JP2005217317A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】サブヒータの出力を向上させる。
【解決手段】ウエハ1をボート33に保持して処理する処理室24と、処理室24にガスを供給するガス供給管29と、処理室24を排気する排気管28と、処理室24の周りでウエハ1の主面に対して水平方向に位置し処理室24を加熱するメインヒータ30と、ウエハ1の主面に対して垂直方向に位置するサブヒータ50とを備えたバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置において、サブヒータ50はホルダ52に同心円の蛇行形状に没設された保持溝53にC発熱体54が敷設されており、C発熱体54の上面には凹部55が全長にわたって一定幅一定に没設されている。C発熱体は凹部によってパターン長を増加せずに発熱量を増加されるため、限られた空間および限られた許容電流値をもってホルダに封入でき、サブヒータの出力を高めることができる。
【選択図】図4
【解決手段】ウエハ1をボート33に保持して処理する処理室24と、処理室24にガスを供給するガス供給管29と、処理室24を排気する排気管28と、処理室24の周りでウエハ1の主面に対して水平方向に位置し処理室24を加熱するメインヒータ30と、ウエハ1の主面に対して垂直方向に位置するサブヒータ50とを備えたバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置において、サブヒータ50はホルダ52に同心円の蛇行形状に没設された保持溝53にC発熱体54が敷設されており、C発熱体54の上面には凹部55が全長にわたって一定幅一定に没設されている。C発熱体は凹部によってパターン長を増加せずに発熱量を増加されるため、限られた空間および限られた許容電流値をもってホルダに封入でき、サブヒータの出力を高めることができる。
【選択図】図4
Description
本発明は、基板を処理室に収容して加熱下で処理を施す基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化や拡散、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニールおよび熱CVD反応による成膜等の熱処理(thermal treatment )に使用される熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
ICの製造方法におけるウエハの熱処理には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置(以下、縦形熱処理装置という。)が、広く使用されている。縦形熱処理装置としては、インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、ヒータによって処理室が加熱されることにより、ウエハに熱処理(thermal treatment )が施されるように構成されているもの、がある。
従来のこの種の縦形熱処理装置として、熱放出量の大きいボートの下部に補助加熱用のサブヒータを設置して短時間で処理室の垂直方向の温度の回復と安定とを確保することにより、ウエハの処理時間の短縮を図ったものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−282578号公報
前記した縦形熱処理装置のサブヒータを平板のカーボン発熱体(以下、C発熱体という。)を用いて構成した場合には、次のような問題点がある。C発熱体は非酸素雰囲気で使用する必要があるために、素線の封止や端子の取り出し等において電流値の制約がある。したがって、C発熱体の出力を大きくするためには、電流値を上げずに抵抗値を増加させる必要がある。しかし、C発熱体自体の機械的強度の問題から、加工が可能な板厚に限界があるので、C発熱体の抵抗値を増加させるにはパターン長を延長する必要がある。その結果、高抵抗のパターンを限られた空間に収容することが困難になる。
本発明の目的は、C発熱体の機械的強度の問題により抵抗値を上げるために板厚を薄くすることができないという問題点と、C発熱体を使用したサブヒータの製作上の制約である電流値を増加することができない問題点とを解決し、従来のC発熱体のパターン全長と同等で電流値を増加させずにサブヒータ出力を増加させた基板処理装置を提供することにある。
本発明に係る基板処理装置は、基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えていることを特徴とする。
本願において開示されるその他の発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室の周りで前記基板の主面に対して水平方向に位置し前記処理室を加熱する第一ヒータと、前記基板の主面に対して垂直方向に位置し発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有する第二ヒータとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えている基板処理装置を使用して前記基板を処理する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給管が前記処理室にガスを供給するステップと、前記ヒータが前記処理室を加熱するステップと、前記排気管が前記処理室を排気するステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
