JP3314151B2 - プラズマｃｖｄ装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置及び半導体装置の製造方法

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    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平行平板型のプラ
ズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置に係わ
り、特に、平行平板電極が水平に配設されたプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスや液晶表示デバ
イス等の固体デバイスを製造するためには、この固体デ
バイスの基板（半導体デバイスのウェーハ、液晶表示デ
バイスのガラス基板等）の表面に所定の薄膜を形成する
成膜装置が必要になる。
【０００３】この成膜装置としては、化学反応を使って
所定の薄膜を形成するＣＶＤ装置がある。このＣＶＤ装
置としては、化学反応を促進するための活性化エネルギ
ーとしてプラズマを用いるプラズマＣＶＤ装置がある。
【０００４】このプラズマＣＶＤ装置としては、プラズ
マを生成するための電源として、高周波電源を用いる高
周波放電型のプラズマＣＶＤ装置がある。また、このプ
ラズマＣＶＤ装置としては、プラズマを生成するための
電極として、平行平板電極を用いる平行平板型のプラズ
マＣＶＤ装置がある。この平行平板型のプラズマＣＶＤ
装置としては、平行平板電極を水平に配設する水平平行
平板型のプラズマＣＶＤ装置がある。
【０００５】図１５は、プラズマ生成用の電極として水
平平行平板電極を用い、プラズマ生成用の電源として高
周波電源を用いる従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示
す側断面図である。
【０００６】図示のプラズマＣＶＤ装置は、真空容器１
００の内部に２つの平板電極１１０、１２０を配設し、
これらの間に高周波電源１３０から高周波電力を印加す
ることにより反応ガスをプラズマ化し、このプラズマに
よって反応ガスを励起することにより被処理基板Ｗの上
に所定の薄膜を形成するようになっている。
【０００７】このプラズマＣＶＤ装置により形成される
所定の薄膜としては、アモルファスシリコン膜（ａ−Ｓ
ｉ膜）がある。このアモルファスシリコン膜を形成する
場合は、反応ガスとして、通常、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガス
とが用いられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプラズマＣＶＤ装置では、アモルファス−シリ
コン膜を形成する場合、上部電極１１０の周囲にパウダ
状の反応副生成物が付着する。この反応副生成物は、付
着力が弱いため、パーティクルの原因になるという問題
があった。
【０００９】そこで、本発明は、上部電極の周囲に付着
力の弱い反応副生成物が付着することによるパーティク
ルの発生を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に第１の発明のプラズマＣＶＤ装置は、上部電極の端部
を下部電極の上面に載置された被処理基板の上面より下
に延在することにより、上部電極の周囲に付着力の弱い
反応副生成物が付着することによるパーティクルの発生
を抑制するようにしたものである。
【００１１】すなわち、第１の発明のプラズマＣＶＤ装
置は、水平にかつ対向するように配設された上部電極と
下部電極との間に電力を印加することにより成膜用の反
応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって反応ガス
を励起することにより、下部電極の上面に載置された被
処理基板の表面に所定の薄膜を形成する装置において、
上部電極の端部が下部電極に載置された被処理基板の上
面より下方に延在されていることを特徴とする。
【００１２】この第１の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、上部電極の端部が下部電極の上面に載置された被処
理基板の上面より下に延在されているため、被処理基板
の上方に存在する付着力の弱い反応副生成物を減少させ
ることができる。これは、上部電極の放電面には、付着
力の強い薄膜は形成されるが、付着力の弱い反応副生成
物は付着されないからである。これにより、反応副生成
物の落下によるパーティクルの発生が抑制される。その
結果、パーティクルの付着による被処理基板の汚染が抑
制され、歩留まりの向上が図られる。
【００１３】第２の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１
の発明の装置において、上部電極の端部に絶縁体が設け
られていることを特徴とする。
【００１４】この第２の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、上部電極の端部に絶縁体が設けられているので、こ
の端部で局所放電が発生することを防止することができ
る。
【００１５】第３の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第２
の発明の装置において、絶縁体の複数の面のうち、成膜
時に反応ガスに接する面が上方を向かないように設定さ
れていることを特徴とする。
【００１６】この第３の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、絶縁体の接ガス面が上方を向かないように設定され
ているので、成膜時、この接ガス面に付着した反応副生
成物が気流によって上方に舞い上がることを抑制するこ
とができる。これにより、反応副生成物の舞い上がりに
よるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００１７】第４の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第２
の発明の装置において、絶縁体の複数の面のうち、成膜
時に反応ガスに接する面が、被処理基板の搬送時に、こ
の被処理基板の搬送路に面しないように設定されている
ことを特徴とする。
【００１８】この第４の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、絶縁体の接ガス面が、被処理基板の搬送時に、この
被処理基板の搬送路に面しないように設定されているの
で、被処理基板の搬送時、この搬送によって絶縁体付近
に気流が発生したとしても、絶縁体の接ガス面に付着し
た反応副生成物の舞い上がりが抑制される。これによ
り、反応副生成物の舞い上がりによるパーティクルの発
生が抑制される。
【００１９】第５の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１
の発明の装置において、上部電極の端部の放電面が絶縁
されていることを特徴とする。
【００２０】この第５の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、上部電極の端部の放電面が絶縁されているので、被
処理基板の周囲での放電を抑制することができる。これ
により、上部電極の端部の延長により上部電極の放電面
の面積が従来より拡大されているにもかかわらず、被処
理基板の上方でのプラズマ密度の低下を防止することが
できる。その結果、被処理基板の上方でのプラズマ処理
効率の低下を防止することができるので、膜厚の分布特
性の悪化を防止することができる。
【００２１】また、このような構成によれば、被処理基
板の表面に形成された薄膜中に取り込まれる電子の量が
増大することを防止することができる。これにより、電
子の取込み量の増大による膜応力の増大を防止すること
ができる。その結果、被処理基板の表面に形成された薄
膜が剥がれるのを防止することができる。
【００２２】第６の発明のプラズマＣＶＤ装置は、上部
電極の端部の放電面がこの上部電極の中心軸を中心にリ
ング状に２つの放電面に分けられ、内側の放電面が絶縁
体により絶縁され、外側の放電面が絶縁加工により絶縁
されていることを特徴とする。
【００２３】この第６の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、内側の放電面を絶縁する場合、絶縁体で絶縁するよ
うにしたので、絶縁加工により絶縁する場合に比べ、被
処理基板の周囲での放電を抑制する効果を高めることが
できる。
【００２４】また、このプラズマＣＶＤ装置では、外側
の放電面を絶縁する場合、絶縁加工により絶縁するよう
にしたので、絶縁体により絶縁する場合に比べ、内側の
放電面に設けられた絶縁体に付着力の弱い反応副生成物
が付着しないようにすることができる。また、このよう
な構成では、外側の放電面でも、付着力の弱い反応副生
成物が付着しないようにすることができる。なお、この
場合、外側の放電面では、プラズマ密度が低下するだけ
であるため、付着力の弱い反応副生成物が付着すること
がない。
【００２５】第７の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１
の発明の装置において、上部電極の端部の放電面が下方
に向かうに従って徐々に拡大するように設定されている
ことを特徴とする。
【００２６】この第７の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、上部電極の端部の放電面が下方に向かって徐々に拡
大するように設定されているので、この上部電極の端部
を下方に延長しているにもかかわらず、ガスクリーニン
グ時、この端部でクリーニングガスの流れが妨げられる
ことがない。これにより、プラズマを使ったガスクリー
ニングにより上部電極の放電面に形成された膜を除去す
る場合、この除去を容易に行うことができる。
【００２７】第８の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第２
の発明の装置において、絶縁体の複数の面のうち、成膜
時に反応ガスに接する面が上部電極の端部の放電面の延
長面をなすように設定されていることを特徴とする。
【００２８】この第８の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、絶縁体の接ガス面を上部電極の端部の放電面の延長
面をなすように設定したので、この接ガス面でガスの流
れを妨げないようにすることができる。これにより、成
膜時は、この接ガス面に対する反応副生成物の付着を抑
制することができ、ガスクリーニング時は、この接ガス
面に付着した反応副生成物を効率的にエッチングするこ
とができる。その結果、ガスクリーニングによるクリー
ニング時間を短縮することができる。
【００２９】第９の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１
の発明の装置において、上部電極の端部が被処理基板の
搬送路より下まで延在され、かつ、この基板搬送路付近
で水平に分割されていることを特徴とする。
【００３０】この第９の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、上部電極の端部が被処理基板の搬送路より下まで延
在され、かつ、この基板搬送路付近で水平に分割されて
いるので、上部電極の端部が基板搬送路の下まで延在さ
れているにもかかわらず、基板搬送時の真空容器の開口
幅の増大を防止することができる。
【００３１】第１０の発明のプラズマＣＶＤ装置は、請
求１の発明の装置において、上部電極が一箇所以上で水
平に分割され、各分割領域ごとに独立に給電されるよう
になっていることを特徴とする。
【００３２】この第１０の発明のプラズマＣＶＤ装置で
は、上部電極が一箇所以上で水平に分割され、各分割領
域ごとに独立に給電されるようになっているので、真空
容器の内部をプラズマを使ってガスクリーングする場
合、クリーニング速度の遅い部分には、大きな電力を供
給することができる。これにより、クリーニング効率を
高めることができる。
【００３３】第１１の発明のプラズマＣＶＤ装置は、第
１の発明の装置において、成膜用の真空容器が内槽と外
槽とを備えた２槽構造の容器であり、上部電極と下部電
極とが内槽の中に配設されていることを特徴とする。
【００３４】このように、第１の発明のプラズマＣＶＤ
装置は、上部電極の端部の構造に特徴を有するものであ
るため、真空容器が１槽構造の装置だけでなく、２槽構
造の装置にも適用することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係るプラズマＣＶＤ装置の実施の形態を詳細に説明
する。
【００３６】［１］第１の実施の形態 ［１−１］構成 図１は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第１の実施
の形態の構成を示す側断面図である。なお、図１には、
本発明を１槽構造の真空容器を有するプラズマＣＶＤ装
置に適用した場合を代表として示す。
【００３７】図示のプラズマＣＶＤ装置は、真空容器２
００を有する。この真空容器２００は、例えば、四角形
の箱状に形成されている。また、この真空容器２００
は、水平に分割され、上側容器２０１と下側容器２０２
とを有する。上側容器２０１は、予め定めた位置に固定
されている。これに対し、下側容器２０２は、図示しな
い昇降機構により昇降駆動されるようになっている。
【００３８】真空容器２００の内部には、平行平板電極
の上部電極２１０と下部電極２２０とが配設されてい
る。これらは、互いに対向するように、かつ、水平に配
設されている。上部電極２１０は、例えば、石英からな
る絶縁体２３０を介して上側容器２０１に支持されてい
る。下部電極２２０は、下側容器２０２にリング状の支
持板２４０を介して支持されている。この場合、下部電
極２２０は、真空容器２１０の内部を反応室１Ａと排気
室２Ａとに分割するように配設されている。
【００３９】上部電極２１０は、箱状に形成されてい
る。この箱状の上部電極２１０の内部は、反応ガスやク
リーニングガス等を分散させるためのガス分散部２１１
とされている。この上部電極２１０の天板２１２には、
反応ガス等をガス分散部２１１に導入するためのガス導
入部２５０が接続されている。また、この天板２１２に
は、反応ガス等を加熱するためのヒータ線２６０が埋設
されている。上部電極２１０の底板２１３には、複数の
ガス分散孔２１４が形成されている。以下、この底板２
１３をガス分散板という。
【００４０】下部電極２２０の上面には、基板載置面２
２１が設定されている。この基板載置面２２１には、成
膜時、処理すべき基板Ｗが載置される。この基板載置面
２２１は、真空容器２００の分割位置付近に位置決めさ
れている。言い換えれば、基板搬送路付近に設定されて
いる。また、この下部電極２２０には、成膜時、被処理
基板Ｗを加熱するためのヒータ線２９０が埋設されてい
る。
【００４１】上記下部電極２２０の支持板２４０には、
反応室１Ａの雰囲気を排気室２Ａに排出するための複数
の排気孔２４１が形成されている。また、上記真空容器
２００の底板には、排気室２Ａの雰囲気を排出するため
の排気孔２０３が形成されている。
【００４２】上記ガス導入部２５０には、直流阻止コン
デンサ２７０を介して高周波電源２８０が接続されてい
る。これにより、上部電極２１０は、直流阻止コンデン
サ２７０を介して高周波電源２８０に接続されている。
また、上記真空容器２００の下側容器２０２は、接地さ
れている。これにより、下部電極２２０は、支持板２４
０と下側容器２０２とを介して接地されている。その結
果、上部電極２１０と下部電極２２０との間には、成膜
時、高周波電力が印加される。
【００４３】上記ガス分散板２１３は、下方に向けられ
た椀状に形成されている。この場合、このガス分散板２
１３の端部は基板載置面２２１に載置された被処理基板
Ｗの上面より下に延在されている。図には、ガス分散板
２１３の端部を基板載置面２２１付近まで延在する場合
を示す。また、図には、この端部を基板搬送路（真空容
器２００の分割位置付近）の手前まで延長する場合を示
す。
【００４４】ガス分散板２１３の端部の放電面は、下方
に向かうに従って徐々に拡大するように設定されてい
る。この場合、この放電面は、ガス分散板の中心軸を中
心にして、リング状に２つに分割されている。そして、
内側の放電面１ａは水平に設定され、外側の放電面２ａ
は、内側の放電面１ａに対して９０度より大きな角度を
なすように設定されている。以下、内側の放電面１ａを
水平部といい、外側の放電面２ａを傾斜部という。下部
電極２２０の側面２２２は、傾斜部２ａと並行となるよ
うに設定されている。
【００４５】ガス分散板２１３の端部の放電面のうち、
水平部１ａにはアルミナ等によって形成されたリング状
の絶縁体３００が貼り付けられている。また、傾斜部２
ａは、アルミナ容射、アルマイト加工等により絶縁加工
されている。
【００４６】ガス分散板２１３の端部には、アルミナ等
によって形成されたリング状の絶縁体３１０が設けられ
ている。このリング状の絶縁体３１０は、例えば、下側
容器に取り付けられている。この絶縁体３１０のうち、
成膜時に反応ガス等に接する面３１１は、下部電極２２
０の側面２２２とほぼ平行になるように傾斜されてい
る。以上が第１の実施の形態の構成である。
【００４７】［１−２］動作 上記構成において、被処理基板Ｗの表面に所定の薄膜を
形成する場合の動作とガスクリーニング動作を行う場合
の動作とを説明する。まず、成膜を行う場合の動作を説
明する。
【００４８】この場合、まず、図２に示すように、下側
容器２０２が図示しない昇降機構により下降させられ
る。これにより、真空容器２００が開かれる。次に、処
理すべき基板Ｗが基板搬送装置３２０により真空容器２
００の内部に搬入され、下部電極２２０の上面に設定さ
れた基板載置面２２１に載置される。次に、下側容器２
０２が図示しない昇降機構により上昇させられる。これ
により、図１に示すように、真空容器２００が閉じられ
る。
【００４９】次に、真空容器２００の内部が真空排気さ
れる。これにより、真空容器２００の内部に含まれる雰
囲気が排気口２０３を介して排出される。これにより、
真空容器２００の内部が予め定めた真空状態に設定され
る。
【００５０】真空容器２００の内部が予め定めた真空状
態になると、成膜用の反応ガスがガス導入部２５０を介
してガス分散部２１１に導入される。ガス分散部２１１
に導入された反応ガスは、ガス分散板２１３のガス分散
孔２１４を介して電極２１０，２２０間に分散される。
このとき、真空容器２００の内部の真空排気はそのまま
継続される。また、真空容器２００の内部の圧力が検出
され、この検出出力に基づいて、真空排気量が制御され
る。これにより、真空容器２００の内部の圧力が予め定
めた圧力に設定される。
【００５１】真空容器２００の内部の圧力が予め定めた
圧力になると、電極２１０，２２０間に、高周波電源２
８０から高周波電力が印加される。これにより、反応ガ
スがプラズマ化される。そして、このプラズマにより反
応ガスの分子が励起される。これにより、被処理基板Ｗ
の表面に所定の薄膜が形成される。この場合、未反応ガ
ス等は、排気孔２４１と、排気室２Ａと、排気口２０３
とを介して排出される。
【００５２】被処理基板Ｗの表面に所定の薄膜が形成さ
れると、反応ガスの供給が停止される。次に、下側容器
２０２が、図２に示すように、昇降機構により下降させ
られる。これにより、真空容器２００が開かれる。次
に、図２に示すように、被処理基板Ｗが基板搬送装置３
２０により真空容器２００の外部に搬出される。このあ
と、次の被処理基板Ｗに対して上述した処理が実行され
る。以下、同様に、各被処理基板Ｗごとに上述した処理
が繰り返される。
【００５３】以上が成膜を行う場合の動作である。次
に、ガスクリーニングを行う場合の動作を説明する。
【００５４】この場合は、下部電極２２０の基板載置面
２２１に被処理基板Ｗを載せない状態で、真空容器２０
０の内部が真空排気される。真空容器２００の内部が所
定の真空状態になると、ガスクリーニング用のクリーニ
ングガスがガス導入部２５０を介してガス分散部２１１
に導入される。ガス分散部２１１に導入されたクリーニ
ングガスは、ガス分散板２１３により電極２１０，２２
０間に分散される。このとき、真空容器２００の内部の
真空排気はそのまま継続される。また、真空容器２００
の内部の圧力が予め定めた圧力になるように、真空排気
量が制御される。
【００５５】真空容器２００の内部の圧力が予め定めた
圧力になると、電極２１０，２２０間に高周波電力が印
加される。これにより、クリーニングガスがプラズマ化
され、このプラズマによりクリーニングガスの分子が励
起される。これにより、ガス分散板２１３の放電面に形
成された薄膜や絶縁体３１０の接ガス面３１１に付着し
た反応副生成物がエッチングされる。エッチングされた
薄膜や反応副生成物は、排気孔２４１と、排気室２Ａ
と、排気口２０３とを介して排出される。以上が、ガス
クリーニング動作である。
【００５６】［１−３］効果 以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を
得ることができる。
【００５７】（１）まず、本実施の形態によれば、上部
電極２１０のガス分散板２１３の端部を下部電極２２０
の基板載置面２２１に載置された被処理基板Ｗの上面よ
り下に延在するようにしたので、被処理基板Ｗの上面よ
り上方に存在する反応副生成物を減少させることができ
る。これは、ガス分散板２１３の放電面には、付着力の
強い薄膜は形成されるが、付着力の弱い反応副生成物Ｅ
は付着しないからである。
【００５８】これにより、反応副生成物の落下によるパ
ーティクルの発生を抑制することができる。その結果、
パーティクルの付着による被処理基板Ｗの汚染を抑制す
ることができるので、基板Ｗの歩留まりを向上させるこ
とができる。
【００５９】また、パーティクルの付着による被処理基
板Ｗの汚染を抑制することができることにより、プラズ
マＣＶＤ装置のメンテナンスサイクルを延ばすことがで
きる。その結果、スループットを向上させることができ
る。
【００６０】（２）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板２１３の端部に絶縁体３１０を設けるようにした
ので、ガス分散板２１３の端部を絶縁体２３０と平行に
延在しているにもかかわらず、この端部での局所放電の
発生を防止することができる。
【００６１】（３）また、本実施の形態によれば、絶縁
体３１０の接ガス面３１１が水平面と９０度より大きな
角度をなすようにしたので、この接ガス面３１１が上方
を向かないようにすることができる。これにより、成膜
時、この接ガス面３１１に付着した反応副生成物が気流
によって上方に舞い上がることを抑制することができ
る。その結果、反応副生成物の舞い上がりによるパーテ
ィクルの発生を抑制することができる。
【００６２】（４）また、本実施の形態によれば、絶縁
体３１０を下側容器２０２に取り付けるようにしたの
で、被処理基板Ｗの搬送時（真空容器２００の内部への
搬入時及び真空容器２００の内部からの搬出時）、絶縁
体３１０の接ガス面３１１が被処理基板Ｗの搬送路に面
しないようにすることができる。
【００６３】これにより、被処理基板Ｗの搬送時、この
被処理基板Ｗの搬送によって絶縁体３１０付近に気流が
発生したとしても、絶縁体３１０の接ガス面３１１に付
着した反応副生成物の舞い上がりを抑制することができ
る。その結果、反応副生成物の舞い上がりによるパーテ
ィクルの発生を抑制することができる。
【００６４】（５）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板２１３の端部の放電面を絶縁するようにしたの
で、ガス分散板２１３の端部を従来より延長しているに
もかかわらず、被処理基板Ｗの周囲での放電を抑制する
ことができる。これにより、被処理基板Ｗの上方でのプ
ラズマ密度の低下を防止することができるので、ここで
のプラズマ処理効率の低下を防止することができる。そ
の結果、膜厚分布特性の低下を防止することができる。
【００６５】（６）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板２１３の端部の放電面を絶縁するようにしたの
で、ガス分散板２１３の端部を従来より延長しているに
もかかわらず、放電面の面積の増大を実質的に抑制する
ことができる。これにより、被処理基板Ｗの表面に形成
された薄膜中に取り込まれる電子の量の増大を抑制する
ことができるので、膜応力の増大を抑制することができ
る。これにより、被処理基板Ｗから薄膜が剥がれること
を防止することができる。
【００６６】（７）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板２１３の端部の放電面の水平部１ａを絶縁する場
合、絶縁体３００により絶縁するようにしたので、絶縁
加工により絶縁する場合に比べ、被処理基板Ｗの周囲で
の放電を抑制する効果を高めることができる。
【００６７】（８）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板２１３の端部の放電面の傾斜部２ａを絶縁する場
合、絶縁加工により絶縁するようにしたので、絶縁体に
より絶縁する場合に比べ、水平部１ａの絶縁体３００に
付着力の弱い反応副生成物が付着しないようにすること
ができる。また、このような構成によれば、傾斜部２ａ
にも付着力の弱い反応副生成物が付着しないようにする
ことができる。これは、このような構成によれば、傾斜
部２ａで反応副生成物の付着を防止することが可能なプ
ラズマ密度を確保することができるからである。
【００６８】（９）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板２１３の端部の放電面を下方に向かうに従って徐
々に拡大するようにしたので、ガス分散板２１３の端部
を下方に延在しているにもかかわらず、ガスクリーニン
グ時、この端部の放電面でクリーニングガスの流れが妨
げられることを防止することができる。これにより、プ
ラズマを使ったガスクリーニングにより上部電極の放電
面に形成された膜を除去する場合、この除去を容易に行
うことができる。
【００６９】（１０）また、本実施の形態によれば、絶
縁体３１０の接ガス面３１１をガス分散板２１３の端部
の放電面の傾斜部２ａと同じ傾斜面としたので、接ガス
面３１１を傾斜部２ａの延長面をなすようにすることが
できる。これにより、この接ガス面３１１でガスの流れ
を妨げないようにすることができるので、成膜時は、こ
の接ガス面３１１に対する反応副生成物の付着を抑制す
ることができ、ガスクリーニング時は、この接ガス面３
１１に付着した反応副生成物を効率的にエッチングする
ことができる。その結果、ガスクリーニングによるクリ
ーニング時間を短縮することができる。
【００７０】（１１）また、本実施の形態によれば、下
部電極２２０の基板載置面２２１を基板搬送路付近に設
定するようにしたので、被処理基板Ｗの搬送時、真空容
器２００の開口幅Ｙ（図２参照）を小さくすることがで
きる。
【００７１】（１２）また、本実施の形態によれば、ヒ
ータ線２６０，２９０により反応室１Ａの内部を高温に
保つようにしたので、成膜処理により反応室１Ａの内部
に形成された堆積物（薄膜や反応副生成物等）からの発
塵を抑制することができる。
【００７２】［１−４］実施例 ここで、本実施の形態の一実施例を説明する。下部電極
２２０の基板載置面２２１に、被処理基板Ｗとして、６
５０ｍｍ×５５０ｍｍのガラス基板を載置し、反応室１
Ａを真空引きしてその真空度を１×１０-3Ｔｏｏｒ以下
に保持し、反応室１Ａに成膜用のＳｉＨ4ガスとＨ2ガス
とをそれぞれ２００ＳＣＣＭ流し、電極２１０，２２０
間に１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加し
てプラズマを生成し、ガラス基板の表面にアモルファス
シリコン膜を形成する実験をした。
【００７３】実験の結果、従来のプラズマＣＶＤ装置で
は、ガラス基板に付着したパーティクル数が２０００個
／ｃｍ２であったのに対し、本実施の形態のプラズマＣ
ＶＤ装置では、ガラス基板に付着したパーティクル数が
１００個／ｃｍ２に減少した。
【００７４】また、従来のプラズマＣＶＤ装置では、５
０００オングストローム／ｍｉｎの厚さのアモルファス
シリコン膜を生成した後、真空容器内のアモルファスシ
リコン膜や反応副生成物をすべてエッチングするのに１
５分を要していたのに対し、本実施の形態のプラズマＣ
ＶＤ装置では、９分でエッチングすることが可能になっ
た。
【００７５】なお、本実施の形態の装置で、ガス分散板
２１３の端部を絶縁しない場合は、膜応力として、５０
０Ｍｐａの応力が発生し、本実施の形態のように絶縁し
た場合は、これをさらに５０Ｍｐａまで低減することが
できた。
【００７６】また、本実施の形態の装置で、ガス分散板
２１３の端部を絶縁しない場合は、膜厚の均一性が１５
％以上だったのに対し、本実施の形態のように絶縁した
場合は、膜厚の均一性を５％以内に抑えることが可能に
なった。
【００７７】［１−５］具体例 ［１−５−１］構成 図３は、本実施の形態の具体的構成の一例を示す側断面
図である。なお、図には、本実施の形態を２槽構造の真
空容器を有するプラズマＣＶＤ装置に適用した場合を示
す。
【００７８】図示のプラズマＣＶＤ装置は、２槽構造の
真空容器４００が形成されている。この真空容器４００
は、外槽の側壁と底板とをなす外槽本体４０１と、内槽
の側壁と底板とをなす内槽本体４０２と、外槽と内槽で
共用される天板４０３とを有する。
【００７９】外槽の側壁には、被処理基板Ｗの搬入口１
１ａと搬出口１２ａとを有する。これらは、それぞれゲ
ート弁４１０，４２０で閉塞されている。
【００８０】内槽の内部には、上部電極４３０と下部電
極４４０とが配設されている。これらは、互いに対向す
るように、かつ、水平に配設されている。上部電極４３
０は、例えば、石英からなる絶縁体４５０を介して天板
４０３に支持されている。下部電極４４０は、複数の昇
降ロッド４６０の上端部に支持されている。この場合、
下部電極４４０は、内槽の内部を反応室１Ａと排気室２
Ａとに分割するように配設されている。
【００８１】内槽本体４０２は、水平に分割され、上側
本体２１ａと下側本体２２ａとを有する。上側本体２１
ａは、天板４０３に支持されている。下側本体２２ａ
は、支持体４７０を介して下部電極４４０に支持されて
いる。支持体４７０は、断面Ｌ字状に形成され、垂直部
４７１と水平部４７２とを有する。垂直部４７１は、内
槽の側壁の一部をなす。水平部４７２は、下部電極４４
０に取り付けられている。
【００８２】上部電極４３０は、箱状に形成されてい
る。この箱状の上部電極４３０の内部は、反応ガスやク
リーニングガス等を分散させるためのガス分散部４３１
とされている。この上部電極４３０の天板４３２には、
反応ガスやクリーニングガス等をガス分散部４３１に導
入するための管状のガス導入部４８０が接続されてい
る。また、この天板４３２には、反応ガスやクリーニン
グガス及び対向する被処理基板Ｗ等を加熱するためのヒ
ータ線４９０が埋設されている。上部電極４３０の底板
４３３には、複数のガス分散孔４３４が形成されてい
る。以下、この底板４３３をガス分散板という。
【００８３】下部電極４４０は電極本体４４１と基板載
置台４４２とを有する。基板載置台４４２の上面には、
成膜時、被処理基板Ｗが載置される。この基板載置台４
４２の上面は、内槽の分割位置付近に位置決めされてい
る。電極本体４４１には、成膜時、被処理基板Ｗを加熱
するためのヒータ線５００が埋設されている。
【００８４】内槽本体４０２の下側本体２２ａの支持体
４７０の水平部４７２には、反応室１Ａの雰囲気を排気
室２Ａに排出するための複数の排気孔３１ａが形成され
ている。
【００８５】内槽本体４０２の底板には、排気室２Ａの
雰囲気を排出するための管状の雰囲気排出部５１０が設
けられている。また、外槽本体４０１の底板には、雰囲
気排出部５１０を介して排出される雰囲気と外槽の内部
の雰囲気とを排出するための管状の雰囲気排出部５２０
が設けられている。雰囲気排出部５１０の先端部は、雰
囲気排出部５２０に挿入されている。
【００８６】上記ガス導入部４８０には、直流阻止コン
デンサ５３０を介して高周波電源５４０が接続されてい
る。これにより、上部電極４３０は、直流阻止コンデン
サ５３０を介して高周波電源５４０に接続されている。
また、外槽本体４０１は、接地されている。これによ
り、下部電極４４０は、内槽本体４０２と真空容器４０
０とを介して接地されている。その結果、上部電極４３
０と下部電極４４０との間には、成膜時、高周波電力が
印加される。
【００８７】また、図示のプラズマＣＶＤ装置は、被処
理基板Ｗの搬入、搬出時、基板Ｗを支持する複数の支持
ピン５５０を有する。この複数の支持ピン５５０は、そ
れぞれ昇降ロッド５６０の上端部に取り付けられてい
る。また、図示のプラズマＣＶＤ装置は、外槽の内部の
圧力を検出するための圧力検出センサ５７０を有する。
【００８８】図４は、図３において、丸Ｂで囲んだ部分
を拡大して示す側面断面図である。図示のごとく、ガス
分散板４３３は椀状に形成され、その端部が基板載置台
４４２に載置された被処理基板Ｗの上面より下に延在さ
れるようになっている。図には、ガス分散板２１３の端
部を基板載置台４４２の上面付近まで延長する場合を示
す。また、図には、この端部を支持体４７０の垂直部４
７１の上端部の手前まで延在する場合を示す。
【００８９】ガス分散板４３３の端部の放電面は、この
ガス分散板４３３の中心軸を中心としてリング状に２つ
に分割されている。そして、内側の放電面は、水平に設
定され、外側の放電面は、この内側の放電面と９０度よ
り大きな角度をなすように設定されている。以下、内側
の放電面を水平部４１ａといい、外側の放電面を傾斜部
４２ａという。下部電極４４０の基板載置台４４２の側
面５１ａは、この傾斜部４２ａと平行となるように傾斜
されている。
【００９０】ガス分散板４３３の端部の放電面のうち、
水平部４１ａにはアルミナ等によって形成された絶縁体
５８０が貼り付けられている。また、傾斜部４２ａは、
アルミナ容射、アルマイト加工等により絶縁加工されて
いる。
【００９１】ガス分散板４３３の端部には、アルミナ等
によって形成された絶縁体５９０が設けられている。こ
の絶縁体５９０は、例えば、支持体４７０に取り付けら
れている。この絶縁体５９０のうち、成膜時に反応ガス
等に接する面５９１は、下部電極４４０の基板載置台４
４２の側面５１ａとほぼ平行になるように傾斜されてい
る。以上が具体例の構成である。
【００９２】［１−５−２］動作 上記構成において、被処理基板Ｗの表面に所定の薄膜を
形成する場合の動作とガスクリーニング動作を行う場合
の動作とを説明する。まず、成膜を行う場合の動作を説
明する。
【００９３】この場合は、まず、図５に示すように、ゲ
ート弁４１０が開かれる。また、この場合、昇降ロッド
４６０が下降させられる。これにより、下部電極４４０
が下降させられる。その結果、下側本体２２ａと支持部
４７０とが下降し、内槽が開く。また、この場合、昇降
ロッド５６０が下降させられる。これにより、リフトピ
ン５５０が下降させられる。但し、この下降量は、下部
電極４４０の下降量より少し小さくなるように設定され
ている。これにより、リフトピン５５０の先端部は、図
５に示すように、基板載置台４４２の上面から少し浮い
た位置に位置決めされる。
【００９４】次に、被処理基板Ｗが図示しない基板搬送
装置により基板搬入口１１ａを介して真空容器４００の
内部に搬入され、リフトピン５５０の上に載せられる。
次に、ゲート弁４１０が閉じられる。次に、昇降ロッド
４６０が上昇させられる。これにより、下部電極４４０
が上昇させられる。その結果、リフトピン５５０に載置
されている被処理基板Ｗが基板載置台４４２の上面に載
せ換えられる。
【００９５】このあと、下部電極４４０は、さらに、上
昇させられる。これにより、支持体４７０の垂直部４７
１の上面が上側本体２１ａの下面に当接する。その結
果、内槽が閉じられる。なお、このとき、リフトピン５
５０も上昇させられ、図３に示すような状態となる。
【００９６】次に、真空容器４００の内部が真空排気さ
れる。これにより、内槽の内部の雰囲気が雰囲気排出部
５１０，５２０を介して排出される。また、外槽の内部
の雰囲気が雰囲気排出部５２０を介して排出される。こ
れにより、内槽と外槽の内部が所定の真空度に設定され
る。
【００９７】内槽と外槽の内部が所定の真空度に設定さ
れると、成膜用の反応ガスがガス導入部４８０を介して
ガス分散部４３１に導入される。ガス分散部４３１に導
入された反応ガスは、ガス分散板４３３により、上部電
極４３０と下部電極４４０との間に分散される。
【００９８】このとき、真空容器４００の真空排気はそ
のまま続行される。そして、内槽の内部の圧力が所定の
圧力となるように、この真空排気の排気量が制御され
る。この制御は、外槽の内部の圧力を制御することによ
り、間接的に行われる。外槽の内部の圧力は、圧力検出
センサ５７０により検出される。
【００９９】内槽の内部の圧力が所定の圧力になると、
高周波電源５４０から上部電極４３０と下部電極４４０
との間に高周波電力が印加される。これにより、上部電
極４３０と下部電極４４０との間にプラズマが生成され
る。その結果、反応ガスの分子がプラズマにより励起さ
れ、被処理基板Ｗの表面に所定の薄膜が形成される。
【０１００】被処理基板Ｗの表面に所定の薄膜が形成さ
れると、反応ガスの供給が停止される。次に、昇降ロッ
ド４６０が下降させられる。これにより、下部電極４４
０が下降させられる。その結果、内槽が開かれる。ま
た、被処理基板Ｗがリフトピン５５０に載せ換えられ
る。
【０１０１】このあと、リフトピン５５０が被処理基板
Ｗを取り出し可能な位置まで下降させられる。次に、ゲ
ート弁４２０が開かれる。次に、図示しない基板搬送装
置により、リフトピン５５０に載置されている被処理基
板Ｗが基板搬出口１２ａを介して真空容器４００の外部
に搬出される。このあと、次の被処理基板Ｗに対して、
再び上述した処理が実行される。以下、同様に、各被処
理基板Ｗごとに上述した処理が繰り返される。
【０１０２】以上が成膜を行う場合の動作である。次
に、ガスクリーニングを行う場合の動作を説明する。
【０１０３】この場合は、基板載置台４４２に被処理基
板Ｗを載せない状態で、真空容器４００の内部が真空排
気される。真空容器４００の内部が所定の真空度に設定
されると、ガスクリーニング用のクリーニングガスがガ
ス導入部４８０を介してガス分散部４３１に導入され
る。ガス分散部４３１に導入されたクリーニングガス
は、ガス分散板４３３により電極４３０，４４０間に分
散される。
【０１０４】このとき、真空容器４００の真空排気はそ
のまま継続される。そして、内槽の内部の圧力が所定の
圧力となるように、この真空排気量が制御される。この
制御も、成膜時と同じようにして行われる。
【０１０５】内槽の内部の圧力が所定の圧力となると、
電極４３０，４４０間に高周波電力が印加される。これ
により、クリーニングガスがプラズマ化され、このプラ
ズマによりクリーニングガスの分子が励起される。その
結果、ガス分散板４３３の放電面に形成された薄膜や絶
縁体５９０の接ガス面５９１に付着した反応副生成物が
エッチングされる。エッチングされた薄膜や反応副生成
物は、排気孔３１ａと、排気室２Ａと、雰囲気排出部５
１０，５２０とを介して排出される。以上が、ガスクリ
ーニング動作である。
【０１０６】なお、上述した例では、プラズマの生成領
域が内槽の内部に限定されるので、真空容器として、１
槽構造の真空容器を使う場合より、プラズマの密度を高
めることができる。これにより、真空容器として、１槽
構造の真空容器を使う場合より、成膜効率やクリーニン
グ効率を高めることができる。
【０１０７】また、外槽の内部が減圧状態に設定される
ので、内槽の放熱が抑制される。これにより、内槽の内
部がホットウォール状態に保持されるので、成膜時、内
槽の内壁に付着力の弱い反応副生成物が付着することが
抑制される。その結果、パーティクルの発生が抑制され
る。
【０１０８】［１−５−３］効果 以上詳述した本具体例によれば、次のような効果を得る
ことができる。
【０１０９】（１）まず、本具体例によれば、上部電極
４３０のガス分散板４３３の端部を下部電極４４０の基
板載置台４４２の上面に載置された被処理基板Ｗの上面
より下に延在するようにしたので、被処理基板Ｗの上面
より上方に存在する反応副生成物を減少させることがで
きる。
【０１１０】これにより、反応副生成物の落下によるパ
ーティクルの発生を抑制することができるので、パーテ
ィクルの付着による被処理基板Ｗの汚染を抑制すること
ができる。その結果、基板Ｗの歩留まりを向上させるこ
とができる。また、プラズマＣＶＤ装置のメンテナンス
サイクルを延ばすことができるので、スループットを向
上させることができる。
【０１１１】（２）また、本具体例によれば、ガス分散
板４３３の端部に絶縁体５９０を設けるようにしたの
で、ガス分散板４３３の端部を絶縁体４５０と平行に延
長しているかかわらず、この端部での局所放電の発生を
防止することができる。
【０１１２】（３）また、本具体例によれば、絶縁体５
９０の接ガス面５９１が水平面と９０度より大きな角度
をなすようにしたので、この接ガス面５９１が上方を向
かないようにすることができる。これにより、成膜時、
この接ガス面５９１に付着した反応副生成物が気流によ
って上方に舞い上がることを抑制することができる。そ
の結果、反応副生成物の舞い上がりによるパーティクル
の発生を抑制することができる。
【０１１３】（４）また、本具体例によれば、絶縁体５
９０を支持体４７０に取り付けるようにしたので、被処
理基板Ｗの搬送時、絶縁体５９０の接ガス面５９１が被
処理基板Ｗの搬送路に面しないようにすることができ
る。
【０１１４】これにより、被処理基板Ｗの搬送時、この
被処理基板Ｗの搬送によって絶縁体５９０付近に気流が
発生したとしても、絶縁体５９０の接ガス面５９１に付
着した反応副生成物の舞い上がりを抑制することができ
る。その結果、反応副生成物の舞い上がりによるパーテ
ィクルの発生を低減することができる。
【０１１５】（５）また、本具体例によれば、ガス分散
板４３３の端部の放電面を絶縁するようにしたので、ガ
ス分散板４３３の端部を延長しているにもかかわらず、
被処理基板Ｗの周囲での放電を抑制することができる。
これにより、被処理基板Ｗの上方でのプラズマ密度の低
下を防止することができるので、ここでのプラズマ処理
効率の低下を防止することができる。その結果、膜厚分
布特性の低下を防止することができる。
【０１１６】（６）また、本具体例によれば、ガス分散
板４３３の端部の放電面を絶縁するようにしたので、ガ
ス分散板４３３の端部を従来より延長しているにもかか
わらず、放電面の面積の増大を実質的に抑制することが
できる。これにより、被処理基板Ｗの表面に形成された
薄膜中に取り込まれる電子の量の増大を抑制することが
できるので、膜応力の増大を抑制することができる。そ
の結果、被処理基板Ｗから薄膜が剥がれることを防止す
ることができる。
【０１１７】（７）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板４３３の端部の放電面の水平部４１ａを絶縁する
場合、絶縁体５８０により絶縁するようにしたので、絶
縁加工により絶縁する場合に比べ、被処理基板Ｗの周囲
での放電を抑制する効果を高めることができる。
【０１１８】（８）また、本具体例によれば、ガス分散
板４３３の端部の放電面の傾斜部４２ａを絶縁する場
合、絶縁加工により絶縁するようにしたので、絶縁体に
より絶縁する場合に比べ、絶縁体５８０に付着力の弱い
反応副生成物が付着しないようにすることができる。ま
た、このような構成によれば、傾斜部４２ａにも付着力
の弱い反応副生成物が付着しないようにすることができ
る。これは、このような構成によれば、傾斜部４２ａで
反応副生成物の付着を防止することが可能なプラズマ密
度を確保することができるからである。
【０１１９】（９）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板４３３の端部の放電面を下方に向かうに従って徐
々に拡大するようにしたので、ガス分散板４３３の端部
を下方に延在させているにもかかわらず、ガスクリーニ
ング時、この端部の放電面でクリーニングガスの流れが
妨げられることを防止することができる。これにより、
プラズマを使ったガスクリーニングにより上部電極の放
電面に形成された膜を除去する場合、この除去を容易に
行うことができる。
【０１２０】（１０）また、本実施の形態によれば、絶
縁体５９０の接ガス面５９１をガス分散板４３３の放電
面の傾斜部２の延長面をなすようにしたので、この接ガ
ス面５９１でガスの流れを妨げないようにすることがで
きる。これにより、成膜時は、この接ガス面５９１に対
する反応副生成物の付着を抑制することができ、ガスク
リーニング時は、この接ガス面５９１に付着した反応副
生成物を効率的にエッチングすることができる。その結
果、ガスクリーニングによるクリーニング時間を短縮す
ることができる。
【０１２１】（１１）また、本具体例によれば、下部電
極４４０の基板載置台４４２の上面を基板搬送路付近に
設定するようにしたので、被処理基板Ｗの搬送時、内槽
の真空容器２００の開口幅Ｙ（図５参照）を小さくする
ことができる。
【０１２２】（１２）また、本具体例によれば、ヒータ
線４９０，５００により反応室１Ａの内部を高温に保つ
ようにしたので、成膜処理により反応室１Ａの内部に形
成された堆積物（薄膜や反応副生成物等）からの発塵を
抑制することができる。
【０１２３】［２］第２の実施の形態 ［２−１］構成 図６は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第２の実施
の形態の構成を示す側断面図である。なお、図６におい
て、先の図１とほぼ同じ機能を有する部分には、同一符
号を付して詳細な説明を省略する。
【０１２４】先の第１の実施の形態では、ガス分散板２
１３の端部の放電面を一旦水平に延長した後、この水平
部１ａに対し、９０度より大きな角度を持って延長する
ことにより、下方に向かうに従って徐々に拡大するよう
に設定する場合を説明した。これに対し、本実施の形態
では、図６に示すように、ガス分散板２１３の端部の放
電面６１ａを凹状曲面をなすように延長することによ
り、この放電面６１ａを下方に向かうに従って徐々に拡
大するように設定したものである。
【０１２５】［２−２］効果 このような構成においても、ガス分散板２１３の端部の
放電面６１ａでガスの滞留を防止することができるの
で、成膜時は、この放電面６１ａに付着する薄膜の量を
低減することができ、ガスクリーニング時は、付着した
薄膜を効率的にエッチングすることができる。
【０１２６】［２−３］変形例 なお、図６には、ガス分散板２１３の端部の放電面６１
ａだけでなく、ガス分散板２１３の中央部の放電面６２
ａも凹状曲面をなすように設定する場合を示す。しかし
ながら、本実施の形態では、先の第１の実施の形態と同
様に、ガス分散板２１３の中央部の放電面６２ａは、水
平な平面状に形成し、端部の放電面６１ａだけ凹状曲面
をなすように設定してもよい。
【０１２７】［２−４］具体例 図７は、本実施の形態の具体的構成の一例を示す側断面
図である。本例は、先の図３に示す例のように、真空容
器として２槽構造の真空容器を有するプラズマＣＶＤ装
置に、本実施の形態を適用したものである。なお、図７
において、先の図３とほぼ同じ機能を有する部分には、
同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１２８】図７に示すごとく、本例では、ガス分散板
４３３の端部の放電面７１ａを凹状曲面をなすように設
定することにより、この放電面７１ａが下方に向かうに
従って徐々に拡大するようになっている。なお、図７に
は、ガス分散板４３３の中央部の放電面７２ａを平面状
に形成する場合を示す。
【０１２９】［３］第３の実施の形態 図８は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第３の実施
の形態の要部の構成を示す側断面図である。
【０１３０】先の実施の形態では、絶縁体３１０の接ガ
ス面３１１を水平面と９０度より大きな角度をなす１つ
の面で形成する場合を説明した。これに対し、図８
（ａ）に示す例は、接ガス面３１１を水平面と９０度よ
り大きな角度をなし、かつ、互いに傾きの異なる２つの
面８１ａ，８２ａの組み合わせにより形成するようにし
たものである。また、図８（ｂ）に示す例は、接ガス面
３１１を凹状曲面をなす１つの曲面で形成するようにし
たものである。また、図８（ｃ）に示す例は、接ガス面
３１１を水平な面１０１ａと垂直な面１０２ａとの組み
合わせにより形成するようにしたものである。
【０１３１】このような構成においても、絶縁体３１０
の接ガス面３１１が上方を向かないようにすることがで
きるので、成膜時、接ガス面３１１に付着している反応
副生成物が気流によって上方に舞い上がることを抑制す
ることができる。これにより、反応副生成物の舞い上が
りによるパーティクルの発生を抑制することができる。
なお、ここでの絶縁体３１０は、図３の装置の絶縁体５
９０とも置き換えられることは勿論である。
【０１３２】［４］第４の実施の形態 ［４−１］構成 図９は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第４の実施
の形態の構成を示す側断面図である。なお、図９には、
本発明を１槽構造の真空容器を有するプラズマＣＶＤ装
置に適用した場合を代表として示す。
【０１３３】先の実施の形態では、ガス分散板２１３の
端部を、真空容器２００の分割位置の手前まで延長する
場合を説明した。これに対し、本実施の形態は、ガス分
散板の端部を真空容器の分割位置より下まで延長するこ
とにより、この端部より下方に付着した反応副生成物の
舞い上がりによるパーティクルの落下に低減するように
したものである。また、本実施の形態は、ガス分散板の
端部を真空容器の分割位置付近で水平に分割することに
より、ガス分散板の端部を真空容器の分割位置より下ま
で延長したことによる真空容器の開口幅の増大を防止す
るようにしたものである。
【０１３４】ここで、本実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置の構成を図９を参照しながら詳細に説明する。図９に
示すプラズマＣＶＤ装置の構成は、ガス分散板の構成を
除けば、基本的には、図１に示すプラズマＣＶＤ装置の
構成とほぼ同じである。
【０１３５】すなわち、図９に示すプラズマＣＶＤ装置
も、図１に示すプラズマＣＶＤ装置と同様に、上側容器
６０１と下側容器６０２とを備えた真空容器６００を有
する。上側容器６０１は、予め定めた位置に固定され、
下側容器６０２は、図示しない昇降機構により昇降駆動
される。
【０１３６】真空容器６００の内部には、平行平板電極
の上部電極６１０と下部電極６２０とが配設されてい
る。上部電極６１０は、絶縁体６３０を介して真空容器
の上側容器６０１と下側容器６０２とに支持されてい
る。下部電極６２０は、支持板６４０を介して下側容器
６０２に支持されている。
【０１３７】上部電極６１０の天板６１２には、ガス導
入部６５０が接続されている。また、この天板６１２に
は、ヒータ７２０が配設されている。このヒータ７２０
は、ヒータ本体７２１にヒータ線７２２を埋設した構造
を有する。上部電極６１０の底板、すなわち、ガス分散
板６１３には、複数のガス分散孔６１４が形成されてい
る。
【０１３８】下部電極６２０の上面、すなわち、基板載
置面６２１は、真空容器６００の分割位置付近に位置決
めされている。言い換えれば、基板搬送路付近に位置決
めされている。また、この下部電極６２０には、ヒータ
線６９０が埋設されている。下部電極６２０の支持板６
４０には、反応室１Ａの雰囲気を排気室２Ａに排出する
ための複数の排気孔６４１が形成されている。また、上
記真空容器６００の底板には、排気室２Ａの雰囲気を排
出するための排気口６０３が形成されている。ガス導入
部６５０には、直流阻止コンデンサ６７０を介して高周
波電源６８０が接続され、下側容器６０２は、接地され
ている。
【０１３９】ガス分散板６１３の端部は、真空容器６０
０の分割位置より下に延在されている。言い換えれば、
基板搬送路より下に延在されている。図には、下部電極
６２０の支持体６４０付近まで延在する場合を示す。こ
のガス分散板６１３の端部は、真空容器６００の分割位
置付近で水平に分割されている。言い換えれば、基板搬
送路付近で水平に分割されている。これにより、ガス分
散板６１３は、上側ガス分散板１ｂと下側ガス分散板２
ｂとを有する。
【０１４０】また、これに合わせて、絶縁体６３０も、
真空容器６００の分割位置付近で水平に分割されてい
る。これにより、絶縁体６３０は、上側絶縁体１１ｂと
下側絶縁体１２ｂとを有する。
【０１４１】上側ガス分散板１ｂは、ヒータ７２０とと
もに、上側絶縁体１１ｂを介して上側容器６０１に支持
されている。これに対し、下側ガス分散板２ｂは、下側
絶縁体１２ｂを介して下側容器６０２に支持されてい
る。
【０１４２】ガス分散板６１３の中央部の放電面７１ｂ
は、例えば、平面状に形成されている。これに対し、端
部の放電面７２ｂは、例えば、凹状曲面をなすように形
成されている。また、これに合わせて、下部電極６２０
の側面６２２は、ガス分散板６１３の端部の放電面７２
ｂとほぼ平行な凸状曲面をなすように形成されている。
【０１４３】また、ガス分散板６１３の端部の放電面７
２ｂは、絶縁体７００と絶縁加工との組合せにより絶縁
されている。また、ガス分散板６１３の端部での局所放
電を防止する絶縁体７１０は、絶縁体６３０を延長する
ことにより形成されている。この絶縁体７１０の接ガス
面７１１は、ガス分散板６１３の端部の放電面７２ｂの
延長面をなすように設定されている。以上が第４の実施
の形態の構成である。
【０１４４】［４−２］効果 以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を
得ることができる。
【０１４５】（１）まず、本実施の形態によれば、ガス
分散板６１３の端部を真空容器６００の分割位置より下
に延在するようにしたので、先の実施の形態より、ガス
分散板６１３の端部より下方に付着した反応副生成物
（例えば、絶縁体７１０の接ガス面７１１に付着した反
応副生成物）の舞い上がりによるパーティクルの発生を
抑制することができる。
【０１４６】（２）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板６１３の端部を真空容器６００の分割位置付近で
分割するようにしたので、ガス分散板６１３の端部を水
平容器６００の分割位置より下に延在しているにもかか
わらず、基板搬送時の真空容器６００の開口幅の増大を
防止することができる。
【０１４７】すなわち、ガス分散板６１３を分割しない
場合は、図１０に示すように、真空容器６００の開口幅
Ｙとして、Ｙ１＋Ｙ２の幅が必要になる。ここで、Ｙ１
は、絶縁体６３０のうち、上側容器６０１からはみ出し
ている部分の長さである。Ｙ２は、このはみ出し部分が
ないとした場合に必要な開口幅である。これに対し、本
実施の形態のように、ガス分散板６１３を分割する場合
は、図１１に示すように、開口幅Ｙとして、Ｙ２だけで
済み、Ｙ１は不要になる。これにより、本実施の形態で
は、ガス分散板６１３の端部を水平容器６００の分割位
置より下に延在しているにもかかわらず、基板搬送時の
真空容器６００の開口幅の増大を防止することができ
る。
【０１４８】［４−３］具体例 ［４−３−１］構成 図１２は、本実施の形態の具体的構成の一例を示す側断
面図である。図には、本実施の形態を図３に示す２槽構
造のプラズマＣＶＤ装置に適用した場合を代表として示
す。図１２において、図３に示すプラズマＣＶＤ装置と
ほぼ同じ機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細
な説明を省略する。
【０１４９】図１２に示すごとく、本具体例のプラズマ
ＣＶＤ装置では、ガス分散板４３３の端部は、内槽の分
割位置（内槽の上側本体２１ａと支持体４７０の垂直部
４７１との境界位置）より下に延在されている。言い換
えれば、基板搬送路より下に延在されている。図には、
支持体４７０の水平部４７２付近まで延在する場合を示
す。
【０１５０】また、このガス分散板４３３の端部は、内
槽の分割位置付近で水平に分割されている。これによ
り、ガス分散板４３３は、上側ガス分散板２１ｂと下側
ガス分散板２２ｂとを有する。
【０１５１】また、これに合わせて、絶縁体４３０も、
内槽の分割位置付近で水平に分割されている。これによ
り、絶縁体４５０は、上側絶縁体３１ｂと下側絶縁体３
２ｂとを有する。
【０１５２】上側ガス分散板２１ｂは、上側絶縁体３１
ｂを介して内槽の上側本体２１ａに支持されている。こ
れに対し、下側ガス分散板２２ｂは、下側絶縁体３２ｂ
を介して支持体４７０の垂直部４７１に支持されてい
る。
【０１５３】ガス分散板４３３の端部の局所放電を防止
するための絶縁体５９０（図３参照）は、下側絶縁体３
２ｂの端部を水平に延長することにより形成されてい
る。また、ガス分散板４３３の中央部の放電面８１ｂ
は、例えば、平面状に形成されている。これに対し、端
部の放電面８２ｂは、凹状曲面をなすように形成されて
いる。これに合わせて、下部電極４４０の側面５１ａ
は、ガス分散板４４３の端部の放電面とほぼ平行な凸状
曲面をなすように形成されている。また、この端部の放
電面８２ｂは、絶縁体と絶縁加工との組合せにより絶縁
されている。以上が本具体例の構成である。
【０１５４】［４−２］効果 以上詳述した本具体例によれば、次のような効果を得る
ことができる。
【０１５５】（１）まず、本具体例によれば、ガス分散
板４３３の端部を内槽の分割位置より下に延在するよう
にしたので、ガス分散板４３３の端部より下方に付着し
た反応副生成物（例えば、絶縁体５９０の接ガス面５９
１に付着した反応副生成物）の舞い上がりによるパーテ
ィクルの発生を抑制することができる。
【０１５６】（２）また、本実施の形態によれば、ガス
分散板４３３の端部を内槽の分割位置付近で分割するよ
うにしたので、ガス分散板４３３の端部を内槽の分割位
置より下に延在しているにもかかわらず、基板搬送時の
内槽の開口幅の増大を防止することができる。
【０１５７】［５］第５の実施の形態 ［５−１］構成 図１３は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第５の実
施の形態の構成を示す側断面図である。なお、図１３に
おいて、先の図１１と同一機能を果たす部分には、同一
符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１５８】先の第４の実施の形態では、ガス分散板６
１３を給電する場合、１つの高周波電源６８０で給電す
る場合を説明した。これに対し、本実施の形態は、図１
３に示すように、ガス分散板６１３を例えば平面部４１
ｂと筒状部４２ｂとに分割し、これらを２つの高周波電
源６８０，７６０を用いて独立に給電するようにしたも
のである。
【０１５９】この場合、ガス分散板６１３の平面部４１
ｂと筒状部４２ｂとは、絶縁体７３０によって分離され
ている。この絶縁体７３０は、例えば、絶縁体６３０を
変形することにより形成されている。また、この絶縁体
７３０は、ガス分散板６１３の端部の放電面に取り付け
られる絶縁体７００（図９参照）としても兼用されてい
る。
【０１６０】筒状部２２ｂの給電端子７４０は、下側絶
縁体１２ｂと下側容器６０２とを介して真空容器６００
の外部に導出されている。この給電端子７４０は、例え
ば、筒状部４２ｂを変形することにより形成されてい
る。この給電端子７４０には、直流阻止コンデンサ７５
０を介して高周波電源７６０が接続されている。この場
合、給電端子７４０は、絶縁体７７０を介して下側容器
６０２と絶縁されている。この絶縁体７７０は、下側絶
縁体１２ｂを変形することにより形成されている。
【０１６１】［５−２］効果 以上詳述した本実施の形態によれば、ガス分散板６１３
を平面部４１ｂと筒状４２ｂとに分け、これらを独立に
給電するようにしたので、これらに異なる電力を供給す
ることができる。これにより、クリーニング時、クリー
ニング速度の遅い筒状部４１ｂに、クリーニング速度の
早い平面部４２ａより大きな電力を供給することができ
るので、クリーニング効率を向上させることができる。
【０１６２】［５−３］具体例 ［５−３−１］構成 図１４は、本実施の形態の具体的構成の一例を示す側断
面図である。図には、本実施の形態を図３に示す２槽構
造のプラズマＣＶＤ装置に適用した場合を代表として示
す。図１４において、図３に示すプラズマＣＶＤ装置と
ほぼ同じ機能を果たす部分には、同一符号を付して詳細
な説明を省略する。
【０１６３】図１４に示すごとく、本具体例のプラズマ
ＣＶＤ装置では、ガス分散板４３３が内槽の分割位置付
近で分割されるとともに、平面部５１ｂと筒状部５２ｂ
とに分割されている。そして、これら平面部５１ｂと筒
状部５２ｂとは、絶縁体８００により分離されている。
この絶縁体８００は、上側絶縁体３１ｂを変形すること
により形成されている。また、この絶縁体８００は、ガ
ス分散板４３３の端部の放電面に取り付けられる絶縁体
５８０（図３参照）としても兼用されている。
【０１６４】筒状部５２ｂの給電端子８１０は、絶縁体
４３０と支持体４７０の垂直部４７１とを介して内槽の
外部に導出されている。この給電端子８１０は、筒状部
５２ｂを変形することにより形成されている。この給電
端子８１０には、直流阻止コンデンサ８２０を介して高
周波電源８３０が接続されている。この場合、給電端子
８１０は、絶縁体８４０を介して支持体４７０の垂直部
４７１と絶縁されている。この絶縁体８４０は、下側絶
縁体３２ｂを変形することにより形成されている。
【０１６５】［５−３−２］効果 以上詳述した本具体例によれば、ガス分散板４３３を平
面部５１ｂと筒状５２ｂとに分け、これらを独立に給電
するようにしたので、これらに異なる電力を供給するこ
とができる。これにより、クリーニング時、クリーニン
グ速度の遅い筒状部５２ｂに、クリーニング速度の早い
平面部５２ａより大きな電力を供給することができるの
で、クリーニング効率を向上させることができる。
【０１６６】［６］その他の実施の形態 以上、本発明の５つの実施の形態を説明したが、本発明
は、上述したような実施の形態に限定されるものではな
い。
【０１６７】（１）例えば、先の実施の形態によれば、
ガス分散板の端部の放電面を絶縁する場合、この放電面
をガス分散板の中心軸を中心にリング状に２つに分け、
内側の放電面を絶縁体で絶縁し、外側の放電面を絶縁加
工により絶縁する場合を説明した。
【０１６８】しかしながら、本発明は、内側の放電面を
絶縁加工で絶縁し、外側の放電面を絶縁体で絶縁するよ
うにしてもよい。または、全部を絶縁体もしくは絶縁加
工により絶縁するようにしてもよい。
【０１６９】（２）また、先の第５実施の形態では、ガ
ス分散板を複数の給電領域に分割する場合、２つの給電
領域に分割する場合を説明した。しかしながら、本発明
は、３つ以上の給電領域に分割し、これらを独立に給電
するようにしてもよい。
【０１７０】（３）また、先の実施の形態では、本発明
を、プラズマ生成用の電源として、高周波電源を用いる
プラズマＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかし
ながら、本発明は、高周波電源以外の電源、例えば、直
流電源を用いるプラズマＣＶＤ装置にも適用することが
できる。
【０１７１】（４）この他にも、本発明は、その要旨を
逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論で
ある。
【０１７２】
【発明の効果】以上詳述したように第１の発明のプラズ
マＣＶＤ装置によれば、上部電極の端部を下部電極の上
面に載置された被処理基板の上面より下に延在するよう
にしたので、被処理基板の上方に存在する付着力の弱い
反応副生成物を減少させることができる。これにより、
反応副生成物の落下によるパーティクルの発生を抑制す
ることができる。その結果、パーティクルの付着による
被処理基板の汚染を抑制することができるので、歩留ま
りの向上を図ることができる。
【０１７３】また、第２の発明のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、上部電極の端部に絶縁体を設けるようにしたの
で、この端部で局所放電が発生することを防止すること
ができる。
【０１７４】また、第３の発明のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、絶縁体の接ガス面を上方に向かないように設定
したので、成膜時、絶縁体の接ガス面に付着した反応副
生成物が気流によって上方に舞い上がることを抑制する
ことができる。これにより、反応副生成物の舞い上がり
によるパーティクルの発生を抑制することができる。
【０１７５】また、第４の発明のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、絶縁体の接ガス面を、被処理基板の搬送時に、
この被処理基板の搬送路に面しないように設定したの
で、被処理基板の搬送時、この搬送によって絶縁体付近
に気流が発生したとしても、絶縁体の接ガス面に付着し
た反応副生成物の舞い上がりを抑制することができる。
これにより、反応副生成物の舞い上がりによるパーティ
クルの発生を抑制することができる。
【０１７６】また、第５の発明のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、上部電極の端部の放電面が絶縁されているの
で、被処理基板の周囲での放電を抑制することができ
る。これにより、上部電極の端部の延長により上部電極
の放電面の面積が従来より拡大されているにもかかわら
ず、被処理基板の上方でのプラズマ密度の低下を防止す
ることができる。その結果、被処理基板の上方でのプラ
ズマ処理効率の低下を防止することができるので、膜厚
の分布特性の悪化を防止することができる。
【０１７７】また、このような構成によれば、被処理基
板の表面に形成された薄膜中に対する電子の取込み量の
増大を防止することができるので、電子の取込み量の増
大による膜応力の増大を防止することができる。これに
より、被処理基板の表面に形成された薄膜が剥がれるの
を防止することができる。
【０１７８】また、第６の発明のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、上部電極の端部の放電面を上部電極の中心軸を
中心にしてリング状に２つに分け、内側の放電面を絶縁
する場合、絶縁体で絶縁するようにしたので、絶縁加工
により絶縁する場合に比べ、被処理基板の周囲での放電
を抑制する効果を高めることができる。
【０１７９】また、このプラズマＣＶＤ装置によれば、
外側の放電面を絶縁する場合、絶縁加工により絶縁する
ようにしたので、絶縁体により絶縁する場合に比べ、内
側の放電面に設けられた絶縁体や外側の放電面に付着力
の弱い反応副生成物が付着しないようにすることができ
る。
【０１８０】また、第７の発明ののプラズマＣＶＤ装置
によれば、上部電極の端部の放電面を下方に向かうに従
って徐々に拡大するように設定したので、この上部電極
の端部を下方に延長しているにもかかわらず、ガスクリ
ーニング時、この端部でクリーニングガスの流れが妨げ
られることを防止することができる。これにより、プラ
ズマと使ったガスクリーニングにより上部電極の放電面
に形成された膜を除去する場合、この除去を容易に行う
ことができる。
【０１８１】また、第８の発明のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、絶縁体の接ガス面を上部電極の端部の放電面の
延長面をなすように形成したので、この接ガス面でガス
の流れが妨げられることを防止することができる。これ
により、成膜時は、この接ガス面に対する反応副生成物
の付着を抑制することができ、ガスクリーニング時は、
この接ガス面に付着した反応副生成物を効率的にエッチ
ングすることができる。その結果、ガスクリーニングに
よるクリーニング時間を短縮することができる。
【０１８２】また、求第９の発明のプラズマＣＶＤ装置
によれば、上部電極の端部を被処理基板の搬送路より下
に延在する場合、これを基板搬送路付近で水平に分割す
るようにしたので、上部電極の端部が基板搬送路の下に
延在されているにもかかわらず、基板搬送時の真空容器
の開口幅の増大を防止することができる。
【０１８３】また、第１０の発明のプラズマＣＶＤ装置
によれば、上部電極を一箇所以上で水平に分割し、各分
割領域ごとに独立に給電するようにしたので、真空容器
の内部をプラズマを使ってガスクリーングする場合、ク
リーニング速度の遅い部分には、大きな電力を供給する
ことができる。これにより、クリーニング効率を高める
ことができる。
【０１８４】第１１の発明のプラズマＣＶＤ装置によれ
ば、２槽構造の真空容器を用いる装置において、本発明
の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第１の実施
の形態の構成を示す側断面図である。
【図２】第１の実施の形態の動作を説明するための側断
面図である。
【図３】第１の実施の形態の具体的構成の一例を示す側
断面図である。
【図４】第１の実施の形態の具体的構成の一部の構成を
示す側断面図である。
【図５】第１の実施の形態の具体的構成の動作を説明す
るための側断面図である。
【図６】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第２の実施
の形態の構成を示す側断面図である。
【図７】第２の実施の形態の具体的構成の一例を示す側
断面図である。
【図８】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第３の実施
の形態の要部の構成を示す側断面図である。
【図９】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第４の実施
の形態の構成を示す側断面図である。
【図１０】第４の実施の形態の効果を説明するための側
断面図である。
【図１１】第４の実施の形態の効果を説明するための側
断面図である。
【図１２】第４の実施の形態の具体的構成の一例を示す
側断面図である。
【図１３】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第５の実
施の形態の構成を示す側断面図である。
【図１４】第５の実施の形態の動作を説明するための側
断面図である。
【図１５】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す側断
面図である。
【符号の説明】
２００…真空容器、２０１…上側容器、２０２…下側容
器、２０３…排気口、２１０…上部電極、２１１…ガス
分散部、２１２…天板、２１３…ガス分散板、２１４…
ガス分散孔、２２０…下部電極、２２１…基板載置面、
２２２…側面、２３０…絶縁体、２４０…支持板、２４
１…排気孔、２５０…ガス導入部、２６０…ヒータ線、
２７０…直流阻止コンデンサ、２８０…高周波電源、２
９０…ヒータ線、３００…絶縁体、３１０…絶縁体、３
１１…接ガス面、１ａ…水平部、２ａ…傾斜部、３２０
…基板搬送装置、１Ａ…反応室、２Ａ…排気室、４００
…真空容器、４０１…外槽本体、４０２…内槽本体、４
０３…天板、４１０，４２０…ゲート弁、４３０…上部
電極、４４０…下部電極、４３１…ガス分散部、４３２
…天板、４３３…ガス分散板、４３４…ガス分散孔、４
５０…絶縁体、４６０…昇降ロッド、４７０…支持体、
４７１…垂直部、４７２…水平部、４８０…ガス導入
部、４９０，５００…ヒータ線、５１０，５２０…雰囲
気排出部、５３０…直流阻止コンデンサ、５４０…高周
波電源、５５０…支持ピン、５６０…昇降ロッド、５７
０…圧力検出センサ、５８０，５９０…絶縁体、５９１
…接ガス面、１１ａ…基板搬入口、１２ａ…基板搬出
口、２１ａ…上側本体、２２ａ…下側本体、３１ａ…排
気孔、４１ａ…水平部、４２ａ…傾斜部、５１ａ…側
面、６１ａ，６２ａ，７１ａ，７２ａ…放電面、８１
ａ，８２ａ，９１ａ，１０１ａ，１０２ａ…面、６００
…真空容器、６０１…上側容器、６０２…下側容器、６
０３…排気口、６１０…上部電極、６１１…ガス分散
部、６１２…天板、６１３…ガス分散板、６１４…ガス
分散孔、６２０…下部電極、６２１…基板載置面、６２
２…側面、６３０…絶縁体、６４０…支持板、６４１…
排気孔、６５０…ガス導入部、６７０…直流阻止コンデ
ンサ、６８０…高周波電源、６９０…ヒータ線、７０
０，７１０…絶縁体、７１１…接ガス面、７２０…ヒー
タ、７２１…ヒータ本体、７２２…ヒータ線、１ｂ…上
側ガス分散板、２ｂ…下側ガス分散板、１１ｂ…上側絶
縁体、１２ｂ…下側絶縁体、２１ｂ…上側ガス分散板、
２２ｂ…下側ガス分散板、３１ｂ…上側絶縁体、３２ｂ
…下側絶縁体、７３０…絶縁体、７４０…給電端子、７
５０…直流阻止コンデンサ、７６０…高周波電源、７７
０…絶縁体、４１ｂ…平面部、４２ｂ…筒状部、８００
…絶縁体、８１０…給電体、８２０…直流阻止コンデン
サ、８３０…高周波電源、８４０…絶縁体、５１ｂ…平
面部、５２ｂ…筒状部、７１ｂ，７２ｂ，８１ｂ，８２
ｂ…放電面、Ｗ…被処理基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/31

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】水平にかつ対向するように配設された上部
    電極と下部電極との間に電力を印加することにより成膜
    用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって前
    記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上面
    に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成する
    プラズマＣＶＤ装置において、 前記上部電極の端部が前記下部電極の上面より下方に延
    在され、前記上部電極には前記電力を印加するための電源が接続
    され ていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  2. 【請求項２】水平にかつ対向するように配設された上部
    電極と下部電極との間に電力を印加することにより成膜
    用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって前
    記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上面
    に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成する
    プラズマＣＶＤ装置において、 前記上部電極の端部が前記下部電極の上面に載置された
    前記被処理基板の上面より下方に延在され、 前記上部電極には前記電力を印加するための電源が接続
    され、 前記上部電極が平板状の電極を含むことを特徴とするプ
    ラズマＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】成膜用の真空容器を備え、前記上部電極と
    前記下部電極とが前記真空容器の中に配設されているこ
    とを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマＣＶ
    Ｄ装置。
  4. 【請求項４】水平にかつ対向するように配設された上部
    電極と下部電極との間に電力を印加することにより成膜
    用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって前
    記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上面
    に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成する
    プラズマＣＶＤ装置において、 前記上部電極の端部が前記下部電極の上面に載置された
    前記被処理基板の上面より下方に延在され、 前記上部電極の端部に絶縁体が設けられていることを特
    徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  5. 【請求項５】前記絶縁体の複数の面のうち、成膜時に前
    記反応ガスと接する面が上方を向かないように設定され
    ていることを特徴とする請求項４記載のプラズマＣＶＤ
    装置。
  6. 【請求項６】前記絶縁体の複数の面のうち、成膜時に前
    記反応ガスに接する面が、前記被処理基板の搬送時に、
    この被処理基板の搬送路に面しないように設定されてい
    ることを特徴とする請求項４記載のプラズマＣＶＤ装
    置。
  7. 【請求項７】水平にかつ対向するように配設された上部
    電極と下部電極との間に電力を印加することにより成膜
    用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって前
    記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上面
    に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成する
    プラズマＣＶＤ装置において、 前記上部電極の端部が前記下部電極の上面に載置された
    前記被処理基板の上面より下方に延在され、 前記上部電極の端部の放電面が絶縁されていることを特
    徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  8. 【請求項８】前記上部電極の端部の放電面がこの上部電
    極の中心軸を中心にリング状に２つの放電面に分けら
    れ、内側の放電面が絶縁体により絶縁され、外側の放電
    面が絶縁加工により絶縁されていることを特徴とする請
    求項７記載のプラズマＣＶＤ装置。
  9. 【請求項９】前記上部電極の端部の放電面が下方に向か
    うに従って徐々に拡大するように設定されていることを
    特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズ
    マＣＶＤ装置。
  10. 【請求項１０】前記絶縁体の複数の面のうち、成膜時に
    前記反応ガスに接する面が、前記上部電極の端部の放電
    面の延長面をなすように設定されていることを特徴とす
    る請求項４記載のプラズマＣＶＤ装置。
  11. 【請求項１１】前記上部電極の端部が前記被処理基板の
    搬送路より下に延在され、かつ、この基板搬送路付近で
    水平に分割されていることを特徴とする請求項１ないし
    ３のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
  12. 【請求項１２】前記上部電極が一箇所以上で水平に分割
    され、各分割領域ごとに独立に給電されるようになって
    いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
    載のプラズマＣＶＤ装置。
  13. 【請求項１３】成膜用の真空容器が内槽と外槽とを備え
    た２槽構造の容器であり、前記上部電極と前記下部電極
    とが前記内槽の中に配設されていることを特徴とする請
    求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装
    置。
  14. 【請求項１４】水平にかつ対向するように配設された上
    部電極と下部電極との間に電力を印加することにより成
    膜用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって
    前記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上
    面に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成す
    るプラズマＣＶＤ装置において、前記上部電極には前記
    電力を印加するための高周波電源が接続され、前記上部
    電極の端部が前記下部電極の上面より下方に延在されて
    いるプラズマＣＶＤ装置を用いて、半導体装置を形成す
    る半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】水平にかつ対向するように配設された上
    部電極と下部電極との間に電力を印加することにより成
    膜用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって
    前記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上
    面に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成す
    るプラズマＣＶＤ装置において、前記上部電極の端部が
    前記下部電極の上面に載置された前記被処理基板の上面
    より下方に延在され、前 記上部電極には前記電力を印加
    するための電源が接続され、前記上部電極が平板状の電
    極を含むプラズマＣＶＤ装置を用いて、半導体装置を形
    成する半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】前記プラズマＣＶＤ装置が成膜用の真空
    容器を備え、前記上部電極と前記下部電極とが前記真空
    容器の中に配設されている請求項１４または１５に記載
    の半導体装置の製造方法。
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