JPH1197446A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
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- JPH1197446A JPH1197446A JP9272072A JP27207297A JPH1197446A JP H1197446 A JPH1197446 A JP H1197446A JP 9272072 A JP9272072 A JP 9272072A JP 27207297 A JP27207297 A JP 27207297A JP H1197446 A JPH1197446 A JP H1197446A
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- Japan
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- heat treatment
- heat
- treatment apparatus
- temperature
- vertical heat
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハボート（保持台）の下段に位置する被
処理体に対してその下方より熱を投入することによって
温度が安定するまでに要する時間を短縮させることがで
きる縦型熱処理装置を提供する。 【解決手段】 外周に加熱ヒータ１２を配置した円筒体
状の処理容器８内に、その下方の開口部２４より複数の
被処理体Ｗを多段に保持したウエハボート４２を収容し
て前記被処理体に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置に
おいて、前記開口部を開閉する蓋体４６の下方に、前記
ウエハボートの下段の被処理体に対して熱を投入するた
めの加熱手段６４を設けるように構成する。これによ
り、加熱手段からの熱線をウエハボートの下段の被処理
体に投入して、この部分における昇温を迅速に行なう。
処理体に対してその下方より熱を投入することによって
温度が安定するまでに要する時間を短縮させることがで
きる縦型熱処理装置を提供する。 【解決手段】 外周に加熱ヒータ１２を配置した円筒体
状の処理容器８内に、その下方の開口部２４より複数の
被処理体Ｗを多段に保持したウエハボート４２を収容し
て前記被処理体に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置に
おいて、前記開口部を開閉する蓋体４６の下方に、前記
ウエハボートの下段の被処理体に対して熱を投入するた
めの加熱手段６４を設けるように構成する。これによ
り、加熱手段からの熱線をウエハボートの下段の被処理
体に投入して、この部分における昇温を迅速に行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多数の半導体ウエ
ハを一度に熱処理する縦型熱処理装置に関する。
ハを一度に熱処理する縦型熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、多数の半導体ウエハに対して、
一度に所定の熱処理を施す装置として縦型熱処理装置が
知られている。この縦型熱処理装置は、石英製のウエハ
ボートに多段に半導体ウエハを載置させて支持し、これ
を縦型の処理容器内へ導入することによって半導体ウエ
ハに対して所定の熱処理を施すようになっている。この
場合、各半導体ウエハを高温のプロセス温度に維持させ
る必要があるため、このウエハボートは断熱機能を有す
る石英製の保温筒上に載置された状態で処理容器内に収
容されている。
一度に所定の熱処理を施す装置として縦型熱処理装置が
知られている。この縦型熱処理装置は、石英製のウエハ
ボートに多段に半導体ウエハを載置させて支持し、これ
を縦型の処理容器内へ導入することによって半導体ウエ
ハに対して所定の熱処理を施すようになっている。この
場合、各半導体ウエハを高温のプロセス温度に維持させ
る必要があるため、このウエハボートは断熱機能を有す
る石英製の保温筒上に載置された状態で処理容器内に収
容されている。
【０００３】ここで従来の一般的な縦型熱処理装置につ
いて図８を参照して説明する。この縦型熱処理装置２
は、石英により有天井の円筒体状に成形された外筒４
と、その内側に同心円状に配置された石英よりなる円筒
体状の内筒６とよりなる処理容器８を有している。この
処理容器８の外周は断熱材１０に覆われており、この内
側に加熱ヒータ１２を配置して内部の半導体ウエハＷを
加熱し得るようになっている。
いて図８を参照して説明する。この縦型熱処理装置２
は、石英により有天井の円筒体状に成形された外筒４
と、その内側に同心円状に配置された石英よりなる円筒
体状の内筒６とよりなる処理容器８を有している。この
処理容器８の外周は断熱材１０に覆われており、この内
側に加熱ヒータ１２を配置して内部の半導体ウエハＷを
加熱し得るようになっている。
【０００４】上記処理容器８の下部には、例えばＯリン
グ等よりなるシール部材１６を介して例えばステンレス
スチール製のマニホールド１４が連結されており、この
マニホールド１４の内壁より内側に延在させて設けた支
持凸部１８に上記内筒６の下端を載置してこれを支持し
ている。このマニホールド１４には、これを貫通して上
記内筒６の内側に延びたガス導入ノズル２０が設けられ
ると共に、上記内筒６と外筒４との間の間隙に連通され
た排気口２２が設けられており、これに図示しない真空
ポンプ等を連結することによって処理容器８内を、例え
ば真空引き可能としている。
グ等よりなるシール部材１６を介して例えばステンレス
スチール製のマニホールド１４が連結されており、この
マニホールド１４の内壁より内側に延在させて設けた支
持凸部１８に上記内筒６の下端を載置してこれを支持し
ている。このマニホールド１４には、これを貫通して上
記内筒６の内側に延びたガス導入ノズル２０が設けられ
ると共に、上記内筒６と外筒４との間の間隙に連通され
た排気口２２が設けられており、これに図示しない真空
ポンプ等を連結することによって処理容器８内を、例え
ば真空引き可能としている。
【０００５】一方、上記マニホールド１４の下端は開放
されて開口部２４として構成されており、この開口部２
４には、ボートエレベータのような昇降機構２６から延
びるアーム２８に取り付けられた、例えばステンレスス
チール製の蓋体３０が開閉可能に取り付けられている。
この蓋体３０の周縁部にも、上記開口部２４の閉塞時に
処理容器８内の気密性を保持するためにＯリング等のシ
ール部材３２が設けられている。そして、この蓋体３０
の中心部には、載置皿３８が設けられており、この載置
皿３８上に断熱機能を有する石英製の筒体状の保温筒４
０を載置し、この保温筒４０上に、多数の半導体ウエハ
Ｗを所定の間隔で上下に多段に保持したウエハボート４
２が載置されている。
されて開口部２４として構成されており、この開口部２
４には、ボートエレベータのような昇降機構２６から延
びるアーム２８に取り付けられた、例えばステンレスス
チール製の蓋体３０が開閉可能に取り付けられている。
この蓋体３０の周縁部にも、上記開口部２４の閉塞時に
処理容器８内の気密性を保持するためにＯリング等のシ
ール部材３２が設けられている。そして、この蓋体３０
の中心部には、載置皿３８が設けられており、この載置
皿３８上に断熱機能を有する石英製の筒体状の保温筒４
０を載置し、この保温筒４０上に、多数の半導体ウエハ
Ｗを所定の間隔で上下に多段に保持したウエハボート４
２が載置されている。
【０００６】従って、昇降機構２６を昇降させることに
よって、ウエハボート４２は、保温筒４０上に載置され
た状態で、蓋体３０と共に一体的に昇降することにな
る。すなわち、半導体ウエハを処理容器８内へロードす
る場合には、ウエハボート４２に多数のウエハＷを多段
に支持させて、ウエハボート４２を保温筒４０上に載置
した状態で、昇降機構２６を駆動させることによって処
理容器８内にウエハボート４２を上昇させ、開口部２４
を蓋体３０で密閉する。
よって、ウエハボート４２は、保温筒４０上に載置され
た状態で、蓋体３０と共に一体的に昇降することにな
る。すなわち、半導体ウエハを処理容器８内へロードす
る場合には、ウエハボート４２に多数のウエハＷを多段
に支持させて、ウエハボート４２を保温筒４０上に載置
した状態で、昇降機構２６を駆動させることによって処
理容器８内にウエハボート４２を上昇させ、開口部２４
を蓋体３０で密閉する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハボー
ト４２に支持された半導体ウエハＷは、処理容器８の外
周に設けた加熱ヒータ１２により所定のプロセス温度に
昇温されて維持されるが、ウエハボート４２を挿入する
開口部２４は温度を高くできないことから、上記したよ
うにウエハボート４２を断熱性の保温筒４０上に載置さ
せて、これに温度勾配を持たせ、プロセス温度から開口
部２４の温度まで徐々に下げている。しかしながら、こ
の保温筒４０は、比較的熱容量が大きいためにこの温度
が昇温して安定するまでにかなりの時間を要してしま
い、この保温筒４０の温度が安定するまで、プロセスが
開始できず、スループットを低下させる原因となってい
た。尚、容器内温度が設定した温度に安定するまでに要
する時間を温度リカバリー時間と称している。
ト４２に支持された半導体ウエハＷは、処理容器８の外
周に設けた加熱ヒータ１２により所定のプロセス温度に
昇温されて維持されるが、ウエハボート４２を挿入する
開口部２４は温度を高くできないことから、上記したよ
うにウエハボート４２を断熱性の保温筒４０上に載置さ
せて、これに温度勾配を持たせ、プロセス温度から開口
部２４の温度まで徐々に下げている。しかしながら、こ
の保温筒４０は、比較的熱容量が大きいためにこの温度
が昇温して安定するまでにかなりの時間を要してしま
い、この保温筒４０の温度が安定するまで、プロセスが
開始できず、スループットを低下させる原因となってい
た。尚、容器内温度が設定した温度に安定するまでに要
する時間を温度リカバリー時間と称している。
【０００８】また、プロセス中は、保温筒４０は、プロ
セス温度と開口部２４の温度との間の温度で安定してい
るが、この保温筒４０は、ウエハＷと比較して熱容量が
かなり大きいのに対して、保温筒４０に対しては加熱ヒ
ータ１２はほとんど対向して設けられていないことから
これに流入する熱量は、ウエハＷに流入する熱量よりも
少ない。このため、保温筒４０や下段のウエハが熱的に
安定するまでに更に大きな時間を要してしまうのみなら
ず、保温筒４０のために、下段のウエハが熱影響を大き
く受けてしまうという問題があった。そこで、ウエハボ
ートの下段に製品ウエハとは異なるダミーウエハを数枚
載置させることも行なっているが、依然として熱的安定
までに時間を要する点及びウエハボートの下段のウエハ
の温度に影響を与えてしまう問題点は解決することはで
きない。
セス温度と開口部２４の温度との間の温度で安定してい
るが、この保温筒４０は、ウエハＷと比較して熱容量が
かなり大きいのに対して、保温筒４０に対しては加熱ヒ
ータ１２はほとんど対向して設けられていないことから
これに流入する熱量は、ウエハＷに流入する熱量よりも
少ない。このため、保温筒４０や下段のウエハが熱的に
安定するまでに更に大きな時間を要してしまうのみなら
ず、保温筒４０のために、下段のウエハが熱影響を大き
く受けてしまうという問題があった。そこで、ウエハボ
ートの下段に製品ウエハとは異なるダミーウエハを数枚
載置させることも行なっているが、依然として熱的安定
までに時間を要する点及びウエハボートの下段のウエハ
の温度に影響を与えてしまう問題点は解決することはで
きない。
【０００９】図９は温度的な安定が得られた時点の装置
内部の温度の分布を断面図に表したものである。粗い温
度範囲のデータと、拡大して細かくした温度の分布を表
したデータと２つ記載している。なお、図では略最適に
制御パラメータが設定されている。細かい温度分布に表
れたウエハが存在する領域の温度の差を面間の温度均一
性と称し、面間温度均一性を向上させるために色々な試
みがなされている。図中のＡ領域はその周辺より温度が
高くなるように制御パラメータが設定されている。Ａ領
域の温度を高く設定する事により、温度が低いＢ領域の
影響がＣ領域に及ぶ事をおさえている。Ａ領域の温度
は、Ａ領域とＣ領域との温度差と熱伝達率によって決ま
る上方からの流入熱量、側面から受ける輻射熱量、Ａ領
域とＢ領域との温度差と熱伝達率によって決まる下方へ
の流出熱量、及びＡ領域の熱容量によってきまる。この
中でＢ領域の温度が低く支配因子になる。逆に考えると
Ａ領域の制御パラメータは温度差が小さいＣ領域への影
響を最少に抑えた状態で大きな温度差を持つＢ領域への
流出熱量を補うよう設定する必要がある。Ｂ領域の温度
はＣ領域と比べ圧倒的に低いため大きな熱量をＡ領域に
投入しなければならないが、Ａ領域はなるべく狭くした
い。
内部の温度の分布を断面図に表したものである。粗い温
度範囲のデータと、拡大して細かくした温度の分布を表
したデータと２つ記載している。なお、図では略最適に
制御パラメータが設定されている。細かい温度分布に表
れたウエハが存在する領域の温度の差を面間の温度均一
性と称し、面間温度均一性を向上させるために色々な試
みがなされている。図中のＡ領域はその周辺より温度が
高くなるように制御パラメータが設定されている。Ａ領
域の温度を高く設定する事により、温度が低いＢ領域の
影響がＣ領域に及ぶ事をおさえている。Ａ領域の温度
は、Ａ領域とＣ領域との温度差と熱伝達率によって決ま
る上方からの流入熱量、側面から受ける輻射熱量、Ａ領
域とＢ領域との温度差と熱伝達率によって決まる下方へ
の流出熱量、及びＡ領域の熱容量によってきまる。この
中でＢ領域の温度が低く支配因子になる。逆に考えると
Ａ領域の制御パラメータは温度差が小さいＣ領域への影
響を最少に抑えた状態で大きな温度差を持つＢ領域への
流出熱量を補うよう設定する必要がある。Ｂ領域の温度
はＣ領域と比べ圧倒的に低いため大きな熱量をＡ領域に
投入しなければならないが、Ａ領域はなるべく狭くした
い。
【００１０】この為、Ａ領域の入力が過大になる問題点
がある。また、制御パラメータの設定は熟練を要する微
妙な設定になる。又、制御パラメータを最適に設定した
としても重要なＣ領域への影響が残ってしまう。これら
は、Ｂ領域の温度が低い事に起因している。装置の重要
な性能として各々のウエハの中の温度の均一性として定
義される面内均一性がある。装置は前記の面間均一性と
面内均一性との両面からその性能を保証しなければなら
ない。前記の面間均一性を保証しにくいウエハボートの
両端においてもその面内均一性を保証しなければならな
いし、向上させる事が必要である。ウエハボートの両端
における面内均一性はその直近の物体の面内均一性に大
きく影響される。従来の装置では保温筒が使用されてい
るため保温筒上部の温度分布がウエハボートの下部のウ
エハの面内均一性を決定している。ところが保温筒の温
度は外周から与えられる熱量と下方に流出する熱量によ
ってきまる。従来の装置では均一性を保証する手段を持
っていないといえる。
がある。また、制御パラメータの設定は熟練を要する微
妙な設定になる。又、制御パラメータを最適に設定した
としても重要なＣ領域への影響が残ってしまう。これら
は、Ｂ領域の温度が低い事に起因している。装置の重要
な性能として各々のウエハの中の温度の均一性として定
義される面内均一性がある。装置は前記の面間均一性と
面内均一性との両面からその性能を保証しなければなら
ない。前記の面間均一性を保証しにくいウエハボートの
両端においてもその面内均一性を保証しなければならな
いし、向上させる事が必要である。ウエハボートの両端
における面内均一性はその直近の物体の面内均一性に大
きく影響される。従来の装置では保温筒が使用されてい
るため保温筒上部の温度分布がウエハボートの下部のウ
エハの面内均一性を決定している。ところが保温筒の温
度は外周から与えられる熱量と下方に流出する熱量によ
ってきまる。従来の装置では均一性を保証する手段を持
っていないといえる。
【００１１】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
は、ウエハボート（保持台）の下段に位置する熱容量の
小さい被処理体あるいは被処理体の下部に設けた薄い板
を直接加熱する事によって、温度が安定するまでに要す
る時間を短縮する事と、安定する温度自体を従来より高
い温度に維持させて面間均一性を向上させることを目的
とする。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
は、ウエハボート（保持台）の下段に位置する熱容量の
小さい被処理体あるいは被処理体の下部に設けた薄い板
を直接加熱する事によって、温度が安定するまでに要す
る時間を短縮する事と、安定する温度自体を従来より高
い温度に維持させて面間均一性を向上させることを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、外周に加熱ヒータを配置した円筒体状
の処理容器内に、その下方の開口部より複数の被処理体
を多段に保持したウエハボートを収容して前記被処理体
に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置において、前記開
口部を開閉する蓋体の下方に、前記ウエハボートの下段
の被処理体に対して熱を投入するための加熱手段を設
け、被処理体やウエハボート支持台の上部に設けた薄い
板を加熱するように構成したものである。
解決するために、外周に加熱ヒータを配置した円筒体状
の処理容器内に、その下方の開口部より複数の被処理体
を多段に保持したウエハボートを収容して前記被処理体
に所定の熱処理を施す縦型熱処理装置において、前記開
口部を開閉する蓋体の下方に、前記ウエハボートの下段
の被処理体に対して熱を投入するための加熱手段を設
け、被処理体やウエハボート支持台の上部に設けた薄い
板を加熱するように構成したものである。
【００１３】これにより、ウエハボートに載置支持され
た被処理体は、主に加熱ヒータによって加熱されるが、
下段に設けられた被処理体、或いは被処理体の下部に設
けた薄い板は、蓋体の下方に設けた加熱手段によっても
加熱される。これにより迅速に所定の温度まで昇温し安
定させることができ、スループットを向上させる事がで
きるだけでなく、安定する温度自体を高くする事ができ
るので最も重要な面間均一性を向上させる事ができる。
また、保温筒に替えて、複数の支持脚を有する支持台に
より支持させることにより、この部分における熱容量を
大幅に小さくすることができる。従って、スループット
を更に向上させることができる。
た被処理体は、主に加熱ヒータによって加熱されるが、
下段に設けられた被処理体、或いは被処理体の下部に設
けた薄い板は、蓋体の下方に設けた加熱手段によっても
加熱される。これにより迅速に所定の温度まで昇温し安
定させることができ、スループットを向上させる事がで
きるだけでなく、安定する温度自体を高くする事ができ
るので最も重要な面間均一性を向上させる事ができる。
また、保温筒に替えて、複数の支持脚を有する支持台に
より支持させることにより、この部分における熱容量を
大幅に小さくすることができる。従って、スループット
を更に向上させることができる。
【００１４】また、この加熱手段を個々に発熱量が制御
可能な複数の加熱ランプと各ランプに設けた反射ミラー
により構成することにより、温度分布に対応させて局部
的に集中的に熱を投入して加熱することができ、薄い板
の温度の面内均一性を高く維持することができる。特
に、この反射ミラーを回転させて反射方向を揺動回転さ
せることにより、薄い板の温度の面内均一性を一層向上
させることが可能となる。
可能な複数の加熱ランプと各ランプに設けた反射ミラー
により構成することにより、温度分布に対応させて局部
的に集中的に熱を投入して加熱することができ、薄い板
の温度の面内均一性を高く維持することができる。特
に、この反射ミラーを回転させて反射方向を揺動回転さ
せることにより、薄い板の温度の面内均一性を一層向上
させることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る縦型熱処理
装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は
本発明に係る縦型熱処理装置を示す断面構成図、図２は
支持台を支持する支持脚を示す斜視図、図３は図１に示
す縦型熱処理装置の下部の主要部を示す概略構成図、図
４は図３中の加熱手段の加熱ランプの配列状態を示す側
断面図、図５は加熱ランプと反射ミラーの構成を示す拡
大断面図、図６は加熱手段の加熱ランプの配列状態を示
す概略平面図である。尚、図８に示す構成と同一部分に
ついては同一符号を付して説明する。
装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は
本発明に係る縦型熱処理装置を示す断面構成図、図２は
支持台を支持する支持脚を示す斜視図、図３は図１に示
す縦型熱処理装置の下部の主要部を示す概略構成図、図
４は図３中の加熱手段の加熱ランプの配列状態を示す側
断面図、図５は加熱ランプと反射ミラーの構成を示す拡
大断面図、図６は加熱手段の加熱ランプの配列状態を示
す概略平面図である。尚、図８に示す構成と同一部分に
ついては同一符号を付して説明する。
【００１６】この縦型熱処理装置４４は、石英により有
天井の円筒体状に成形された外筒４と、その内側に同心
円状に配置された石英よりなる円筒体状の内筒６とより
なる処理容器８を有している。この処理容器８の外周は
断熱材１０に覆われており、この内側に加熱ヒータ１２
を配置して内部の半導体ウエハＷを加熱し得るようにな
っている。上記処理容器８の下部には、例えばＯリング
等よりなるシール部材１６を介して例えばステンレスス
チール製のマニホールド１４が連結されており、このマ
ニホールド１４の内壁より内側に延在させて設けた支持
凸部１８に上記内筒６の下端を載置してこれを支持して
いる。このマニホールド１４には、これを貫通して上記
内筒６の内側に延びたガス導入ノズル２０が設けられる
と共に、上記内筒６と外筒４との間の間隙に連通された
排気口２２が設けられており、これに図示しない真空ポ
ンプ等を連結することによって処理容器８内を、例えば
真空引き可能としている。
天井の円筒体状に成形された外筒４と、その内側に同心
円状に配置された石英よりなる円筒体状の内筒６とより
なる処理容器８を有している。この処理容器８の外周は
断熱材１０に覆われており、この内側に加熱ヒータ１２
を配置して内部の半導体ウエハＷを加熱し得るようにな
っている。上記処理容器８の下部には、例えばＯリング
等よりなるシール部材１６を介して例えばステンレスス
チール製のマニホールド１４が連結されており、このマ
ニホールド１４の内壁より内側に延在させて設けた支持
凸部１８に上記内筒６の下端を載置してこれを支持して
いる。このマニホールド１４には、これを貫通して上記
内筒６の内側に延びたガス導入ノズル２０が設けられる
と共に、上記内筒６と外筒４との間の間隙に連通された
排気口２２が設けられており、これに図示しない真空ポ
ンプ等を連結することによって処理容器８内を、例えば
真空引き可能としている。
【００１７】一方、上記マニホールド１４の下端は開放
されて開口部２４として構成されており、この開口部２
４には、ボートエレベータのような昇降機構２６から延
びるアーム２８に取り付けられた、例えばステンレスス
チール製の蓋体４６が開閉可能に取り付けられている。
この蓋体４６の周縁部にも、上記開口部２４の閉塞時に
処理容器８内の気密性を保持するためにＯリング等のシ
ール部材３２が設けられている。具体的には、上記蓋体
４６は、例えば矩形状に組み付けた支持フレーム４８を
介して昇降機構２６のアーム２８に連結されている。そ
して、上記蓋体４６の中央部には、例えばウエハ径と同
等か、これよりも僅かに大きくなされた円形の透過口５
０が形成されており、この透過口５０に例えばＯリング
等のシール部材５２を介して例えば石英製の熱線透過窓
５４を気密に取り付けている。
されて開口部２４として構成されており、この開口部２
４には、ボートエレベータのような昇降機構２６から延
びるアーム２８に取り付けられた、例えばステンレスス
チール製の蓋体４６が開閉可能に取り付けられている。
この蓋体４６の周縁部にも、上記開口部２４の閉塞時に
処理容器８内の気密性を保持するためにＯリング等のシ
ール部材３２が設けられている。具体的には、上記蓋体
４６は、例えば矩形状に組み付けた支持フレーム４８を
介して昇降機構２６のアーム２８に連結されている。そ
して、上記蓋体４６の中央部には、例えばウエハ径と同
等か、これよりも僅かに大きくなされた円形の透過口５
０が形成されており、この透過口５０に例えばＯリング
等のシール部材５２を介して例えば石英製の熱線透過窓
５４を気密に取り付けている。
【００１８】また、この蓋体４６上には、図２も示すよ
うに、起立された複数、例えば４本の石英製の支持脚５
６と、この支持脚５６の下端部に接続した石英製の下部
リング５８と、支持脚５６の上端部に接続した石英製の
上部リング６０とよりなる支持台６２を設け、この上部
リング６０上に多数のウエハＷを多段に載置保持するウ
エハボート４２を載置している。尚、上記支持脚５６の
数は、３本或いは５本以上でもよい。上記下部リング５
８の内径は、上記蓋体４６に設けた透過口５０の直径と
同等か、それよりも少し大きく形成されており、この下
部リング５８の荷重を熱線透過窓５４ではなく蓋体４６
の部分で受けるようになっている。上記支持脚５６の上
段には溝が設けられており、この溝に面内温度均一性を
確保するために例えば石英板よりなる薄い板５５が取り
付けられている。また、薄い板５５の中央部には温度検
出用の温度計５７が取り付けられており、加熱手段６４
の制御系（図示せず）に温度のデータを与える。
うに、起立された複数、例えば４本の石英製の支持脚５
６と、この支持脚５６の下端部に接続した石英製の下部
リング５８と、支持脚５６の上端部に接続した石英製の
上部リング６０とよりなる支持台６２を設け、この上部
リング６０上に多数のウエハＷを多段に載置保持するウ
エハボート４２を載置している。尚、上記支持脚５６の
数は、３本或いは５本以上でもよい。上記下部リング５
８の内径は、上記蓋体４６に設けた透過口５０の直径と
同等か、それよりも少し大きく形成されており、この下
部リング５８の荷重を熱線透過窓５４ではなく蓋体４６
の部分で受けるようになっている。上記支持脚５６の上
段には溝が設けられており、この溝に面内温度均一性を
確保するために例えば石英板よりなる薄い板５５が取り
付けられている。また、薄い板５５の中央部には温度検
出用の温度計５７が取り付けられており、加熱手段６４
の制御系（図示せず）に温度のデータを与える。
【００１９】そして、この熱線透過窓５４の下方の位置
には、本発明の特徴とする加熱手段６４を支持フレーム
４８に取り付けて設けられている。具体的には、この加
熱手段６４は、中心部とその周囲にリング状に配置した
複数、例えば７個の加熱ランプ６６（図６参照）を有し
ており、各加熱ランプ６６には、断面楕円形状の、或い
は断面放物線形状の反射ミラー６８を設けている。これ
により、各加熱ランプ６６からの熱線７０を、熱線透過
窓５４を透過させて薄い板５５の裏面に投入するように
なっている。この場合、加熱ランプ６６に設けた各反射
ミラー６８はそれぞれ回転軸に対して傾けて取り付けら
れており、その反射方向は、薄い板５５の裏面の異なっ
た位置に向けられて、全体として均等に分散されてい
る。また、反射ミラー６８による集光点は、照射対象物
である薄い板５５よりも少し手前に設定している。図３
及び図４には各加熱ランプ６６から放射される熱線７０
の状態を併せて記載している。尚、加熱ランプ６６とし
ては、例えばハロゲンランプを用いることができる。
には、本発明の特徴とする加熱手段６４を支持フレーム
４８に取り付けて設けられている。具体的には、この加
熱手段６４は、中心部とその周囲にリング状に配置した
複数、例えば７個の加熱ランプ６６（図６参照）を有し
ており、各加熱ランプ６６には、断面楕円形状の、或い
は断面放物線形状の反射ミラー６８を設けている。これ
により、各加熱ランプ６６からの熱線７０を、熱線透過
窓５４を透過させて薄い板５５の裏面に投入するように
なっている。この場合、加熱ランプ６６に設けた各反射
ミラー６８はそれぞれ回転軸に対して傾けて取り付けら
れており、その反射方向は、薄い板５５の裏面の異なっ
た位置に向けられて、全体として均等に分散されてい
る。また、反射ミラー６８による集光点は、照射対象物
である薄い板５５よりも少し手前に設定している。図３
及び図４には各加熱ランプ６６から放射される熱線７０
の状態を併せて記載している。尚、加熱ランプ６６とし
ては、例えばハロゲンランプを用いることができる。
【００２０】上記各加熱ランプ６６は、支持フレーム４
８側に取り付けられる固定ベース７２から起立させた固
定軸７４の上端に設けられている。また、各加熱ランプ
６６は、個別に発熱量を制御できるようになされてい
る。そして、各反射ミラー６８の基部は、それぞれ軸受
７６を介して上記各固定軸７４に回転自在に支持されて
いる（図４及び図５参照）。また、各反射ミラー６８の
基部には、図５及び図６にも示すように大口径の回転歯
車７８が設けられており、これらの各回転歯車７８間に
は、小口径の補助歯車８０が歯合させて配置されてい
る。そして、複数の補助歯車８０の内の１つの補助歯車
８０Ａには、図５に示すように駆動モータ８２の駆動軸
８４に取り付けた駆動歯車８６が歯合されている。従っ
て、この駆動歯車８６を回転することによって、この回
転力は補助歯車８０と回転歯車７８に交互に伝達され
て、全ての反射ミラー６８を同期させて回転できるよう
になっている。
８側に取り付けられる固定ベース７２から起立させた固
定軸７４の上端に設けられている。また、各加熱ランプ
６６は、個別に発熱量を制御できるようになされてい
る。そして、各反射ミラー６８の基部は、それぞれ軸受
７６を介して上記各固定軸７４に回転自在に支持されて
いる（図４及び図５参照）。また、各反射ミラー６８の
基部には、図５及び図６にも示すように大口径の回転歯
車７８が設けられており、これらの各回転歯車７８間に
は、小口径の補助歯車８０が歯合させて配置されてい
る。そして、複数の補助歯車８０の内の１つの補助歯車
８０Ａには、図５に示すように駆動モータ８２の駆動軸
８４に取り付けた駆動歯車８６が歯合されている。従っ
て、この駆動歯車８６を回転することによって、この回
転力は補助歯車８０と回転歯車７８に交互に伝達され
て、全ての反射ミラー６８を同期させて回転できるよう
になっている。
【００２１】次に、以上のように構成された装置の動作
について説明する。まず、昇降機構２６によりアーム２
８及びこれに直接、或いは間接的に支持される蓋体４６
やウエハボート４２等を降下させてこれを処理容器８の
下方にアンロードした状態において、ウエハボート４２
に多数枚の未処理の半導体ウエハＷを多段に載置保持さ
せる。そして、昇降機構２６を上昇駆動させることによ
って、アーム２８を上昇させ、ウエハボート４２を処理
容器８の下部に設けたマニホールド１４の開口部２４か
ら処理容器８内にロードする。そして、この開口部２４
を蓋体４６によって気密に密閉し、真空引きする。
について説明する。まず、昇降機構２６によりアーム２
８及びこれに直接、或いは間接的に支持される蓋体４６
やウエハボート４２等を降下させてこれを処理容器８の
下方にアンロードした状態において、ウエハボート４２
に多数枚の未処理の半導体ウエハＷを多段に載置保持さ
せる。そして、昇降機構２６を上昇駆動させることによ
って、アーム２８を上昇させ、ウエハボート４２を処理
容器８の下部に設けたマニホールド１４の開口部２４か
ら処理容器８内にロードする。そして、この開口部２４
を蓋体４６によって気密に密閉し、真空引きする。
【００２２】上記のロードと平行して処理容器８の外側
に設けた加熱ヒータ１２及び蓋体４６の下方に設けた本
発明の特徴とする加熱手段６４は目標の温度になるよう
自動制御されている。なお、制御系を構成する温度系と
制御系は図示されていない。各部の温度と容器内部の圧
力があらかじめ決められた条件を満たせば、プロセスが
開始される。
に設けた加熱ヒータ１２及び蓋体４６の下方に設けた本
発明の特徴とする加熱手段６４は目標の温度になるよう
自動制御されている。なお、制御系を構成する温度系と
制御系は図示されていない。各部の温度と容器内部の圧
力があらかじめ決められた条件を満たせば、プロセスが
開始される。
【００２３】ここで薄い板５５は熱容量が小さく、且つ
蓋体４６の下方に配置した加熱手段６４からの熱線 ７
０（図３参照）が熱線透過窓５４を透過して投入されて
いるので、従来よりも高い温度に迅速に昇温し安定す
る。
蓋体４６の下方に配置した加熱手段６４からの熱線 ７
０（図３参照）が熱線透過窓５４を透過して投入されて
いるので、従来よりも高い温度に迅速に昇温し安定す
る。
【００２４】また、加熱手段６４を構成する各加熱ラン
プ６６からの熱線７０は、各反射ミラー６８により薄い
板５５の裏面のそれぞれ異なった部位に入射させて、全
体とし略均一に分散させるようになっているので、薄い
板５５の温度面内均一性が向上し、ひいてはウエハ温度
の面内均一性が向上する。
プ６６からの熱線７０は、各反射ミラー６８により薄い
板５５の裏面のそれぞれ異なった部位に入射させて、全
体とし略均一に分散させるようになっているので、薄い
板５５の温度面内均一性が向上し、ひいてはウエハ温度
の面内均一性が向上する。
【００２５】特に、本実施例では、各反射ミラー６８の
反射方向８８（図５参照）を、対応する固定軸７４に対
して角度θだけ傾けて設けているので、各反射ミラー６
８の回転に従って、各光スポットは小さな円に沿って揺
動回転することになり、従って、下段のウエハの面内温
度の均一性を一層向上させることができる。図７は最下
段のウエハの裏面の光スポットの状態の一例を示す図で
ある。図中、９０はある時点での各加熱ランプ６６から
の光スポットを示しており、各反射ミラー６８の回転に
従って、各光スポット９０の中心は、小さな円で示され
る軌跡９２に沿って移動することになる。図示するよう
に、各光スポット９０はそれぞれの円形の軌跡９２に沿
って移動することにより、ウエハＷの裏面の略全域に亘
って熱線を投入することができ、従って、前述のように
ウエハの温度の面内均一性を高めることができる。
反射方向８８（図５参照）を、対応する固定軸７４に対
して角度θだけ傾けて設けているので、各反射ミラー６
８の回転に従って、各光スポットは小さな円に沿って揺
動回転することになり、従って、下段のウエハの面内温
度の均一性を一層向上させることができる。図７は最下
段のウエハの裏面の光スポットの状態の一例を示す図で
ある。図中、９０はある時点での各加熱ランプ６６から
の光スポットを示しており、各反射ミラー６８の回転に
従って、各光スポット９０の中心は、小さな円で示され
る軌跡９２に沿って移動することになる。図示するよう
に、各光スポット９０はそれぞれの円形の軌跡９２に沿
って移動することにより、ウエハＷの裏面の略全域に亘
って熱線を投入することができ、従って、前述のように
ウエハの温度の面内均一性を高めることができる。
【００２６】また、ウエハＷの周縁部は、中心部に対し
て放熱量が多くなる傾向にあることから、薄い板５５の
周縁部に投入される光スポットの熱量を中心部よりも多
く設定することにより、温度の面内均一性を更に向上さ
せることが可能となる。ここでは、温度計５７を薄い板
５５の中央に１つ設け、ランプ全体のパワーを制御する
構成例で説明を行ったが、例えば、中央部と周縁部とに
相当する位置に温度計を設け、中央部と周縁部とで与え
るパワーを変え面内均一性を向上させる事も可能であ
る。さらに温度計の数を増やして個別のランプのパワー
を制御する事も可能である。図示例においては、加熱ラ
ンプ６６を７個設けた場合について説明したが、この数
量や配列はこれに限定されない。また、反射ミラーの回
転駆動機構も上述したものに限定されない。
て放熱量が多くなる傾向にあることから、薄い板５５の
周縁部に投入される光スポットの熱量を中心部よりも多
く設定することにより、温度の面内均一性を更に向上さ
せることが可能となる。ここでは、温度計５７を薄い板
５５の中央に１つ設け、ランプ全体のパワーを制御する
構成例で説明を行ったが、例えば、中央部と周縁部とに
相当する位置に温度計を設け、中央部と周縁部とで与え
るパワーを変え面内均一性を向上させる事も可能であ
る。さらに温度計の数を増やして個別のランプのパワー
を制御する事も可能である。図示例においては、加熱ラ
ンプ６６を７個設けた場合について説明したが、この数
量や配列はこれに限定されない。また、反射ミラーの回
転駆動機構も上述したものに限定されない。
【００２７】ここまでは、薄い板５５を設け、最終的な
加熱対象のウエハを間接的に加熱する構造として説明を
行ってきたが、ウエハボートの最下段のウエハを直接加
熱する事も可能である。但し、この場合にはウエハボー
ト４２を長くして従来の保温筒の一部がウエハボートと
して構成されたと考える事ができる。また、ウエハボー
ト４２の下部からの放熱に対する処置について説明を行
っているが、ウエハボートは上部からも放熱している。
ウエハボートの上部に対して本発明の加熱手段を設ける
事も可能であり、均一性の向上が同じように可能であ
る。更には、ここでは処理容器８が外筒４と内筒６より
なる２重管構造のもので真空引きを行うプロセスを例に
とって説明したが、１重管構造のものでもよく、真空引
きを行わないプロセスにも適用できる。縦型のいわゆる
バッチ式の熱処理装置ならば、どのような形式のもので
も本発明を適用し得る。
加熱対象のウエハを間接的に加熱する構造として説明を
行ってきたが、ウエハボートの最下段のウエハを直接加
熱する事も可能である。但し、この場合にはウエハボー
ト４２を長くして従来の保温筒の一部がウエハボートと
して構成されたと考える事ができる。また、ウエハボー
ト４２の下部からの放熱に対する処置について説明を行
っているが、ウエハボートは上部からも放熱している。
ウエハボートの上部に対して本発明の加熱手段を設ける
事も可能であり、均一性の向上が同じように可能であ
る。更には、ここでは処理容器８が外筒４と内筒６より
なる２重管構造のもので真空引きを行うプロセスを例に
とって説明したが、１重管構造のものでもよく、真空引
きを行わないプロセスにも適用できる。縦型のいわゆる
バッチ式の熱処理装置ならば、どのような形式のもので
も本発明を適用し得る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦型熱処
理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮する
ことができる。処理容器の下部の開口部を密閉する蓋体
の下方に、加熱手段を設けてウエハボートの下段の被処
理体に対して熱を投入するようにしたので、下段の被処
理体の昇温を、他の部分に設けた被処理体と同様に迅速
に行なうことができ、熱的に迅速に安定化させることが
できる。従って、その分、早く熱処理を開始することが
できるので、スループットを向上させることができる。
また、支持台の上段に薄い板を設けて、この薄い板の温
度を従来よりも高く且つ均一にするので被処理体温度の
面間均一性と面内均一性を向上することができる。
理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮する
ことができる。処理容器の下部の開口部を密閉する蓋体
の下方に、加熱手段を設けてウエハボートの下段の被処
理体に対して熱を投入するようにしたので、下段の被処
理体の昇温を、他の部分に設けた被処理体と同様に迅速
に行なうことができ、熱的に迅速に安定化させることが
できる。従って、その分、早く熱処理を開始することが
できるので、スループットを向上させることができる。
また、支持台の上段に薄い板を設けて、この薄い板の温
度を従来よりも高く且つ均一にするので被処理体温度の
面間均一性と面内均一性を向上することができる。
【００２９】更に、加熱手段として、個々に発熱量が制
御可能な加熱ランプを用いることにより、投入する熱量
を部分的に制御することができ、従って、被処理体の温
度分布に応じて投入熱量を部分的に変えることにより、
被処理体温度の面内均一性を向上させることができる。
更には、加熱ランプに設けた反射ミラーを回転可能とし
て反射方向を揺動回転させることにより、薄い板の裏面
の略全域に亘って熱を投入することができ、従って、被
処理体温度の面内均一性を一層向上させることができ
る。
御可能な加熱ランプを用いることにより、投入する熱量
を部分的に制御することができ、従って、被処理体の温
度分布に応じて投入熱量を部分的に変えることにより、
被処理体温度の面内均一性を向上させることができる。
更には、加熱ランプに設けた反射ミラーを回転可能とし
て反射方向を揺動回転させることにより、薄い板の裏面
の略全域に亘って熱を投入することができ、従って、被
処理体温度の面内均一性を一層向上させることができ
る。
【図１】本発明に係る縦型熱処理装置を示す断面構成図
である。
である。
【図２】支持台を支持する支持脚を示す斜視図である。
【図３】図１に示す縦型熱処理装置の下部の主要部を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図４】図３中の加熱手段の加熱ランプの配列状態を示
す側断面図である
す側断面図である
【図５】加熱ランプと反射ミラーの構成を示す拡大断面
図である。
図である。
【図６】加熱手段の加熱ランプの配列状態を示す概略平
面図である。
面図である。
【図７】ウエハボートの最下段の半導体ウエハの裏面の
光スポットの状態を示す図である。
光スポットの状態を示す図である。
【図８】従来の一般的な縦型熱処理装置を示す構成図で
ある。
ある。
【図９】従来の一般的な縦型熱処理装置の温度分布を示
す図である。
す図である。
４ 外筒 ６ 内筒 ８ 処理容器 １２ 加熱ヒータ １４ マニホールド ２４ 開口部 ２６ 昇降機構 ２８ アーム ４２ ウエハボート ４４ 縦型熱処理装置 ４６ 蓋体 ４８ 支持フレーム ５４ 熱線透過窓 ５５ 薄い板 ５６ 支持脚 ５７ 温度計 ５８ 下部リング ６０ 上部リング ６２ 支持台 ６４ 加熱手段 ６６ 加熱ランプ ６８ 反射ミラー ７０ 熱線 ７４ 固定軸 ７６ 軸受 ７８ 回転歯車 ８０ 補助歯車 ８８ 反射方向 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (8)
- 【請求項１】 外周に加熱ヒータを配置した円筒体状の
処理容器内に、その下方の開口部より複数の被処理体を
多段に保持したウエハボートを収容して前記被処理体に
所定の熱処理を施す縦型熱処理装置において、前記開口
部を開閉する蓋体の下方に、前記ウエハボートの下段の
被処理体に対して熱を投入するための加熱手段を設ける
ように構成したことを特徴とする縦型熱処理装置。 - 【請求項２】 前記ウエハボートは、前記蓋体より起立
させて設けた複数の支持脚を有する支持台により支持さ
れることを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。 - 【請求項３】 前記支持台には、薄い板が着脱可能に取
り付けられたことを特徴とする請求項１または２記載の
縦型熱処理装置。 - 【請求項４】 前記支持台には、温度計が取り付けられ
たことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
縦型熱処理装置。 - 【請求項５】 前記蓋体には、前記加熱手段からの熱を
透過するための熱線透過窓が設けられていることを特徴
とする請求項１乃至４のいずれかに記載の縦型熱処理装
置。 - 【請求項６】 前記加熱手段は、個々に発熱量が制御可
能になされた複数の加熱ランプと、各加熱ランプに設け
た複数の反射ミラーとよりなることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれかに記載の縦型熱処理装置。 - 【請求項７】 前記反射ミラーは、回転可能になされ
て、その反射方向を揺動回転させることを特徴とする請
求項６記載の縦型熱処理装置。 - 【請求項８】 前記ウエハボートの上段の被処理体に対
して熱を投入するための加熱ヒータを設けるように構成
したことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載
の縦型熱処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272072A JPH1197446A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 縦型熱処理装置 |
| US09/150,303 US6259061B1 (en) | 1997-09-18 | 1998-09-09 | Vertical-heat-treatment apparatus with movable lid and compensation heater movable therewith |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272072A JPH1197446A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 縦型熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197446A true JPH1197446A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17508711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9272072A Pending JPH1197446A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6259061B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1197446A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005535128A (ja) * | 2002-08-02 | 2005-11-17 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | バッチ炉 |
| JP2005535126A (ja) * | 2002-08-02 | 2005-11-17 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | ウエハバッチ処理システム及び方法 |
| JPWO2004059032A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2006-04-27 | 凸版印刷株式会社 | 真空蒸着装置及び蒸着フィルム製造方法 |
| JP2010205820A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Koyo Thermo System Kk | 基板の熱処理装置 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4276813B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2009-06-10 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置および半導体製造方法 |
| US8980769B1 (en) | 2005-04-26 | 2015-03-17 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
| US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
| US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
| US8454750B1 (en) | 2005-04-26 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
| US8398816B1 (en) | 2006-03-28 | 2013-03-19 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatuses for reducing porogen accumulation from a UV-cure chamber |
| US7725012B2 (en) * | 2007-01-19 | 2010-05-25 | Asm America, Inc. | Movable radiant heat sources |
| JP4327206B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法 |
| US7902480B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-03-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum insulated switchgear |
| US20090101633A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Asm America, Inc. | Reactor with small linear lamps for localized heat control and improved temperature uniformity |
| US8426778B1 (en) * | 2007-12-10 | 2013-04-23 | Novellus Systems, Inc. | Tunable-illumination reflector optics for UV cure system |
| JP5732284B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| US9885123B2 (en) | 2011-03-16 | 2018-02-06 | Asm America, Inc. | Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow |
| KR101224520B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2013-01-22 | (주)이노시티 | 프로세스 챔버 |
| CN105009263B (zh) * | 2013-03-22 | 2018-10-16 | 应用材料公司 | 反射性衬里 |
| JP5944883B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2016-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 粒子逆流防止部材及び基板処理装置 |
| US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
| JP7023172B2 (ja) * | 2018-05-01 | 2022-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度監視装置、熱処理装置及び温度監視方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840824A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nec Corp | 半導体ウエハの熱処理装置 |
| JPS6095917A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-29 | Gijutsu Joho Kenkyusho:Kk | 熱処理炉 |
| JPS6379313A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | 熱処理装置 |
| KR890008922A (ko) * | 1987-11-21 | 1989-07-13 | 후세 노보루 | 열처리 장치 |
| DE8801785U1 (ja) * | 1988-02-11 | 1988-11-10 | Soehlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried, De | |
| JP2688933B2 (ja) | 1988-08-02 | 1997-12-10 | 株式会社ソキア | 傾斜角検出器 |
| JPH0663968B2 (ja) | 1988-11-16 | 1994-08-22 | 日本真空技術株式会社 | 光学モニタ装置 |
| JPH02150754A (ja) | 1988-11-30 | 1990-06-11 | Toshiba Corp | 感応素子の製造方法 |
| JPH02218117A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH04162712A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Nec Kyushu Ltd | 減圧ｃｖｄ装置 |
| JPH0547686A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-02-26 | Toshiba Corp | 縦型半導体熱処理装置 |
| US5332442A (en) * | 1991-11-15 | 1994-07-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Surface processing apparatus |
| JP3230836B2 (ja) * | 1992-04-09 | 2001-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP3109702B2 (ja) | 1992-10-15 | 2000-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
| US5525160A (en) * | 1993-05-10 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Film deposition processing device having transparent support and transfer pins |
| JPH0773103B2 (ja) | 1993-07-12 | 1995-08-02 | 信越石英株式会社 | 半導体熱処理用構造体 |
| KR100297282B1 (ko) * | 1993-08-11 | 2001-10-24 | 마쓰바 구니유키 | 열처리장치 및 열처리방법 |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP9272072A patent/JPH1197446A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-09 US US09/150,303 patent/US6259061B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005535128A (ja) * | 2002-08-02 | 2005-11-17 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | バッチ炉 |
| JP2005535126A (ja) * | 2002-08-02 | 2005-11-17 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | ウエハバッチ処理システム及び方法 |
| JPWO2004059032A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2006-04-27 | 凸版印刷株式会社 | 真空蒸着装置及び蒸着フィルム製造方法 |
| US7754015B2 (en) | 2002-12-26 | 2010-07-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Vacuum vapor-deposition apparatus and method of producing vapor-deposited film |
| JP4529688B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2010-08-25 | 凸版印刷株式会社 | 真空蒸着装置及び蒸着フィルム製造方法 |
| KR101045515B1 (ko) | 2002-12-26 | 2011-06-30 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 진공 증착 장치 및 증착 필름 제조 방법 |
| JP2010205820A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Koyo Thermo System Kk | 基板の熱処理装置 |
| KR101507620B1 (ko) * | 2009-03-02 | 2015-03-31 | 고요 써모시스템 주식회사 | 기판의 열처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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