本願において開示されるその他の発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記処理室の周りで前記基板の主面に対して水平方向に位置し前記処理室を加熱する第一ヒータと、前記基板の主面に対して垂直方向に位置し発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有する第二ヒータとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えている基板処理装置を使用して前記基板を処理する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給管が前記処理室にガスを供給するステップと、前記ヒータが前記処理室を加熱するステップと、前記排気管が前記処理室を排気するステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
本発明によれば、C発熱体の断面形状を凹部または凸部に形成することにより、パターン長および許容電流値を維持した状態で、パターン強度を著しく低下させることなく、C発熱体の発熱量を増加させることができるために、限られた空間および限られた許容電流値をもってヒータの出力を高めることができる。また、表面積を増加させることにより、表面負荷密度を減少させることができるために、ヒータの寿命を延長することができる。さらに、断面積を減少させることにより、熱容量を減少させることができるために、ヒータの応答性を向上させることができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ICの製造方法における熱処理工程を実施する縦形熱処理装置(バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置)として構成されている。図1に示されているように、縦形熱処理装置10はロードロック方式の予備室である待機室11を形成した筐体12を備えている。待機室11にはボートを昇降させるボートエレベータ13が設置されており、ボートエレベータ13はモータ駆動方式の送りねじ軸装置やベローズ等によって構築されている。ボートエレベータ13の昇降台14にはシールキャップ16がアーム15を介して支持されており、シールキャップ16の中心線上には回転軸17が挿通されて軸受装置によって回転自在に支承されており、回転軸17はモータ18によって回転駆動されるように構成されている。また、シールキャップ16の上面には断熱キャップ40が立設されている。
図2に示されているように、筐体12の上にはプロセスチューブ21が中心線が垂直になるように縦に設置されている。プロセスチューブ21はアウタチューブ22とインナチューブ23とから構成されている。アウタチューブ22は石英ガラスが使用されて、内径がインナチューブ23の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ23にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ23は石英ガラスまたは炭化シリコン(SiC)が使用されて、上下両端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ23の筒中空部はボートによって保持された複数枚のウエハが搬入される処理室24を形成しており、インナチューブ23の内径は取り扱うウエハの最大外径(例えば、三百mm)よりも大きくなるように設定されている。インナチューブ23とアウタチューブ22との間にはドーナツ形状の排気路25が形成されており、排気路25の下端部は多段の略円筒形状に構築されたマニホールド26によって気密封止されている。
アウタチューブ22およびインナチューブ23の交換等のために、図3に示されているように、マニホールド26はアウタチューブ22およびインナチューブ23にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド26が縦形熱処理装置10の筐体12に支持されることにより、プロセスチューブ21は垂直に据え付けられた状態になっている。炉口27がマニホールド26の下端開口によって構成されており、図1に示されているように、炉口27はシャッタ20によって開閉されるように構成されている。
図3に示されているように、マニホールド26の上部には排気管28が接続されており、排気管28は排気装置(図示せず)に接続されてプロセスチューブ21の内部を排気し得るようになっている。排気管28はアウタチューブ22とインナチューブ23との間に形成された排気路25に接続されている。排気管28がマニホールド26に接続されているために、排気管28は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路25の最下端部に配置された状態になっている。また、アウタチューブ22の下方にはガス供給管29が炉口27に連通するように接続されており、ガス供給管29には原料ガス供給装置やキャリアガス供給装置およびパージガス供給装置(いずれも図示せず)が接続されている。ガス供給管29によって炉口27に導入されたガスは、インナチューブ23の処理室24を流通して排気路25を通って排気管28によって外部へ排気されるようになっている。
図2に示されているように、プロセスチューブ21の外側には、処理室の周りでウエハの主面に対して水平方向に位置し処理室を加熱する第一ヒータ(以下、メインヒータという。)30が設置されており、メインヒータ30は筐体12によって垂直に支持されている。メインヒータ30はプロセスチューブ21の外側を全体的に被覆する断熱槽31と、断熱槽31の内周面にアウタチューブ22の周囲を包囲するように同心円に敷設された発熱体32とを備えている。断熱槽31はガラスウール等の断熱材をドーナツ形状に成形された複数のブロックが積層されて、プロセスチューブ21の外径よりも大径で長さが同程度の円筒形状に形成されており、筐体12に支持されることによって垂直に据え付けられている。発熱体32はニクロム線や二珪化モリブデン等の線形の抵抗発熱体によって形成されて、断熱槽31の内周面に巻装されている。発熱体32は複数のゾーンに分割されており、所謂ゾーン加熱制御されるように構成されている。
図1、図2および図4に示されているように、回転軸17の上端部にはボート33が垂直に設置されている。ボート33は上下で一対の端板34、35と、両端板34と35との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材36とを備えており、複数本の保持部材36には多数条の保持溝37が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート33は複数本の保持部材36の保持溝37の間にウエハ1の周辺部をそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ1を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。下側端板35の近傍、すなわちボート33の下方側には、ウエハ1と略同径の断熱板45aが複数枚保持される。
シールキャップ16の上には断熱キャップ40が回転軸17と同心円に設置されている。断熱キャップ40は上下で一対の端板41、42と、両端板41と42との間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材43とを備えており、複数本の保持部材43には多数条の保持溝44が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。複数本の保持部材43の保持溝44の間には断熱板45bの周辺部がそれぞれ挿入されており、断熱板45bは保持部材43に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持されている。断熱板45bは外形が円形でウエハ1の外径よりも小さく中心をu字型に切り欠いた形状をしており、中心を回転軸17と接触しないように保持されている。排熱され易く熱の変動が大きい炉口27から離間させるために、ボート33はシールキャップ16から持ち上げられて設置されている。断熱キャップ40はシールキャッ
プ16の上面とボート33の下面との空間を埋めることにより、炉口27における熱の出入りを遮断するように構成されている。
プ16の上面とボート33の下面との空間を埋めることにより、炉口27における熱の出入りを遮断するように構成されている。
図4に示されているように、断熱キャップ40の上にはウエハ1の主面に対して垂直方向に位置する第二ヒータ(以下、サブヒータという。)50が水平に設置されている。図4〜図6に示されているように、サブヒータ50は複数本の支柱51によってシールキャップ16の上に水平に支持されたホルダ52を備えている。ホルダ52は石英(SiO2 )が使用されて円盤形状に形成されている。ホルダ52の上面には保持溝53が図6に示されているように円形の蛇行形状に形成されて没設されており、保持溝53内には一本のC発熱体(カーボン発熱体)54が敷設されている。図7に示されているように、C発熱体54は断面が凹字形細長い棒状であって、保持溝53の円形の蛇行に倣ったパネル形状に形成されている。すなわち、ウエハ1と略同径となるように円形のパネル形状に形成されたC発熱体54の上面には凹部55が全長にわたって一定幅一定深さに没設されている。ホルダ52の上面にはキャップ56が保持溝53を閉塞するように被せられており、C発熱体54はキャップ56によって気密封止されている。また、保持溝53の内部には窒素ガス等の不活性ガス(図示せず)が封入されており、C発熱体54は封入された不活性ガスによって腐蝕を防止されている。
図6に示されているように、C発熱体54の両端部はホルダ52の周縁部において垂直方向下向きに屈曲されて、図5に示されているように、支柱51の内部に引き込まれて、支柱51の上端部まで導入されている。その支柱51内の上端部においてC発熱体54の端末部には給電配線58がジョイント57によって接続されており、給電配線58は支柱51の下端開口から外部へ引き出されて電源(図示せず)に接続されている。支柱51の下端開口にはピンチシール部59が形成されており、C発熱体54および給電配線58はピンチシール部59によって処理室24の内外から完全に隔絶されている。
図1および図2に示されているように、シールキャップ16の周縁部の一箇所には、熱電対60がボート33に干渉しないように上下方向に貫通されて垂直に固定されており、ボート33の処理室24への搬入時には、熱電対60はインナチューブ23の内周面とボート33の外周面との間に位置する状態になっている。熱電対60は温度コントローラ(図示せず)に接続されており、熱電対60は温度計測結果を温度コントローラに送信するようになっている。温度コントローラは熱電対60からの計測温度に基づいて、メインヒータ30およびサブヒータ50をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラはメインヒータ30およびサブヒータ50の目標温度と、熱電対60の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
次に、前記構成に係る縦形熱処理装置を使用した場合のICの製造方法の熱処理工程を説明する。
図1に示されているように、ボート33には被処理基板としてのウエハ1が複数枚、ウエハ移載装置(図示せず)によって装填(ウエハチャージング)される。複数枚のウエハ1を整列保持したボート33はボートエレベータ13によって差し上げられて炉口27から処理室24に搬入(ボートローディング)されて行き、図2に示されているように、シールキャップ16に支持されたままの状態で処理室24に存置される。
本実施の形態においては、ボート33が処理室24に搬入されて行く途中または搬入が完了した後に、電力がサブヒータ50のC発熱体54に給電配線58によって供給されることにより、ボート33の下部領域に保持されたウエハ1群がサブヒータ50によって補助的に加熱される。また、モータ18によって回転軸17が回転駆動されることにより、ボート33がウエハ1群および断熱板45aに慣性力を付与しない程度の速度で緩やかに回転される。
ここで、ボート33の処理室24への搬入途中または搬入後にサブヒータ50によって補助的に加熱を実行する理由を説明する。プロセスチューブ21の外部に敷設されて処理室24を全体的に加熱するメインヒータ30は、殆どの場合、予め設定した処理温度に速く到達するようにボート33の処理室24への搬入前に、例えば、処理温度よりも150℃〜200℃程度低いスタンバイ温度で処理室24を加熱している。したがって、ボート33の上部領域のウエハ1群は下部領域のウエハ1群と比べて早くスタンバイ温度の処理室24へ搬入されることになる。その結果、上部領域のウエハ1と下部領域のウエハ1との間では熱履歴が相違してしまうため、同一の縦形熱処理装置によって熱処理したにもかかわらず、ボート33の全長では熱処理の状態が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート33の処理室24への搬入途中または搬入後にサブヒータ50による加熱を実行して、ボート33の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱することにより、上部領域のウエハ1と下部領域のウエハ1との間での熱履歴を一致させる制御を実行している。ちなみに、サブヒータ50による加熱開始のタイミングは、ボート33の処理室24への搬入速度や処理室24の内外の温度差等に依存する上部領域のウエハ1と下部領域のウエハ1との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
このボート33の下部領域のウエハ1群を下方から加熱するサブヒータ50のC発熱体54は、ホルダ52にウエハ1および断熱板45aと略同径となるように全体にわたって同心円の蛇行状に敷設されているため、ウエハ1の面内を全体にわたって均一に加熱する。また、C発熱体54は上面に凹部55を没設されることにより、C発熱体54自体の発熱量が増強されているので、ウエハ1を強力に加熱することができる。しかも、C発熱体54は上面に凹部55を没設されて表面積を増加されることにより、表面負荷密度を減少させることができるために、C発熱体54自体の寿命を延長することができる。かつまた、凹部55によって断面積を減少されることにより、熱容量が減少されているために、C発熱体54は発熱の応答性を向上されている。さらに、C発熱体54の両端部が支柱51の内部に引き込まれてジョイント57によって給電配線58に接続されているために、給電配線58およびジョイント57は処理室24の高温雰囲気から支柱51によって保護された状態になっている。
ボート33の処理室24への搬入が完了したら、プロセスチューブ21の内部が排気管28によって排気されるとともに、プロセスチューブ21の内部が予め設定された処理温度すなわち温度コントローラのシーケンス制御の目標温度(例えば、600℃〜1300℃)にメインヒータ30の発熱体32によって加熱される。この際、メインヒータ30の発熱体32の加熱によるプロセスチューブ21の内部の実際の上昇温度と、発熱体32のシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対60の測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
ちなみに、本実施の形態においては、処理室24の上下方向の温度分布の均一性を高めるために、例えば、下部領域のウエハ1群に対応した熱電対60の最下段の計測温度とそれ以外の計測温度との差が所定の期間以上一定の範囲になった際に、サブヒータ50によるボート33の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱する作動を自動的に停止させる制御を実行させることができる。
以上の温度制御によって処理室24の全体が予め設定された処理温度に安定すると、処理ガスが処理室24へガス供給管29から導入される。処理室24に導入された処理ガスは処理室24を上昇した後にインナチューブ23の上端開口から排気路25へ流れ込み、排気路25を通じて排気管28から排気される。処理ガスは処理室24を流れる際に、ウエハ1群に接触することによりウエハ1の表面に熱処理を施す。この際、ウエハ1の面内の温度分布や熱処理状態の分布の均一性を高めるために、ボート33は回転軸17によって緩やかに回転され続ける。
断熱キャップ40がボート33の下端部領域であるサブヒータ50の下方に介設されていることにより、ボート33の下端部領域のウエハ1群はメインヒータ30によって加熱制御され難い炉口27から離間した状態になっているため、下端部領域のウエハ1群の温度のボート33の全体のウエハ1群に対する均一性は高くなる。
予め設定された熱処理時間が経過すると、メインヒータ30の加熱作用が温度コントローラのシーケンス制御によって停止され、プロセスチューブ21の内部の温度が予め設定されたスタンバイ温度に降下されて行く。この際も、メインヒータ30による処理室24の実際の下降温度とシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対60の測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
予め設定されたスタンバイ温度になるか、または、予め設定された降温時間が経過すると、シールキャップ16が下降されて炉口27が開口されるとともに、ボート33に保持された状態でウエハ1群が炉口27からプロセスチューブ21の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
ここで、ボート33の処理室24からの搬出に際しては、ボート33の下部領域のウエハ1群が上部領域のウエハ1群と比べて早く処理室24から搬出されることになるため、下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間では熱履歴が相違してしまう。そこで、本実施の形態においては、ボート33の処理室24への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ50による加熱を実行して、ボート33の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間での熱履歴を一致させる制御が実行される。ちなみに、サブヒータ50による加熱開始のタイミングは、ボート33の処理室24からの搬出速度や処理室24の内外の温度差等に依存する下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間での熱履歴の差異に対応して適宜に選定することが望ましい。
ところで、最近は自然酸化膜がウエハに形成されるのを防止する方向に進んでおり、処理室の下の待機室は窒素雰囲気や真空雰囲気を形成するロードロック方式の予備室として構築されている。しかし、ロードロック方式の予備室に構築されていない場合には、処理室からのボートの搬出が始まると、ウエハは処理室外の雰囲気に晒されてしまうため、ウエハの表面に自然酸化膜が形成されてしまう。この際、搬出されるウエハの温度が高い程、自然酸化膜が形成され易い。そこで、サブヒータ50の加熱を停止してボート33の搬出を開始することが考えられる。ところが、サブヒータ50の加熱を停止してボート33の搬出を開始すると、ボート33の上部領域のウエハ1群と下部領域のウエハ1群との熱履歴が相違するため、上部領域のウエハ1群の自然酸化膜の形成具合と、下部領域のウエハ1群の自然酸化膜の形成具合との間でばらつきが発生してしまう。自然酸化膜の形成具合にばらつきが発生すると、それらウエハから取得されるIC(製品)の電気的特性に相違が発生してしまう等の問題点が派生する。つまり、自然酸化膜による影響抑制の観点からも、ボート33の処理室24への搬出途中または搬出開始以前においてサブヒータ50による加熱を実行して、ボート33の下部領域のウエハ1群を下方から補助的に加熱することにより、下部領域のウエハ1と上部領域のウエハ1との間での熱履歴を一致させる制御を実行することが望ましい。
ボート33が処理室24から搬出されると、処理済のウエハ1群がボート33から脱装(ディスチャージング)される。以上の作用が繰り返されることにより、縦形熱処理装置による熱処理がウエハ1にバッチ処理されて行く。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) C発熱体の断面形状を凹形状に形成することにより、パターン長および許容電流値を維持した状態で、パターン強度を著しく低下させることなく、C発熱体の発熱量を増加させることができるために、限られた空間および限られた許容電流値をもってサブヒータの出力を高めることができる。
2) C発熱体の断面形状を凹形状に形成することにより、表面積を増加させて表面負荷密度を減少させることができるために、ヒータの寿命を延長することができる。
3) C発熱体の断面形状を凹形状に形成することにより、C発熱体の断面積を減少させて熱容量を減少させることができるために、C発熱体すなわちサブヒータの応答性を向上させることができる。
4) 支柱の下端開口にピンチシール部を形成することにより、C発熱体および給電配線をピンチシール部によって処理室の内外から完全に隔絶することができるために、C発熱体および給電配線の寿命を延長させることができる。
5) ボート上のウエハ群における垂直方向の温度の安定を確保しつつウエハ面内の温度分布の均一性も確保することができるため、縦形熱処理装置によるウエハの処理時間を短縮することができるとともに、処理精度や信頼性および製造歩留りを高めることができ、ひいては、ICの品質および信頼性を高めることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
C発熱体は断面形状を凹形状に形成するに限らず、凸形状に形成してもよい。
サブヒータをC発熱体を使用して構成するに限らないし、メインヒータを凹部または凸部を有するC発熱体を使用して構成してもよい。
メインヒータおよびサブヒータを一つの熱電対にて制御するように構成するに限らず、メインヒータおよびサブヒータがそれぞれ個別の熱電対にて制御するように構成してもよい。
熱処理は酸化処理や拡散処理および拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール処理等に限らず、成膜処理等の熱処理であってもよい。
被処理物はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、光ディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
1…ウエハ(被処理基板)、10…縦形熱処理装置(基板処理装置)、11…待機室、12…筐体、13…ボートエレベータ、14…昇降台、15…アーム、16…シールキャップ、17…回転軸、18…モータ、20…シャッタ、21…プロセスチューブ、22…アウタチューブ、23…インナチューブ、24…処理室、25…排気路、26…マニホールド、27…炉口、28…排気管、29…ガス供給管、30…メインヒータ(第一ヒータ)、31…断熱槽、32…発熱体、33…ボート、34、35…端板、36…保持部材、37…保持溝、40…断熱キャップ、41、42…端板、43…保持部材、44…保持溝、45a、45b…断熱板、50…サブヒータ(第二ヒータ)、51…支柱、52…ホルダ、53…保持溝、54…C発熱体、55…凹部、56…キャップ、57…ジョイント、58…給電配線、59…ピンチシール部、60…熱電対。
Claims (1)
- 基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、発熱体の断面形状が前記基板側に凹部または凸部を有するヒータとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004024452A JP2005217317A (ja) | 2004-01-30 | 2004-01-30 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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-
2004
- 2004-01-30 JP JP2004024452A patent/JP2005217317A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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