JPS60211913A - 処理装置 - Google Patents
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- JPS60211913A JPS60211913A JP6770384A JP6770384A JPS60211913A JP S60211913 A JPS60211913 A JP S60211913A JP 6770384 A JP6770384 A JP 6770384A JP 6770384 A JP6770384 A JP 6770384A JP S60211913 A JPS60211913 A JP S60211913A
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- Japan
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- heater
- temperature
- heaters
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、処理技術、特に、プロセスチューブ内に収容
した被処理物をヒータで加熱して処理する技術に関し、
たとえば、半導体装置の製造においてウェハ上に酸化膜
を形成する技術に利用して有効な技術に関する。
した被処理物をヒータで加熱して処理する技術に関し、
たとえば、半導体装置の製造においてウェハ上に酸化膜
を形成する技術に利用して有効な技術に関する。
半導体装置の製造において、ウェハ上に酸化膜を形成す
るには、シリコンを酸化雰囲気中で加熱すればよい。こ
の方法はもっとも簡単で一般的な方法であり、加熱ヒー
タと炉心管、温度コントローラおよび乾燥酸素もしくは
水蒸気が供給できればよい（電子材料１９８１年別冊、
工業調査会発行、昭和５６年１１月１０日発行Ｐ７２〜
Ｐ７６）。
るには、シリコンを酸化雰囲気中で加熱すればよい。こ
の方法はもっとも簡単で一般的な方法であり、加熱ヒー
タと炉心管、温度コントローラおよび乾燥酸素もしくは
水蒸気が供給できればよい（電子材料１９８１年別冊、
工業調査会発行、昭和５６年１１月１０日発行Ｐ７２〜
Ｐ７６）。
しかし、上述した方法によると、炉心管（以下プロセス
チューブとする）にウェハを搬入する時、炉口側の温度
が低下したり、水素（Ｈ２）の燃焼時、炉英側の温度が
上昇したりして均一な温度分布が崩れるという問題点が
あること、が本発明者によって明らかにされた。
チューブとする）にウェハを搬入する時、炉口側の温度
が低下したり、水素（Ｈ２）の燃焼時、炉英側の温度が
上昇したりして均一な温度分布が崩れるという問題点が
あること、が本発明者によって明らかにされた。
本発明の目的は、プロセスチーブ内の温度分布を均一に
維持することができる処理技術を提供することにある。
維持することができる処理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、加熱ヒータ（ヒータ）をプロセスチューブの
長さ方向において複数に分割するとともに、各分割ヒー
タの加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得るように
構成することにより、被処理物の搬入時やＨ２の燃焼時
等にも、プロセスチューブ内の温度分布を均一に維持で
きるものである。
長さ方向において複数に分割するとともに、各分割ヒー
タの加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得るように
構成することにより、被処理物の搬入時やＨ２の燃焼時
等にも、プロセスチューブ内の温度分布を均一に維持で
きるものである。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例である熱処理装置を示す縦断
面図、第２図〜第５図はその作用を説明するための各線
図である。
面図、第２図〜第５図はその作用を説明するための各線
図である。
本実施例において、この熱処理装置はプロセスチー−プ
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウェハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウェハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。
プロセスチューブ１の一端には治具３を出し入れするた
めの炉口４が開設されており、炉口４にはドア５がこれ
を密閉し得るように開閉自在に取り付けられている。炉
口４の近傍にはスカベンジャ６が設けられ、スカベンジ
ャ６はプロセスチューブ１内を排気し得るように構成さ
れている。プロセスチューブ１の他端には酸素（０，）
または窒素（Ｎ２ ）等の処理ガスを導入するための導
入ロアが開設されている。
めの炉口４が開設されており、炉口４にはドア５がこれ
を密閉し得るように開閉自在に取り付けられている。炉
口４の近傍にはスカベンジャ６が設けられ、スカベンジ
ャ６はプロセスチューブ１内を排気し得るように構成さ
れている。プロセスチューブ１の他端には酸素（０，）
または窒素（Ｎ２ ）等の処理ガスを導入するための導
入ロアが開設されている。
プロセスチューブ１の外部にはヒータＨがプロセスチュ
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）Ｈ１〜第４分割
ヒータ（同様）Ｈ４に４分割されている。そして、中間
に位置する第２ヒータＨ２は他の第１．第３．第４ヒー
タよりも短く構成されている。第１〜第４分割ヒータＨ
１〜Ｈ４はコントローラ８によりその加熱能力をそれぞ
れ所望通りに設定でき得るようになっ”〔いる。
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）Ｈ１〜第４分割
ヒータ（同様）Ｈ４に４分割されている。そして、中間
に位置する第２ヒータＨ２は他の第１．第３．第４ヒー
タよりも短く構成されている。第１〜第４分割ヒータＨ
１〜Ｈ４はコントローラ８によりその加熱能力をそれぞ
れ所望通りに設定でき得るようになっ”〔いる。
次に作用を説明する。
なお、第２図〜第５図において、（ａ）はプロセスチュ
ーブ内の温度分布図、（ｂ）は第１〜第４ヒータの加熱
能力度線図である。
ーブ内の温度分布図、（ｂ）は第１〜第４ヒータの加熱
能力度線図である。
まｆ、プロセスチューブ１は第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ
４により、第２図（ａ）に示されるように、炉内温度分
布がその中央部において均一な所定温度になるように予
熱される。このとき、第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４の加
熱能力はコントローラ８により、第２図（ｂ）に示され
るようにほぼ均一に設定される。
４により、第２図（ａ）に示されるように、炉内温度分
布がその中央部において均一な所定温度になるように予
熱される。このとき、第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４の加
熱能力はコントローラ８により、第２図（ｂ）に示され
るようにほぼ均一に設定される。
ドア５を開放して治具３に保持されたウエノ・２を炉口
４からプロセスチー−プ１内に搬入する直前、第３図（
ｂ）に実線で示されるように、第１ヒータＨ１と第２ヒ
ータＨ２の加熱能力は後述するドア５の開放によるプロ
セスチューブ１内の温度降下分、コントローラ８０指令
により、第３ヒータＨ３，第４ヒータＨ４の加熱能力よ
りも高められる。これにより、プロセスチューブ１内の
温度分布は、第３図（ａ）に示されるように、炉口４付
近が他の領域よりも高温になった分布状態になる。
４からプロセスチー−プ１内に搬入する直前、第３図（
ｂ）に実線で示されるように、第１ヒータＨ１と第２ヒ
ータＨ２の加熱能力は後述するドア５の開放によるプロ
セスチューブ１内の温度降下分、コントローラ８０指令
により、第３ヒータＨ３，第４ヒータＨ４の加熱能力よ
りも高められる。これにより、プロセスチューブ１内の
温度分布は、第３図（ａ）に示されるように、炉口４付
近が他の領域よりも高温になった分布状態になる。
なお第３図（ａ）において、破線Ａは、均一に加熱され
た場合の炉口４付近の温度分布を示し、破線Ｂは、後述
するドア５開放による均一加熱時の温度降下を示す。
た場合の炉口４付近の温度分布を示し、破線Ｂは、後述
するドア５開放による均一加熱時の温度降下を示す。
ウェハ２を搬入すべくドア５を開放すると、プロセスチ
ーブ１内の高温雰囲気が炉口４から逃げ、均一に加熱し
た場合には第４図（ａ）に破線で示すように、プロセス
チューブ１内の温度が炉口４から中央部付近に至るまで
降下する。
ーブ１内の高温雰囲気が炉口４から逃げ、均一に加熱し
た場合には第４図（ａ）に破線で示すように、プロセス
チューブ１内の温度が炉口４から中央部付近に至るまで
降下する。
しかしながら、第３図（ａ）に示されているように、炉
口４付近が予めドア５開放によるプロセスチューブ１内
の温度降下分、高温になっていること、さらにウェハ２
を搬入している間の温度降下が中央部まで至るのを防止
するため、搬入中、第４図（ｂ）に示されるように、第
１ヒータＨ１と第２ヒータＨ２はコントローラ８０指令
により加熱能力を高められ続ける。これにより、プロセ
スチューブ１内の温度分布は、第４図（ａ）に示される
ように、ほぼ均一な分布状態になる。
口４付近が予めドア５開放によるプロセスチューブ１内
の温度降下分、高温になっていること、さらにウェハ２
を搬入している間の温度降下が中央部まで至るのを防止
するため、搬入中、第４図（ｂ）に示されるように、第
１ヒータＨ１と第２ヒータＨ２はコントローラ８０指令
により加熱能力を高められ続ける。これにより、プロセ
スチューブ１内の温度分布は、第４図（ａ）に示される
ように、ほぼ均一な分布状態になる。
治具３がプロセスチー−ブ１内のほぼ中央に位置決めさ
れ、ドア５が閉じられると、第５図（ｂ）に示されるよ
うに、第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４はその加熱能力をほ
ぼ等しく制御される。これにより、第５図（ａ）に示さ
れるように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均
一な分布状態に維持される。この状態において、導入ロ
アからＯ７またはＮ２等の処理ガスがプロセスチューブ
１内に導入される。このとき、プロセスチューブ１内の
温度分布が均一になっているため、治具３上のウニ６２
拝金体および各ウェハ２全面にわたって均一な成膜処理
が行われることになる。
れ、ドア５が閉じられると、第５図（ｂ）に示されるよ
うに、第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４はその加熱能力をほ
ぼ等しく制御される。これにより、第５図（ａ）に示さ
れるように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均
一な分布状態に維持される。この状態において、導入ロ
アからＯ７またはＮ２等の処理ガスがプロセスチューブ
１内に導入される。このとき、プロセスチューブ１内の
温度分布が均一になっているため、治具３上のウニ６２
拝金体および各ウェハ２全面にわたって均一な成膜処理
が行われることになる。
〔実施例２〕
第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、第７図〜
第１０図はその作用を説明するための各線図である。
第１０図はその作用を説明するための各線図である。
本実施例が前記実施例と異なる点は、第３ヒータＨ３が
他の第１．第２．第４ヒータＨ１，Ｈ２゜Ｈ４よりも短
く構成された点と、導入ロアから水素（Ｈ７）およびＯ
ｌが導入されるように構成されている点にある。
他の第１．第２．第４ヒータＨ１，Ｈ２゜Ｈ４よりも短
く構成された点と、導入ロアから水素（Ｈ７）およびＯ
ｌが導入されるように構成されている点にある。
本実施例において、プロセスチューブ１内の中央部にウ
ェハ３を保持した治具３が位置決めされると、第７図（
ｂ）に示されるように、第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４は
加熱能力をコントローラ８によりほぼ均一に制御される
。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、第
７図（ａ）に示されるように、はぼ均一な状態に維持さ
れる。
ェハ３を保持した治具３が位置決めされると、第７図（
ｂ）に示されるように、第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４は
加熱能力をコントローラ８によりほぼ均一に制御される
。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、第
７図（ａ）に示されるように、はぼ均一な状態に維持さ
れる。
その後、導入ロアからＨ２１０□が導入される前に、コ
ントローラ８０指令により第３ヒータＨ３および第４ヒ
ータＨ４の加熱能力が後述するＨｔ１０□導入時の燃焼
によるプロセスチューブ１内の温度上昇分、低められる
。このとき、第３ヒータＨ３よりも第４ヒータＨ４の方
が能力を一層低められる。これにより、プロセスチュー
ブ１内の温度分布は、第８図（ｂ）に示されるように、
導入ロア付近の温度が低下した分布状態となる。
ントローラ８０指令により第３ヒータＨ３および第４ヒ
ータＨ４の加熱能力が後述するＨｔ１０□導入時の燃焼
によるプロセスチューブ１内の温度上昇分、低められる
。このとき、第３ヒータＨ３よりも第４ヒータＨ４の方
が能力を一層低められる。これにより、プロセスチュー
ブ１内の温度分布は、第８図（ｂ）に示されるように、
導入ロア付近の温度が低下した分布状態となる。
なお、第８図（ａ）において、破線Ｃは、均一に加熱さ
れた場合の導入ロア付近の温度分布を示し、破線りは、
後述するＨ ２１０２導入時の、燃焼による均一加熱時
の温度上昇を示す。
れた場合の導入ロア付近の温度分布を示し、破線りは、
後述するＨ ２１０２導入時の、燃焼による均一加熱時
の温度上昇を示す。
導入ロアからＨ，１０□が導入されると、燃焼が始まる
ため、プロセスチューブ１内が均一に加熱されている場
合この燃焼により、第９図（ａ）に破線で示すように、
プロセスチューブ１内の温度が導入ロアから中央部付近
まで上昇する。この温度分布の不均衡により、酸化膜の
膜厚や膜質等が、治具３上のウニ６２拝金体および各ウ
ェハ２全面にわたって不均一になってしまう。
ため、プロセスチューブ１内が均一に加熱されている場
合この燃焼により、第９図（ａ）に破線で示すように、
プロセスチューブ１内の温度が導入ロアから中央部付近
まで上昇する。この温度分布の不均衡により、酸化膜の
膜厚や膜質等が、治具３上のウニ６２拝金体および各ウ
ェハ２全面にわたって不均一になってしまう。
しかしながら、第８図（ａ）に示されているように、導
入ロア付近がＨ２１０２導入時の、燃焼による温度上昇
分、低温になっていること、さらにＨ２が燃焼している
間の温度上昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃
焼中、第９図（ｂ）に示されるように、第３ヒータＨ３
と第４ヒータＨ４はコントローラ８により加熱能力を適
当な割合で低下され続ける。これにより、プロセスチュ
ーブ１内の温度分布は、第９図（ａ）に示されるように
、はぼ均一な分布状態になる。
入ロア付近がＨ２１０２導入時の、燃焼による温度上昇
分、低温になっていること、さらにＨ２が燃焼している
間の温度上昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃
焼中、第９図（ｂ）に示されるように、第３ヒータＨ３
と第４ヒータＨ４はコントローラ８により加熱能力を適
当な割合で低下され続ける。これにより、プロセスチュ
ーブ１内の温度分布は、第９図（ａ）に示されるように
、はぼ均一な分布状態になる。
燃焼が終了すると、第１０図（ｂ）に示されるように、
第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４はその加熱能力をほぼ等し
く設定される。これにより、第１０図（ａ）に示される
ように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な
分布状態に維持される。
第１〜第４ヒータＨ１〜Ｈ４はその加熱能力をほぼ等し
く設定される。これにより、第１０図（ａ）に示される
ように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な
分布状態に維持される。
〔実施例３〕
第１１図は、本発明の他の実施例として、前記実施例１
と実施例２を組合わせた装置を示す。本実施例は、ヒー
タを５つに分割し、その加熱能力をそれぞれ所望通りに
設定でき得るようにしたことを特徴とする。
と実施例２を組合わせた装置を示す。本実施例は、ヒー
タを５つに分割し、その加熱能力をそれぞれ所望通りに
設定でき得るようにしたことを特徴とする。
本実施例において、この熱処理装置はプロセスチューブ
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウェハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウェハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。
プロセスチューブ１の一端には治具３を出し入れするだ
めの炉口４が開設されており、炉口４にはドア５がこれ
を密閉し得るように開閉自在に取り付けられている。炉
口４の近傍にはスカベンジャ６が設けられ、スカベンジ
ャ６はプロセスチ−ブ１内を排気し得るように構成され
ている。プロセスチーブの他端には、導入ロアが設けら
れ、導入ロアからは水素（Ｈ２）および０２が導入され
るように構成されている。
めの炉口４が開設されており、炉口４にはドア５がこれ
を密閉し得るように開閉自在に取り付けられている。炉
口４の近傍にはスカベンジャ６が設けられ、スカベンジ
ャ６はプロセスチ−ブ１内を排気し得るように構成され
ている。プロセスチーブの他端には、導入ロアが設けら
れ、導入ロアからは水素（Ｈ２）および０２が導入され
るように構成されている。
プロセスチューブ１の外部にはヒータＨがプロセスチュ
ーブ１内全体を加熱し得るように設げられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）Ｈ１〜１〜第５
ヒータ（同様）Ｈ５に５分割されている。そして、第２
ヒータＨ２および第４ヒータＨ４は他の第１．第３．第
５ヒータよりも短く構成されている。第１〜第５分割ヒ
ータＨ１〜Ｈ５はコントローラ８によりその加熱能力を
それぞれ所望通りに設定でき得るようになっている。
ーブ１内全体を加熱し得るように設げられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）Ｈ１〜１〜第５
ヒータ（同様）Ｈ５に５分割されている。そして、第２
ヒータＨ２および第４ヒータＨ４は他の第１．第３．第
５ヒータよりも短く構成されている。第１〜第５分割ヒ
ータＨ１〜Ｈ５はコントローラ８によりその加熱能力を
それぞれ所望通りに設定でき得るようになっている。
次に作用を説明する。
つまり、ドア５を開放して治具３に保持されたウェハ２
を炉口４がらプロセスチューブ１内に搬入する前、実施
例−と同様に第１ヒータＨ１と第２ヒータＨ２の加熱能
力を、ドア５の開放によるプロセスチーブ１内の温度降
下分、コントローラ８０指令により、高められており、
さらに、ウェハ２を搬入している間の温度降下が中央部
まで至るのを防止するため、搬入中も第１ヒータＨ１と
第２ヒータＨ２はコントローラ８の指令により加熱能力
を高められ続ける。これにより、プロセスチューブ１内
の温度分布は、はぼ均一な分布状態になる。
を炉口４がらプロセスチューブ１内に搬入する前、実施
例−と同様に第１ヒータＨ１と第２ヒータＨ２の加熱能
力を、ドア５の開放によるプロセスチーブ１内の温度降
下分、コントローラ８０指令により、高められており、
さらに、ウェハ２を搬入している間の温度降下が中央部
まで至るのを防止するため、搬入中も第１ヒータＨ１と
第２ヒータＨ２はコントローラ８の指令により加熱能力
を高められ続ける。これにより、プロセスチューブ１内
の温度分布は、はぼ均一な分布状態になる。
また、実施例２と同様に、導入ロアから、Ｈ２１０、が
導入される前に、コントローラ８の指令により第４ヒー
タＨ４および第５ヒータＨ５の加熱能力がＨｚ１０！導
入、燃焼によるプロセスチューブ１内の温度上昇分、低
められる。このとき、第４ヒータＨ４よりも第５ヒータ
Ｈ５の方が能力を一層低められる。さらに、Ｈ６が燃焼
している間の温度上昇が中央部にまで至るのを防止する
ため、燃焼中、第４ヒータＨ４と第５ヒータＨ５はコン
トローラ８により加熱能力を適当な割合で低下され続け
る。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、
はぼ均一な分布状況になる。
導入される前に、コントローラ８の指令により第４ヒー
タＨ４および第５ヒータＨ５の加熱能力がＨｚ１０！導
入、燃焼によるプロセスチューブ１内の温度上昇分、低
められる。このとき、第４ヒータＨ４よりも第５ヒータ
Ｈ５の方が能力を一層低められる。さらに、Ｈ６が燃焼
している間の温度上昇が中央部にまで至るのを防止する
ため、燃焼中、第４ヒータＨ４と第５ヒータＨ５はコン
トローラ８により加熱能力を適当な割合で低下され続け
る。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、
はぼ均一な分布状況になる。
上述した作用によれば、被処理物の搬入時や、処理ガス
の燃焼時等のように温度分布の不均衡が発生するような
場合においても、加熱温度を調整することができるため
、プロセスチューブ内の温度分布を均一に保て、被処理
物に対する処理を均一に行なうことができる。
の燃焼時等のように温度分布の不均衡が発生するような
場合においても、加熱温度を調整することができるため
、プロセスチューブ内の温度分布を均一に保て、被処理
物に対する処理を均一に行なうことができる。
（１） ヒータをプロセスチューブの長さ方向において
複数に分割するとともに、各分割ヒータの加熱能力を所
望温度に設定でき得るように構成することにより、被処
理物の搬入時や処理ガスの燃焼時等のように温度分布の
不均衡が発生する場合において加熱温度を調整すること
ができるため、プロセスチューブ内の温度分布を常に均
一に維持することができる。
複数に分割するとともに、各分割ヒータの加熱能力を所
望温度に設定でき得るように構成することにより、被処
理物の搬入時や処理ガスの燃焼時等のように温度分布の
不均衡が発生する場合において加熱温度を調整すること
ができるため、プロセスチューブ内の温度分布を常に均
一に維持することができる。
（２）温度分布を均一に維持することにより、被処理物
に対する処理を均一化することができる。
に対する処理を均一化することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハに酸化膜を形
成する熱処理装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、拡散炉、Ｃ
ＶＤ装置等にも適用できる。
をその背景となった利用分野であるウェハに酸化膜を形
成する熱処理装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、拡散炉、Ｃ
ＶＤ装置等にも適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図（ａ
）、（ｂ）〜第５図（ａ） 、 （ｂ）はその作用を説
明するための各線図、 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図。 第７図（ａ）、（ｂ）〜第１０図（ａ） 、 （ｂ）は
その作用を説明するための各線図、 第１１図は本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。 １・・・プロセスチューブ、２・・・ウェハ、３川治具
、４・・・炉口、５・・・ドア、６・・・スカベンジャ
、７・・・導入口、８・・・コントローラ、Ｈ１〜Ｈ５
・・・分割ヒータ。 第 １ 図 第 ２ 図 手続補正書（方式） ５９８２９ ％式％ 発明の名称 処理装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （５１０１株式会肚 日 立 製 作 所代
理 人 図面 に補正する。 第 ２ 図 第 ３ 図
）、（ｂ）〜第５図（ａ） 、 （ｂ）はその作用を説
明するための各線図、 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図。 第７図（ａ）、（ｂ）〜第１０図（ａ） 、 （ｂ）は
その作用を説明するための各線図、 第１１図は本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。 １・・・プロセスチューブ、２・・・ウェハ、３川治具
、４・・・炉口、５・・・ドア、６・・・スカベンジャ
、７・・・導入口、８・・・コントローラ、Ｈ１〜Ｈ５
・・・分割ヒータ。 第 １ 図 第 ２ 図 手続補正書（方式） ５９８２９ ％式％ 発明の名称 処理装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （５１０１株式会肚 日 立 製 作 所代
