JP4276813B2 - 熱処理装置および半導体製造方法 - Google Patents
熱処理装置および半導体製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4276813B2 JP4276813B2 JP2002085137A JP2002085137A JP4276813B2 JP 4276813 B2 JP4276813 B2 JP 4276813B2 JP 2002085137 A JP2002085137 A JP 2002085137A JP 2002085137 A JP2002085137 A JP 2002085137A JP 4276813 B2 JP4276813 B2 JP 4276813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- heater
- processing chamber
- sub
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理技術、特に、被処理物を処理室に収容してヒータによって加熱した状態で処理を施す熱処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニールおよび熱CVD反応による成膜処理等(以下、熱処理という。)に使用される熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
ICの製造方法におけるウエハの熱処理には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置(以下、縦形熱処理装置という。)が、広く使用されている。縦形熱処理装置は、ウエハが搬入される処理室を形成するインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、ヒータによって処理室が加熱されることにより、ウエハに熱処理が施されるように構成されている。
【0003】
従来のこの種の縦形熱処理装置として、熱放出量の大きい処理室の下部に補助加熱用のサブヒータを設置して短時間で処理室の垂直方向の温度の回復と安定とを確保することにより、ウエハの処理時間の短縮を図ったものがある。しかしながら、この縦形熱処理装置においては、ボートを回転することができないため、ウエハ面内の膜厚の均一性の低下を招くという問題点がある。そこで、垂直方向の温度の安定を確保しつつウエハ面内の温度分布の均一性も確保するために、例えば、特開2001−156005号公報および特開2001−210631号公報には、サブヒータを装備しつつボートが回転可能な縦形熱処理装置が、提案されている。
【0004】
すなわち、前者には次のような縦形熱処理装置が開示されている。反応容器(プロセスチューブ)の下端を塞ぐ蓋体(シールキャップ)と保持具(ボート)との間には保温ユニットが蓋体に固定されて設置されており、この保温ユニットの中央部には保持具を回転させるための回転軸が貫通されている。保温ユニットの上面部には発熱体ユニット(サブヒータ)が設置されており、発熱体ユニットの給電路部材は回転軸の中心線上に敷設されている。
【0005】
また、後者には次のような縦形熱処理装置が開示されている。ボートを回転させるターンテーブルの上に保温筒が設置されており、サブヒータが保温筒の上部に面状に形成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開2001−156005号公報の縦形熱処理装置には、次のような問題点がある。サブヒータの中央部にボート回転軸を挿通させるための貫通孔が開設された状態になることにより、サブヒータはボート上のウエハの中央部を加熱することができなくなるため、ウエハ面内の温度分布の均一性が低下してしまう。また、ボート回転軸は保温筒の内部を貫通させてボートを支持する状態になるため、ボート回転軸が細長くなり、重いボートを安定して支持することができない。そこで、ボート回転軸を太くすると、ウエハ面内の温度分布の均一性が低下してしまう。
【0007】
他方、特開2001−210631号公報の縦形熱処理装置においては、保温筒が回転する構造になっているため、スリップリング等が必要になるという問題点がある。
【0008】
本発明の目的は、従来の技術のこれらの問題点を解決し、垂直方向の温度の安定を確保しつつ水平面内の温度分布の均一性も確保することができる熱処理装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するための手段は、処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に敷設されて前記処理室を加熱するヒータと、複数枚の被処理基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、このボートを回転させるボート回転装置とを備えており、
前記ボート回転装置は固定された内軸とこの内軸に同心円に配置されて回転される外軸とを備えており、前記内軸の上端にはサブヒータが設置され、前記外軸には前記ボートと断熱部とが設置されていることを特徴とする。
【0010】
前記した手段によれば、サブヒータは固定軸である内軸の上端に設置されているため、ボートに水平に保持された被処理基板の全面を均一に加熱することができ、また、サブヒータの給電配線はスリップリングを要せずに電源に接続することができる。他方、ボートを回転させる外軸は外径を大きく設定することができるため、重量の大きいボートであっても安定して回転させることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0012】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る熱処理装置は、ICの製造方法における熱処理工程を実施する縦形熱処理装置(バッチ式縦形熱処理装置)10として構成されている。縦形熱処理装置10は中心線が垂直になるように縦に設置されたプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11はインナチューブ12とアウタチューブ13とから構成されている。インナチューブ12は石英ガラスまたは炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ13は石英ガラスが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ12は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成している。インナチューブ12の下端開口はウエハを出し入れするための炉口15を構成しており、インナチューブ12の内径は取り扱うウエハの最大外径(例えば、三百mm)よりも大きくなるように設定されている。
【0013】
アウタチューブ13は内径がインナチューブ12の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ12とアウタチューブ13との間の下端部は多段の円筒形状に構築されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16はインナチューブ12およびアウタチューブ13の交換等のためにインナチューブ12およびアウタチューブ13にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド16が縦形熱処理装置10の筐体(一部のみが図示されている。)2に支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられた状態になっている。
【0014】
マニホールド16の側壁の上部には排気管17が接続されており、排気管17は排気装置(図示せず)に接続されてプロセスチューブ11の内部を排気し得るようになっている。排気管17はインナチューブ12とアウタチューブ13との間に形成された隙間に連通した状態になっており、インナチューブ12とアウタチューブ13との隙間によって排気路18が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。排気管17がマニホールド16に接続されているため、排気管17は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路18の最下端部に配置された状態になっている。また、マニホールド16の側壁の下部にはガス導入管19がインナチューブ12の炉口15に連通するように接続されており、ガス導入管19には原料ガス供給装置やキャリアガス供給装置およびパージガス供給装置(いずれも図示せず)が接続されている。ガス導入管19によって炉口15に導入されたガスはインナチューブ12の処理室14を流通して排気路18を通って排気管17によって外部へ排気されるようになっている。
【0015】
図1に示されているように、プロセスチューブ11の外側は断熱槽21によって全体的に被覆されており、断熱槽21の内側にはプロセスチューブ11の内部を加熱するヒータ22が、アウタチューブ13の周囲を包囲するように同心円に設備されている。断熱槽21はステンレス鋼等の薄板から円筒形状に形成されたカバーの内部にガラスウール等の断熱材が封入されて、プロセスチューブ11の外径よりも大径で長さが同程度の円筒形状に形成されており、筐体2に支持されることによって垂直に据え付けられている。ヒータ22はニクロム線等の線形の電気抵抗体によって形成されて、断熱槽21の内周面に螺旋状に巻装されている。ヒータ22は上側から順に、第一ヒータ部22a、第二ヒータ部22b、第三ヒータ部22c、第四ヒータ部22dおよび第五ヒータ部22eに五分割されており、これらヒータ部22a〜22eは温度コントローラ23によって互いに連携および独立してシーケンス制御されるように構成されている。
【0016】
図1に示されているように、シールキャップ30の外周辺部の一箇所には保護管24がボート50に干渉しないように上下方向に貫通されて垂直に固定されており、ボート50の処理室14への搬入時には、保護管24はインナチューブ12の内周面とボート50の外周面との間に位置する状態になっている。保護管24には五本の熱電対25a、25b、25c、25dおよび25eが纏めて封入されている。五本の熱電対25a、25b、25c、25dおよび25eは温度コントローラ23にそれぞれ接続されており、各熱電対25a〜25eは温度計測結果を温度コントローラ23にそれぞれ送信するようになっている。温度コントローラ23は各熱電対25a〜25eからの計測温度に基づいて各ヒータ部22a〜22eをフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ23は各ヒータ部22a〜22eの目標温度と各熱電対25a〜25eの計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
【0017】
図1に示されているように、シールキャップ30はマニホールド16の下端開口を垂直方向下側から開閉するように構成されている。すなわち、シールキャップ30はマニホールド16の内径以上の外径を有する円盤形状に構築されており、プロセスチューブ11の外部に垂直に設備されたボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ30の中心線上にはボート50を回転させるボート回転装置31が設置されている。
【0018】
図2および図3に詳示されているように、ボート回転装置31は上端が開口で下端が閉塞の略円筒形状に形成されたハウジング32を備えており、ハウジング32はシールキャップ30の下面に同心円に配置されて固定されている。ハウジング32の内部には細長い円筒形状に形成された内軸33が垂直方向に配置されて、ハウジング32の閉塞壁によって固定的に支持されている。ハウジング32の内部には内軸33の外径よりも大径の円筒形状に形成された外軸34が同心円に配置されており、外軸34は内軸33との間に介設された上下で一対の内側ベアリング35、36と、ハウジング32との間に介設された上下で一対の外側ベアリング37、38とによって回転自在に支承されている。上側の内側ベアリング35の上には内側磁性流体シール39が設置されており、上側の外側ベアリング37の上には外側磁性流体シール40が設置されている。ハウジング32の閉塞壁下面には外軸34の下端部をシールするキャップ41が固定されている。外軸34の外周における上側の外側ベアリング37と下側の外側ベアリング38との間にはウオームホイール42が同心円に固定されており、ウオームホイール42には電動モータ44によって回転駆動されるウオーム軸43が噛合されている。
【0019】
内軸33の上端にはサブヒータ45が垂直に立脚されて固定されている。サブヒータ45はセラミックが使用されて垂直の支柱部46aと水平の収納部46bとを有する中空体に成形されたケース46を備えており、ケース46の垂直の支柱部46aの下端面が内軸33の上端面に当接されてボルト46cによって固定されている。ケース46の収納部46bはウエハ1の外径よりも若干小径の中空円盤形状に形成されており、支柱部46aの上端において同心円に配置されて水平に支持された状態になっている。収納部46bの内部には、金属汚染を防止可能な二珪化モリブデン等の抵抗発熱体が使用されて線形状に形成された抵抗発熱線(以下、ヒータ素線という。)47が、図3に示されているように多重の同心円形状に敷設されている。ヒータ素線47の両端部は収納部46bの中央部において垂直方向下向きに屈曲されて支柱部46aの内部に引き込まれるとともに、内軸33の上端部まで導出されており、その内軸33の上端部においてヒータ素線47の両端部には一対の給電配線48、48がジョイント49、49によってそれぞれ接続されている。給電配線48は内軸33の下端開口から外部へ引き出されて電源(図示せず)に接続されている。
【0020】
外軸34の上端部には外向きフランジ形状のボート受け部34aが水平に突設されており、ボート受け部34aの上にはボート50が垂直に設置されている。ボート50は上下で一対の端板51、52と、両端板51と52との間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材53とを備えており、三本の保持部材53には多数条の保持溝54が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート50は三本の保持部材53の保持溝54の間にウエハ1の周辺部をそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ1を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
【0021】
図2および図3に示されているように、三本の保持部材53におけるサブヒータ45の収納部46bの下方に位置する複数段(本実施の形態では六段)の保持溝54の間には、石英が使用されてウエハ1の外径と略等しい外径の円板形状に形成された断熱板55がそれぞれ一枚ずつ挿入されている。図5に詳示されているように、各断熱板55には長孔形状の切欠部56が半径方向に切設されている。切欠部56の幅はサブヒータ45の支柱部46aを逃げ得るように支柱部46aの外径よりも若干大きく設定されており、切欠部56の長さは断熱板55の半径よりも幅の分だけ長くなるように設定されている。そして、六段の保持溝54の間にそれぞれ挿入された状態において、各段の断熱板55の切欠部56は互いに重なり合わないように周方向に互いにずらされている。このように各段の断熱板55の切欠部56が周方向にずらされていることにより、各段の断熱板55の切欠部56の悪影響が防止されている。これらの断熱板55によってボート50の下端部には断熱部が構成されている。
【0022】
次に、前記構成に係る縦形熱処理装置を使用した場合の本発明の一実施の形態であるICの製造方法の熱処理工程を説明する。
【0023】
予め、ボート50には被処理基板としてのウエハ1が複数枚、ウエハ移載装置(図示せず)によって装填される。図1に示されているように、複数枚のウエハ1を整列保持したボート50はシールキャップ30の上にウエハ1群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータによって差し上げられてインナチューブ12の炉口15から処理室14に搬入(ボートローディング)されて行き、シールキャップ30に支持されたままの状態で処理室14に存置される。
【0024】
本実施の形態においては、ボート50が処理室14に搬入されて行く途中または搬入が完了した後に、電力がサブヒータ45のヒータ素線47に給電配線48、48によってそれぞれ供給されることにより、ボート50の下部領域に保持されたウエハ1群がサブヒータ45によって補助的に加熱される。また、電動モータ44やウオーム軸43およびウオームホイール42によって外軸34が回転駆動されることにより、ボート50がボート回転装置31によってウエハ1群および断熱板55に慣性力を付与しない程度の速度で緩やかに回転される。
【0025】
ここで、ボート50の処理室14への搬入途中または搬入後にサブヒータ45によって補助的に加熱を実行する理由を説明する。プロセスチューブ11の外部に敷設されて処理室14を全体的に加熱するヒータ(以下、メインヒータという。)22は、殆どの場合、予め設定した処理温度に速く到達するようにボート50の処理室14への搬入前に、例えば、処理温度よりも150℃〜200℃程度低いスタンバイ温度で処理室14を加熱している。したがって、ボート50の上部領域のウエハ1群は下部領域のウエハ1群と比べて早くスタンバイ温度の処理室14へ搬入されることになる。その結果、上部領域のウエハ1と下部領域のウエハ1との間では熱履歴が相違してしまうため、同一の縦形熱処理装置10によって熱処理したにもかかわらず、ボート50の全長では熱処理の状態が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート50の処理室14への搬入途中または搬入後にサブヒータ45による加熱を実行して、ボート50の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱することにより、上部領域のウエハ1と下部領域のウエハ1との間での熱履歴を一致させる制御を実行している。ちなみに、サブヒータ45による加熱開始のタイミングは、ボート50の処理室14への搬入速度や処理室14の内外の温度差等に依存する上部領域のウエハ1と下部領域のウエハ1との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
【0026】
このボート50の下部領域のウエハ1群を下方から加熱するサブヒータ45のヒータ素線47は支柱部46aの上端に水平に支持された収納部46bに全体にわたって同心円状に敷設されているため、ウエハ1の面内を全体にわたって均一に加熱する。この際、ヒータ素線47の両端部は中心において下方に屈曲されて支柱部46aにも敷設された状態になっているため、ウエハ1の面内の中央部も効果的に加熱することができる。ちなみに、ヒータ素線47の両端部が内軸33の内部に引き込まれてジョイント49によって給電配線48に接続されているため、給電配線48およびジョイント49は処理室14の高温雰囲気から内軸33によって保護された状態になっている。
【0027】
また、サブヒータ45は固定軸である内軸33に支持され、ボート50は回転軸である外軸34に支持されているため、サブヒータ45はウエハ1の面内の周方向について均一に加熱することになる。この際、サブヒータ45のケース46の収納部46bの外径はウエハ1の外径よりも小径に設定されているため、ボート回転装置31によるボート50の回転すなわち三本の保持部材53の公転と干渉することはない。また、ボート50の三本の保持部材53に保持された複数枚の断熱板55もボート50と共に回転することになるが、断熱板55の切欠部56の幅はサブヒータ45の支柱部46aの外径よりも大きく設定されているため、サブヒータ45に干渉することはない。ちなみに、内軸33の外側で回転する外軸34は大径に設定することができるため、重量の大きいボート50であっても安定して支持するとともに、回転させることができる。
【0028】
ボート50の処理室14への搬入が完了したら、プロセスチューブ11の内部が排気管17によって排気されるとともに、プロセスチューブ11の内部が予め設定された処理温度すなわち温度コントローラ23のシーケンス制御の目標温度(例えば、600〜1300℃)にメインヒータ22の各ヒータ部22a〜22eによって加熱される。この際、メインヒータ22の各ヒータ部22a〜22eの加熱によるプロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度と、各ヒータ部22a〜22eのシーケンス制御の目標温度との誤差は、各熱電対25a〜25eの測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
【0029】
ところで、本実施の形態においては、処理室14の上下方向の温度分布の均一性を高めるために、メインヒータ22をヒータ部22a〜22eに五分割され、かつ、五本の熱電対25a〜25eを配置することにより、所謂ゾーン制御が実行されるように構成されている。そこで、例えば、下部領域のウエハ1群に対応した最下段の熱電対25eの計測温度とそれ以外の熱電対25a〜25dの計測温度との差が所定の期間以上一定の範囲になった際に、サブヒータ45によるボート50の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱する作動を自動的に停止させる制御を実行させることができる。
【0030】
以上の温度制御によって処理室14の全体が予め設定された処理温度に安定すると、処理ガスが処理室14へガス導入管19から導入される。処理室14に導入された処理ガスは処理室14を上昇した後にインナチューブ12の上端開口から排気路18へ流れ込み、排気路18を通じて排気管17から排気される。処理ガスは処理室14を流れる際に、ウエハ1群に接触することによりウエハ1の表面に熱処理を施す。この際、ウエハ1の面内の温度分布や熱処理状態の分布の均一性を高めるために、ボート50はボート回転装置31によって緩やかに回転され続ける。
【0031】
本実施の形態においては、ボート50の下端部領域であるサブヒータ45の下方には複数枚の断熱板55が水平に並べられて介設されていることにより、ボート50の下端部領域のウエハ1群はメインヒータ22によって加熱制御され難い炉口15から離間した状態になっているため、下端部領域のウエハ1群の温度のボート50の全体のウエハ1群に対する均一性は高くなる。ここで、各断熱板55には切欠部56がそれぞれ切設されているため、水平面内の温度分布が低下するが、各段の断熱板55における切欠部56は重なり合わないように周方向の位置をずらされてるため、ボート50の下端部領域のウエハ1群に対する断熱板55の切欠部56の存在の影響は解消される。
【0032】
熱処理がウエハ1群に実施されて予め設定された熱処理時間が経過すると、メインヒータ22のヒータ部22a〜22eの加熱作用が温度コントローラ33のシーケンス制御によって停止されて、プロセスチューブ11の内部の温度が予め設定されたスタンバイ温度に降下されて行く。この際も、メインヒータ22の各ヒータ部22a〜22eによる処理室14の実際の下降温度とシーケンス制御の目標温度との誤差は、各熱電対25a〜25eの測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
【0033】
そして、予め設定されたスタンバイ温度になるか、または、予め設定された降温時間が経過すると、シールキャップ30が下降されて炉口15が開口されるとともに、ボート50に保持された状態でウエハ1群が炉口15からプロセスチューブ11の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
【0034】
ここで、ボート50の処理室14からの搬出に際しては、ボート50の下部領域のウエハ1群が上部領域のウエハ1群と比べて早く処理室14へ搬出されることになるため、下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間では熱履歴が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート50の処理室14への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ45による加熱を実行して、ボート50の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間での熱履歴を一致させる制御が実行される。ちなみに、サブヒータ45による加熱開始のタイミングは、ボート50の処理室14からの搬出速度や処理室14の内外の温度差等に依存する下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
【0035】
ところで、最近は自然酸化膜がウエハに形成されるのを防止する方向に進んでおり、処理室の下に窒素雰囲気や真空雰囲気を形成するロードロックチャンバ等が設置されている。しかし、ロードロックチャンバ等が設置されていない場合には、処理室からのボートの搬出が始まると、ウエハは処理室外の雰囲気に晒されてしまうため、ウエハの表面に自然酸化膜が形成されてしまう。この際、搬出されるウエハの温度が高い程、自然酸化膜が形成され易い。そこで、サブヒータ45の加熱を停止してボート50の搬出を開始することが考えられる。ところが、サブヒータ45の加熱を停止してボート50の搬出を開始すると、ボート50の上部領域のウエハ1群と下部領域のウエハ1群との熱履歴が相違するため、上部領域のウエハ1群の自然酸化膜の形成具合と、下部領域のウエハ1群の自然酸化膜の形成具合との間でばらつきが発生してしまう。自然酸化膜の形成具合にばらつきが発生すると、それらウエハから取得されるIC(製品)の電気的特性に相違が発生してしまう等の問題点が派生する。つまり、自然酸化膜による影響抑制の観点からも、ボート50の処理室14への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ45による加熱を実行して、ボート50の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間での熱履歴を一致させる制御を実行することが望ましい。
【0036】
ボート50が処理室14から搬出されると、処理済のウエハ1群がボート50から脱装(ディスチャージ)される。以上の作用が繰り返されることにより、縦形熱処理装置による熱処理がウエハ1にバッチ処理されて行く。
【0037】
なお、繰り返し使用された断熱板55が処理ガスの反応生成物や未反応生成物の付着や堆積によって汚染された場合には、断熱板55はボート50およびサブヒータ45から取り外されて洗浄される。すなわち、断熱板55は切欠部56をサブヒータ45の支柱部46aに対して後退させるとともに、外周部をボート50の保持溝54から抜き出すことにより、容易に取り外すことができる。ちなみに、サブヒータ45はボルト46cの締結を解除することにより、内軸33から取り外すことができる。
【0038】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0039】
1) ボート回転装置に固定軸である内軸と回転軸である外軸とを設け、サブヒータを固定軸である内軸の上端に設置することにより、ボートに水平に保持されたウエハの全面を下方から均一に加熱することができるとともに、サブヒータの給電配線をスリップリングを要せずに電源に接続することができる。
【0040】
2) ボート回転装置に固定軸である内軸と回転軸である外軸とを設け、ボートおよび断熱部を外軸に設置することにより、外軸の外径を大きく設定することができるため、重量の大きいボートおよび断熱部であっても安定して回転させることができる。
【0041】
3) 前記1)および2)により、ボート上のウエハ群における垂直方向の温度の安定を確保しつつウエハ面内の温度分布の均一性も確保することができるため、縦形熱処理装置によるウエハの処理時間を短縮することができるとともに、処理精度や信頼性および製造歩留りを高めることができ、ひいては、ICの品質および信頼性を高めることができる。
【0042】
4) サブヒータのヒータ素線をケースの支柱部の上端に水平に支持された収納部に全体にわたって同心円状に敷設するとともに、ヒータ素線の両端部を中心において下方に屈曲して支柱部にも敷設することにより、ボートの下部領域のウエハの面内の中央部も効果的に加熱することができるため、ウエハ面内を全体にわたって均一に加熱することができる。
【0043】
5) ヒータ素線の両端部を内軸の内部に引き込んでジョイントによって給電配線に接続することにより、給電配線およびジョイントを処理室の高温雰囲気から内軸によって保護することができるため、給電配線やジョイントの寿命ひいてはサブヒータ全体としての寿命を延長することができる。
【0044】
6) ボートの下端部領域であるサブヒータの下方に複数枚の断熱板を水平に並べて介設することにより、ボートの下端部領域のウエハ群をメインヒータによって加熱制御され難い炉口から離間させることができるため、下端部領域のウエハ群の温度のボート全体のウエハ群に対する均一性を高めることができる。
【0045】
7) 断熱板にサブヒータの支柱部を逃げる切欠部を切設することにより、繰り返しの使用によって汚染された断熱板を交換したり洗浄によって再生使用したりすることができる。
【0046】
8) 各段の断熱板における切欠部を重なり合わないように周方向の位置をずらすことにより、ボートの下端部領域のウエハ群に対する断熱板の切欠部の存在の影響を解消することができるため、ボートの下端部領域のウエハにおける面内均一性を維持することができる。
【0047】
9) また、サブヒータを内軸に着脱自在に設置することにより、汚染されたサブヒータを交換したり洗浄によって再生使用したりすることができる。
【0048】
図6は本発明の第二の実施の形態である縦形熱処理装置の主要部を示す一部省略一部切断正面図である。
【0049】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ボート回転装置31の外軸34の上には断熱筒57が設置されており、この断熱筒57の内部にはサブヒータ45および複数枚の断熱板55が収容され、断熱筒57の上にはボート50が設置されている点、である。
【0050】
本実施の形態によれば、サブヒータ45が断熱筒57によって被覆されているため、サブヒータ45の加熱効率が若干低下するが、処理ガスの反応生成物や未反応生成物によるサブヒータ45や断熱板55の汚染を防止することができるという効果を得ることができる。
【0051】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0052】
例えば、メインヒータは五分割するに限らず、二〜四または六以上に分割してもよい。
【0053】
熱電対はメインヒータの分割数に対応して敷設するに限らず、メインヒータの分割数に対応せずに敷設してもよい。また、熱電対は処理室のウエハの近傍に配置するに限らず、インナチューブとアウタチューブとの間やプロセスチューブとヒータとの間に配置してもよい。
【0054】
熱処理は酸化処理や拡散処理および拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール処理等に限らず、成膜処理等の熱処理であってもよい。
【0055】
被処理物はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、光ディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【0056】
本発明は、バッチ式縦形熱処理装置に限らず、バッチ式縦形減圧CVD装置等の熱処理装置全般並びに半導体製造装置全般に適用することができる。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、垂直方向の温度の安定を確保しつつ水平面内の温度分布の均一性も確保することができるため、熱処理装置による処理時間を短縮することができるとともに、半導体製造方法の処理精度や信頼性および製造歩留りを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式縦形熱処理装置を示す正面断面図である。
【図2】主要部を示す斜視図である。
【図3】その正面断面図である。
【図4】図3のIV−IV線に沿う平面断面図である。
【図5】複数枚の断熱板を示す分解斜視図である。
【図6】本発明の第二の実施の形態である縦形熱処理装置の主要部を示す一部省略一部切断正面図である。
【符号の説明】
1…ウエハ(被処理基板)、2…筐体、10…縦形熱処理装置(バッチ式縦形熱処理装置)、11…プロセスチューブ、12…インナチューブ、13…アウタチューブ、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド、17…排気管、18…排気路、19…ガス導入管、21…断熱槽、22…ヒータ、22a〜22e…ヒータ部、23…温度コントローラ、24…保護管、25a〜25e…熱電対、30…シールキャップ、31…ボート回転装置、32…ハウジング、33…内軸、34…外軸、34a…ボート受け部、35、36…内側ベアリング、37、38…外側ベアリング、39…内側磁性流体シール、40…外側磁性流体シール、41…キャップ、42…ウオームホイール、43…ウオーム軸、44…電動モータ、45…サブヒータ、46…ケース、46a…支柱部、46b…収納部、46c…ボルト、47…ヒータ素線(抵抗発熱線)、48…給電配線、49…ジョイント、50…ボート、51、52…端板、53…保持部材、54…保持溝、55…断熱板、56…切欠部、57…断熱筒。
Claims (4)
- 処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に敷設されて前記処理室を加熱するヒータと、複数枚の被処理基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、このボートを回転させるボート回転装置とを備えており、
前記ボート回転装置は固定された内軸とこの内軸に同心円に配置されて回転される外軸とを備えており、前記内軸の上端にはサブヒータが設置され、前記外軸には前記ボートと断熱部とが設置されていることを特徴とする熱処理装置。 - 前記サブヒータの給電配線は前記内軸の内部において分離可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記断熱部は前記サブヒータの下方に設置された断熱板によって構成されており、この断熱板には水平方向に引き出せるように半径方向に切欠部が切設されていることを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 複数枚の被処理基板をボートに装填する工程と、
縦形に配置されたプロセスチューブの処理室に前記ボートを搬入する工程と、
前記ボートの前記処理室への搬入途中または搬入後に、ボート回転装置の固定された内軸の上端に設置されたサブヒータによって加熱し、前記内軸に同心円に配置され、前記ボートと断熱部とが設置された前記ボート回転装置の外軸によって前記ボートを回転させる工程と、
処理ガスを前記処理室へ流し、前記被処理基板を処理する工程と、
前記処理室から前記ボートを搬出する工程と、
前記ボートから前記複数枚の被処理基板を脱装する工程と、
を備えている半導体製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002085137A JP4276813B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 熱処理装置および半導体製造方法 |
US10/395,179 US6737613B2 (en) | 2002-03-26 | 2003-03-25 | Heat treatment apparatus and method for processing substrates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002085137A JP4276813B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 熱処理装置および半導体製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003282578A JP2003282578A (ja) | 2003-10-03 |
JP2003282578A5 JP2003282578A5 (ja) | 2005-09-08 |
JP4276813B2 true JP4276813B2 (ja) | 2009-06-10 |
Family
ID=28449245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002085137A Expired - Lifetime JP4276813B2 (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 熱処理装置および半導体製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6737613B2 (ja) |
JP (1) | JP4276813B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190040928A (ko) | 2017-09-13 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 히터 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
TWI749320B (zh) * | 2018-05-02 | 2021-12-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 熱處理裝置 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002368383A1 (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-18 | Koyo Thermo Systems Co., Ltd. | Electric heater for semiconductor processing apparatus |
JP4712343B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2011-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及び記録媒体 |
JP2006179613A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Rigaku Corp | 半導体ウエハ縦型熱処理装置用磁性流体シールユニット |
JP2008034463A (ja) | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
TW200809000A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-16 | Kinik Co | Chemical vapor thin film deposition apparatus having vertical plating surface and power controlled heat wire |
US7700054B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-04-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet |
PL213246B1 (pl) * | 2009-02-12 | 2013-02-28 | Seco Warwick Spolka Akcyjna | Piec retortowy do obróbki cieplnej i cieplno-chemicznej |
US9068263B2 (en) * | 2009-02-27 | 2015-06-30 | Sandvik Thermal Process, Inc. | Apparatus for manufacture of solar cells |
US20100240224A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufactruing Co., Ltd. | Multi-zone semiconductor furnace |
US8536491B2 (en) * | 2009-03-24 | 2013-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace |
KR101041143B1 (ko) * | 2009-04-16 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 가공 장치 |
CN102753258B (zh) * | 2009-09-15 | 2015-04-15 | 芙罗服务管理公司 | 具有绝热壳体的可竖直旋转的轴杆组件 |
KR101199954B1 (ko) * | 2010-05-31 | 2012-11-09 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리용 보트 |
KR101223489B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 가공 장치 |
JP5562188B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
TWM413957U (en) * | 2010-10-27 | 2011-10-11 | Tangteck Equipment Inc | Diffusion furnace apparatus |
JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
KR101224520B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2013-01-22 | (주)이노시티 | 프로세스 챔버 |
KR102063607B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
KR102162366B1 (ko) * | 2014-01-21 | 2020-10-06 | 우범제 | 퓸 제거 장치 |
KR101677560B1 (ko) * | 2014-03-18 | 2016-11-18 | 주식회사 유진테크 | 공정공간 높이별 가열온도를 조절할 수 있는 히터를 구비한 기판 처리 장치 |
CN105914163B (zh) * | 2015-02-25 | 2020-03-24 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部 |
JP6630146B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2020-01-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
JP6318301B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2018-04-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ヒータおよび半導体装置の製造方法 |
TWI642137B (zh) * | 2015-08-04 | 2018-11-21 | 日商日立國際電氣股份有限公司 | Substrate processing apparatus, reaction container, and manufacturing method of semiconductor device |
TWI611043B (zh) * | 2015-08-04 | 2018-01-11 | Hitachi Int Electric Inc | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 |
HK1212853A2 (zh) * | 2015-08-10 | 2016-06-17 | Shirhao Ltd | 回收液體物質的裝置和方法 |
JP1551076S (ja) * | 2015-09-29 | 2016-06-06 | ||
JP1551077S (ja) * | 2015-09-29 | 2016-06-06 | ||
JP1551075S (ja) * | 2015-09-29 | 2016-06-06 | ||
US20170207078A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and semiconductor process |
JP1581406S (ja) * | 2016-10-14 | 2017-07-18 | ||
KR20190008101A (ko) * | 2017-07-14 | 2019-01-23 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 보지구 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10593572B2 (en) * | 2018-03-15 | 2020-03-17 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP7015923B2 (ja) * | 2018-08-03 | 2022-02-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置およびデバイス製造方法 |
KR102445611B1 (ko) * | 2018-09-12 | 2022-09-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 히터와, 히터 모듈 및 기판 처리 장치 |
JP6651591B1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-02-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法 |
US11703229B2 (en) * | 2018-12-05 | 2023-07-18 | Yi-Ming Hung | Temperature adjustment apparatus for high temperature oven |
JP7203588B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2023-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US11444053B2 (en) * | 2020-02-25 | 2022-09-13 | Yield Engineering Systems, Inc. | Batch processing oven and method |
JP1684469S (ja) * | 2020-09-24 | 2021-05-10 | 基板処理装置用天井ヒータ | |
DE102020129759A1 (de) * | 2020-11-11 | 2022-05-12 | Martin Schweikhart | Verfahren zu einem Betrieb einer Vakuumanlage sowie Vakuumanlage |
US11688621B2 (en) | 2020-12-10 | 2023-06-27 | Yield Engineering Systems, Inc. | Batch processing oven and operating methods |
RU2761867C1 (ru) * | 2021-07-01 | 2021-12-13 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" | Устройство для термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных плёнок |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097955A (ja) | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ |
JPH1197446A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JPH11354516A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Sony Corp | シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法 |
JP3598032B2 (ja) | 1999-11-30 | 2004-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット |
JP3479020B2 (ja) | 2000-01-28 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US6407368B1 (en) * | 2001-07-12 | 2002-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System for maintaining a flat zone temperature profile in LP vertical furnace |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085137A patent/JP4276813B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-25 US US10/395,179 patent/US6737613B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190040928A (ko) | 2017-09-13 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 히터 장치, 반도체 장치의 제조 방법 |
TWI749320B (zh) * | 2018-05-02 | 2021-12-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 熱處理裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003282578A (ja) | 2003-10-03 |
US20030183614A1 (en) | 2003-10-02 |
US6737613B2 (en) | 2004-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4276813B2 (ja) | 熱処理装置および半導体製造方法 | |
US11049742B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support | |
TWI611043B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 | |
KR100241293B1 (ko) | 고속열처리로의 온도제어방법 및 그 장치 | |
JP2003031647A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4887293B2 (ja) | 基板処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理方法 | |
TW201820526A (zh) | 基板處理裝置、反應容器及半導體裝置之製造方法 | |
US5626680A (en) | Thermal processing apparatus and process | |
CN111755359B (zh) | 基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法 | |
JP4468555B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JPH10242067A (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
JP2007073865A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2006319175A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004023049A (ja) | 熱処理装置 | |
JP4247020B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4783029B2 (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
JP2008117810A (ja) | 熱処理装置および熱処理装置における加熱条件取得方法 | |
JP2005276850A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005217317A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002134491A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2007324478A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5006821B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004071794A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003249456A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4280558B2 (ja) | 枚葉式熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050315 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090303 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4276813 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140313 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |