JPS5840824A - 半導体ウエハの熱処理装置 - Google Patents

半導体ウエハの熱処理装置

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JPS5840824A
JPS5840824A JP13894281A JP13894281A JPS5840824A JP S5840824 A JPS5840824 A JP S5840824A JP 13894281 A JP13894281 A JP 13894281A JP 13894281 A JP13894281 A JP 13894281A JP S5840824 A JPS5840824 A JP S5840824A
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JP
Japan
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electric furnace
heat treatment
heat capacity
furnace
core tube
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JP13894281A
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JPH0534821B2 (ja
Inventor
Masaru Ogawa
賢 小川
Hideki Tsuya
英樹 津屋
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェーハの熱処理装置に関するものであ
る。
周知のように半導体装置の製造においては酸化膜形成や
不純物拡散のために、牛導体つェザハを熱処理する工程
がくり返えされる。
半導体ウェーハの熱処理は、まずウェハ積載ボートにウ
ニがハをのせ、オートローダ等により、ウェハ積載ボー
トを熱処理装置内の炉芯管の均熱ゾーンに設置し行われ
る。熱処理装置は通常、酸素と水素を混合して燃焼させ
るためのバーニング用ノズルを設置するためや雰囲気を
定常的かつ均一に流すために長尺の炉芯管を収容できる
ように最い構造になっている。そのため必然的に熱容量
も大きくならざるを得ない。
しかしながら、このような熱処理装置を用いて半導体ウ
ェーハの熱処理を行う場合には、熱処理装置の入口に急
峻な温度勾配があるために、熱処理の際半導体ウェｌハ
は必らず急峻な温度勾配にさらされ、半導体ウェハの面
内に温度勾配が生じその結果熱応力等によってウェハに
スリップ等の転位が発生し、半導体装置の製品歩留りを
悪くしている。またウェハの大口径化に伴いスリップ等
の転位の発生が顕著となり、これを防止することが急務
となっている。
本発明は上に述べた従来技術の問題点を解決し歩留りの
高い半導体装置を製造するための熱処理装置を辺供する
ものである。本発明は熱容量の小さい予備熱処理装置を
具備したことを特徴とする特次に、本発明の一実施例を
示す。本発明熱処理装置は第１図に示すように予備熱処
理装置１／Ａ）と熱処理装置本体／ｎ）から構成されて
いる。まず半導体ウェハ１を積載ポート２に載置し、室
温温状態の予備熱処理装置の炉芯管３内の均熱ゾーンに
設置する。この予備熱処理装置は熱容量が小さいため短
時間で所定の目的とする温度まで到達できる。
しかる後にあらかじめ予備熱処理装置を短時間で所定の
温度まで十列さセておき、次いで熱処理装置本体と予備
熱処理装置を第２図ｆ、ｅ）のように合体し、予備熱処
理装置内のウェハ積載ボートをオートローダ等により熱
処理装置本体の均熱ゾーンに移動させて雰囲気ガスを流
して熱処理を行う。
熱処理完了後はウェハ積載ボートを予備熱処理装置の均
熱ゾーンに再び移動させ、予備熱処理装置を熱処理装置
本体から離し、そのま土徐々に冷して熱処理を終了する
。
以上実施例で述べたごとく、本発明の熱娩理装置を用い
ることにより、ウェハの面内に急峻ｔｒ、　ｔＭ度勾配
を与えないため、熱応力等によるスリップ等の転位の発
生を防虫することができケ業上極めて有効である。
図７６ｉの１１１１巣な説明 第１図は予備熱処理の縦断面図（Ａ＋と熱処理装置本体
の縦断面図（１３）であり、第２図は予備熱処理装置と
熱処理装置本体を合体し、ウェハ積載ボートを熱処理装
置本体の灼熱ゾーンに移動させたときの縦断面図（Ｃ）
である。
図において、１け半導体ウェハ、２はウェハ積載ボート
、３は炉芯管、４は炉体を示す。
ゝ＋−汽−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 炉芯管と熱容量が大きく、かつ均熱ゾーンを備えた電気
    炉を備えた熱処理装置において、前記炉芯管の管軸上に
    前記電気炉とは独立した熱害Ｍの小さい電気炉を備えた
    ことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理装置。
JP13894281A 1981-09-03 1981-09-03 半導体ウエハの熱処理装置 Granted JPS5840824A (ja)

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JPH0534821B2 JPH0534821B2 (ja) 1993-05-25

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JPH0534821B2 (ja) 1993-05-25

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