理 人 図面 に補正する。 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被処理物を収容するプロセスチューブ外部のヒータ
がプロセスチューブ内を加熱するように設けられている
処理装置において、前記ヒータがプロセスチューブの長
さ方向において複数に分割され、各分割ヒータが加熱能
力をそれぞれ所望通りに設定でき得るように構成されて
いることを特徴とする処理装置。 ２、各分割ヒータのうち中間部に位置する分割ヒータが
、短くなっていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067703A JPH0783000B2 (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067703A JPH0783000B2 (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8163278A Division JP2659926B2 (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211913A true JPS60211913A (ja) | 1985-10-24 |
| JPH0783000B2 JPH0783000B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=13352577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067703A Expired - Lifetime JPH0783000B2 (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783000B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185821A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長方法 |
| JPS632315A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Nec Corp | 熱処理方法 |
| JPH03116929A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体基板用熱処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742119A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Decompression cvd device |
| JPS57112011A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Heat treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPS59175719A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の熱処理方法 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067703A patent/JPH0783000B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742119A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Decompression cvd device |
| JPS57112011A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Heat treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPS59175719A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の熱処理方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185821A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長方法 |
| JPS632315A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Nec Corp | 熱処理方法 |
| JPH03116929A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体基板用熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0783000B2 (ja) | 1995-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |