環状
    の溝が同心円状に複数形成され、支持板を上下方向に貫
    通する貫通孔が各溝内に位置させてその周方向に所定の
    間隔で複数設けられていることを特徴とする請求項１記
    載の熱処理用ボート。
  3. 【請求項３】 前記支持板の被処理体搭載面には被処理
    体の張り付きを抑制するための微細な凹凸が設けられて
    いることを特徴とする請求項１又は２記載の熱処理用ボ
    ート。
  4. 【請求項４】 前記支柱の上端側及び下端側にはダミー
    プレートが前記爪部を介して取付けられ、前記ダミープ
    レートには左右の支柱の爪部に係止されてダミープレー
    トの滑落を防止するための係止部が設けられていること
    を特徴とする請求項１記載の熱処理用ボート。
  5. 【請求項５】 高さ方向に所定の間隔で形成された爪部
    を有する複数の支柱に、被処理体を搭載する支持板を前
    記爪部を介して多段に取付けてなる熱処理用ボートを備
    えた縦型熱処理装置において、前記支持板の被処理体搭
    載面に溝及び貫通孔を設け、前記支持板には左右の支柱
    の爪部に係止されて支持板の滑落を防止するための係止
    部が設けられていることを特徴とする縦型熱処理装置。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7033168B1 (en) * 2005-01-24 2006-04-25 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer boat for a vertical furnace
JP2007201417A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Tokyo Electron Ltd 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
US8109975B2 (en) * 2007-01-30 2012-02-07 Warsaw Orthopedic, Inc. Collar bore configuration for dynamic spinal stabilization assembly
JP4313401B2 (ja) * 2007-04-24 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
JP5088331B2 (ja) * 2009-01-26 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
JP5545055B2 (ja) * 2010-06-15 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 支持体構造及び処理装置
JP5881956B2 (ja) * 2011-02-28 2016-03-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびウェーハホルダ
KR101052010B1 (ko) * 2011-04-25 2011-07-27 주식회사 페어텍 내구성이 향상된 푸셔 스프링이 구비된 ｌｃｄ 글라스 홀딩장치
CN103928375A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种适用于大气压炉的新型石英舟
CN104253077B (zh) * 2013-06-26 2017-08-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于扩散炉管的晶座
USD847105S1 (en) * 2018-05-03 2019-04-30 Kokusai Electric Corporation Boat of substrate processing apparatus
USD846514S1 (en) * 2018-05-03 2019-04-23 Kokusai Electric Corporation Boat of substrate processing apparatus
JP7245071B2 (ja) * 2019-02-21 2023-03-23 株式会社ジェイテクトサーモシステム 基板支持装置
JP1658652S (ja) * 2019-08-07 2020-04-27
JP6770617B1 (ja) * 2019-08-09 2020-10-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
CN112466794B (zh) * 2020-11-24 2021-12-03 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及晶舟组件
CN112530826B (zh) * 2020-11-27 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0538869U (ja) * 1991-10-18 1993-05-25 富士通株式会社 ウエーハ支持装置
TW242196B (ja) * 1992-12-03 1995-03-01 Saint Gdbain Norton Ind Ceramics Corp
US5458688A (en) * 1993-03-09 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment boat
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
JP3388668B2 (ja) 1996-02-29 2003-03-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理用ボ−ト及び縦型熱処理装置
JP3469000B2 (ja) * 1996-08-02 2003-11-25 三井造船株式会社 縦型ウエハ支持装置
JPH1131639A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH11260746A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェーハ支持板
WO2000019502A1 (fr) * 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Fourneau vertical et nacelle porte-tranches
JP4003906B2 (ja) * 1999-03-19 2007-11-07 コバレントマテリアル株式会社 シリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いたシリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用装置
CN100386847C (zh) * 1999-09-03 2008-05-07 三菱住友硅晶株式会社 晶片保持架
US6287112B1 (en) * 2000-03-30 2001-09-11 Asm International, N.V. Wafer boat
KR100410982B1 (ko) * 2001-01-18 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 보트
JP4467028B2 (ja) * 2001-05-11 2010-05-26 信越石英株式会社 縦型ウェーハ支持治具

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