JPS63263730A - 半導体ウエハ熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ熱処理装置Info
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- JPS63263730A JPS63263730A JP10050587A JP10050587A JPS63263730A JP S63263730 A JPS63263730 A JP S63263730A JP 10050587 A JP10050587 A JP 10050587A JP 10050587 A JP10050587 A JP 10050587A JP S63263730 A JPS63263730 A JP S63263730A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 18
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 14
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハを水素・酸素の混合気体の燃焼
ガス雰囲気中で酸化処理を行う半導体ウェハ熱処理装置
に関する。
ガス雰囲気中で酸化処理を行う半導体ウェハ熱処理装置
に関する。
第６図に従来の熱処理装置の断面図を示す。
この種の半導体ウェハ熱処理装置は、ヒーター制御ゾー
ンがゾーンＩ、ゾーンｎ、ゾーン■の３つに分かれてお
り（２）、それぞれのゾーンを電ガ制御することによシ
クロセスチューブ４内の温度を均一にしている。また、
そのプロセスチューブ４の一端にあるガス導入口５，６
よシ、水素・酸素ガスを導入し、ゾーン■の近傍で燃焼
させ（燃焼点９）燃焼ガスにより半導体ウェハの酸化処
理が行なわれていた。
ンがゾーンＩ、ゾーンｎ、ゾーン■の３つに分かれてお
り（２）、それぞれのゾーンを電ガ制御することによシ
クロセスチューブ４内の温度を均一にしている。また、
そのプロセスチューブ４の一端にあるガス導入口５，６
よシ、水素・酸素ガスを導入し、ゾーン■の近傍で燃焼
させ（燃焼点９）燃焼ガスにより半導体ウェハの酸化処
理が行なわれていた。
上述した従来の半導体ウェハ熱処理装置は、水素・酸素
の燃焼により生成したガスにより、半導体ウェハ上に５
ｉ０２酸化膜を形成する為に用いられているが、この燃
焼を起因するには水素の発火点（約５８０℃）以上の温
度が必要であ）、そのために、ゾーンｍ付近を前記温度
以上になるべく、制御し処理を行なっている。
の燃焼により生成したガスにより、半導体ウェハ上に５
ｉ０２酸化膜を形成する為に用いられているが、この燃
焼を起因するには水素の発火点（約５８０℃）以上の温
度が必要であ）、そのために、ゾーンｍ付近を前記温度
以上になるべく、制御し処理を行なっている。
しかしゾーンｍ付近で燃焼することにより燃焼前には安
定していた各ゾーン（１，Ｉｆ、ｌ１ｌ）の温度が水素
・酸素の燃焼熱によシ変化して不均一になる。特にゾー
ン■への影響が顕著になｐ１炉内が均一温度に戻るまで
長時間かかるという欠点がある。これは、半導体ウェハ
の処理時間を長くし、設備の処、理能力を低下させる原
因となる。
定していた各ゾーン（１，Ｉｆ、ｌ１ｌ）の温度が水素
・酸素の燃焼熱によシ変化して不均一になる。特にゾー
ン■への影響が顕著になｐ１炉内が均一温度に戻るまで
長時間かかるという欠点がある。これは、半導体ウェハ
の処理時間を長くし、設備の処、理能力を低下させる原
因となる。
上述した従来の半導体ウニ・・熱処理装置に対し、本発
明は炉口断熱部に隣接して保温ヒーター部を設置し、こ
の領域で水素と酸素の燃焼を行うことによシ、プロセス
チーブプ内の温度雰囲気が水素・酸素の燃焼熱によシ影
響を受けにくくするという内容を有する。
明は炉口断熱部に隣接して保温ヒーター部を設置し、こ
の領域で水素と酸素の燃焼を行うことによシ、プロセス
チーブプ内の温度雰囲気が水素・酸素の燃焼熱によシ影
響を受けにくくするという内容を有する。
本発明の半導体ウェハ熱処理装置は、炉口断熱部に隣接
しである断熱成形体に、ヒーター線を埋め込み、一定温
度以上（水素の発火点約５８０℃以上）で温度制御され
る保温ヒーター部を有している。
しである断熱成形体に、ヒーター線を埋め込み、一定温
度以上（水素の発火点約５８０℃以上）で温度制御され
る保温ヒーター部を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。第２
図は保温ヒーター部の側面図、第３図は保温ヒーター部
の断面図である。
図は保温ヒーター部の側面図、第３図は保温ヒーター部
の断面図である。
ヒータ２の両端には前部炉口断熱部１と後部炉口断熱部
３があり、後部炉口断熱部３に隣接して、Ａ１２０ｘと
５ｉｆｔを主成分とするセラミックスファイバーの円筒
形断熱成形体１０ａにある一定間隔と深さでらせん状に
溝を切シ、その中にヒーターｆｌｉｌ１１ａたとえばカ
ンタル線を埋め込んだ保温ヒーター部７を設置する。こ
の保温ヒーター部は常に水素発火点（５８０″Ｃ）以上
になる様に制御されている。この状態で水素のガス導入
口６の吹き出し部が保温ヒーター部７の領域にくるよう
にプロセスチューブ４をセットし、水素・酸素の燃焼（
燃焼点９）をし、半導体ウェハの熱処理を行うものであ
る。
３があり、後部炉口断熱部３に隣接して、Ａ１２０ｘと
５ｉｆｔを主成分とするセラミックスファイバーの円筒
形断熱成形体１０ａにある一定間隔と深さでらせん状に
溝を切シ、その中にヒーターｆｌｉｌ１１ａたとえばカ
ンタル線を埋め込んだ保温ヒーター部７を設置する。こ
の保温ヒーター部は常に水素発火点（５８０″Ｃ）以上
になる様に制御されている。この状態で水素のガス導入
口６の吹き出し部が保温ヒーター部７の領域にくるよう
にプロセスチューブ４をセットし、水素・酸素の燃焼（
燃焼点９）をし、半導体ウェハの熱処理を行うものであ
る。
次に本発明の第２の実施例を図面を参照して説明する。
この第２の実施例の全体の構成は第１の実施例と全く同
一であり、ここでは相異点のみ説明する。
一であり、ここでは相異点のみ説明する。
この実施例２では保温ヒーター部７の構造を変えたもの
である。第４図は保温ヒーター部の側面図で、第５図は
保温ヒーター部の断面図である。第４図に示したように
保温ヒーター部は２分割構造をと９、半円筒形のセラミ
ックス７アイパーの断熱成形体１０ｂの内面を長手方向
水平に溝を切シ、その中にヒーター線１１ｂを埋め込ん
でいるのである。
である。第４図は保温ヒーター部の側面図で、第５図は
保温ヒーター部の断面図である。第４図に示したように
保温ヒーター部は２分割構造をと９、半円筒形のセラミ
ックス７アイパーの断熱成形体１０ｂの内面を長手方向
水平に溝を切シ、その中にヒーター線１１ｂを埋め込ん
でいるのである。
第２の実施例のヒーター構造にすることによシ、第１の
実施例との効果は同一であるが、保温ヒーター部７の保
守の際に、ヒーターを２分割できた方が作業性が喪いと
いう利点がある。
実施例との効果は同一であるが、保温ヒーター部７の保
守の際に、ヒーターを２分割できた方が作業性が喪いと
いう利点がある。
本発明は以上説明したように、ヒーター線を埋め込んだ
断熱成形体を後部炉口断熱部に隣接して設置して、一定
温度以上（水素の発火点以上）で温度制御し、その内部
で水素・酸素の燃焼を行なうことにより、プロセスチュ
−ブ丙の温度雰囲気の不均一性を最小限におさえ、ゾー
ン１■の温度変動を低減することができる。これよシ熱
処理炉の水素・酸素燃焼時の温度の安定性が向上し、温
度制御が容易になり、水素・酸素燃焼ガスによる酸化処
理工程での処理時間が短縮でき、設備の処理能力が向上
できる効果を有するものである。
断熱成形体を後部炉口断熱部に隣接して設置して、一定
温度以上（水素の発火点以上）で温度制御し、その内部
で水素・酸素の燃焼を行なうことにより、プロセスチュ
−ブ丙の温度雰囲気の不均一性を最小限におさえ、ゾー
ン１■の温度変動を低減することができる。これよシ熱
処理炉の水素・酸素燃焼時の温度の安定性が向上し、温
度制御が容易になり、水素・酸素燃焼ガスによる酸化処
理工程での処理時間が短縮でき、設備の処理能力が向上
できる効果を有するものである。
また保温ヒーター部が脱着自在であることによシ、ヒー
ターの交換作業が容易でかつ保温ヒーター部が不要とな
った場合には容易に取シ外せるという効果がある。
ターの交換作業が容易でかつ保温ヒーター部が不要とな
った場合には容易に取シ外せるという効果がある。
さらに第２の実施例の様に２分割型保温ヒーター部の構
造を有することによシ、保守作業時等の効率がより一層
良くなるのである。
造を有することによシ、保守作業時等の効率がより一層
良くなるのである。
第１図は本発明の半導体ウェハ熱処理装置の縦断面図、
第２図は第１の実施例の保温ヒーター部の側面図、第３
図は第１の実施例の保温ヒーター部の断面図、第４図は
第２の実施例の保温ヒーター部の側面図、第５図は第２
の実施例の保温ヒーター部の断面図、第６図は従来の半
導体ウェハ熱処理装置の断面図。 １・・・・・・前部炉口断熱部、２・・・・・・ヒータ
ー、３・・・・・・後部炉口断熱部、４・・・・・・プ
ロセスチューブ、５゜６・・・・・・ガス導入口、７・
・・・・・保温ヒーター部、８・・・・・・スカベンジ
ャー、９・・・・・・燃焼点、ｌＱａ、ｂ・・・・・・
断熱成形体、ｌｌａ、ｂ・・・・・・ヒーター線。 ユ −、：； 代理人 弁理士 内 原 日（。 １２図 贋にＪＥＩ 笛４図 条、Ｓ図
第２図は第１の実施例の保温ヒーター部の側面図、第３
図は第１の実施例の保温ヒーター部の断面図、第４図は
第２の実施例の保温ヒーター部の側面図、第５図は第２
