WO2003060968A1 - Nacelle pour traitement thermique et equipement de traitement thermique vertical - Google Patents

Nacelle pour traitement thermique et equipement de traitement thermique vertical Download PDF

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WO2003060968A1
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Shinji Irie
Hirofumi Sakai
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Tokyo Electron Limited
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    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Definitions

  • the present invention relates to a boat for heat treatment and a vertical heat treatment apparatus. Background technology
  • a vertical heat treatment apparatus capable of heat treating a large number of wafers at once is used.
  • a heat treatment boat for mounting a large number of items (1) and (2) is used.
  • the back surface of the wafer is damaged, and slip of the wafer due to its own weight stress easily occurs.
  • the surface of the support plate is polished to a mirror surface in order to solve such a problem, the wafer tends to stick to the surface of the support plate. Therefore, after the surface of the support plate is polished, it is preferable that the surface of the support plate is slightly roughened by, for example, sandblasting.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a boat for heat treatment and a vertical heat treatment apparatus capable of suppressing the occurrence of slip of a workpiece during a high-temperature heat treatment. I do.
  • the present invention is characterized in that a plurality of pillars, a plurality of claw portions formed at predetermined intervals in a height direction in each of the pillars, and a plurality of pillars attached between the plurality of pillars via the claw portions,
  • a boat for heat treatment comprising: a plurality of support plates having an object mounting surface on which an object can be mounted; and grooves and through holes provided on the object mounting surface.
  • an air layer is formed between the processing object mounting surface of the support plate and the processing object due to the grooves and the through holes provided on the processing object mounting surface. Sticking can be suppressed. Thereby, even during a high-temperature heat treatment, occurrence of slip due to sticking of the object to be processed can be suppressed.
  • fine irregularities for suppressing sticking of the object to be processed are provided on the surface of the object to be processed. In this case, the effect of suppressing sticking of the object to be processed is increased.
  • the support plate is also substantially circular, and the plurality of columns are arranged perpendicularly to the support plate, behind, left, and right of the support plate. Is preferred. In this case, loading and unloading of the object to be processed are easy.
  • the support plate includes a left locking portion that is locked to a claw portion of a left support of the support plate to prevent the support plate from sliding down, and a right support of the support plate. And a right locking portion that is locked to the claw portion of the support plate to prevent the support plate from sliding down. In this case, slippage of the support plate due to vibration or the like can be prevented.
  • the left locking portion and the right locking portion are stopper members that come into contact with a side wall portion of the claw portion.
  • the support plate includes a left engagement hole that engages with an upper portion of a claw portion of a left support of the support plate, and an upper portion of a claw portion of a right support of the support plate. And a rear engagement hole that engages with an upper portion of a claw portion of a rear column of the support plate.
  • the support plate can be prevented from sliding down due to vibration or the like.
  • a dummy plate is attached to an upper end and a lower end of the column.
  • a plurality of dummy plates are attached to the upper end and the lower end of the support in a multi-stage manner between the plurality of supports via the claws.
  • the dummy plate is also substantially circular, and the plurality of columns are perpendicular to the dummy plate, rearward, leftward, and rightward of the dummy plate. Preferably, they are arranged.
  • the dummy plate includes: a dummy plate left locking portion that is locked to a claw portion of a left support of the dummy plate to prevent the dummy plate from sliding; and a right side of the dummy plate. And a right locking portion of a dummy plate which is locked to the claw portion of the column to prevent the dummy plate from sliding down. In this case, sliding down of the dummy plate due to vibration or the like can be prevented.
  • the dummy plate left locking portion and the dummy plate right locking portion are stopper members that abut against the side wall portion of the claw portion.
  • the dummy plate includes a dummy plate left engagement hole that engages with an upper portion of a claw portion of a left column of the dummy plate, and a claw portion of a right column of the dummy plate.
  • a dummy plate right engagement hole that engages with the upper portion, and a dummy plate rear engagement hole that engages with the upper portion of the claw portion of the post behind the dummy plate are provided. Also in this case, slippage of the dummy plate due to vibration or the like can be prevented.
  • the present invention is a vertical heat treatment apparatus comprising: a heat treatment boat having the above characteristics; and a heat treatment furnace capable of housing the heat treatment boat.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a vertical heat treatment apparatus showing one embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A and 2B are views showing the boat body of the heat treatment boat, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a longitudinal sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a support plate portion of the heat treatment boat.
  • FIG. 4 is an enlarged sectional view taken along line BB of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a dummy plate portion of the heat treatment boat.
  • FIG. 6 is a view similar to FIG. 4 for illustrating a function of preventing a support plate from slipping down by an engagement hole.
  • FIG. 7 is a view similar to FIG. 6 for explaining the function of the dummy plate engaging hole to prevent the dummy plate from slipping.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a vertical heat treatment apparatus showing one embodiment of the present invention
  • FIGS. 2 (a) and 2 (b) are views showing a boat body of a heat treatment boat
  • FIG. 3 is a support plate portion of the heat treatment boat.
  • FIG. 4 is an enlarged sectional view taken along the line BB of FIG. 3
  • FIG. 5 is a transverse sectional view showing a dummy plate portion of the heat treatment boat.
  • a vertical heat treatment apparatus 1 comprises a quartz reaction tube 2 which constitutes a heat treatment furnace for accommodating an object to be processed, for example, a semiconductor wafer W, and performing a predetermined processing, for example, CVD processing. (Processing vessel).
  • the reaction tube 2 has a double tube structure of the inner tube 2a and the outer tube 2b, but may have a single tube structure of only the outer tube 2b.
  • a gas introduction pipe (gas introduction port) 3 for introducing a processing gas or an inert gas for purging into the reaction pipe 2 and an exhaust pipe (gas exhaust port) for exhausting the inside of the reaction pipe 2 are provided below the reaction pipe 2.
  • An annular manifold 5 having an exhaust port 4 is hermetically connected.
  • a gas supply system pipe is connected to the gas introduction pipe section 3.
  • An exhaust system pipe having a vacuum pump, a pressure control valve, and the like capable of controlling the pressure inside the reaction tube 2 is connected to the exhaust pipe section 4 (not shown).
  • the manifold 5 is attached to a base plate (not shown).
  • a cylindrical heater 8 is provided around the reaction tube 2 so that the inside of the reaction tube 2 can be controlled to be heated to a predetermined temperature, for example, 300 to 1200 ° C.
  • a manifold 5 at the lower end of the reaction tube 2 forms a furnace port 6 of a heat treatment furnace.
  • a lid 7 for opening and closing the furnace 6 is provided so as to be able to move up and down by a lifting mechanism 8.
  • the lid 7 comes into contact with the open end of the manifold 5 to tightly close the furnace B 6.
  • a large number (for example, about 75 to 100) of large-diameter (for example, 300 to 100) diameter wafers W are supported in multiple stages at horizontal intervals in the horizontal state.
  • the heat treatment boat 9 is placed via a heat retaining cylinder 10 which is a furnace heat insulation means.
  • the boat 9 is loaded (loaded) into the reaction tube 2 by raising the lid 7 by the lifting mechanism 8, and is unloaded (discharged) from inside the reaction tube 2 by lowering the lid 7. .
  • the heat treatment boat 9 includes a plurality of (for example, three) columns 12 having claws 11 formed at predetermined intervals in the height direction, and the claws 12. And a support plate 13 on which the wafers W mounted in multiple stages via the unit 11 are mounted. More specifically, the heat treatment boat 9 includes a boat body 16 including a bottom plate 14, a top plate 15, and the plurality of columns 12 extending between the bottom plate 14 and the top plate 15. Prepare. The support plate 13 is supported in multiple stages on the column 12 of the boat body 16 via the claw portion 11.
  • a plurality of are provided on the upper end side and the lower end side of the column 12 via the claw portion 11. Dummy plate 17 as shown in FIG. 5 is supported.
  • the columns 12 are arranged at predetermined intervals in the circumferential direction so as to surround the support plate 13 and the wafer W.
  • the support 12, the bottom plate 14, and the top plate 15 are integrally joined by, for example, welding.
  • the boat body 16, the support plate 13 and the dummy plate 17 may be made of quartz when used at a medium and high temperature, for example, a heat treatment temperature of 1000 ° C. or less. However, when it is used at a relatively high temperature, for example, at a heat treatment temperature of about 150 ° C. to 1200 ° C., it is preferably made of silicon carbide (SiC). In this case, in order to prevent the wafer W from being contaminated by the low-purity silicon carbide material, the boat body 16, the support plate 13, and the dummy plate 17 are provided with a protective film after processing, for example, by a CVD process. Is preferably formed. Further, the support plate 13 and the dummy plate 17 are formed to have substantially the same outer shape.
  • the top plate 15 and the bottom plate 14 are each formed in an annular shape.
  • the top plate 15 is preferably provided with a slit 18 for releasing thermal stress.
  • a notch 19 is provided at a part of the periphery of the bottom plate 5 and the bottom plate 14 to avoid interference with the rod-shaped temperature detector.
  • the support pillars 12 are not arranged in the front area so that the support plate 13 and the dummy plate 17 can be attached and detached (attached and detached) from the front and the wafer W can be taken in and out.
  • At least three columns 12 are arranged in the left, right, left and rear areas. Two pillars 12 in the rear area may be provided on the left and right, and four pillars 12 may be used.
  • the left and right columns 12 are arranged slightly forward of the left-right center line La of the boat body 16 as shown in FIG. Have been.
  • Horizontal claws 11 are formed at predetermined pitch intervals inside the columns 12.
  • These claw portions 11 can be formed, for example, by inserting a rotary grinding blade from the opening side of the boat body 16 and grinding the inside of the column 12 to cover the groove portion 20. In this case, it is preferable that the claw portion 11 be formed thin and small in order to suppress the heat capacity of the claw portion 11 and make the in-plane temperature of the wafer W uniform.
  • a dummy plate 17 The pitch interval Pa of the claw portion 11 supporting the support plate 13 is formed narrower than the pitch interval Pa of the claw portion 11 supporting the support plate 13.
  • the depth (rear surface) of the groove 20 of the left and right columns 12 is formed parallel to the center line La of the boat body 16 in the front-rear direction.
  • the back (back surface) of the groove 20 of the rear support column 12 is formed parallel to the left-right center line La of the boat body 16.
  • a notch 21 parallel to the depth (rear side) of the groove 20 of the left and right support columns 12 is formed on the outer periphery of the support plate 13 and the dummy plate 17, as shown in FIG.
  • a notch 22 parallel to the back (rear) of the groove 20 of the column 12 is formed.
  • the support plate 13 is formed in an annular shape whose outer diameter is slightly larger than that of the circular wafer W so that the peripheral portion of the wafer W is placed thereon. Here, the back surface of the wafer W was scratched
  • the wafer mounting surface of the support plate 13 (workpiece mounting surface) 23 is polished to a mirror surface, and then the wafer W is adhered.
  • fine irregularities are provided on the wafer mounting surface 23 of the support plate 13 by, for example, rough surface processing such as a sand plast method.
  • a method of polishing in advance with a desired surface roughness is also effective.
  • the support plate 13 A groove 24 and a through hole 25 are provided on the wafer mounting surface 23.
  • a plurality of, for example, two concentric circular grooves 24 are formed on the wafer mounting surface 23 of the support plate 13 and the support plate A plurality of through holes 25 vertically passing through 13 are provided at predetermined intervals in the circumferential direction in each groove 24.
  • the number of the grooves 24 is preferably plural, but may be one.
  • the groove 24 is preferably continuous in the circumferential direction, but may be formed intermittently in the circumferential direction.
  • the groove 24 is preferably annular, but may be formed radially.
  • the grooves 24 may be formed in a mesh shape. That is, the arrangement shape of the grooves 24 is not limited.
  • a rising wall 26 for preventing the wafer W from sliding down is provided on the periphery of the support plate 13 to a height substantially equal to that of the wafer W.
  • the wafer mounting surface 23 of the support plate 13 has fine irregularities (rough surface processing), grooves 24 and through holes 25 (allows air trapped between the wafer and the wafer mounting surface during wafer transfer to escape ) Makes the wafer W less slippery, so the rising wall 26 may not necessarily be provided.
  • the support plate 13 includes left and right locking portions, which are locked to the claw portions 11 of the left and right columns 12 to prevent the support plate 13 from slipping, and have a stopper member 27. Is provided.
  • the stopper members 27 project downward from the left and right edges of the back surface of the support plate 13, respectively. Since the stopper members 27 abut against the left and right side surfaces of the left and right claw portions 11 and are locked, forward movement of the support plate 13 is prevented.
  • the support plate 13 is moved rearward and left and right by the support columns 12. Is blocked.
  • the stopper member 27 In order to suppress the heat capacity of the stopper member 27 and make the in-plane temperature of the wafer W uniform, it is preferable that the stopper member 27 be formed thin and small. For the same reason, the back surface of the support plate 13 is formed as flat as possible except for the stopper member 27.
  • the dummy plate 17 is engaged with the claw portions 11 of the left and right columns 12 to prevent the dummy plate 17 from sliding down, as in the case of the support plate 13.
  • a stopper member 28 is provided as a dummy plate left locking portion and a dummy plate right locking portion.
  • a slit 29 for releasing thermal stress is preferably provided in a radial direction from the center of the dummy plate 17 to the front. .
  • the heat treatment boat 9 is provided with the claw portions 11 formed at predetermined intervals in the height direction.
  • the support plate 13 for mounting the wafer W is mounted in multiple stages via the claw portions 11 on a plurality of columns 12 having the following.
  • the grooves 24 and the through holes are formed in the wafer mounting surface 23 of the support plate 13. Since the holes 25 are provided, an air layer is formed between the wafer mounting surface 23 of the support plate 13 and the wafer W, and the sticking of the wafer W is suppressed by the air layer.
  • sticking of the wafer W is prevented, and slip due to the partial weight stress of the wafer W due to the minimal unevenness or projections on the wafer mounting surface 23 is prevented. Can be suppressed.
  • the support plate 13 is provided with a stopper member 27 which is locked to the claw portions 11 of the left and right columns 12 to prevent the support plate 13 from slipping, the support plate 13 is supported by vibration or the like. Slipping of the plate 13 can be prevented, that is, the earthquake resistance and durability are improved.
  • Dummy plates 17 are attached to the upper and lower ends of the columns 12 via the claws 11, and the dummy plates 17 are locked to the claws 11 of the right and left columns 12. Since the stopper member 28 is provided to prevent the dummy plate 17 from sliding down, the dummy plate 17 can be prevented from sliding down due to vibration or the like, that is, the earthquake resistance and durability are improved. You.
  • the dummy plate 17 is made of SiC, it can be molded. In this case, Unlike a dummy wafer manufactured by slicing a nail, the stopper member 28 can be easily formed integrally. Further, in the boat 9 for heat treatment, since the boat main body 16 and the support plate 13 are formed separately, manufacturing, cleaning, replacement of the support plate 13 and the like are easy.
  • the support plate 13 may be formed in a horseshoe shape with an open front in order to facilitate the transfer of the wafer W by the transfer mechanism.
  • the material of the boat body 16, the support plate 13 and the dummy plate 17 is preferably silicon carbide, but may be polysilicon (Si).
  • the object to be processed may be, for example, an LVD substrate or the like other than the semiconductor wafer.
  • an engagement hole as shown in FIGS. 6 and 7 is used instead of the strike and the sopa members 27 and 28 described above. Is also good.
  • the left engagement hole 1 27 engaging with the upper part of the claw portion of the left support of the support plate 13 on the back surface of the support plate 13 and the right support of the right support of the support plate 13
  • a right engagement hole 1 2 7 ′ engaging the upper portion of the claw portion, and a rear engagement hole 1 2 7 ′′ engaging the upper portion of the claw portion of the post on the rear side of the support plate 13 are provided.
  • the support plate 13 is prevented from sliding down.
  • the same configuration can be adopted for the dummy plate 17 in order to prevent slipping. That is, as shown in FIG. 7, a dummy plate left engaging hole 1 28 engaging with the upper part of the claw portion of the left support of the dummy plate 17 on the back surface of the dummy plate 17, and a dummy plate 17 Dummy plate right engaging hole 1 2 8, which engages with the upper part of the right column of the right column 17, and dummy plate rear engaging member which engages with the upper portion of the column of the rear column of the dummy plate 17.
  • a hole 1228 is provided to prevent the dummy plate 17 from slipping.

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Description

明 細 書 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置 · 技 術 分 野
本発明は、 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置に関する。 背 景 技 術
半導体装置の製造工程には、 被処理体例えば半導体ウェハに例えば酸化、 拡散、
C VD、 ァニール等の各種の熱処理を施す工程がある。 これらの工程を実行する ための熱処理装置の一つとして、 多数のウェハを一度に熱処理することが可能な 縦型熱処理装置が用いられている。 この縦型熱処理装置においては、 多数のゥェ )、を搭載するための熱処理用ボートが用いられている。
この熱処理用ボ一トとして、 ウェハの周縁部を環状の支持板で支持するように したリングボートが提案されている (例えば、 特閧平 9一 2 3 7 7 8 1号公報等 参照) 。 この場合、 ウェハの大口径化 (例えば直径 3 0 0 mm) に伴って増大す る傾向にある自重応力によるスリップ (結晶欠陥) が低減される。 更に、 ウェハ 中央部よりも昇降温速度の速いウェハ周縁部の熱容量が増大するので、 処理の面 内均一性の向上が図られ得る。
ところで、 このような熱処理用ポートにおいて、 前記支持板の表面に微小な凸 凹ないし突起があると、 ウェハの裏面が傷付いたり、 ウェハにおいて自重応力に よるスリップが発生し易くなる。 一方、 このような問題を解消するために、 前記 支持板の表面が鏡面状に研磨されると、 当該支持板の表面にウェハが張り付き易 くなつてしまう。 従って、 前記支持板の表面が研磨された後で、 例えばサンドブ ラスト法等により、 当該支持板の表面が少しだけ荒らされていることが好ましい。 しかしながら、 前述した熱処理用ボートの場合、 高温例えば 1 0 5 0 °C;〜 1 2 0 0 °Cの熱処理時に、 支持板の表面にウェハが張り付く現象が発生してしまう。 そして、 当該張り付き現象と支持板表面の極小な凸凹ないし突起により、 ウェハ に部分的な自重応力によるスリツプが発生するととがあった。 発 明 の 要 旨
本発明は、 前記事情を考慮してなされたもので、 高温の熱処理時における被処 理体のスリップの発生を抑制することができる熱処理用ボート及び縦型熱処理装 置を提供することを目的とする。
本発明は、 複数の支柱と、 前記支柱の各々において、 高さ方向に所定の間隔で 形成された複数の爪部と、 前記爪部を介して前記複数の支柱間に多段に取り付け られた、 被処理体を搭載可能な被処理体搭載面を有する複数の支持板と、 前記被 処理体搭載面に設けられた溝及び貫通孔と、 を備えたことを特徴とする熱処理用 ボートである。
本発明によれば、 被処理体搭載面に設けられた溝及び貫通孔のために、 支持板 の被処理体搭載面と被処理体との間に空気層が形成されて、 被処理体の張り付き が抑制され得る。 これにより、 高温の熱処理時であっても、 被処理体の張り付き に起因するスリップの発生が抑制され得る。
好ましくは、 前記被処理体搭載面には、 被処理体の張り付きを抑制するための 微細な凹凸が設けられている。 この場合、 被処理体の貼り付き抑制効果が増大さ れる。
一般には、 被処理体は略円形であるので、 支持板も略円形であると共に、 前記 複数の支柱は、 前記支持板に垂直に、 前記支持板の後方、 左方及び右方に配置さ れていることが好ましい。 この場合、 被処理体の搭載及び取り出しが容易である。 また、 好ましくは、 前記支持板には、 前記支持板の左方の支柱の爪部に係止さ れて当該支持板の滑落を防止する左係止部と、 前記支持板の右方の支柱の爪部に 係止されて当該支持板の滑落を防止する右係止部と、 が設けられている。 この場 合、 振動等による支持板の滑落が防止され得る。
例えば、 前記左係止部及び前記右係止部は、 爪部の側壁部に当接するストッパ 部材である。
あるいは、 好ましくは、 前記支持板には、 前記支持板の左方の支柱の爪部の上 部に係合する左係合孔と、 前記支持板の右方の支柱の爪部の上部に係合する右係 合孔と、 前記支持板の後方の支柱の爪部の上部に係合する後方係合孔と、 が設け られている。 この場合も、 振動等による支持板の滑落が防止され得る。 また、 好ましくは、 前記支柱の上端部及び下端部には、 ダミ一プレートが取り 付けられている。 具体的には、 好ましくは、 前記支柱の上端部及び下端部には、 それそれ複数のダミープレートが、 前記爪部を介して前記複数の支柱間に多段に 取り付けられている。
一般には、 被処理体は略円形であるので、 ダミープレートも略円形であると共 に、 前記複数の支柱は、 前記ダミープレートに垂直に、 前記ダミープレートの後 方、 左方及び右方に配置されていることが好ましい。
そして、 好ましくは、 前記ダミープレートには、 前記ダミ一プレートの左方の 支柱の爪部に係止されて当該ダミープレートの滑落を防止するダミープレート左 係止部と、 前記ダミープレートの右方の支柱の爪部に係止されて当該ダミープレ —トの滑落を防止するダミープレート右係止部と、 が設けられている。 この場合、 振動等によるダミープレートの滑落が防止され得る。
例えば、 前記ダミ一プレート左係止部及び前記ダミープレート右係止部は、 爪 部の側壁部に当接するストツパ部材である。
あるいは、 好ましくは、 前記ダミ一プレートには、 前記ダミープレートの左方 の支柱の爪部の上部に係合するダミ一プレート左係合孔と、 前記ダミープレート の右方の支柱の爪部の上部に係合するダミ一プレート右係合孔と、 前記ダミープ レートの後方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレート後方係合孔と、 が設 けられている。 この場合も、 振動等によるダミープレートの滑落が防止され得る。 また、 本発明は、 上記の特徴を有する熱処理用ボートと、 当該熱処理用ボート を収容可能な熱処理炉と、 を備えたことを特徴とする縦型熱処理装置である。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の一実施の形態を示す縦型熱処理装置の断面図である。
図 2は、 熱処理用ボートのボート本体を示す図で、 (a ) は平面図、 (b ) は ( a ) の A— A線縦断面図である。
図 3は、 熱処理用ボートの支持板部分を示す横断面図である。
図 4は、 図 3の B— B線拡大断面図である。
図 5は、 熱処理用ボ一トのダミ一プレート部分を示す横断面図である。 図 6は、 係合孔による支持板の滑落防止機能を説明するための図 4と同様の図 である。
図 7は、 ダミープレート係合孔によるダミープレートの滑落防止機能を説明す るための図 6と同様の図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。 図 1は本発明の 一実施の形態を示す縦型熱処理装置の断面図、 図 2 ( a ) ( b ) は熱処理用ボー トのボート本体を示す図、 図 3は熱処理用ボートの支持板部分を示す横断面図、 図 4は図 3の B— B線拡大断面図、 図 5は熱処理用ボートのダミープレート部分 を示す横断面図である。
図 1に示すように、 縦型熱処理装置 1は、 被処理体例えば半導体ウェハ Wを収 容して所定の処理、 例えば C VD処理、 を施すための熱処理炉を構成する石英製 の反応管 2 (処理容器) を備えている。
反応管 2は、 本実施の形態では内管 2 aと外管 2 bとの二重管構造とされてい るが、 外管 2 bだけの単管構造であってもよい。 また、 反応管 2の下部には、 反 応管 2内に処理ガスやパージ用の不活性ガスを導入するガス導入管部 (ガス導入 ポート) 3と反応管 2内を排気する排気管部 (排気ポート) 4とを有する環状の マ二ホールド 5が、 気密に接続されている。
前記ガス導入管部 3には、 ガス供給系の配管が接続されている。 前記排気管部 4には、 反応管 2内を減圧制御可能な真空ポンプや圧力制御弁等を有する排気系 の配管が接続されている (図示省略) 。 前記マ二ホールド 5は、 図示しないべ一 スプレートに取付られている。 また、 前記反応管 2の周囲には、 反応管 2内を所 定の温度例えば 3 0 0〜 1 2 0 0 °Cに加熱制御可能なように、 円筒状のヒータ 8 が設けられている。
前記反応管 2の下端のマ二ホールド 5は、 熱処理炉の炉口 6を形成している。 熱処理炉の下方には、 炉ロ 6を開閉する蓋体 7が、 昇降機構 8により昇降可能に 設けられている。 前記蓋体 7は、 マ二ホールド 5の開口端に当接して炉ロ 6を密 閉するようになっている。 この蓋体 7上には、 大口径 (例えば直径 3 0 0 mm) の多数枚 (例えば 7 5〜 1 0 0枚程度) のウェハ Wを水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する 熱処理用ボート 9が、 炉ロ断熱手段である保温筒 1 0を介して載置されている。 前記ボート 9は、 昇降機構 8による蓋体 7の上昇により反応管 2内にロード (搬 入) され、 蓋体 7の下降により反応管 2内からアンロード (排出) されるように なっている。
一方、 前記熱処理用ボート 9は、 図 2〜図 4に示すように、 高さ方向に所定の 間隔で形成された爪部 1 1を有する複数 (例えば 3本) の支柱 1 2と、 前記爪部 1 1を介して多段に取付けられたウェハ Wを搭載する支持板 1 3と、 を備えてい る。 より具体的には、 前記熱処理用ボ一ト 9は、 底板 1 4と天板 1 5と底板 1 4 及び天板 1 5の間に延びる前記複数の支柱 1 2とからなるボート本体 1 6を備え る。 ボート本体 1 6の支柱 1 2に、 爪部 1 1を介して、 支持板 1 3が多段に支持 されている。 これら複数の支持板 1 3が存在する領域内での熱処理条件を均一に するために、 前記支柱 1 2の上端側及び下端側には、 前記爪部 1 1を介して、 複 数 (例えば 3〜4枚) の図 5に示すようなダミープレート 1 7が支持されている。 前記支柱 1 2は、 支持板 1 3やウェハ Wを囲むように周方向に所定の間隔で配置 されている。 支柱 1 2と底板 1 4と天板 1 5とは、 例えば溶接等により、 一体的 に接合されている。
ボート本体 1 6、 支持板 1 3及びダミープレート 1 7は、 中高温例えば 1 0 0 0 °C以下の熱処理温度で使用される場合には石英製であってもよい。 しかし、 比 較的高温例えば 1 0 5 0 °C〜 1 2 0 0 °C程度の熱処理温度で使用される場合には 炭化珪素 (S i C ) 製であることが好ましい。 この場合、 純度の低い炭化珪素材 料によってウェハ Wが汚染されることを防止するために、 ボート本体 1 6、 支持 板 1 3及びダミープレート 1 7には、 加工後、 例えば C V D処理により保護膜が 形成されていることが好ましい。 また、 支持板 1 3及びダミ一プレート 1 7は、 略同じ外形に形成される。
天板 1 5及び底板 1 4は、 それそれ環状に形成されている。 高温の熱処理で使 用される場合、 天板 1 5には熱応力を逃がすためのスリツト 1 8が設けられてい ることが好ましい。 また、 本実施の形態では、 図 2 ( a ) に示すように、 天板 1 5及び底板 1 4の周縁部の一部に、 棒状の温度検出器との干渉を避けるための切 欠部 1 9が設けられている。
ボート本体 1 6においては、 前方からの支持板 1 3及びダミープレート 1 7の 着脱 (取付及び取外) やウェハ Wの出し入れを可能とするために、 前方領域には 支柱 1 2は配置されないで、 左右及び後方領域の少なくとも 3ケ所に支柱 1 2が 配置されている。 後方領域の支柱 1 2を左右に 2本設けて、 支柱 1 2を 4本用い てもよい。
支持板 1 3及びダミープレート 1 7をより安定に支持するために、 左右の支柱 1 2は、 図 3に示すように、 ボート本体 1 6の左右方向の中心線 L aよりも若干 前方に配置されている。 そして、 これら支柱 1 2の内側には、 水平な爪部 1 1が 所定ピッチ間隔で形成されている。 これらの爪部 1 1は、 例えばボート本体 1 6 の開口側から回転式研削刃を挿入し、 支柱 1 2の内側を研削して溝部 2 0をカェ することにより形成され得る。 この場合、 爪部 1 1の熱容量を抑えてウェハ Wの 面内温度の均一化を図るために、 爪部 1 1は薄く且つ小さく形成されていること が好ましい。
また、 縦型熱処理装置 1の高さの関係で設定された熱処理用ボート 9のボート 本体 1 6内の限られたスペースに所定枚数のウェハ Wの搭載領域を確保するため に、 ダミープレート 1 7を支持する爪部 1 1のピッチ間隔 P aは、 支持板 1 3を 支持する爪部 1 1のピッチ間隔 P aよりも狭く形成されている。
左右の支柱 1 2の溝部 2 0の奥部 (背面) は、 ボート本体 1 6の前後方向の中 心線 L aと平行に形成されている。 一方、 後方の支柱 1 2の溝部 2 0の奥部 (背 面) は、 ボート本体 1 6の左右方向の中心線 L aと平行に形成されている。 そし て、 支持板 1 3及びダミープレート 1 7の外周には、 図 3に示すように、 左右の 支柱 1 2の溝部 2 0の奥部 (背面) に平行な切欠部 2 1と、 後方の支柱 1 2の溝 部 2 0の奥部 (背面) に平行な切欠部 2 2と、 が形成されている。 これにより、 ボート本体 1 6に対して、 支持板 1 3及びダミープレート 1 7が確実且つ容易に 取付けられ得る。
前記支持板 1 3は、 ウェハ Wの周縁部を載置するように、 円形のウェハ Wより も外径が若干大きい環状に形成されている。 ここで、 ウェハ Wの裏面を傷付けた り、 ウェハ Wに自重応力によるスリップが発生したりしないようにするために、 支持板 1 3のウェハ搭載面 (被処理体搭載面) 2 3は鏡面状に研磨され、 その後、 ウェハ Wの張り付きを抑制するために、 例えばサンドプラスト法等の粗面加工に より、 支持板 1 3のウェハ搭載面 2 3に微細な凹凸 (図示省略) が設けられてい る。 あるいは、 鏡面状への研磨加工とその後の粗面加工との両方を行う代わりに、 予め所望の表面粗さを狙って研磨加工する方法も有効である。
そして、 高温例えば 1 0 5 0 °C〜1 2 0 0 °Cの熱処理時においても支持板 1 3 のウェハ搭載面 2 3にウェハ Wが張り付く現象を抑制するために、 前記支持板 1 3のウェハ搭載面 2 3に、 溝 2 4及び貫通孔 2 5が設けられている。 本実施の形 態では、 図 3及び図 4に示すように、 支持板 1 3のウェハ搭載面 2 3に、 環状の 同心円状の複数例えば 2本の溝 2 4が形成されると共に、 支持板 1 3を上下方向 に貫通する貫通孔 2 5が、 各溝 2 4内でその周方向に所定の間隔で複数設けられ ている。 なお、 前記溝 2 4は複数であることが好ましいが、 1つであってもよい。 また、 前記溝 2 4は、 周方向に連続していることが好ましいが、 周方向に断続的 に形成されていてもよい。 更に、 前記溝 2 4は、 環状であることが好ましいが、 放射状に形成されていてもよい。 その他、 溝 2 4は、 メッシュ状にも形成され得 る。 すなわち、 溝 2 4の配置形状は限定されない。
また、 図 4に示すように、 支持板 1 3の周縁部には、 ウェハ Wの滑落を防止す るための立上り壁 2 6がウェハ Wと略同じ高さまで設けられていることが好まし い。 なお、 支持板 1 3のウェハ搭載面 2 3は、 微細な凹凸 (粗面加工)、 溝 2 4 及び貫通孔 2 5 (ウェハ移載時にウェハとウェハ搭載面との間に溜まる空気を逃 す) によってウェハ Wが滑りにくくなつているため、 前記立上り壁 2 6は必ずし も設けられていなくてもよい。
また、 支持板 1 3には、 左右の支柱 1 2の爪部 1 1に係止されて支持板 1 3の 滑落を防止するための左係止部及び右係止部として、 ストツバ部材 2 7が設けら れている。 ストヅパ部材 2 7は、 支持板 1 3の裏面の左右縁部にそれそれ下向き に突設されている。 ストツパ部材 2 7が左右の爪部 1 1の後方側の側面にそれそ れ当接して係止されることにより、 支持板 1 3の前方への移動が阻止されるよう になっている。 なお、 支持板 1 3の後方及び左右方向への移動は、 支柱 1 2によ つて阻止される。
前記ストッパ部材 2 7の熱容量を抑えてウェハ Wの面内温度の均一化を図るた めに、 ストヅパ部材 2 7は薄く且つ小さく形成されていることが好ましい。 また、 同様の理由により、 支持板 1 3の裏面は、 前記ストッパ部材 2 7を除いて極力平 坦に形成されている。
前記ダミープレート 1 7には、 図 5に示すように、 前記支持板 1 3と同様に、 左右の支柱 1 2の爪部 1 1に係止されてダミープレート 1 7の滑落を防止するた めのダミ一プレート左係止部及びダミープレート右係止部として、 ストッパ部材 2 8が設けられている。 また、 ダミープレート 1 7が高温の熱処理に使用される 場合には、 熱応力を逃がすためのスリット 2 9が、 ダミープレート 1 7の中心か ら前方に向う半径方向に設けられていることが好ましい。
以上の構成からなる熱処理用ボート 9若しくはこの熱処理用ボート 9を使用し た縦型熱処理装置 1によれば、 熱処理用ボート 9が、 高さ方向に所定の間隔で形 成された爪部 1 1を有する複数の支柱 1 2に、 ウェハ Wを搭載する支持板 1 3を 前記爪部 1 1を介して多段に取付けてなり、 前記支持板 1 3のウェハ搭載面 2 3 に溝 2 4及び貫通孔 2 5を設けてなるため、 支持板 1 3のウェハ搭載面 2 3とゥ ェハ Wとの間に空気層が形成されて、 当該空気層によってウェハ Wの張り付きが 抑制される。 これにより、 高温の熱処理時であっても、 ウェハ Wの張り付きが防 止されると共に、 ウェハ搭載面 2 3の極小な凸凹ないし突起に起因するウェハ W の部分的な自重応力によるスリップの発生が抑制され得る。
また、 前記支持板 1 3には左右の支柱 1 2の爪部 1 1に係止されて支持板 1 3 の滑落を防止するためのストヅパ部材 2 7が設けられているため、 振動等による 支持板 1 3の滑落を防止することができ、 すなわち、 耐震性及び耐久性が向上さ れる。 また、 前記支柱 1 2の上端側及び下端側にはダミープレート 1 7が前記爪 部 1 1を介して取付けられ、 前記ダミープレート 1 7には左右の支柱 1 2の爪部 1 1に係止されてダミープレート 1 7の滑落を防止するためのストツパ部材 2 8 が設けられているため、 振動等によるダミープレート 1 7の滑落を防止すること ができ、 すなわち、 耐震性及び耐久性が向上される。
ダミープレート 1 7は、 S i C製の場合、 型成形が可能である。 この場合、 ィ ンゴヅトをスライスして製作されるダミーウェハと異なり、 ストヅパ部材 2 8を 容易に一体形成することができる。 更に、 前記熱処理用ボート 9においては、 ボ ート本体 1 6と支持板 1 3が別体に形成されているため、 製造、 洗浄及び支持板 1 3の交換等が容易である。
以上、 本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、 本発明は前記実施の 形態に限定されるものではなく、 本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計 変更等が可能である。 例えば、 支持板 1 3は、 移載機構によるウェハ Wの移載を 容易にするために、 前方が開口された馬蹄形状に形成されていてもよい。 また、 前記ボート本体 1 6、 支持板 1 3及びダミープレート 1 7の材質としては、 炭化 珪素が好ましいが、 ポリシリコン (S i ) であってもよい。 被処理体としては、 半導体ウェハ以外に、 例えば L VD基板等であってもよい。
また、 支持板 1 3及びダミープレート 1 7の滑落防止機能については、 前記の スト、ソパ部材 2 7、 2 8の代わりに、 図 6及び図 7に示すような係合孔が利用さ れてもよい。
図 6の場合、 支持板 1 3の裏面に、 支持板 1 3の左方の支柱の爪部の上部に係 合する左係合孔 1 2 7と、 支持板 1 3の右方の支柱の爪部の上部に係合する右係 合孔 1 2 7 ' と、 支持板 1 3の後方の支柱の爪部の上部に係合する後方係合孔 1 2 7 " と、 が設けられており、 支持板 1 3の滑落防止が図られている。
ダミープレート 1 7についても、 滑落防止のために同様の構成が採用され得る。 すなわち、 図 7に示すように、 ダミープレート 1 7の裏面に、 ダミ一プレート 1 7の左方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレート左係合孔 1 2 8と、 ダミ 一プレート 1 7の右方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレート右係合孔 1 2 8, と、 ダミープレート 1 7の後方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレ —ト後方係合孔 1 2 8 " と、 が設けられて、 ダミープレート 1 7の滑落防止が図 られ得る。

Claims

請求 の 範 囲
1 . 複数の支柱と、
前記支柱の各々において、 高さ方向に所定の間隔で形成された複数の爪部と、 前記爪部を介して前記複数の支柱間に多段に取り付けられた、 被処理体を搭載 可能な被処理体搭載面を有する複数の支持板と、
前記被処理体搭載面に設けられた溝及び貫通孔と、
を備えたことを特徴とする熱処理用ボート。
2 . 前記被処理体搭載面には、 被処理体の張り付きを抑制するための微細な 凹凸が設けられている
ことを特徴とする熱処理用ボート。
3 . 前記支持板は略円形であり、
前記複数の支柱は、 前記支持板に垂直に、 前記支持板の後方、 左方及び右方に 配置されている
ことを特徴とする請求項 1または 2に記載の熱処理用ボート。
4 . 前記支持板には、
前記支持板の左方の支柱の爪部に係止されて当該支持板の滑落を防止する左係 止部と、
前記支持板の右方の支柱の爪部に係止されて当該支持板の滑落を防止する右係 止部と、
が設けられている
ことを特徴とする請求項 3に記載の熱処理用ボート。
5 . 前記左係止部及び前記右係止部は、 爪部の側壁部に当接するストツバ部 材である
ことを特徴とする請求項 4に記載の熱処理用ボート。
6 . 前記支持板には、
前記支持板の左方の支柱の爪部の上部に係合する左係合孔と、
前記支持板の右方の支柱の爪部の上部に係合する右係合孔と、
前記支持板の後方の支柱の爪部の上部に係合する後方係合孔と、
が設けられている
ことを特徴とする請求項 3に記載の熱処理用ボート。
7 . 前記支柱の上端部及び下端部には、 ダミープレートが取り付けられてい る
ことを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれかに記載の熱処理用ボート。
8 . 前記支柱の上端部及び下端部には、 それそれ複数のダミープレートが、 前記爪部を介して前記複数の支柱間に多段に取り付けられている
ことを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれかに記載の熱処理用ボート。
9 . 前記ダミープレートは、 略円形であり、
前記複数の支柱は、 前記ダミープレートに垂直に、 前記ダミープレートの後方、 左方及び右方に配置されている
ことを特徴とする請求項 8に記載の熱処理用ボート。
1 0 . 前記ダミープレートには、
前記ダミープレートの左方の支柱の爪部に係止されて当該ダミ一プレートの滑 落を防止するダミープレート左係止部と、
前記ダミープレートの右方の支柱の爪部に係止されて当該ダミ一プレートの滑 落を防止するダミープレート右係止部と、 ·
が設けられている
ことを特徴とする請求項 9に記載の熱処理用ボート。
1 1 . 前記ダミープレート左係止部及び前記ダミープレート右係止部は、 爪 部の側壁部に当接するストヅパ部材である
ことを特徴とする請求項 1 0に記載の熱処理用ボート。
1 2 . 前記ダミープレートには、
前記ダミープレートの左方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレート左係 合孔と、
前記ダミープレートの右方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレート右係 合孔と、
前記ダミープレートの後方の支柱の爪部の上部に係合するダミープレート後方 係合孔と、
が設けられている
ことを特徴とする請求項 9に記載の熱処理用ボート。
1 3 . 請求項 1乃至 1 2のいずれかに記載の熱処理用ポートと、
前記熱処理用ボートを収容可能な熱処理炉と、
を備えたことを特徴とする縦型熱処理装置。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7033168B1 (en) * 2005-01-24 2006-04-25 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer boat for a vertical furnace
JP2007201417A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Tokyo Electron Ltd 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
US8109975B2 (en) * 2007-01-30 2012-02-07 Warsaw Orthopedic, Inc. Collar bore configuration for dynamic spinal stabilization assembly
JP4313401B2 (ja) * 2007-04-24 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法
US8042697B2 (en) 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
JP5088331B2 (ja) * 2009-01-26 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
JP5545055B2 (ja) * 2010-06-15 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 支持体構造及び処理装置
JP5881956B2 (ja) * 2011-02-28 2016-03-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびウェーハホルダ
KR101052010B1 (ko) * 2011-04-25 2011-07-27 주식회사 페어텍 내구성이 향상된 푸셔 스프링이 구비된 lcd 글라스 홀딩장치
CN103928375A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种适用于大气压炉的新型石英舟
CN104253077B (zh) * 2013-06-26 2017-08-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于扩散炉管的晶座
USD847105S1 (en) * 2018-05-03 2019-04-30 Kokusai Electric Corporation Boat of substrate processing apparatus
USD846514S1 (en) * 2018-05-03 2019-04-23 Kokusai Electric Corporation Boat of substrate processing apparatus
JP7245071B2 (ja) * 2019-02-21 2023-03-23 株式会社ジェイテクトサーモシステム 基板支持装置
JP1658652S (ja) * 2019-08-07 2020-04-27
JP6770617B1 (ja) * 2019-08-09 2020-10-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
CN112466794B (zh) * 2020-11-24 2021-12-03 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及晶舟组件
CN112530826B (zh) * 2020-11-27 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0600516A1 (en) 1992-12-03 1994-06-08 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Diffusion furnace boat assembly and wafer support
JPH1050626A (ja) * 1996-08-02 1998-02-20 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 縦型ウエハ支持装置
JPH1131639A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH1197362A (ja) * 1991-10-18 1999-04-09 Fujitsu Ltd 気相成長装置及び気相成長方法
JPH11260746A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェーハ支持板
WO2000019502A1 (fr) * 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Fourneau vertical et nacelle porte-tranches
JP2000269150A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いた半導体ウエハ加熱処理用装置
WO2001018856A1 (fr) * 1999-09-03 2001-03-15 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Support de tranche

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458688A (en) * 1993-03-09 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment boat
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
JP3388668B2 (ja) 1996-02-29 2003-03-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理用ボ−ト及び縦型熱処理装置
US6287112B1 (en) * 2000-03-30 2001-09-11 Asm International, N.V. Wafer boat
KR100410982B1 (ko) * 2001-01-18 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 보트
JP4467028B2 (ja) * 2001-05-11 2010-05-26 信越石英株式会社 縦型ウェーハ支持治具

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197362A (ja) * 1991-10-18 1999-04-09 Fujitsu Ltd 気相成長装置及び気相成長方法
EP0600516A1 (en) 1992-12-03 1994-06-08 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Diffusion furnace boat assembly and wafer support
JPH1050626A (ja) * 1996-08-02 1998-02-20 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 縦型ウエハ支持装置
JPH1131639A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH11260746A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェーハ支持板
WO2000019502A1 (fr) * 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Fourneau vertical et nacelle porte-tranches
JP2000269150A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いた半導体ウエハ加熱処理用装置
WO2001018856A1 (fr) * 1999-09-03 2001-03-15 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Support de tranche

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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