KR102640272B1 - 원자 층 증착 챔버들을 위한 덮개들 및 덮개 키트들 - Google Patents
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- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 223
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 21
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
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- C23C16/45563—Gas nozzles
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
Abstract
기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는, 챔버 본체; 상부 부분 및 하부 부분을 갖고 중심축을 따라 연장되는 중앙 채널을 에워싸는 하우징을 갖는 챔버 덮개 조립체; 하우징에 커플링된 덮개 플레이트 ― 덮개 플레이트는, 중앙 채널의 하부 부분에 커플링된 중앙 개구부로부터, 덮개 플레이트의 주변 부분으로 외측으로 그리고 하방으로 연장되는 윤곽진(contoured) 바닥부 표면을 가짐 ―; 및 덮개 플레이트 아래에 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 복수의 개구들을 가짐 ― 를 포함한다.
Description
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 원자 층 증착을 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다.
[0002] 서브미크론 및 더 작은 피처들을 신뢰성 있게 생산하는 것은, 차세대 VLSI(very large scale integration) 및 ULSI(ultra large scale integration) 반도체 디바이스들에 대한 주요 기술들 중 하나이다. 그러나, 회로 기술의 한계들이 압박당함에 따라, VLSI 및 ULSI 기술에서 인터커넥트들의 치수들을 축소시키는 것은, 프로세싱 능력들에 대한 부가적인 요구 사항들을 제기했다. VLSI 및 ULSI 기술의 핵심인 멀티레벨 인터커넥트들은 고 종횡비 피처들, 예컨대, 비아들 및 다른 인터커넥트들의 정밀한 프로세싱을 사용한다. 이러한 인터커넥트들의 신뢰성 있는 형성은 VLSI 및 ULSI 성공, 그리고 개별 기판들의 품질 및 회로 밀도를 증가시키려는 지속된 노력에 매우 중요하다.
[0003] 회로 밀도들이 증가함에 따라, 인터커넥트들, 예컨대, 비아들, 트렌치들, 컨택들, 및 다른 피처들뿐만 아니라, 사이의 유전체 재료들의 폭들이 감소하는 반면, 유전체 층들의 두께는 실질적으로 일정하게 유지되어, 피처들의 증가된 높이-대-폭 종횡비들을 초래한다. 많은 전통적인 증착 프로세스들은, 종횡비가 4:1을 초과하는, 특히, 종횡비가 10:1을 초과하는 서브미크론 구조들을 충전하는 것에 어려움을 겪는다. 그러므로, 고 종횡비들을 갖는, 실질적으로 보이드가 없고(void-free) 이음매가 없는(seam-free) 서브미크론 피처들의 형성에 계속적인 많은 노력을 쏟고 있다.
[0004] ALD(atomic layer deposition)는 고 종횡비들을 갖는 피처들 위에 재료 층들을 증착시키기 위해 탐구되는 증착 기술이다. ALD 프로세스의 일 예는 가스들의 펄스들의 순차적 유입을 포함한다. 예컨대, 가스들의 펄스들의 순차적 유입의 일 사이클은 제 1 반응물 가스의 펄스를 포함할 수 있고, 제 1 반응물 가스의 펄스 다음에 퍼지 가스의 펄스 및/또는 펌프 진공배기, 그 다음에 제 2 반응물 가스의 펄스, 그리고 그 다음에 퍼지 가스의 펄스 및/또는 펌프 진공배기가 후속된다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "가스"라는 용어는 단일 가스 또는 복수의 가스들을 포함하도록 정의된다. 제 1 반응물 및 제 2 반응물의 개별 펄스들의 순차적 유입은, 기판의 표면 상에서 반응물들의 단분자층들(monolayers)의 교번하는 자가-제한 흡수(alternating self-limiting absorption)를 초래할 수 있고, 따라서 각각의 사이클 동안 재료의 단분자층을 형성한다. 사이클은 증착되는 재료의 원하는 두께까지 반복될 수 있다. 제 1 반응물 가스의 펄스들과 제 2 반응물 가스의 펄스들 사이의 퍼지 가스의 펄스 및/또는 펌프 진공배기는, 챔버에 남아 있는 과한 양의 반응물들로 인한 반응물들의 기상(gas phase) 반응들의 가능성을 감소시키는 역할을 한다.
[0005] ALD 프로세싱을 위한 몇몇 챔버 설계들에서, 전구체들 및 가스들은 깔때기형 덮개를 사용하여 전달되며, 깔때기형 덮개를 통해서, 전구체는 깔때기 형상 덮개 위의 다수의 주입기들을 통해 분배된다. 주입기들은, 주입된 가스의 원형 운동(circular motion)을 생성하고, 이는 덮개의 중앙에서 깔때기 프로파일을 통해 분배된다. 가스/ALD 전구체 분자들의 회전 관성은 분자들을 중앙으로부터 에지로 분배시켜서, 개선된 균일성 증착을 초래한다. 그러나, 몇몇 애플리케이션들에서, 본 발명자들은, 프로세싱되는 기판의 중앙 근처에서 도넛-형상 증착 프로파일을 관찰하였다. 도넛-형상 증착 프로파일은, 덮개의 깔때기 형상으로 인해 야기되는 것으로 생각되며, 고객들에게 통합(integration) 문제들을 일으킬 수 있다.
[0006] 그러므로, 본 발명자들은 기판의 ALD 프로세싱을 위한 개선된 장치 및 방법들을 제공하였다.
[0007] 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는, 챔버 본체; 상부 부분 및 하부 부분을 갖고 중심축을 따라 연장되는 중앙 채널을 에워싸는 하우징을 갖는 챔버 덮개 조립체; 하우징에 커플링된 덮개 플레이트 ― 덮개 플레이트는, 중앙 채널의 하부 부분에 커플링된 중앙 개구부로부터, 덮개 플레이트의 주변 부분으로 외측으로 그리고 하방으로 연장되는 윤곽진(contoured) 바닥부 표면을 가짐 ―; 및 덮개 플레이트 아래에 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 복수의 개구들을 가짐 ― 를 포함한다.
[0008] 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는, 챔버 본체; 상부 부분 및 하부 부분을 갖고 중심축을 따라 연장되는 중앙 채널을 에워싸는 하우징을 갖는 챔버 덮개 조립체; 하우징에 커플링된 덮개 플레이트 ― 덮개 플레이트는, 중앙 채널의 하부 부분에 커플링된 중앙 개구부로부터, 덮개 플레이트의 주변 부분으로 외측으로 그리고 하방으로 연장되는 윤곽진 바닥부 표면을 가짐 ―; 덮개 플레이트 아래에 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 복수의 개구들을 가짐 ―; 중앙 채널에 유체적으로 커플링된(fluidly coupled) 원격 플라즈마 소스; 원격 플라즈마 소스와 하우징 사이에 커플링된 격리 칼라(isolation collar) ― 격리 칼라는, 원격 플라즈마 소스와 중앙 채널을 유체적으로 커플링하기 위해 격리 칼라를 통해 연장되는 내측 채널을 가짐 ―; 제 1 단부에서 격리 칼라에 커플링되고, 제 2 단부에서 주(main) 펌핑 채널에 커플링된 배기 도관; 및 배기 도관을 선택적으로 개방 또는 폐쇄하기 위해 배기 도관에 커플링된 밸브를 포함한다.
[0009] 몇몇 실시예들에서, 기판을 프로세싱하는 방법은, 제 1 프로세스 가스를 프로세스 챔버의 가스 분산 채널 및 반응 구역 내로 유동시키는 단계; 제 1 프로세스 가스를, 반응 구역에 배치된 가스 분배 플레이트의 복수의 개구들을 통해 기판 상으로 유동시키는 단계; 세정 가스를 가스 분산 채널 및 반응 구역 내로 유동시키는 단계; 세정 가스를 배기 시스템을 통해 배기시키는 단계; 제 2 프로세스 가스를 가스 분산 채널 및 반응 구역 내로 유동시키는 단계; 제 2 프로세스 가스를 가스 분배 플레이트의 복수의 개구들을 통해 기판 상으로 유동시키는 단계; 세정 가스를 가스 분산 채널 및 반응 구역 내로 유동시키는 단계; 및 세정 가스를 배기 시스템을 통해 배기시키는 단계를 포함한다.
[0010] 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 이하에서 설명된다.
[0011] 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 개시내용의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0012] 도 1은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략도를 도시한다.
[0013] 도 2는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0014] 도 3은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 덮개 조립체의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0015] 도 4a-c는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 개구들의 개략도들을 도시한다.
[0016] 도 5는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0012] 도 1은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략도를 도시한다.
[0013] 도 2는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0014] 도 3은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 덮개 조립체의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0015] 도 4a-c는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 개구들의 개략도들을 도시한다.
[0016] 도 5는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0018] 본 개시내용의 실시예들은, 예컨대, ALD(atomic layer deposition) 프로세스 동안에, 기판 프로세싱 챔버들, 예컨대, ALD 챔버를 세정하고, 재료들을 증착시키는 데에 사용될 수 있는 장치 및 방법들을 제공한다. 실시예들은, 원격 플라즈마 소스 및 가스 분배 플레이트를 포함하는 가스 전달 시스템들 및 기판 프로세싱 챔버들을 포함한다. 다른 실시예들은, ALD 프로세스들 동안 이러한 가스 전달 시스템들을 사용하여 재료들을 증착시키기 위한 방법들을 제공한다. 본원에서 설명되는 장치들의 통합에 적합한 프로세싱 챔버들의 예들은, 캘리포니아주 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한, 높은 유전 상수(즉, 고-k) 및 금속 ALD 증착 챔버들을 포함한다. 이하의 프로세스 챔버 설명은 상황에 맞게 그리고 예시적인 목적들을 위해 제공되며, 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 이해되거나 해석되어서는 안된다.
[0019] 도 1은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, ALD 프로세스들에 대해 적응된 가스 전달 시스템(130)을 포함하는 기판 프로세싱 챔버(프로세스 챔버(100))의 개략도이다. 도 2는, 프로세스 챔버(100)의 단면도이다. 프로세스 챔버(100)는 챔버 본체(102)를 포함하고, 챔버 본체(102)는 챔버 본체(102) 내에 그리고 챔버 덮게 조립체(132) 아래에 프로세싱 용적을 갖는다. 프로세스 챔버(100)의 슬릿 밸브(108)는, 로봇(도시되지 않음)이 기판(110), 예컨대, 200mm 또는 300mm 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판을 프로세스 챔버(100)에 전달하고 프로세스 챔버(100)로부터 회수하기 위한 액세스를 제공한다. 챔버 라이너(liner)(177)는, 프로세싱/세정 동안에 사용되는 부식성 가스들로부터 챔버를 보호하기 위해, 프로세스 챔버(100)의 벽들을 따라 배치된다.
[0020] 기판 지지부(112)는 프로세스 챔버(100)에서 기판(110)을 기판 수용 표면(111) 상에 지지한다. 기판 지지부(112)는, 기판 지지부(112) 및 기판 지지부 상에 배치된 기판(110)을 상승시키고 하강시키기 위해, 리프트 모터(114)에 장착된다. 리프트 모터(118)에 연결된 리프트 플레이트(116)(도 2에 도시됨)는, 기판 지지부(112)를 통해 이동 가능하게 배치된 리프트 핀들(120)을 상승 및 하강시키기 위해, 프로세스 챔버(100)에 장착된다. 리프트 핀들(120)은 기판 지지부(112)의 표면 위에서 기판(110)을 상승 및 하강시킨다. 기판 지지부(112)는, 증착 프로세스 동안 기판(110)을 기판 지지부(112)에 고정시키기 위해, 진공 척(도시되지 않음), 정전 척(도시되지 않음), 또는 클램프 링(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
[0021] 기판 지지부(112)의 온도는 기판(110)의 온도를 제어하도록 조정될 수 있다. 예컨대, 기판 지지부(112)는 내장된 가열 엘리먼트, 예컨대, 저항성 가열기(도시되지 않음)를 사용하여 가열될 수 있거나, 복사열, 예컨대, 기판 지지부(112) 위에 배치된 가열 램프들(도시되지 않음)을 사용하여 가열될 수 있다. 기판(110)의 주변 부분 상에서의 증착을 방지하기 위해 퍼지 가스를 기판(110)의 주변 부분에 제공하는 퍼지 채널(124)을 정의하기 위해, 퍼지 링(122)이 기판 지지부(112) 상에 배치될 수 있다.
[0022] 가스 전달 시스템(130)은, 가스, 예컨대, 프로세스 가스 및/또는 퍼지 가스를 프로세스 챔버(100)에 제공하기 위해, 챔버 본체(102)의 상부 부분에 배치된다. 진공 시스템(도시되지 않음)은, 임의의 원하는 가스들을 프로세스 챔버(100)로부터 진공배기하기 위해, 그리고 프로세스 챔버(100)의 내부에서 원하는 압력 또는 압력 범위를 유지하는 것을 돕기 위해, 펌핑 채널(179)과 연통(in communication)한다.
[0023] 몇몇 실시예들에서, 챔버 덮개 조립체(132)는, 챔버 덮개 조립체(132)의 중앙 부분을 통해 연장되는 가스 분산 채널(134)을 포함한다. 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 가스 분산 채널(134)은 기판 수용 표면(111)을 향해 수직으로 연장되고, 또한, 가스 분산 채널(134)의 중심축(133)을 따라, 덮개 플레이트(170)를 통해, 하부 표면(160)으로 연장된다. 몇몇 실시예들에서, 가스 분산 채널(134)의 상부 부분은 중심축(133)을 따라서 실질적으로 원통형이고, 가스 분산 채널(134)의 하부 부분은 중심축(133)으로부터 멀어지며 테이퍼링된다(taper). 하부 표면(160)은 기판 지지부(112)의 기판 수용 표면(111) 상에 배치된 기판(110)을 실질적으로 커버하도록 크기가 정해지고 성형된다. 하부 표면(160)은 덮개 플레이트(170)의 외측 에지로부터 가스 분산 채널(134)을 향해 테이퍼링된다. 가스 분배 시스템(130)은 기판(110)을 프로세싱하기 위해 하나 또는 그 초과의 가스들을 가스 분산 채널(134)에 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 전달 시스템(130)은 하나의 가스 유입구를 통해 가스 분산 채널(134)에 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 3에 도시된 것과 같이, 가스 전달 시스템은 복수의 유입구들을 통해 가스 분산 채널(134)에 커플링될 수 있다.
[0024] 도 3에 예시된 바와 같이, 가스 분산 채널(134)을 통하는 프로세스 가스들의 유동을 예시하는 원형 가스 유동(174)은 다양항 유형들의 유동 패턴들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 가스들은 분산 채널을 통과하면서 가스 분산 채널(134)의 중심축(133)을 중심으로 회전하도록 강제될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 원형 가스 유동(174)은 다양한 유형들의 원형 유동 패턴들, 예컨대, 소용돌이(vortex) 패턴, 나선형(helix) 패턴, 와선형(spiral) 패턴, 또는 이들의 파생형들을 포함할 수 있다.
[0025] 많은 애플리케이션들의 경우에 원형 가스 유동(174)을 제공하는 것이 유익하지만, 본 발명자들은, 몇몇 애플리케이션들에서는, 원형 가스 유동이 불-균일한 프로세싱 결과들로 이어질 수 있다는 것을 발견하였다. 본 발명자들은, 가스 유동이, 프로세싱되는 기판(110)의 중앙 근처에서 도넛-형상 증착 프로파일로 이어질 수 있다는 것을 관찰하였다. 도넛-형상 프로파일은 가스 분산 채널(134)의 깔때기 형상에 의해 야기될 수 있다. 그러므로, 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 복수의 개구들(126)을 갖는 가스 분배 플레이트(125)를 더 포함하고, 복수의 개구들(126)은 가스 분배 플레이트(125)를 통해 배치된다. 가스 분배 플레이트(125)는, 오직 가스 분산 채널(134)로부터 기판으로의 경로만이 가스 분배 플레이트(125)의 복수의 개구들(126)을 통하도록, 가스 분산 채널(134)의 표면으로 연장된다. 가스 분배 플레이트(125)는 유리하게, 가스 분배 플레이트(125)를 통하는 가스의 초크 유동(choked flow)을 생성하여, 기판(110) 상에서의 더 균일한 증착을 초래하고, 따라서, 가스의 회전 유동에 의해 야기되는 도넛-형상 증착을 실질적으로 제거한다.
[0026] 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(125)는, 예컨대, 알루미늄 옥사이드 또는 알루미늄 나이트라이드와 같은 비-부식성 세라믹 재료로 형성된다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 개구들(126) 각각은 동등한 유체 컨덕턴스(fluid conductance)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 개구들(126)의 밀도(예컨대, 단위 지역당 개구들의 개구부들의 크기 또는 개구들의 개수)는, 기판(110)에 대해 원하는 증착 프로파일을 달성하기 위해 가스 분배 플레이트(125)에 걸쳐 변할 수 있다. 예컨대, 증착 균일성을 더 개선하기 위해 기판의 에지에 대해서 기판의 중앙에서의 증착 레이트를 증가시키도록, 개구들(126)의 더 높은 밀도가 가스 분배 플레이트(125)의 중심에 배치될 수 있다.
[0027] 복수의 개구들(126)이 원통형 스루 홀들로서 도시되었지만, 복수의 개구들(126)은 상이한 프로파일들을 가질 수 있다. 도 4a-c는, 복수의 개구들(126)의 프로파일들의 상이한 비-제한적인 실시예들을 도시한다. 도 4a에 도시된 실시예에서, 개구(126)는, 개구를 둘러싸는 커브형 에지들(402)을 갖는 원통형 스루 홀이다. 도 4b에 도시된 실시예에서, 개구(126)는, 개구의 중앙을 향해 내측으로 테이퍼링되는 상부 부분(404), 가스 분배 플레이트(125)의 상부 표면(127)에 대해 수직으로 연장되는 원통형 중앙 부분(405), 및 개구의 중앙으로부터 외측으로 테이퍼링되는 하부 부분(406)을 갖는 스루 홀이다. 도 4c에 도시된 실시예에서, 개구(126)는, 카운터성크(countersunk) 홀을 갖는 상부 부분(408), 가스 분배 플레이트(125)의 상부 표면(127)에 대해 수직으로 연장되는 원통형 중앙 부분(409), 및 개구의 중앙으로부터 외측으로 테이퍼링되는 하부 부분(410)을 갖는 스루 홀이다. 기판(110)의 프로세싱 동안 최적의 증착 균일성을 달성하기 위해, 복수의 개구들(126)의 다른 프로파일들이 대안적으로 사용될 수 있다.
[0028] 이론에 구속되기를 바라지 않고, 본 발명자들은, 가스 분산 채널(134)의 상부 부분으로부터 중심축(133)을 따라 제 1 지점까지 일정하고 제 1 지점으로부터 가스 분산 채널(134)의 하부 부분(135)까지 증가하는 가스 분산 채널(134)의 직경이, 가스 분산 채널(134)을 통한 가스의 단열 팽창을 더 적게 허용하고, 이는 원형 가스 유동(174)에 포함되는 프로세스 가스의 온도를 제어하는 것을 돕는다고 생각한다. 예컨대, 가스 분산 채널(134) 내로 전달되는 가스의 급작스런 단열 팽창은 가스의 온도의 급락을 초래할 수 있고, 이는 가스의 응축 및 액적들의 형성을 야기할 수 있다. 반면에, 점진적으로 테이퍼링되는 가스 분산 채널(134)은, 가스의 단열 팽창을 더 적게 제공하는 것으로 여겨진다. 그러므로, 더 많은 열이 가스로 또는 가스로부터 전달될 수 있고, 따라서, 가스의 온도는, 챔버 덮개 조립체(132)의 온도를 제어하는 것에 의해 더 쉽게 제어될 수 있다. 가스 분산 채널(134)은 점진적으로 테이퍼링될 수 있고, 하나 또는 그 초과의 테이퍼링된 내측 표면들, 예컨대, 테이퍼링된 직선 표면, 오목 표면, 볼록 표면, 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있거나, 하나 또는 그 초과의 테이퍼링된 내측 표면들의 섹션들(즉, 테이퍼링된 부분 및 테이퍼링되지 않은 부분)을 포함할 수 있다.
[0029] 도 3에 도시된 바와 같이, 가스 분산 채널(134)의 상부 부분은 하우징(375)의 내측 영역에 배치된 인서트(300)에 의해 정의된다. 인서트(300)는, 가스 분산 채널(134)을 적어도 부분적으로 정의하는 중앙 통로, 및 인서트(300)의 상부 부분에 캡(302)을 포함한다. 캡(302)은 인서트(300)를 제 위치(in place)에 홀딩하기 위해 하우징(375) 위로 연장된다. 인서트(300) 및 캡(302)은, 적절한 밀봉을 보장하기 위해, 인서트(300)와 하우징(375) 사이에 배치되는 복수의 o-링들(385)을 포함한다. 인서트(300)는, 인서트(300)가 하우징(375) 내에 삽입될 때, 대응하는 복수의 주변 채널들(360, 365, 370)을 형성하는 복수의 주변 개구들을 포함한다. 복수의 주변 채널들(360, 365, 370)은, 대응하는 복수의 홀들(340, 345, 350)을 통해 가스 분산 채널(134)에 유체적으로 커플링된다. 도 3에 도시된 실시예에서, 가스 전달 시스템(130)은 복수의 가스 피드 라인들(310, 315, 320)을 통해 가스 분산 채널(134)에 커플링된다. 가스 피드 라인들(310, 315, 320)은, 하나 또는 그 초과의 가스들을 가스 분산 채널(134)에 제공하기 위해, 복수의 주변 채널들(360, 365, 370)에 유체적으로 커플링된다.
[0030] 도 1 및 2로 돌아가서, 프로세스 챔버(100)는, RPS(remote plasma source)(190), 일 단부에서 RPS(190)에 커플링되고 반대쪽 단부에서 캡(302)에 커플링된 격리 칼라(192), 덮개 플레이트(170)의 상부 표면에 커플링된 가열기 플레이트(198), 및 RPS(190)에 유체적으로 커플링된 세정 가스(즉, 퍼지 가스) 소스(197)를 포함하는 챔버 세정 시스템을 더 포함한다. 세정 가스 소스는, 프로세스 챔버(100)를 세정하기 위해 플라즈마를 형성하는 데에 적합한 임의의 가스를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예컨대, 세정 가스는 삼불화질소(NF3)일 수 있다. 격리 칼라(192)는, RPS(190)로부터의 플라즈마를 가스 분산 채널(134)을 통해 반응 구역(164) 내로 유동시키기 위해, 캡(302)의 중앙 부분에 배치된 복수의 홀들(285)을 통해 가스 분산 채널(134)에 유체적으로 커플링된 내측 채널(193)을 포함한다. 가열기 플레이트(198)는 스테인리스 스틸로 형성될 수 있고, 플레이트 전체에 분산된 복수의 저항성 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다.
[0031] 전형적으로, 제 1 가스가 가스 전달 시스템(130)에 의해 가스 분산 채널(134)에 제공된 이후에, 제 1 가스를 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164)으로부터 신속히 퍼징하기 위해, 세정 가스가 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164)을 통해 유동된다. 후속하여, 제 2 가스가 가스 전달 시스템(130)에 의해 가스 분산 채널(134)에 제공되고, 제 2 가스를 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164)으로부터 신속히 퍼징하기 위해, 세정 가스가 다시 가스 분산 채널(134)을 통해 반응 구역(164)으로 유동된다. 그러나, 가스 분배 플레이트(125)의 부가는 펌핑 채널(179)로의 세정 가스의 유동을 초킹하여 세정 프로세스를 연장한다. 이로써, 본 발명자들은, 제 1 단부(186)에서 격리 칼라(192)에 커플링되고 제 2 단부(188)에서 펌핑 채널(179)에 커플링된 배기 도관(184)을 갖는 배기 시스템(180)을 통합하였다. 밸브(182)는, 배기 도관(184)을 내측 채널(193)에 선택적으로 유체적으로 커플링하기 위해 배기 도관(184)에 배치된다. 몇몇 실시예들에서, 예컨대, 밸브(182)는, 배기 도관(184)을 내측 채널(193)에 유체적으로 커플링하기 위한 제 1 포지션(도 2에 도시됨)과, 배기 도관(184)을 내측 채널(193)로부터 밀봉하기 위한 제 2 포지션 사이에서 이동 가능한 플런저(202)를 갖는 플런저 유형 밸브일 수 있다. 매번 세정 가스가 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164)을 통해 유동될 때마다, 밸브(182)가 개방되고 세정 가스는 펌핑 채널(179)로 신속히 배기된다.
[0032] 프로세스 챔버(100)의 내부의 압력이 RPS(190)의 내부의 압력을 초과할 때, 프로세싱 가스들이 RPS(190)까지 유동하여 RPS(190)를 손상시킬 수 있다. 복수의 홀들(285)은, 프로세싱 가스들의 역류가 내측 채널(193)을 통해 RPS(190) 내로 유동하는 것을 방지하기 위한 초크 지점으로서 역할을 한다. 격리 칼라(192)는, 사용되는 세정 가스와 비-반응성인 임의의 재료로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 세정 가스가 NF3일때, 격리 칼라(192)는 알루미늄으로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 격리 칼라(192) 및 인서트(300)는 알루미늄으로 형성될 수 있고, 부식성 가스들이 사용될 때 이 부식성 가스들로 인한 격리 칼라(192) 및 인서트(300)의 부식을 방지하기 위해 코팅으로 코팅될 수 있다. 예컨대, 코팅은 니켈 또는 알루미늄 옥사이드로 형성될 수 있다.
[0033] 도 3을 참조하면, RPS(190)는 약 40°C와 동일한 또는 그 미만의 온도에서 동작한다. 프로세스 챔버(100)에서 생성되는 열로부터 RPS(190)를 유리하게 절연하기 위해, 열 격리 링(394)이 격리 칼라(192)와 캡(302) 사이에 배치된다. 열 격리 링(394)은 낮은(예컨대, 격리 칼라(192) 및 캡(302)의 열 전도율보다 더 낮은) 열 전도율을 갖는 금속으로 형성된다. 부가적으로, 격리 칼라(192)와 캡(302) 사이의 접촉 면적을 더 감소시키기 위해, o-링(385)이 또한, 격리 칼라(192)와 캡(302) 사이에 배치될 수 있다. 열 격리 링(394)과 o-링(385)의 조합은, 프로세스 챔버(100)에서 생성되는 열이 RPS(190)에 악영향을 주지 않는다는 것을 보장하기 위한 열 초크로서 작용한다.
[0034] 몇몇 실시예들에서, 덮개 플레이트(170)가 100°C 위로 가열될 때, 프로세스 챔버(100)는, o-링들(385) 사이에 포획되는(trapped) 임의의 프로세스 가스들 또는 부산물들이 펌핑 채널(179)로 배기되는 것을 보장하기 위한 차동(differential) 펌핑 라인(250)을 포함할 수 있다. 차동 펌핑 라인(250)은 제 1 단부에서 덮개 플레이트(170)에 커플링되고, 제 1 단부 반대쪽의 제 2 단부에서 하우징(375)에 커플링된다. 차동 펌핑 라인은 가스 분산 채널(134)에 유체적으로 커플링되고, 둘 또는 그 초과의 o-링들(385) 사이의 지역들에 형성된 하나 또는 그 초과의 채널들(260)에 유체적으로 커플링된다. 가스 분산 채널(134)을 배기하기 위해 밸브(182)가 개방될 때, 차동 펌핑 라인은 o-링들(385) 사이에 포획된 가스들을 배기한다.
[0035] 다시 도 3으로 돌아가서, 챔버 덮개 조립체(132)의 하부 표면(160)의 부분은, 가스 분산 채널(134)로부터의 기판(110)의 표면에 걸친(즉, 기판의 중앙으로부터 기판의 에지로의) 가스 유동의 개선된 속도 프로파일을 제공하는 것을 돕기 위해, 가스 분산 채널(134)에 커플링된 중앙 개구부로부터, 챔버 덮개 조립체(132)의 주변 부분으로 하방으로 그리고 외측으로 윤곽지거나, 각질 수 있다(angled). 하부 표면(160)은 하나 또는 그 초과의 표면들, 예컨대, 직선 표면, 오목 표면, 볼록 표면, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 하부 표면(160)은 볼록한 깔때기-형상이다.
[0036] 일 예에서, 하부 표면(160)은, 반응물 가스에 대한 기판(110)의 표면의 균일한 노출을 제공하는 것을 보조하면서, 챔버 덮개 조립체(132)의 하부 표면(160)과 기판(110) 사이에서 이동하는 프로세스 가스들의 속도의 변화를 감소시키는 것을 돕도록, 기판 수용 표면(111)의 에지를 향하여 하방으로 그리고 외측으로 경사진다(sloping). 챔버 덮개 조립체(132)의 부분들 및 컴포넌트들은, 스테인리스 스틸, 알루미늄, 니켈-도금된 알루미늄, 니켈, 이들의 합금들, 또는 다른 적합한 재료들과 같은 재료들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 덮개 플레이트(170)는 금속, 예컨대, 알루미늄, 알루미늄 합금, 스틸, 스테인리스 스틸, 이들의 합금들, 또는 이들의 조합들로 독립적으로 제조되거나, 기계가공되거나(machined), 단조되거나(forged), 다른 방식으로 만들어질 수 있다.
[0037] 몇몇 실시예들에서, 가스 분산 채널(134)의 내측 표면(131) 및 챔버 덮개 조립체(132)의 하부 표면(160)은, 챔버 덮개 조립체(132)의 하부 표면(160) 및 가스 분산 채널(134)을 따른 가스의 유동을 돕기 위해, 경면 폴리싱된(mirror polished) 표면을 포함할 수 있다.
[0038] 도 1-3을 참조하면, 프로세싱 동작에서, 기판(110)은 로봇(도시되지 않음)에 의해 슬릿 밸브(108)를 통해 프로세스 챔버(100)에 전달된다. 기판(110)은 로봇과 리프트 핀들(120)의 협력을 통해 기판 지지부(112) 상에 포지셔닝된다. 기판 지지부(112)는 가스 분배 플레이트(125)의 하부 표면에 대향하여 가까이에(close opposition) 기판(110)을 상승시킨다. 제 1 가스 유동이 제 2 가스 유동과 함께 또는 개별적으로(즉, 펄스들) 가스 전달 시스템(130)에 의해 프로세스 챔버(100)의 가스 분산 채널(134) 내에 주입될 수 있다. 제 1 가스 유동은 퍼지 가스 소스로부터의 퍼지 가스의 연속적인 유동 및 반응물 가스 소스로부터의 반응물 가스의 펄스들을 포함할 수 있거나, 반응물 가스 소스로부터의 반응물 가스의 펄스들 및 퍼지 가스 소스로부터의 퍼지 가스의 펄스들을 포함할 수 있다. 제 2 가스 유동은 퍼지 가스 소스로부터의 퍼지 가스의 연속적인 유동 및 반응물 가스 소스로부터의 반응물 가스의 펄스들을 포함할 수 있거나, 반응물 가스 소스로부터의 반응물 가스의 펄스들 및 퍼지 가스 소스로부터의 퍼지 가스의 펄스들을 포함할 수 있다.
[0039] 원형 가스 유동(174)은 가스 분산 채널(134)을 통해, 그리고 이어서 가스 분배 플레이트(125)의 복수의 개구들(126)을 통해 이동한다. 그런 다음, 가스는 기판(110)의 표면 상에 증착된다. 하방으로 경사진, 챔버 덮개 조립체(132)의 하부 표면(160)은 가스 분배 플레이트(125)의 표면에 걸친 가스 유동의 속도의 변화를 감소시키는 것을 돕는다. 과도한 가스, 부산물들, 등은 펌핑 채널(179) 내로 유동하고 그런 다음, 프로세스 챔버(100)로부터 배기된다. 프로세싱 동작 내내, 가열기 플레이트(198)는, 프로세스 챔버(100)(또는 챔버에 배치된 프로세싱 키트)의 벽들 상에 축적된 임의의 고체 부산물들을 가열하기 위해, 챔버 덮개 조립체(132)를 미리 결정된 온도로 가열할 수 있다. 결과적으로, 임의의 축적된 고체 부산물들은 증발된다. 증발된 부산물들은 진공 시스템(도시되지 않음) 및 펌핑 채널(179)에 의해 진공배기된다. 몇몇 실시예들에서, 미리 결정된 온도는 150°C와 동일하거나 그 초과이다.
[0040] 도 5는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법(500)을 예시한다. 505에서, 제 1 프로세스 가스가 가스 전달 시스템(130)으로부터 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164) 내로 유동된다. 510에서, 제 1 프로세스 가스는 가스 분배 플레이트(125)의 복수의 개구들(126)을 통해 기판(110) 상으로 유동된다. 515에서, 제 1 프로세스 가스를 퍼징하기 위해, 세정 가스가 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164) 내로 유동된다. 520에서, 세정 가스는 배기 시스템(180)을 통해 배기된다. 525에서, 제 2 프로세스 가스가 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164) 내로 유동된다. 530에서, 제 2 프로세스 가스는 가스 분배 플레이트(125)의 복수의 개구들(126)을 통해 기판(110) 상으로 유동된다. 535에서, 제 2 프로세스 가스를 퍼징하기 위해, 세정 가스가 가스 분산 채널(134) 및 반응 구역(164) 내로 유동된다. 540에서, 세정 가스는 배기 시스템(180)을 통해 배기된다.
[0041] 원자 층 증착을 위해 적응된 챔버의 다른 실시예들은 이러한 피처들 중 하나 또는 그 초과를 통합한다.
[0042] 전술한 내용은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않고 안출될 수 있다.
Claims (20)
- 기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개로서,
상부 표면 및 윤곽진(contoured) 바닥부 표면을 포함하는 덮개 플레이트(lid plate) ― 상기 상부 표면은 중앙 개구부를 가지고, 상기 윤곽진 바닥부 표면은 상기 중앙 개구부로부터 상기 덮개 플레이트의 주변 부분으로 외측으로 그리고 하방으로 연장되는 제 1 부분 및 상기 덮개 플레이트의 주변 부분을 따라 반경 방향 외측으로 연장되는 제 2 부분을 가짐 ―;
상기 덮개 플레이트로부터 반경 방향 외측으로 연장되는 상부 플랜지(flange);
상기 덮개 플레이트의 상부 표면으로부터 상기 윤곽진 바닥부 표면의 제 2 부분으로 상기 덮개 플레이트를 통해 형성된 하나 또는 그 초과의 채널들; 및
상기 덮개 플레이트의 윤곽진 바닥부 표면이 가스 분배 플레이트로 연장되고 접하도록, 상기 덮개 플레이트에 커플링되도록 구성된 가스 분배 플레이트;를 포함하고,
상기 하나 또는 그 초과의 채널들은, 상기 윤곽진 바닥부 표면의 제 2 부분과 상기 가스 분배 플레이트 사이에서 포획되는 공정 가스들 또는 부산물들을 배출하도록 차동 펌핑 라인에 유체적으로 커플링되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개 플레이트의 상부 표면은 평면인,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개 플레이트의 상부 표면 및 상기 윤곽진 바닥부 표면의 제 2 부분은 평행한,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항에 있어서,
상기 중앙 개구부를 둘러싸는 상기 덮개 플레이트의 상부 표면에 배치되는 o-링 그루브(o-ring groove)를 더 포함하는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항에 있어서,
상기 윤곽진 바닥부 표면은 경면 폴리싱된(mirror polished) 표면을 가지는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개 플레이트는 금속으로 제조되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개 플레이트는 알루미늄, 알루미늄 합금, 스틸 또는 스테인리스 스틸로 제조되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는, 상기 가스 분배 플레이트가 상기 덮개 플레이트에 커플링된 경우 오직 상기 중앙 개구부로부터 상기 가스 분배 플레이트 아래 영역으로의 경로만이 복수의 개구들을 통하도록, 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 복수의 개구들을 가지는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 8 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는 비-부식성 세라믹 재료로 형성되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 8 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는 알루미늄 옥사이드 또는 알루미늄 나이트라이드로 형성되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 8 항에 있어서,
상기 복수의 개구들의 각각은 동등한 유체 컨덕턴스(fluid conductance)를 가지는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 8 항에 있어서,
상기 복수의 개구들의 각각의 개구는, 카운터성크 홀(countersunk hole)을 가지는 상부 부분, 상기 가스 분배 플레이트의 상부 표면에 대해 수직으로 연장되는 원통형 중앙 부분, 및 상기 개구의 중앙으로부터 외측으로 테이퍼링되는 하부 부분을 가지는 스루 홀(through hole)인,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 8 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는, 상기 복수의 개구들을 포함하는 중앙 부분 및 상기 복수의 개구들을 둘러싸고 그리고 상기 덮개 플레이트의 윤곽진 바닥부 표면의 제 2 부분과 인터페이싱하도록 구성된 제 1 단차 부분을 포함하는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 제 13 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는, 상기 제 1 단차 부분을 둘러싸고 그리고 상기 덮개 플레이트의 상부 플랜지와 인터페이싱하도록 구성된 제 2 단차 부분을 더 포함하는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개. - 기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트로서,
상부 표면 및 윤곽진 바닥부 표면을 포함하는 덮개 플레이트 ― 상기 상부 표면은 중앙 개구부를 가지고, 상기 윤곽진 바닥부 표면은 상기 중앙 개구부로부터 상기 덮개 플레이트의 주변 부분으로 외측으로 그리고 하방으로 연장되는 제 1 부분 및 상기 덮개 플레이트의 주변 부분을 따라 반경 방향 외측으로 연장되는 제 2 부분을 가지고, 그리고 상기 덮개 플레이트는, 상기 덮개 플레이트로부터 반경 방향 외측으로 연장되는 상부 플랜지 및 상기 덮개 플레이트의 상부 표면으로부터 상기 윤곽진 바닥부 표면의 제 2 부분으로 상기 덮개 플레이트를 통해 형성된 하나 또는 그 초과의 채널들을 가짐 ―; 및
상기 덮개 플레이트의 윤곽진 바닥부 표면이 가스 분배 플레이트로 연장되고 접하도록, 상기 덮개 플레이트에 커플링되도록 구성된 가스 분배 플레이트 ― 상기 가스 분배 플레이트는, 상기 가스 분배 플레이트가 상기 덮개 플레이트에 커플링된 경우 오직 상기 중앙 개구부로부터 상기 가스 분배 플레이트 아래 영역으로의 경로만이 복수의 개구들을 통하도록, 가스 분배 플레이트를 통해 배치된 복수의 개구들을 가지고, 상기 가스 분배 플레이트는, 상기 복수의 개구들을 포함하는 중앙 부분, 상기 중앙 부분을 둘러싸고 그리고 상기 덮개 플레이트의 윤곽진 바닥부 표면의 제 2 부분과 인터페이싱하도록 구성된 제 1 단차 부분 및 상기 제 1 단차 부분을 둘러싸고 그리고 상기 덮개 플레이트의 상부 플랜지와 인터페이싱하도록 구성된 제 2 단차 부분을 포함함―;를 포함하는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트. - 제 15 항에 있어서,
상기 복수의 개구들의 각각은 동등한 유체 컨덕턴스를 가지는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트. - 제 15 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는 비-부식성 세라믹 재료로 형성되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트. - 제 15 항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는 알루미늄 옥사이드 또는 알루미늄 나이트라이드로 형성되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트. - 제 15 항에 있어서,
상기 덮개 플레이트는 금속으로 제조되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트. - 제 15 항에 있어서,
상기 덮개 플레이트는 알루미늄, 알루미늄 합금, 스틸 또는 스테인리스 스틸로 제조되는,
기판 프로세싱 챔버를 위한 덮개 조립체 키트.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562151180P | 2015-04-22 | 2015-04-22 | |
US62/151,180 | 2015-04-22 | ||
US14/734,838 US11384432B2 (en) | 2015-04-22 | 2015-06-09 | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
US14/734,838 | 2015-06-09 | ||
KR1020177033110A KR102631744B1 (ko) | 2015-04-22 | 2016-04-19 | 깔때기-형상 가스 분산 채널 및 가스 분배 플레이트를 구비한 원자 층 증착 챔버 |
PCT/US2016/028253 WO2016172085A1 (en) | 2015-04-22 | 2016-04-19 | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177033110A Division KR102631744B1 (ko) | 2015-04-22 | 2016-04-19 | 깔때기-형상 가스 분산 채널 및 가스 분배 플레이트를 구비한 원자 층 증착 챔버 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210046839A KR20210046839A (ko) | 2021-04-28 |
KR102640272B1 true KR102640272B1 (ko) | 2024-02-22 |
Family
ID=57144181
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217011571A KR102640272B1 (ko) | 2015-04-22 | 2016-04-19 | 원자 층 증착 챔버들을 위한 덮개들 및 덮개 키트들 |
KR1020177033110A KR102631744B1 (ko) | 2015-04-22 | 2016-04-19 | 깔때기-형상 가스 분산 채널 및 가스 분배 플레이트를 구비한 원자 층 증착 챔버 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177033110A KR102631744B1 (ko) | 2015-04-22 | 2016-04-19 | 깔때기-형상 가스 분산 채널 및 가스 분배 플레이트를 구비한 원자 층 증착 챔버 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11384432B2 (ko) |
EP (1) | EP3286352A4 (ko) |
KR (2) | KR102640272B1 (ko) |
CN (2) | CN112877675B (ko) |
IL (2) | IL284142B2 (ko) |
SG (2) | SG11201707640WA (ko) |
TW (2) | TWI722871B (ko) |
WO (1) | WO2016172085A1 (ko) |
Families Citing this family (310)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9793096B2 (en) * | 2014-09-12 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity |
US10407771B2 (en) * | 2014-10-06 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11384432B2 (en) * | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
KR101792941B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2017-11-02 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 | 화학기상증착장치 및 그 세정방법 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
KR102102320B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2020-04-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
WO2018132788A1 (en) * | 2017-01-16 | 2018-07-19 | Larry Baxter | Method and apparatus for desublimation prevention in a direct contact heat exchanger |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US9972501B1 (en) * | 2017-03-14 | 2018-05-15 | Nano-Master, Inc. | Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US20190048467A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Showerhead and process chamber incorporating same |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11164737B2 (en) * | 2017-08-30 | 2021-11-02 | Applied Materials, Inc. | Integrated epitaxy and preclean system |
US10147597B1 (en) | 2017-09-14 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11014853B2 (en) * | 2018-03-07 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Y2O3—ZrO2 erosion resistant material for chamber components in plasma environments |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
SG11202010405RA (en) * | 2018-07-31 | 2021-02-25 | Applied Materials Inc | Gas box for cvd chamber |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
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TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
WO2020243288A1 (en) | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | Thermal process chamber lid with backside pumping |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US20230357927A1 (en) * | 2019-09-22 | 2023-11-09 | Applied Materials, Inc. | Ald cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
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US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
JP2023507111A (ja) * | 2019-12-17 | 2023-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高密度プラズマ化学気相堆積チャンバ |
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JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11087959B2 (en) | 2020-01-09 | 2021-08-10 | Nano-Master, Inc. | Techniques for a hybrid design for efficient and economical plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11640900B2 (en) | 2020-02-12 | 2023-05-02 | Nano-Master, Inc. | Electron cyclotron rotation (ECR)-enhanced hollow cathode plasma source (HCPS) |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
WO2021257773A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition lid |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
WO2022051079A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | Applied Materials, Inc. | Showerhead design to control stray deposition |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
US11605544B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for cleaning high aspect ratio structures |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
TW202403086A (zh) * | 2021-07-12 | 2024-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於前驅物遏制的改進的噴頭泵送幾何形狀 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115572938B (zh) * | 2022-07-18 | 2024-03-22 | 江西弘耀光学水晶有限公司 | 一种高精密光学镜片镀膜方法 |
Family Cites Families (149)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3144035A (en) * | 1963-02-01 | 1964-08-11 | Nat Res Corp | High vacuum system |
US4229655A (en) * | 1979-05-23 | 1980-10-21 | Nova Associates, Inc. | Vacuum chamber for treating workpieces with beams |
JPS5764228A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Silver halide photographic material |
CA1272661A (en) * | 1985-05-11 | 1990-08-14 | Yuji Chiba | Reaction apparatus |
US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
US5359254A (en) * | 1990-06-26 | 1994-10-25 | Research Institute Of Applied Mechanics And Electrodynamics | Plasma compensation cathode |
GB9202434D0 (en) * | 1992-02-05 | 1992-03-18 | Xaar Ltd | Method of and apparatus for forming nozzles |
US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
US5512078A (en) * | 1994-03-24 | 1996-04-30 | Griffin; Stephen E. | Apparatus for making linearly tapered bores in quartz tubing with a controlled laser |
EP0738788B1 (en) * | 1995-04-20 | 2003-08-13 | Ebara Corporation | Thin-Film vapor deposition apparatus |
JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
KR100492258B1 (ko) * | 1996-10-11 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반응가스분출헤드 |
EP1008674B1 (en) * | 1997-04-11 | 2013-05-29 | Tokyo Electron Limited | Elecrode unit and processor |
US6024799A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition manifold |
JP3314151B2 (ja) * | 1998-01-05 | 2002-08-12 | 株式会社日立国際電気 | プラズマcvd装置及び半導体装置の製造方法 |
US6635578B1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc | Method of operating a dual chamber reactor with neutral density decoupled from ion density |
US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
US6450116B1 (en) * | 1999-04-22 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals |
US6565661B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-05-20 | Simplus Systems Corporation | High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method |
ATE249532T1 (de) * | 2000-02-04 | 2003-09-15 | Aixtron Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer oder mehrerer schichten auf ein substrat |
TW580735B (en) * | 2000-02-21 | 2004-03-21 | Hitachi Ltd | Plasma treatment apparatus and treating method of sample material |
US6302965B1 (en) * | 2000-08-15 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces |
US6878206B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US20030019428A1 (en) * | 2001-04-28 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
US7103443B2 (en) * | 2001-06-29 | 2006-09-05 | Tokyo Electron Limited | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing |
US7780789B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
US7204886B2 (en) * | 2002-11-14 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical processing |
US20080102208A1 (en) * | 2001-10-26 | 2008-05-01 | Dien-Yeh Wu | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
US20080102203A1 (en) * | 2001-10-26 | 2008-05-01 | Dien-Yeh Wu | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
US6916398B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US7081271B2 (en) * | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
US20030116087A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Nguyen Anh N. | Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition |
US7175713B2 (en) * | 2002-01-25 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6866746B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
US6911391B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
US20030140857A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for low pressure CVD deposition of tungsten and tungsten nitride |
JP4090347B2 (ja) | 2002-03-18 | 2008-05-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
US20030213560A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Yaxin Wang | Tandem wafer processing system and process |
US20030224217A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-04 | Applied Materials, Inc. | Metal nitride formation |
US7067439B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | ALD metal oxide deposition process using direct oxidation |
US7217336B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-05-15 | Tokyo Electron Limited | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing |
US6962348B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-11-08 | Tokyo Electron Limited | Sealing apparatus having a single groove |
US7032352B2 (en) | 2002-07-31 | 2006-04-25 | Zebuhr William H | Structure to limit damage due to failure |
US6955725B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6784096B2 (en) * | 2002-09-11 | 2004-08-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias |
US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
US20040069227A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber configured for uniform gas flow |
US7097886B2 (en) * | 2002-12-13 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition process for high aspect ratio trenches |
WO2004061888A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for determining consumable lifetime |
US7262133B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
JP2004239251A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Aisan Ind Co Ltd | 燃料噴射弁 |
US20040173313A1 (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-09 | Bradley Beach | Fire polished showerhead electrode |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
EP1629522A4 (en) * | 2003-05-30 | 2008-07-23 | Aviza Tech Inc | GAS DISTRIBUTION SYSTEM |
US6852139B2 (en) * | 2003-07-11 | 2005-02-08 | Excellatron Solid State, Llc | System and method of producing thin-film electrolyte |
US6886240B2 (en) * | 2003-07-11 | 2005-05-03 | Excellatron Solid State, Llc | Apparatus for producing thin-film electrolyte |
JP2005109194A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Japan Steel Works Ltd:The | Cvd反応室のクリーニング装置 |
US7408225B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-08-05 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms |
CN100466162C (zh) * | 2003-12-15 | 2009-03-04 | 应用材料有限公司 | 用于改进cvd膜性能的边流面板 |
US7892357B2 (en) | 2004-01-12 | 2011-02-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas distribution plate assembly for plasma reactors |
US20060033678A1 (en) * | 2004-01-26 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
US20050218115A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-10-06 | Applied Materials, Inc. | Anti-clogging nozzle for semiconductor processing |
US20060051966A1 (en) * | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
KR20060060731A (ko) * | 2004-03-31 | 2006-06-05 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US8083853B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US20050252449A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US8328939B2 (en) * | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
US8074599B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
US8119210B2 (en) * | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
US20060137608A1 (en) | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Choi Seung W | Atomic layer deposition apparatus |
US20060162661A1 (en) * | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Applied Materials, Inc. | Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition |
US7651568B2 (en) * | 2005-03-28 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system |
US20060266288A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | High plasma utilization for remote plasma clean |
JP4943669B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空装置のシール構造 |
US7601652B2 (en) * | 2005-06-21 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for treating substrates and films with photoexcitation |
JP4997842B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
TWI332532B (en) * | 2005-11-04 | 2010-11-01 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
WO2007084493A2 (en) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Asm America, Inc. | High temperature ald inlet manifold |
US20070163716A1 (en) | 2006-01-19 | 2007-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas distribution apparatuses and methods for controlling gas distribution apparatuses |
US7494545B2 (en) * | 2006-02-03 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial deposition process and apparatus |
KR20070093197A (ko) * | 2006-03-13 | 2007-09-18 | 삼성전자주식회사 | 샤워헤드 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 |
US8268078B2 (en) * | 2006-03-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system |
US8034176B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | Gas distribution system for a post-etch treatment system |
US20070289534A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-20 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US20070281106A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US7476291B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-01-13 | Lam Research Corporation | High chamber temperature process and chamber design for photo-resist stripping and post-metal etch passivation |
KR101064354B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2011-09-14 | 가부시키가이샤 알박 | 장벽막 형성 방법 |
US8821637B2 (en) * | 2007-01-29 | 2014-09-02 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition |
US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
KR101125086B1 (ko) * | 2007-04-17 | 2012-03-21 | 가부시키가이샤 알박 | 성막장치 |
US8021514B2 (en) * | 2007-07-11 | 2011-09-20 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source for pre-treatment of substrates prior to deposition |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
US7541297B2 (en) * | 2007-10-22 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill |
US8092606B2 (en) * | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
JP5308679B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | シール機構、シール溝、シール部材及び基板処理装置 |
TWI498988B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Ltd | A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method |
JP5223377B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2009239082A (ja) | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | ガス供給装置、処理装置及び処理方法 |
JP5243089B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のシール構造、シール方法およびプラズマ処理装置 |
JP5396745B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20110022036A (ko) * | 2008-06-02 | 2011-03-04 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 기판 처리방법 |
US7699935B2 (en) | 2008-06-19 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber |
US8291857B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
JP5231117B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-07-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
US8187381B2 (en) | 2008-08-22 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Process gas delivery for semiconductor process chamber |
US20100183825A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-22 | Cambridge Nanotech Inc. | Plasma atomic layer deposition system and method |
US20100317198A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Novellus Systems, Inc. | Remote plasma processing of interface surfaces |
US7935643B2 (en) * | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
EP2292953A1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-09 | Fei Company | High-vacuum seal |
TWI385272B (zh) | 2009-09-25 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體分佈板及其裝置 |
US8329587B2 (en) * | 2009-10-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Post-planarization densification |
US8742665B2 (en) * | 2009-11-18 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
US20110136346A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Substantially Non-Oxidizing Plasma Treatment Devices and Processes |
US20110151677A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Applied Materials, Inc. | Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process |
US20110303146A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-12-15 | Osamu Nishijima | Plasma doping apparatus |
SG10201501824XA (en) * | 2010-03-12 | 2015-05-28 | Applied Materials Inc | Atomic layer deposition chamber with multi inject |
US8721791B2 (en) * | 2010-07-28 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Showerhead support structure for improved gas flow |
US8771539B2 (en) * | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
US20120220116A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Applied Materials, Inc. | Dry Chemical Cleaning For Semiconductor Processing |
US9064815B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
KR101234594B1 (ko) * | 2011-07-25 | 2013-02-19 | 피에스케이 주식회사 | 배플 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US8771536B2 (en) * | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US20130045605A1 (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films |
US8679982B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) * | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US8808563B2 (en) * | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9017481B1 (en) * | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8586479B2 (en) * | 2012-01-23 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a contact metal layer in semiconductor devices |
US9466524B2 (en) * | 2012-01-31 | 2016-10-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing metals using high frequency plasma |
US9330939B2 (en) * | 2012-03-28 | 2016-05-03 | Applied Materials, Inc. | Method of enabling seamless cobalt gap-fill |
US9976215B2 (en) * | 2012-05-01 | 2018-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor film formation apparatus and process |
US9132436B2 (en) * | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10714315B2 (en) * | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9230815B2 (en) * | 2012-10-26 | 2016-01-05 | Appled Materials, Inc. | Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten |
US20140261802A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Becquerel & Sievert Co., Ltd. | Vacuum isolation device |
US10221478B2 (en) | 2013-04-30 | 2019-03-05 | Tokyo Electron Limited | Film formation device |
JP5793170B2 (ja) | 2013-09-30 | 2015-10-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US8951429B1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
JP5764228B1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
US11302520B2 (en) * | 2014-06-28 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Chamber apparatus for chemical etching of dielectric materials |
JP5792364B1 (ja) * | 2014-07-31 | 2015-10-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
US10407771B2 (en) * | 2014-10-06 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US11384432B2 (en) * | 2015-04-22 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with funnel-shaped gas dispersion channel and gas distribution plate |
US20190048467A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Showerhead and process chamber incorporating same |
WO2020243288A1 (en) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | Thermal process chamber lid with backside pumping |
-
2015
- 2015-06-09 US US14/734,838 patent/US11384432B2/en active Active
-
2016
- 2016-04-18 TW TW109112814A patent/TWI722871B/zh active
- 2016-04-18 TW TW105112023A patent/TWI693298B/zh active
- 2016-04-19 CN CN202110047033.1A patent/CN112877675B/zh active Active
- 2016-04-19 WO PCT/US2016/028253 patent/WO2016172085A1/en active Application Filing
- 2016-04-19 KR KR1020217011571A patent/KR102640272B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-19 EP EP16783678.2A patent/EP3286352A4/en active Pending
- 2016-04-19 CN CN201680022766.7A patent/CN107532297B/zh active Active
- 2016-04-19 SG SG11201707640WA patent/SG11201707640WA/en unknown
- 2016-04-19 IL IL284142A patent/IL284142B2/en unknown
- 2016-04-19 KR KR1020177033110A patent/KR102631744B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-19 SG SG10202111772XA patent/SG10202111772XA/en unknown
-
2017
- 2017-09-27 IL IL254759A patent/IL254759B2/en unknown
-
2021
- 2021-04-28 US US17/242,898 patent/US11932939B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10202111772XA (en) | 2021-12-30 |
KR20170140282A (ko) | 2017-12-20 |
IL284142A (en) | 2021-07-29 |
EP3286352A4 (en) | 2019-01-23 |
CN112877675B (zh) | 2024-03-08 |
IL284142B2 (en) | 2024-04-01 |
SG11201707640WA (en) | 2017-11-29 |
US20160312360A1 (en) | 2016-10-27 |
CN107532297B (zh) | 2021-02-02 |
TWI693298B (zh) | 2020-05-11 |
TW201718927A (zh) | 2017-06-01 |
US20210246552A1 (en) | 2021-08-12 |
US11384432B2 (en) | 2022-07-12 |
CN112877675A (zh) | 2021-06-01 |
IL284142B1 (en) | 2023-12-01 |
TWI722871B (zh) | 2021-03-21 |
IL254759A (en) | 2017-12-31 |
KR102631744B1 (ko) | 2024-01-30 |
TW202028525A (zh) | 2020-08-01 |
IL254759B2 (en) | 2023-05-01 |
CN107532297A (zh) | 2018-01-02 |
US11932939B2 (en) | 2024-03-19 |
KR20210046839A (ko) | 2021-04-28 |
EP3286352A1 (en) | 2018-02-28 |
IL254759B1 (en) | 2023-01-01 |
WO2016172085A1 (en) | 2016-10-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |