KR20210158333A - 통기형 서셉터 - Google Patents

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KR20210158333A
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susceptor
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channel
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substrate
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KR1020210078824A
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토마스 피츠제럴드
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에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
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Abstract

서셉터는 그 위에 기판을 지지하도록 구성된 면, 및 면 내로 연장되고 면의 중심에 대해 반경 방향 바깥쪽으로 연장된 복수의 채널을 포함할 수 있다. 복수의 채널 중 하나 이상은 세장형 부분 및 플래시-아웃 부분을 포함할 수 있다. 세장형 부분은 세장형 부분의 전체를 따라 임계 폭보다 작은 폭을 가질 수 있다. 플래시-아웃 부분은 세장형 부분과 유체 연통할 수 있고, 제1 폭을 갖는 제1 섹션, 및 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 섹션을 포함할 수 있다. 제1 섹션은 제2 섹션의 반경 방향 안쪽에 배치될 수 있다.

Description

통기형 서셉터 {Vented susceptor}
본 개시는 일반적으로 반도체 처리에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 공정 챔버 내에서 반도체 기판을 지지하기 위한 서셉터에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은, 제어된 공정 조건 하의 서셉터 상에 반응 챔버 내에 지지되는 기판을 이용해 일반적으로 수행된다. 많은 공정에서, 반도체 기판(예, 웨이퍼)이 반응 챔버 내부에서 가열된다. 기판과 서셉터 사이의 물리적 상호 작용과 관련된, 다수의 품질 제어 문제점은 처리 중에 발생할 수 있다.
도 1은, 반응 챔버, 및 로딩 위치에서 서셉터를 갖는 로딩 챔버를 포함한 반도체 처리 장치의 일 구현예를 개략적으로 나타낸다.
도 2는 처리 위치에 있는 서셉터를 갖는 도 1의 장치를 나타낸다.
도 3은 기판(예, 웨이퍼)을 지지하는 데 사용될 수 있는 예시적인 서셉터를 나타낸다.
도 4a는 일부 구현예에 따른 다른 예시적인 서셉터를 나타낸다.
도 4b는 도 4a에 나타낸 서셉터의 배면의 사시도를 나타낸다.
도 5는 도 4a에 나타낸 서셉터의 일부분의 상세도를 나타낸다.
도 6은 예시적인 채널의 단면도를 나타낸다.
도 7a, 7b 및 도 7c는, 채널을 통한 가스 흐름 속도의 크기 및 방향을 보여주는 벡터 맵의 다양한 사시도를 나타낸다.
도 8은 예시적인 서셉터에 걸친 압력의 히트 맵을 나타낸다.
서셉터는 통상적으로, 그라파이트를 원하는 형상으로 가공하고 실리콘 카바이드(SiC) 코팅을 적용하거나 알루미늄 나이트라이드 층을 소결함으로써 형성된다. 서셉터는 상이한 형상으로 형성될 수 있지만, 많은 경우 원형이다.
전술한 바와 같이, 기판과 서셉터 사이의 물리적 상호 작용과 관련된, 다수의 품질 제어 문제점은 처리 중에 발생할 수 있다. 이들 문제점은, 예를 들어 기판 활주성, 고착성, 휨성, 및 배면측 증착을 포함할 수 있다. 이러한 품질 제어 문제점은, 기판 및 반도체 소자의 전반적인 품질을 감소시켜 수율을 감소시키고 비용을 증가시킬 수 있다.
배면측 증착은, 공정 가스가 기판과 서셉터 사이의 공간 내로 흐르고 기판의 후면을 증착하는 경우에 일어난다. 공정 가스의 흐름이 기판과 서셉터 사이에서 제어되지 않기 때문에, 기판의 배면측에서 무작위 증착이 발생할 수 있다. 이러한 무작위 증착은 배면측에 두께 불일치를 생성할 수 있고, 이는 전면 상의 국부적인 부위 평탄도에 영향을 미칠 수 있고 궁극적으로 소자 균일성 문제를 야기할 수 있다.
일반적인 공정에서, 반응물 가스는 가열된 웨이퍼 위를 통과하고, 웨이퍼 상에 반응물 재료로 이루어진 얇은 층을 화학 기상 증착(CVD)시킨다. 순차적 처리를 통해, 다수의 층이 집적 회로로 만들어진다. 다른 예시적인 공정은 스퍼터 증착, 포토리소그래피, 건식 에칭, 플라즈마 처리, 및 고온 어닐링을 포함한다. 이들 공정 중 다수는 고온을 필요로 하며 동일하거나 유사한 반응 챔버에서 수행될 수 있다.
웨이퍼는 고품질의 증착을 촉진하기 위해 다양한 온도에서 공정 처리될 수 있다. 온도 제어는 질량 전달 체제 하의 온도, 예를 들어 실란을 사용한 실리콘 CVD에 대해 약 500°C 내지 900°C에서 특히 유용하다. 이러한 동역학 반응에서, 온도가 웨이퍼의 표면에 걸쳐 균일하지 않으면, 증착된 막 두께는 고르지 않을 것이다. 그러나, 특정 시나리오에서 더 낮은 온도를 종종 사용할 수 있다.
웨이퍼는 실리콘으로 제조될 수 있고, 가장 일반적으로 약 150 mm(약 6 인치) 또는 약 200 mm(약 8 인치)의 직경과 약 0.725 mm의 두께를 갖는다. 최근에 약 300 mm(약 12 인치)의 직경과 약 0.775 mm의 두께를 갖는 더 큰 실리콘 웨이퍼가 사용되었는데, 그 이유는 이들이 단일 웨이퍼 처리의 이점을 훨씬 더 효율적으로 활용하기 때문이다. 더 큰 웨이퍼도 향후 기대된다. 일반적인 단일 웨이퍼 서셉터는, 공정 처리 중에 웨이퍼를 놓는 포켓 또는 리세스를 포함한다. 많은 경우에, 리세스는 웨이퍼를 매우 밀착해서 수용하도록 형상화된다.
기판의 취급과 연관된 다양한 품질 제어 문제점이 있다. 이들 문제점은 기판 활주성, 고착성, 및 휨성을 포함한다. 이들 문제점은 주로 고온 공정 챔버, 특히 단일 웨이퍼 챔버에서 기판의 배치 및 후속 제거 중에 발생한다.
기판은, 이펙터 또는 다른 로봇 기판 핸들링 장치, 예컨대 베르누이 봉에 의해 반응 챔버 내에서, 예를 들어 기판으로 및 기판으로부터 이동할 수 있다. 베루누이 봉은 미국 특허 제5,997,588호에 기재되어 있으며, 이의 전체 개시 내용이 모든 목적을 위해 본원에 참조로 본 명세서에 포함된다.
서셉터의 가스 쿠션이, 서셉터의 상부 표면 상에, 예를 들어 서셉터의 리세스 또는 포켓에서 기판으로 하여금 빠르고 정확하게 이펙터로부터 서셉터 상으로 이송시킬 만큼 빠르게 탈출할 수 없는 경우에 기판 "활주성" 또는 "미끄럼성"은 기판 언로딩 중에 일어난다. 가스가 서서히 탈출하면서, 기판은 서셉터 위에 순간적으로 부유하고, 이는 중심에서 벗어나 떠다니는 경향이 있다. 따라서, 기판은 정상적으로 의도한 대로 포켓의 중심에 놓이지 않을 수 있고, 기판의 불균일 가열을 초래할 수 있다. 기판이 서셉터의 에지에 이러한 식으로 떠다니는 경우, 증착되는 층의 성질에 따라 두께 균일성이 불량하고, 비저항 균일성이 불량하고, 및 결정학적 슬립을 초래할 수 있다.
일부 구현예에서, 이펙터에 의해 서셉터로 또는 이로부터의 이송을 수월하게 하도록, 복수의 돌출부(예, 핀, 갈래 등)는 서셉터로부터 기판을 들어올릴 수 있다. 가스가 기판과 기판 지지 포켓 표면 사이의 작은 공간 내로 느리게 흐르기 때문에, 기판 언로딩 중에 기판이 하부 지지부에 달라 붙는 경우, "고착성"이 발생할 수 있다. 이는, 기판을 들어올리면서 기판과 기판 지지부 사이의 진공 효과를 생성한다. 고착성은 기판 지지부를 긁는 것으로 인해 입자 오염에 기여할 수 있고, 극단적인 경우에 1 내지 2 mm의 정도로 기판 홀더를 상승시킬 수 있다.
기판 "휨성"은 기판 내의 반경 방향 및 축 방향의 온도 구배에 의해 야기되는 기판의 휨이다. 예를 들어, 차가운 기판을 서셉터와 같이 뜨거운 기판 지지부 상에 처음 놓는 경우, 휨이 심각하면 기판의 일부분으로 하여금 베르누이 봉의 바닥 면과 접촉시킬 수 있다. 휨성은 다른 로봇 기판 핸들링 장치와의 상호 작용에 유사하게 영향을 미칠 수 있다. 베르누이 봉의 경우, 기판의 상부측은 베르누이 봉을 긁어 기판 상에서 미립자 오염을 야기할 수 있다. 이는 수율을 상당히 감소시킨다.
서셉터는 활주성, 고착성, 휨성, 배면측 증착, 및 다른 기판 처리 품질 문제를 감소시키기 위해 흐름 채널 또는 천공된 디자인을 포함할 수 있다. 예를 들어, 서셉터의 상부 표면은 이들 문제를 감소시키기 위해 상부 표면을 따라 일반적으로 수평 흐름을 허용하는 채널을 포함할 수 있다. 그러나, 반경 방향으로 채널링된 그리드 디자인을 포함하는 서셉터는, 여전히 기판에 배면측 손상을 야기할 수 있다. 천공된 서셉터는, 이러한 손상을 방지하기 위해 서셉터의 상부 표면을 통해(예, 수직으로) 흐름을 허용하는 추가적인 통기 채널을 포함할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 일부 서셉터에서, 배면측 증착은 여전히 이러한 통기부를 포함하는 천공 기판 상에서 발생할 수 있다. 또한, 통기 구멍은 불리한 위치를 가질 수 있거나, 가스를 서셉터의 배면측에 접근시키는 그리드 또는 다른 채널형 구조와 비호환될 수 있다. 개선된 통기 및/또는 감소된 기판 고착성을 제공하는 수평 채널의 구현예는, 이하에서 더욱 상세히 설명되는 바와 같이 이들 문제점에 대한 해결책일 수 있다. 일부 구현예는 심미적으로 만족스러운 이점을 또한 제공할 수 있다.
이제 도면에 대해 언급할 것이다. 도 1은, 반응 챔버(101) 및 로딩 챔버(102)를 포함한 반도체 처리 장치(100)의 일 구현예를 개략적으로 나타낸다. 반응 챔버(101) 및 로딩 챔버(102)는, 예를 들어 다중 모듈 "클러스터" 툴로 구현될 수 있는 공정 모듈로 고려될 수 있다. 나타낸 구현예에서, 반응 챔버(101)는 로딩 챔버(102) 위에 배치되고, 이들은 아래에 더 상세히 설명되는 베이스 플레이트(107) 및 이동식 받침대 또는 피가공재 지지부(109)에 의해 분리된다. 피가공재 지지부(109)는 본원의 다른 곳에서 사용되는 바와 같은 서셉터를 포함할 수 있다.
일부 구현예에서, 반응 챔버(101)는 실제 축적대로 도시되지 않은 개략도와 달리, 로딩 챔버(102)보다 실질적으로 작을 수 있다. 단일 웨이퍼 공정 모듈의 경우, 나타낸 바와 같이, 반응 챔버(101)는 약 0.25 리터 내지 3 리터의 부피를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 반응 챔버(101)는 약 1 리터 미만의 부피를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 반응 챔버(101)는 약 900 mm 길이, 600 mm 폭, 및 5 mm 높이일 수 있다. 일부 구현예에서, 로딩 챔버(102)는 약 30 리터 내지 약 50 리터의 부피를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 로딩 챔버(102)는 약 40 리터의 부피를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 로딩 챔버(102)는, 반응 챔버(101) 부피의 약 35 내지 45배의 부피를 가질 수 있다.
일부 구현예에서, 반응 챔버(101)는 하나 이상의 유입구(103)(하나만 나타냄) 및 하나 이상의 유출구(104)(하나만 나타냄)를 포함할 수 있다. 공정 처리 동안, 반응물 및 퍼지 가스와 같은 가스는, 반응 챔버 유입구(103)를 통해 반응 챔버(101) 내로 흐를 수 있고, 과량의 반응물, 반응물 부산물, 및 퍼지 가스와 같은 가스는 반응 챔버 유출구(104)를 통해 반응 챔버(101) 밖으로 흐를 수 있다. 일부 구현예에서, 로딩 챔버(102)는 하나 이상의 유입구(105)(하나만 나타냄) 및 하나 이상의 유출구(106)(하나만 나타냄)를 포함할 수 있다. 작동시, 퍼지 가스와 같은 가스는 로딩 챔버 유입구(105)를 통해 로딩 챔버(102) 내로 흐를 수 있고, 과량의 반응물, 반응물 부산물, 및 퍼지 가스와 같은 가스는 로딩 챔버 유출구(106)를 통해 로딩 챔버(102) 밖으로 흐를 수 있다. 유입구(103, 105) 및 유출구(104, 106)의 위치와 같이 도시된 구성은 단지 예시적이며, 예를 들어 반응 챔버(101)에서 수행될 공정, 원하는 가스 흐름 경로 등에 기반하여 조정될 수 있다. 퍼지 가스는 단일 퍼지 가스 또는 퍼지 가스의 혼합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 구현예에서, 퍼지 가스는 하나 이상의 불활성 가스, 예컨대 하나 이상의 귀가스(예, 헬륨, 아르곤, 네온, 크세논 등)로 본질적으로 이루어질 수 있다. 퍼지 가스는, 임의의 반응성 가스 없이 하나 이상의 불활성 가스를 포함할 수 있다. 다른 구현예에서, 퍼지 가스는, 예를 들어 하나 이상의 불활성 가스 및 하나 이상의 다른 활성 가스를 포함할 수 있다. 퍼지 가스는, 수소와 같은 반응성 가스와 혼합된 불활성 가스를 포함할 수 있다. 퍼지 가스는, 예를 들어 수소 및 아르곤의 혼합물을 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 본질적으로 하나 이상의 불활성 가스로(즉, 임의의 반응성 가스 없이) 구성된 제1 퍼지 가스는 제1 퍼지 단계에서 사용될 수 있고, 하나 이상의 반응성 가스로 혼합된 하나 이상의 불활성 가스의 혼합물을 포함한 제2 퍼지 가스는 제2 퍼지 단계에서 사용될 수 있다. 일부 구현예에서, 이 제2 퍼지 단계는 이 제1 퍼지 단계를 순차적으로 따른다. 하나 이상의 반응성 가스와 하나 이상의 불활성 가스를 포함하는 퍼지 단계를 사용하면, 기판에 걸친 반응물의 분포를 개선하는 것을 도울 수 있다. 예를 들어, 전달 시스템(예, 샤워기 또는 샤워헤드)은 일반적으로 기판의 중심 근처에 반응물이 농축될 수 있다. 전달 시스템은 가스가 기판의 면에 실질적으로 수직으로 흐르게 할 수 있다. 제2 퍼지 단계 동안, 불활성 및 반응성 가스의 혼합물은, 예를 들어 기판의 에지 근처에 반응물의 더 양호한 분배를 제공할 수 있다. 일부 구현예에서, 퍼지 가스와 같은 가스는 피가공재 지지부(109)의 일부분을 통해, 그 내부에서 및/또는 그를 따라 흐를 수 있다. 이러한 구현예는, 배면측 기판 증착을 방지하기 위해, 지지부(109) 상에 위치한 기판의 배면측을 따라 퍼지 가스를 제공할 수 있다.
나타낸 구현예에서, 반응 챔버(101)는 개구(108)를 포함한 베이스 플레이트(107)를 포함한다. 베이스 플레이트(107)의 내부 에지는 개구(108)를 정의한다. 일부 구현예에서, 베이스 플레이트(107)는 티타늄을 포함할 수 있다. 나타낸 구현예에서, 반응 챔버 유입구(103)는 반응 챔버 유출구(104)에 거의 대향하게 위치하여, 반응챔버 유입구(103)에서 반응 챔버 유출구(104)로 흐르는 반응 가스가 피가공재(W)의 면에 대략 평행하게, 따라서 이동식 지지부의 상부 표면에 평행하게 이동하도록 한다. 이러한 반응기는 때때로 "교차 흐름형" 또는 수평 라미나 흐름형 반응기로 지칭된다. 일부 구현예에서, 반응 챔버(101)는, 기판의 상부 표면에 수직으로 지향된 반응물을 제공하는 수직 흐름 반응기 또는 "샤워헤드" 반응기를 형성하기 위해, 서셉터 위에 위치한, 유입구, 또는 복수의 유입구, 예컨대 샤워헤드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 나타낸 바와 같은 챔버(101)의 상부 벽은 샤워헤드로서 구성될 수 있거나, 그에 부착된 샤워헤드를 포함할 수 있다. 반응 챔버 내에 구현된 샤워헤드의 예는 미국 특허 출원 공개 번호 2019/0139807호에 설명되고, 이의 전체 개시 내용은 모든 목적상 본원에 참조로서 포함된다.
일부 구현예에서, 장치(100)는 원자층 증착(ALD) 반응기일 수 있어서, 반응물의 펄스를 별도로 제공하기 위해, 제어 시스템(113)에 의해 제어되는 밸브를 포함한다. 일부 구현예에서, 장치(100)는, 반응 챔버(101)와 로딩 챔버(102) 사이의 상대적인 압력 및/또는 흐름 방향을 조절하기 위해 제어 시스템(113)에 의해 독립적으로 제어되는, 둘 이상의 밸브를 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 반응 챔버 유입구(103)는 가스를 원하는 패턴으로 분배하기 위한 분배 시스템을 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 반응 챔버(101)는 반응 챔버 유출구(104) 근처에서 테이퍼질 수 있어서 반응 챔버(101)의 높이는 반응 챔버 유출구(104) 근처에서 감소함으로써, 반응 챔버 유출구(104)를 통한 공기 흐름을 조인다. 비록 장치(100)가 기상 증착(예, 화학 기상 증착, CVD, 및/또는 원자층 기상 증착, 또는 ALD) 반응기에 관하여 설명될 수 있지만, 장치(100)는 건식 에처, 애셔, 급속 열적 어닐러 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 다른 반도체 처리 툴을 대안적으로 포함할 수 있다.
장치(100)는, 구동 기구(110)의 작동에 의해 로딩 위치와 공정 처리 위치 사이에서 이동하도록 구성된 이동식 지지부(109)를 추가로 포함한다. 도 1은, 일 구현예에 따라 로딩 위치에 있는 지지부(109)를 나타낸다. 지지부(109)는, 실리콘 웨이퍼와 같은 피가공재(반도체 피가공재(W) 도 2 참조)를 유지하도록 구성될 수 있다. 피가공재(W)는 로봇의 엔드 이펙터와 같은 다양한 방법으로, 기판 지지부(109) 위로 로딩되고, 기판 지지부에서 언로딩될 수 있다. 지지부(109)는 패들 또는 포크로 피가공재(W)의 로딩 및 언로딩을 돕기 위해 리프트 핀(111) 및/또는 컷아웃을 포함할 수 있다. 지지부(109)는, 로딩 후에 피가공재(W)를 제자리에 유지하는 진공 시스템을 포함할 수 있거나, 피가공재(W)를 수용하도록 크기 조정되고 형상화된 포켓에 중력 단독으로 피가공재(W)를 유지할 수 있다. 장치(100)는, 지지부(109)로 로딩하고 지지부로부터 언로딩하기 위한 하나 이상의 게이트 밸브(112)(하나 나타냄)를 추가로 포함할 수 있다. 게이트 밸브(112)는, 예를 들어 이송 챔버, 로드 록, 공정 처리 챔버, 클린룸으로의 접근을 허용할 수 있다.
제어 시스템(113)은 또한 구동 기구(110)를 제어하도록 구성되거나 프로그래밍된다. 일부 구현예에서, 구동 기구(110)는, 지지부(109)에 수직 이동을 부여하는 피스톤 또는 엘리베이터를 포함할 수 있다. 따라서, 구동 기구(110)는 지지부(109)를 이동시키고, 이에 따라 지지부(109) 상에 배치된 피가공재(W)를 반응기 폐쇄 작동 중에 공정 처리 위치 내로 그리고 반응기 개방 작동 중에 로딩 위치로 이동시키도록 구성된다. 구동 기구(110)는 또한 지지부(109) 상에 배치된 피가공재(W)를 회전시키도록 구성될 수 있다.
도 2는, 일 구현예에 따라 공정 처리 위치에 나타낸 지지부(109)를 갖는 장치(100)를 개략적으로 나타낸다. 공정 처리 위치에 있을 경우, 지지부(109)는, 베이스 플레이트(107)와 맞물려 반응 챔버(101)의 내부를 로딩 챔버(102)로부터 효과적으로 격리시키거나 분리시킨다. 이러한 격리는 반응 챔버(101)와 로딩 챔버(102) 사이의 오염을 감소시킬 수 있다. 일부 구현예에서, 체결은 베이스 플레이트(107)와 지지부(109) 사이에 단단한 금속 위 금속 밀봉을 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 체결은 베이스 플레이트(107)와 지지부(109) 사이에 부드러운 밀봉을 생성하기 위해, 어느 한 부분에 O-링과 같이 유연한 재료의 압축을 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 체결은 지지부(109)와 베이스 플레이트(107) 사이에 갭을 유지하는 단계를 포함할 수 있어서 절대적인 밀봉이 없도록 한다. 체결이 지지부(109)와 베이스 플레이트(107) 사이의 갭을 유지하는 단계를 포함하는 경우에도, 지지부는 장치(100)가 공정 처리 위치에 있을 경우, 반응 챔버(101)와 로딩 챔버(102) 사이의 유체 연통에 상당한 장벽을 생성함으로써 로딩 챔버(102)로부터 반응 챔버(101)를 여전히 효과적으로 분리시킬 수 있다.
도 3은 기판(예, 웨이퍼)을 지지하는 데 사용될 수 있는 예시적인 서셉터(200)의 유체 부피를 나타낸다. 서셉터(200)는 면(204) 주위에 외주부를 형성하는 외부 에지(208)를 포함할 수 있다. 면(204)은 외부 영역(214)으로부터 바깥 쪽에 위치한 채널 영역(212)을 포함할 수 있다. 면(204)은 하나 이상의 채널(220)을 추가로 포함할 수 있다. 서셉터(200)는 원소성 또는 분자성 재료와 같은 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. 이러한 재료는 실리콘 카바이드(SiC 또는 CSi), 그라파이트, 또는 임의의 다른 세라믹과 같은 비 산화물 세라믹을 포함할 수 있다. 금속과 같은 다른 재료가 사용될 수 있다. 일부 구현예에서, 서셉터(200)는 실리콘 카바이드 코팅된 그라파이트와 같은 실리콘 카바이드 코팅을 포함할 수 있다. 면(204)은 기판(미도시)을 유지하거나 지지하도록 구성될 수 있다.
림 영역(217)은 채널 영역으로부터 반경 방향으로 외측에 위치할 수 있고, 필요에 따라 서셉터(200)의 부분에 대해 추가적인 구조 무결성 및/또는 더 용이한 접근을 제공할 수 있다. 림 영역(217)은, 채널 영역(212)의 외부 반경 방향 경계선과 에지(208) 사이에서 경계가 생길 수 있다. 일부 구현예에서, 림 영역(217)의 기능은 도 2의 베이스 플레이트(107)에 의해 수행될 수 있다. 채널 영역(212)은 외부 림(216) 및 내부 경계선, 예컨대 내부 림(232) 또는 내부 채널 링에 의해 경계가 생길 수 있다. 본원에 설명된 임의의 "경계선"은 인접한 영역 사이의 상승 각도, 재료, 곡률/오목성, 평활도, 및/또는 다른 차이성에 있어서 미묘한 차이일 수 있다. 림 영역(217)은 실질적으로 평평하고/평평하거나 매끄러울 수 있다. 예를 들어, 림 영역(217)은 림 영역(217)의 표면에서 채널, 돌출부, 구멍, 및/또는 다른 요철이 실질적으로 없을 수 있다. 림 영역(217)은 약 15 mm 내지 35 mm의 반경 방향 폭(에지(208)와 외부 반경 방향 경계선 사이의 반경 방향 거리로 정의됨)을 가질 수 있다.
채널 영역(212)은 외부 림(216)과 내부 림(232) 사이에 위치할 수 있다. 외부 림(216) 및/또는 내부 림(232)은 실질적으로 원 또는 다른 둥근 형상(예, 타원형)과 같이 둥글 수 있다. 내부 영역(214)은 실질적으로 평평하고/평평하거나 매끄러울 수 있다. 예를 들어, 내부 영역(214)은 채널, 돌출부, 및/또는 다른 요철이 실질적으로 없을 수 있다. 내부 영역(214)은, 서셉터(200)에 추가적인 구조 무결성을 제공하도록 형상화되고/형상화되거나 크기가 정해질 수 있다. 예를 들어, 내부 영역(214) 내에 요철을 포함하면 내부 영역(214)의 강도를 감소시킬 수 있다. 일부 구현예에서, 내부 영역(214)은 주변 채널 영역(212)에 대하여 오목하게 된다.
채널 영역(212)은 림 영역(217)과 인접하고/인접하거나 반경 방향으로 이의 내측에 배치될 수 있다. 채널 영역(212)은 림 영역(217)과 내부 영역(214) 사이에 배치될 수 있다. 채널 영역(212) 내에서, 하나 이상의 채널(220)이 면(204) 내에 형성될 수 있지만, 편의상 복수의 채널(220)이 전체적으로 참조될 것이다. 채널(220)은, 면(204) 중심에 대해 반경 방향 외측에 또는 면(204) 중심 근처로부터 에지(208)를 향하여 (그리고 일부 구현예에서 이로 및 이를 통해) 연장될 수 있다. 일부 구현예에서, 채널(220)은 내부 림(232)으로부터 또는 이 근처에서 외부 림(216)으로 또는 그 근처로 연장될 수 있다. 일부 구현예에서, 채널(220)은 면(204) 중심으로부터 및/또는 에지(208)로 및 이를 통해 반경 방향으로 실질적으로 연장될 수 있다. 일부 구현예에서, 연속 채널(220)은 각도 분리 또는 각도(240)를 형성할 수 있다. 연속 채널은 "인접" 또는 "이웃"으로 지칭될 수 있다. 각도(240)는 예각일 수 있다. 예를 들어, 각도(240)는 약 5o 내지 35o일 수 있고, 일부 구현예에서 적어도 두 개의 연속 채널(220) 사이에서 약 15o이다. 연속 채널(220)은 본원에서 연속적이거나 인접하는 채널(220)로 지칭될 수 있다. 규칙적으로 이격된 복수의 연속 채널(220)은, 연속 채널(220)의 각 세트 사이에 실질적으로 동일한 각도(240)를 가질 수 있다. 나타낸 바와 같이, 면(204)은 이러한 복수의 연속 채널(220)의 다수의 세트를 포함할 수 있다. 각도(240)의 규칙성은, 예를 들어 채널 영역(212)에서 하나 이상의 불규칙성에 의해 중단될 수 있다. 예를 들어, 나타낸 바와 같이, 하나 이상의 애퍼처(256) 및/또는 상승 특징부(234)(도 4a에 나타남)가 채널 영역에 포함될 수 있다. 애퍼처(256)는, 이를 통해 상승체(예, 핀, 걸개, 막대 등)를 허용하도록 구성될 수 있다. 상승체는, 서셉터(200) 자체를 상승시키지 않고 서셉터(200)로부터 웨이퍼를 상승시키는 서셉터 지지 장치(예, 스파이더)(미도시)에 의해 사용될 수 있다. 따라서, 요철이 발견될 수 있는 연속 채널(220) 사이의 각도(240)는, 예를 들어 전술한 각도(240)의 두 배로 더 커질 수 있다. 이렇게 증가된 각도 분리는, 애퍼처(256)를 포함하는 서셉터의 이들 부분에 추가적인 구조 무결성을 제공할 수 있고/있거나, 상승체 및 서셉터 지지 장치와의 간섭을 피하도록 추가 공간을 제공할 수 있다.
채널 영역(212)은 기판이 놓일 수 있는 "포켓" 또는 오목부를 형성할 수 있다. 외부 림(216) 또는 다른 외부 경계선은 이 포켓의 외부 경계선을 형성할 수 있다. 채널 영역(212)은 경사지고/경사지거나 오목한 표면을 가질 수 있고, 이는 내부 영역(214)에 대해 상승된 부분을 형성하여 서셉터(200)와 접촉하는 기판의 양(예, 기판의 에지 또는 림)을 제한한다. 채널 영역(212)의 표면적의 대부분은 실질적으로 평평하고/평평하거나 매끄러울 수 있다. 연속 채널(220) 사이에 배치된 채널 영역의 하나 이상의 부분은, 내부 림(232)에서 외부 림(216)으로 이동하는 영역을 증가시킬 수 있다. 채널(220) 중 하나 이상은 실질적으로 직선일 수 있다. 채널 영역 내의 채널(220) 수는 약 3개 내지 72개, 또는 약 18개 내지 30개일 수 있지만, 다른 변형도 또한 가능하다. 일부 구현예에서, 채널 수는 36개이다.
채널 영역(212)은, 기판이 채널 영역(212)의 일부에만 놓일 수 있도록 약간 기울어진 상태로 배치되도록 테이퍼가 질 수 있다. 후방 표면(206)에 대한 채널 영역(212)의 상승 각도는 약 0.5o 내지 5o일 수 있고, 일부 구현예에서는 약 3o이다. 상승 각도는 (예를 들어, 내부 채널 영역(124)이 실질적으로 평평한 경우) 절대 값일 수 있다. 일부 구현예에서, 채널 영역(212)의 단면 형상(예, 도 3에 나타낸 단면)은 오목하게 될 수 있다. 따라서, 채널 영역(212)은 기판의 에지 지지부를 제공하도록 구성될 수 있고, 이에 따라 서셉터(200)와의 기판 접촉을 감소시킬 수 있다.
서셉터는 성능을 개선하도록 표면 처리될 수 있다. 예를 들어, 면(204)의 하나 이상의 영역은, 기판에 영향을 미치는 (예를 들어, 기판 고착에 의해 야기되는) 변형 가능성을 감소시키기 위해 연마될 수 있다. 서셉터(200)의 부분은 성능을 향상시키도록 코팅될 수 있다. 예를 들어, 면(204)은 실리콘 카바이드로 코팅될 수 있다.
도 3은 또한, 각각의 채널(220)이 대응하는 세장형 부분(224) 및 플래시-아웃 부분(228)을 포함할 수 있는 방법을 나타낸다. 세장형 부분(224) 각각의 폭 및/또는 단면적은, 세장형 부분(224)의 반경 방향 길이를 따라 실질적으로 일정할 수 있다. 세장형 부분(224)는 자신의 전체를 따라 임계 폭 이하의 폭을 가질 수 있다. 임계 폭은 약 0.01 mm, 약 0.05 mm, 약 0.1 mm, 약 0.2 mm, 약 0.3 mm, 약 0.5 mm, 약 0.7 mm, 약 0.9 mm, 약 1 mm, 약 1.2 mm, 약 1.5 mm, 약 1.8 mm, 약 2 mm, 약 2.5 mm, 약 3 mm, 약 4 mm, 약 5 mm, 약 7 mm, 약 10 mm, 약 15 mm, 약 20 mm, 또는 그 안에 임의의 값, 또는 그 안의 종점을 갖는 범위 내에 떨어지는 경우일 수 있다. 세장형 부분의 단면적은, 세장형 부분(224)의 반경 방향 길이를 따라 실질적으로 일정할 수 있다. 예를 들어, 단면적은 임계 백분율만큼 위의 임계 폭과 같은 임계 값 이내(예, 위 또는 아래)일 수 있다. 임계 백분율은 약 1%, 약 3%, 약 5%, 약 10%, 약 15%, 약 20%, 약 25%, 또는 일부 다른 백분율일 수 있다.
채널(220) 중 하나 이상은 각각의 플래시-아웃 부분(228)을 포함할 수 있다. 플래시-아웃(228) 부분은 세장형 부분(224)과 유체 연통할 수 있다. 플래시-아웃 부분(228)의 다른 세부 사항은 도 5를 참조하여 아래에 제공된다. 일부 구현예에서, 플래시-아웃 부분(228)은 세장형 부분(224)의 반경 방향 바깥쪽에 배치된다. 플래시-아웃 부분(228)은 삼각형(예, 파이형)일 수 있다. 채널(220)의 원위 말단(예, 플래시-아웃 부분(228) 및 이들 사이의 면의 원위 말단)은 퍼지 둘레(226)를 형성할 수 있다. 기판은 이러한 퍼지 둘레(226) 상에서 지지될 수 있고, 퍼지 동안에, 퍼지 가스는 이러한 퍼지 둘레 및 기판의 에지 주위로 흘러서, 배면측 증착을 방지한다. 플래시-아웃 부분(228)은 퍼지 둘레(226) 주위의 흐름의 균일성(예, 속도 및/또는 압력의 균일성)을 증가시켜 수율을 개선하고 배면측 증착을 감소시킨다.
연속 세장형 부분(224)은 이들 사이에 각도(290)를 형성할 수 있다. 세장형 부분(224)은 일부 구현예에서 예각일 수 있다. 세장형 부분(224)은 약 10°, 약 15°, 약 18°, 약 20°, 약 22°, 약 25°, 약 27°, 약 30°, 약 32°, 약 33°, 약 35°, 약 40°, 약 42°, 약 45°, 약 50°, 약 55°, 약 60°, 약 65°, 약 70°, 약 75°, 약 80°, 약 90°, 약 100°, 약 110°, 약 120°, 약 180°, 그 안의 임의값, 또는 그 안의 종점을 갖는 범위일 수 있다. 채널(220)의 양, 채널 사이의 각도(290), 채널의 폭, 및/또는 채널(220)의 단면 형상 및 면적은, 서셉터 내에서 열 전달의 개선된 균일성을 제공하는 범위 내에서 선택될 수 있다.
도 4a는 일부 구현예에 따라, 다른 예시적인 서셉터(200)를 나타낸다. 도 4a에 나타낸 서셉터(200)는, 복수의 돌출부(234) 및 애퍼처(256)를 나타낸다. 돌출부(234)는 면(204)의 주변 부분에 대해 상향 연장될 수 있어서, 기판과 전방면(204)의 주변 부분 사이에 작은 분리를 제공한다. 이러한 분리는 임의로 적용되거나 내재한 진공의 기능과 효과를 개선할 수 있다. 돌출부(234)는, 서셉터(200)로 기판의 들러붙음을 감소시키는 것을 도울 수 있고/있거나, 기판의 배면과 직접 접촉을 감소시킬 수 있으며, 이는 결과적으로 오염이나 잠재적인 기판 손상을 감소시킬 수 있다. 돌출부(234)는 또한, 기판으로의 열 전도에 대한 균일성을 개선할 수 있다.
도 4a에 나타낸 바와 같이, 하나 이상의 애퍼처(256)가 서셉터(200)에 포함될 수 있다. 애퍼처(256)는, 리프트 핀이 서셉터(200)를 통해 연장될 수 있게 하는 리프트 핀 구멍일 수 있다. 애퍼처(256)는, 기판(예, 웨이퍼)을 면(204) 상에 배치시키고/시키거나 그로부터 제거시킬 수 있다. 애퍼처(256)는 서셉터(200)의 외부 경계선(예, 도 3에 나타낸 외부 림(216), 에지(208) 등)의 반경 방향 안쪽으로 배치될 수 있다. 일부 구현예에서, 애퍼처(256)는 외부 경계선로부터 반경 방향 바깥에 있다. 일부 구현예에서, 세 개의 리프트 핀 애퍼처(256)가 있지만, 다른 개수도 가능하다. 애퍼처(256)는 면과 후방 표면 사이에서 연장될 수 있고 핀을 관통하여 연장시킬 수 있도록 구성될 수 있다. 애퍼처(256)는 복수의 채널의 연속적인 세장형 부분 사이에 배치될 수 있다. 반경 방향으로 연속적인 애퍼처 각각 사이의 각도 분리는 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 세 개의 애퍼처가 있는 연속 애퍼처 사이의 각도 분리는 약 120°일 수 있다. 다른 변이체가 가능하다. 애퍼처(256) 각각의 내부 직경은 약 35 mm 내지 400 mm일 수 있고, 일부 구현예에서는 약 160 mm이다. 도 4b는 도 4a에 나타낸 서셉터(200)의 후방 표면(206)의 사시도를 나타낸다. 나타낸 바와 같이, 애퍼처(256)는 후방 표면(206)으로 통과할 수 있다.
도 5는 도 4a에 나타낸 서셉터(200)의 일부분의 상세도를 나타낸다. 서셉터(200)의 면(204) 내의 채널(220)은 내부 림(232)으로부터 반경 방향 바깥쪽으로 연장될 수 있다. 일부 구현예에서, 채널(220)은 내부 반경 방향 경계선, 예컨대 링 채널(230) 또는 내부 림(232)으로부터 연장될 수 있다. 링 채널(230)은 면(204) 내로 연장되고 복수 0.의 채널(220) 중 적어도 하나와 유체 연통하며 이의 반경 방향 안쪽으로 배치될 수 있다. 링 채널(230)은 개구(235)를 통해 가스(예, 퍼지 가스)를 수용하도록 구성된 부피를 형성할 수 있고, 복수의 채널(220)로의 가스 공급 흐름에 있어서 더 양호한 압력 균일성을 제공할 수 있다. 채널(220)은 링 채널(230)로부터 실질적으로 반경 방향으로 연장될 수 있다. 일부 구현예에서, 연속 채널(220)은 나타낸 바와 같이 각도(240)를 형성할 수 있다. 각도(240)는 예각을 형성할 수 있다. 예를 들어, 각도(240)는 약 3° 내지 30°일 수 있고, 일부 구현예에서 적어도 두 개의 연속 채널(220) 사이에서 약 7.5°이다. 연속 채널(220)은 본원에서 연속적이거나 인접하는 채널(220)로 지칭될 수 있다. 규칙적으로 이격된 복수의 연속 채널(220)은, 연속 채널(220)의 각 세트 사이에 실질적으로 동일한 각도(240)를 가질 수 있다. 비록 나타내지 않았지만, 면(204)은 이러한 복수의 연속 채널(220)의 다수의 세트를 포함할 수 있다. 각도(240)의 규칙성은, 예를 들어 면(204)에서 하나 이상의 불규칙성에 의해 중단될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 애퍼처(256)가 채널 영역에 포함될 수 있다. 따라서, 요철이 발견될 수 있는 연속 채널(220) 사이의 각도(240)는, 예를 들어 전술한 각도(240)의 두 배로 더 커질 수 있다. 이렇게 증가된 각도 분리는, 추가적인 구조 무결성을 제공할 수 있고/있거나, 상승체 및 서셉터 지지 장치와의 간섭을 피하도록 추가 공간을 제공할 수 있다. 복수의 채널 중 두 개의 연속 세장형 부분(224a, 224b)은 약 1°, 약 2°, 약 3°, 약 5°, 약 7°, 약 10°, 약 12°, 약 15°, 약 18°, 약 20°, 약 22°, 약 25°, 약 28°, 약 30°, 약 33°, 약 35°, 약 40°, 약 45°, 그 안의 임의의 각도, 또는 그 안에 종점을 갖는 범위의 각도(240)를 형성할 수 있다.
연속 플래시-아웃 부분(228a, 228b)은 추가적으로 또는 대안적으로 다양한 각도를 형성할 수 있다. 나타낸 바와 같이, 제1 채널은, 제1 에지(276) 및 제2 에지(280)를 갖는 제1 플래시아웃 부분(228a)을 포함할 수 있다. 제1 에지(276) 및 제2 에지(280)는 각도(290)를 형성할 수 있다. 각도(290)는 약 1°, 약 2°, 약 3°, 약 5°, 약 7°, 약 10°, 약 12°, 약 15°, 약 18°, 약 20°, 약 22°, 약 25°, 약 28°, 약 30°, 약 33°, 약 35°, 약 40°, 약 45°, 그 안의 임의의 각도, 또는 그 안에 종점을 갖는 범위의 각도일 수 있다. 나타낸 바와 같이, 제1 에지(276) 및 제2 에지(280)는 각도(290)를 형성하기 위해 접촉할 필요가 없다.
제2 플래시-아웃 부분(228b)은, 대응하는 제1 에지(284) 및 제2 에지(288)를 포함할 수 있다. 제1 플래시-아웃 부분(228a)의 제2 에지(280)는, 제2 플래시-아웃 부분(228b)의 제1 에지(284)와 각도(272)를 형성할 수 있다. 각도(272)는 약 1°, 약 2°, 약 3°, 약 5°, 약 7°, 약 10°, 약 12°, 약 15°, 약 18°, 약 20°, 약 22°, 약 25°, 약 28°, 약 30°, 약 33°, 약 35°, 약 40°, 약 45°, 그 안의 임의의 각도, 또는 그 안에 종점을 갖는 범위의 각도일 수 있다. 나타낸 바와 같이, 제2 에지(280) 및 제1 에지(284)는 각도(290)를 형성하기 위해 접촉할 필요가 없다. 예를 들어, 실질적으로 평평한 커넥터부는 제2 에지(280)와 제1 에지(284)를 연결할 수 있다.
도 6은 예시적인 채널(220)의 단면도를 나타낸다. 단면의 다른 형상이 가능하다. 나타낸 바와 같이, 채널(220)은 곡선형 측벽을 포함할 수 있다. 측벽은 단면을 따라 실질적으로 반원을 형성할 수 있다. 만곡부의 곡률(288)은 약 0.1 mm 내지 2.5 mm일 수 있고, 일부 구현예에서는 약 0.6 mm이다. 나타낸 바와 같이 만곡된 측벽은 증착 중에 그 안에 가스의 축적을 방지하는 데 도움이 될 수 있다. 채널(220)의 폭(264)은 약 0.1 mm 내지 5 mm일 수 있고, 일부 구현예에서는 약 1.2 mm이다. 채널(220)의 깊이(266)는 약 0.05 mm 내지 1.5 mm일 수 있고, 일부 구현예에서는 약 0.6 mm이다. 일부 구현예에서, 채널(220)은 실질적으로 평평한 측벽을 포함할 수 있다. 측벽은 예각과 같은 각도를 형성할 수 있다.
도 7a, 7b 및 7c는, 채널을 통한 가스 흐름 속도의 크기 및 방향을 보여주는, 벡터 맵 시뮬레이션의 다양한 사시도(관점)를 나타낸다. 도 7b는 대응하는 채널의 세장형 부분을 바로 빠져나가는 가스 입자의 더 큰 속도 크기를 나타낸다. 폭 및 단면적이 확장됨에 따라, 세장형 부분의 출구를 지나 속도가 감소하고, 플래시-아웃 부분 내에서 더욱 감소한다. 이는, 가스 입자의 속도가 플래시-아웃 부분의 유출구에서 복수의 채널의 원위 말단에 의해 형성된 퍼지 둘레(예, 퍼지 둘레(226)) 주위에서 실질적으로 균일할 수 있게 한다. 용어 "실질적으로 균일한"은 가스 입자의 평균 속도로부터 표준 편차를 초과하지 않는 가스 입자의 적어도 특정 백분율(예, 50%, 75%, 80%, 90%, 95% 등)에 대한 각각의 속도를 생성하는 것을 포함할 수 있다.
도 7a-7c 및 도 8은, 채널을 통한 가스 흐름 속도의 크기 및 방향을 보여주는 벡터 맵의 다양한 사시도를 나타낸다. 도 8은 도 7a-7c와 유사한 결과를 나타내지만, 압력에 대해서는 마찬가지이다. 요약하건대, 도 8은 해당 채널의 세장형 부분을 바로 빠져나오는 가스 입자의 더 높은 압력 크기를 나타내며, 이는 감소하고 플래시아웃 부분을 통해 확산된다. 압력은 폭 및 단면적이 확장됨에 따라 플래시-아웃 부분 내에서 더 감소한다. 이는, 가스의 압력이 플래시-아웃 부분의 유출구에서 복수의 채널의 원위 말단에 의해 형성된 퍼지 둘레 주위에서 실질적으로 균일할 수 있게 한다. 용어 "실질적으로 균일한"은 가스 입자의 평균 속도로부터 표준 편차를 초과하지 않는 가스 입자의 적어도 특정 백분율(예, 50%, 75%, 80%, 90%, 95% 등)에 대한 각각의 압력을 생성하는 것을 포함할 수 있다. 도 7a-8은 본원의 채널의 구현예를 갖는 서셉터의 구성이 서셉터 상에 지지된 기판의 둘레 주위에서, 압력 및 속도를 포함하는, 개선된 흐름 균일성을 제공할 수 있는 방법을 나타낸다. 이러한 흐름의 개선된 균일성은 결과적으로 서셉터 상으로의 배면측 증착을 감소시켜, 기판 수율을 개선하고 기판 폐기물을 감소시킬 수 있다.
본 양태 및 구현을 기능적 블록 구성 요소 및 다양한 처리 단계에 관하여 설명할 수 있다. 이러한 기능적 블록은, 명시된 기능을 수행하고 다양한 결과를 달성하도록 구성된 임의의 수의 하드웨어 또는 소프트웨어 구성 요소에 의해 실현될 수 있다. 예를 들어, 본 양태는 다양한 기능을 수행할 수 있는, 다양한 센서, 감지기, 흐름 제어 장치, 히터 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 양태 및 구현은 임의의 수의 처리 방법과 함께 실시될 수 있고, 설명된 장치 및 시스템은 임의의 수의 처리 방법을 사용할 수 있고, 설명된 장치 및 시스템은 단지 본 발명의 응용 예시일 뿐이다.

Claims (20)

  1. 서셉터로서,
    기판을 위에 지지하도록 구성된 면; 및
    상기 면 내로 연장되고 상기 면의 중심에 대해 반경 방향 바깥쪽으로 연장된 복수의 채널을 포함하되, 상기 복수의 채널 각각은,
    자신의 전체를 따라 임계 폭 이하의 폭을 갖는 세장형 부분; 및
    상기 세장형 부분과 유체 연통하는 플래시-아웃 부분을 포함하며, 상기 플래시-아웃 부분은 제1 폭을 갖는 제1 섹션 및 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 섹션을 포함하되, 상기 제1 섹션은 상기 제2 섹션의 반경 방향 안쪽에 배치되는, 서셉터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 섹션의 제2 폭은 상기 복수의 채널에 의해 형성된 외주부를 따라 연장되는, 서셉터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세장형 부분의 폭은 상기 세장형 부분의 반경 방향 길이를 따라 실질적으로 일정한, 서셉터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 임계 폭은 상기 제1 반경 방향 폭과 대략 동일한, 서셉터.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플래시-아웃 부분은 반경 방향 길이 및 반경 방향 폭을 포함하고, 상기 반경 방향 폭에 대한 상기 반경 방향 길이의 비가 약 0.6 내지 약 1.4인, 서셉터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플래시-아웃 부분은 삼각형 형상을 포함하는, 서셉터.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플래시-아웃 부분은 제1 에지 및 제2 에지를 포함하되, 상기 제1 에지는 상기 제2 에지에 대해 약 25° 내지 110°의 각도로 배향되는, 서셉터.
  8. 제7항에 있어서, 상기 복수의 채널은 제1 채널 및 상기 제1 채널과 연속하는 제2 채널을 포함하되, 상기 제2 채널의 제1 에지 및 상기 제1 채널의 제2 에지는 약 15° 내지 100° 사이의 일정 각도로 배치되는, 서셉터.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 복수의 채널은 제1 채널 및 상기 제1 채널과 연속되는 제2 채널을 포함하되, 상기 제1 채널 플래시-아웃 부분의 제1 에지와 제2 에지 사이의 각도는, 상기 제2 채널 플래시-아웃 부분의 제1 에지와 제2 에지 사이의 각도와 상이한, 서셉터.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세장형 부분은 약 0.05 mm 내지 1.5 mm의 깊이를 갖는, 서셉터.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 채널은 약 18개 내지 45개의 채널을 포함하는, 서셉터.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 채널 중 두 개의 연속적인 세장형 부분은 약 3° 내지 25°의 각도를 형성하는, 서셉터.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 면에 대향하는 배면; 및
    상기 면과 상기 배면 사이에서 연장되는 하나 이상의 애퍼처를 추가로 포함하되, 상기 하나 이상의 애퍼처는 핀으로 하여금 그를 통해 연장시키고 상기 서셉터의 면으로부터 기판을 상승시키도록 구성되는, 서셉터.
  14. 제13항에 있어서, 상기 하나 이상의 애퍼처는 제1 세장형 부분과, 상기 복수의 채널 중 제2 채널의 연속인 세장형 부분 사이에 배치되는, 서셉터.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 하나 이상의 애퍼처는 적어도 세 개의 애퍼처를 포함하고, 상기 적어도 세 개의 애퍼처 각각의 반경 방향으로 연속인 애퍼처 사이의 각도 분리는, 실질적으로 동일한, 서셉터.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세장형 부분의 단면은,
    각각 실질적으로 평평한 제1 및 제2 측벽을 포함하되, 상기 제1 측벽과 제2 측벽은 서로에 대해 예각으로 배치되는, 서셉터.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 면 내로 연장되고 상기 복수의 채널 중 적어도 하나와 유체 연통하며 이의 반경 방향 안쪽으로 배치되는 링 채널을 추가로 포함하는, 서셉터.
  18. 서셉터로서,
    기판을 위에 지지하도록 구성된 면;
    상기 면 내로 연장되고 상기 면의 중심에 대해 반경 방향 바깥쪽으로 연장된 복수의 채널을 포함하되, 상기 복수의 채널 각각은 원위 말단을 포함하고, 상기 복수의 채널의 원위 말단은 퍼지 둘레를 형성하고, 상기 복수의 채널은, 상기 채널을 통한 가스의 반경 방향 흐름 중에, 상기 퍼지 둘레 주위에 실질적으로 균일한 가스의 속도 및 압력 중 적어도 하나를 생성하도록 구성되는, 서셉터.
  19. 제18항에 있어서, 상기 복수의 채널은, 상기 퍼지 둘레 주위에 실질적으로 균일한 가스의 속도 및 압력 중 적어도 하나가 상기 가스 입자의 적어도 75% 각각에 대해, 상기 모든 가스 입자의 평균 속도로부터 표준 편차보다 많이 변하지 않는 속도를 유지하는 것을 포함하도록 구성되는, 서셉터.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항의 서셉터를 포함하고, 상기 면에 실질적으로 수직인 가스 흐름을 유도하도록 구성된 샤워헤드를 추가로 포함하는, 반응 챔버.
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