の実施例の保温ヒーター部の断面図、第６図は従来の半
導体ウェハ熱処理装置の断面図。 １・・・・・・前部炉口断熱部、２・・・・・・ヒータ
ー、３・・・・・・後部炉口断熱部、４・・・・・・プ
ロセスチューブ、５゜６・・・・・・ガス導入口、７・
・・・・・保温ヒーター部、８・・・・・・スカベンジ
ャー、９・・・・・・燃焼点、ｌＱａ、ｂ・・・・・・
断熱成形体、ｌｌａ、ｂ・・・・・・ヒーター線。 ユ −、：； 代理人 弁理士 内 原 日（。 １２図 贋にＪＥＩ 笛４図 条、Ｓ図
Claims (2)
- （１）半導体ウェハ熱処理炉において、炉口断熱部に隣
接して設置する断熱成形体に、ヒーター線を埋め込んだ
保温ヒーター部を設けたことを特徴とする半導体ウェハ
熱処理装置。 - （２）前記保温ヒーター部が半導体ウェハ熱処理炉に脱
着自在であるように構成された特許請求の範囲第（１）
項記載の半導体ウェハ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100505A JP2553550B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100505A JP2553550B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263730A true JPS63263730A (ja) | 1988-10-31 |
| JP2553550B2 JP2553550B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=14275800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100505A Expired - Fee Related JP2553550B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553550B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204210A (ja) * | 1993-11-25 | 1994-07-22 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 高圧酸化処理方法及び高圧酸化炉 |
| CN103774238A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-05-07 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 热处理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112011A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Heat treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPS5850730A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高温炉 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62100505A patent/JP2553550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112011A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Heat treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPS5850730A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高温炉 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204210A (ja) * | 1993-11-25 | 1994-07-22 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 高圧酸化処理方法及び高圧酸化炉 |
| CN103774238A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-05-07 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 热处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2553550B2 (ja) | 1996-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |