JP2553550B2 - 半導体ウエハ熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ熱処理装置Info
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- JP2553550B2 JP2553550B2 JP62100505A JP10050587A JP2553550B2 JP 2553550 B2 JP2553550 B2 JP 2553550B2 JP 62100505 A JP62100505 A JP 62100505A JP 10050587 A JP10050587 A JP 10050587A JP 2553550 B2 JP2553550 B2 JP 2553550B2
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- Japan
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- heat
- semiconductor wafer
- heat treatment
- heater
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハを水素・酸素の混合気体の燃
焼ガス雰囲気中で酸化処理を行う半導体ウェハ熱処理装
置に関する。
焼ガス雰囲気中で酸化処理を行う半導体ウェハ熱処理装
置に関する。
第６図に従来の熱処理装置の断面図を示す。
この種の半導体ウェハ熱処理装置は、ヒーター制御ゾ
ーンがゾーンI,ゾーンII,ゾーンIIIの３つに分かれてお
り（２）、それぞれのゾーンを電力制御することにより
プロセスチューブ４内の温度を均一にしている。また、
そのプロセスチューブ４の一端にあるガス導入口5,6よ
り、水素・酸素ガスを導入し、ゾーンIIIの近傍で燃焼
させ（燃焼点９）燃焼ガスにより半導体ウェハの酸化処
理が行なわれていた。
ーンがゾーンI,ゾーンII,ゾーンIIIの３つに分かれてお
り（２）、それぞれのゾーンを電力制御することにより
プロセスチューブ４内の温度を均一にしている。また、
そのプロセスチューブ４の一端にあるガス導入口5,6よ
り、水素・酸素ガスを導入し、ゾーンIIIの近傍で燃焼
させ（燃焼点９）燃焼ガスにより半導体ウェハの酸化処
理が行なわれていた。
上述した従来の半導体ウェハ熱処理装置は、水素・酸
素の燃焼により生成したガスにより、半導体ウェハ上に
SiO2酸化膜を形成する為に用いられているが、この燃焼
を起因するには水素の発火点（約580℃）以上の温度が
必要であり、そのために、ゾーンIII付近を前記温度以
上になるべく、制御し処理を行なつている。
素の燃焼により生成したガスにより、半導体ウェハ上に
SiO2酸化膜を形成する為に用いられているが、この燃焼
を起因するには水素の発火点（約580℃）以上の温度が
必要であり、そのために、ゾーンIII付近を前記温度以
上になるべく、制御し処理を行なつている。
しかしゾーンIII付近で燃焼することにより燃焼前に
は安定していた各ゾーン（I,II,III）の温度が水素・酸
素の燃焼熱により変化して不均一になる。特にゾーンII
Iへの影響が顕著になり、炉内が均一温度に戻るまで長
時間かかるという欠点がある。これは、半導体ウェハの
処理時間を長くし、設備の処理能力を低下させる原因と
なる。
は安定していた各ゾーン（I,II,III）の温度が水素・酸
素の燃焼熱により変化して不均一になる。特にゾーンII
Iへの影響が顕著になり、炉内が均一温度に戻るまで長
時間かかるという欠点がある。これは、半導体ウェハの
処理時間を長くし、設備の処理能力を低下させる原因と
なる。
本発明の目的は、プロセスチューブ内の温度制御され
た各ゾーンが、水素・酸素の燃焼熱により影響を受けに
くくした半導体ウェハ熱処理装置を提供することにあ
る。
た各ゾーンが、水素・酸素の燃焼熱により影響を受けに
くくした半導体ウェハ熱処理装置を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は熱処理装置は、末端の温度制御ゾーンから炉
口断熱部を隔てて保温ビーター部を設け、かかるヒータ
ー部により当該ヒーター部に対応するプロセスチューブ
の領域を水素の発火点以上の温度に制御し、水素ガス導
入口の吹き出し部をかかる領域に配置している。
口断熱部を隔てて保温ビーター部を設け、かかるヒータ
ー部により当該ヒーター部に対応するプロセスチューブ
の領域を水素の発火点以上の温度に制御し、水素ガス導
入口の吹き出し部をかかる領域に配置している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。第
２図は保温ヒーター部の側面図、第３図は保温ヒーター
部の断面図である。
２図は保温ヒーター部の側面図、第３図は保温ヒーター
部の断面図である。
ヒータ２の両端には前記炉口断熱部１と後部炉口断熱
部３があり、後部炉口断熱部３に隣接して、Al2O3とSiO
2を主成分とするセラミックスファイバーの円筒形断熱
成形体10aにある一定間隔と深さでらせん状に溝を切
り、その中にヒーター線11aたとえばカンタル線を埋め
込んだ保温ヒーター部７を設置する。この保温ヒーター
部は常に水素発火点（580℃）以上になる様に制御され
ている。この状態で水素のガス導入口６の吹き出し部が
保温ヒーター部７の領域にくるようにプロセスチューブ
４をセットし、水素・酸素の燃焼（燃焼点９）をし、半
導体ウェハの熱処理を行うものである。
部３があり、後部炉口断熱部３に隣接して、Al2O3とSiO
2を主成分とするセラミックスファイバーの円筒形断熱
成形体10aにある一定間隔と深さでらせん状に溝を切
り、その中にヒーター線11aたとえばカンタル線を埋め
込んだ保温ヒーター部７を設置する。この保温ヒーター
部は常に水素発火点（580℃）以上になる様に制御され
ている。この状態で水素のガス導入口６の吹き出し部が
保温ヒーター部７の領域にくるようにプロセスチューブ
４をセットし、水素・酸素の燃焼（燃焼点９）をし、半
導体ウェハの熱処理を行うものである。
次に本発明の第２の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
この第２の実施例の全体の構成は第１の実施例と全く
同一であり、ここでは相異点のみ説明する。この実施例
２では保温ヒーター部７の構造を変えたものである。第
４図は保温ヒーター部の側面図で、第５図は保温ヒータ
ー部の断面図である。第４図に示したように保温ヒータ
ー部は２分割構造をとり、半円筒形のセラミックスファ
イバーの断熱成形体10bの内面を長手方向水平に溝を切
り、その中にヒーター線11bを埋め込んでいるのであ
る。
同一であり、ここでは相異点のみ説明する。この実施例
２では保温ヒーター部７の構造を変えたものである。第
４図は保温ヒーター部の側面図で、第５図は保温ヒータ
ー部の断面図である。第４図に示したように保温ヒータ
ー部は２分割構造をとり、半円筒形のセラミックスファ
イバーの断熱成形体10bの内面を長手方向水平に溝を切
り、その中にヒーター線11bを埋め込んでいるのであ
る。
第２の実施例のヒーター構造にすることにより、第１
の実施例との効果は同一であるが、保温ヒーター部７の
保守の際に、ヒーターを２分割できた方が作業性が良い
という利点がある。
の実施例との効果は同一であるが、保温ヒーター部７の
保守の際に、ヒーターを２分割できた方が作業性が良い
という利点がある。
本発明は以上説明したように、ヒータ線を埋め込んだ
断熱成形体を後部炉口断熱部を隣接して設置して、一定
温度以上（水素の発火点以上）で温度制御し、その内部
で水素・酸素の燃焼を行なうことにより、プロセスチュ
ーブ内の温度雰囲気の不均一性を最小限におさえ、ゾー
ンIIIの温度変動を低減することができる。これより熱
処理炉の水素・酸素燃焼時の温度の安定性が向上し、温
度制御が容易になり、水素、酸素燃焼ガスによる酸化処
理工程での処理時間が短縮でき、設備の処理能力が向上
できる効果を有するものである。
断熱成形体を後部炉口断熱部を隣接して設置して、一定
温度以上（水素の発火点以上）で温度制御し、その内部
で水素・酸素の燃焼を行なうことにより、プロセスチュ
ーブ内の温度雰囲気の不均一性を最小限におさえ、ゾー
ンIIIの温度変動を低減することができる。これより熱
処理炉の水素・酸素燃焼時の温度の安定性が向上し、温
度制御が容易になり、水素、酸素燃焼ガスによる酸化処
理工程での処理時間が短縮でき、設備の処理能力が向上
できる効果を有するものである。
また保温ヒーター部が脱着自在であることにより、ヒ
ーターの交換作業が容易でかつ保温ヒーター部が不要と
なった場合には容易に取り外せるという効果がある。
ーターの交換作業が容易でかつ保温ヒーター部が不要と
なった場合には容易に取り外せるという効果がある。
さらに第２の実施例の様に２分割型保温ヒーター部の
構造を有することにより、保守作業時等の効率がより一
層良くなるのである。
構造を有することにより、保守作業時等の効率がより一
層良くなるのである。
第１図は本発明の半導体ウェハ熱処理装置の縦断面図、
第２図は第１の実施例の保温ヒーター部の側面図、第３
図は第１の実施例の保温ヒーター部の断面図、第４図は
第２の実施例の保温ヒーター部の側面図、第５図は第２
の実施例の保温ヒーター部の断面図、第６図は従来の半
導体ウェハ熱処理装置の断面図。 １……前部炉口断熱部、２……ヒーター、３……後部炉
口断熱部、４……プロセスチューブ、5,6……ガス導入
口、７……保温ヒーター部、８……スカベンジャー、９
……燃焼点、10a,b……断熱成形体、11a,b……ヒーター
線。
第２図は第１の実施例の保温ヒーター部の側面図、第３
図は第１の実施例の保温ヒーター部の断面図、第４図は
第２の実施例の保温ヒーター部の側面図、第５図は第２
の実施例の保温ヒーター部の断面図、第６図は従来の半
導体ウェハ熱処理装置の断面図。 １……前部炉口断熱部、２……ヒーター、３……後部炉
口断熱部、４……プロセスチューブ、5,6……ガス導入
口、７……保温ヒーター部、８……スカベンジャー、９
……燃焼点、10a,b……断熱成形体、11a,b……ヒーター
線。
Claims (1)
- 【請求項１】プロセスチューブの複数のゾーンにおいて
それぞれ温度制御が施された半導体ウェハ熱処理装置に
おいて、前記プロセスチューブの末端の前記温度制御ゾ
ーンから炉口断熱部を隔てて保温ヒーター部を設け、か
かる保温ヒーター部を設けた前記プロセスチューブの領
域の温度を前記保温ヒーター部により水素の発火点以上
の温度に制御し、当該領域に水素ガス導入口の吹き出し
部を配置したことを特徴とする半導体ウェハ熱処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100505A JP2553550B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100505A JP2553550B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263730A JPS63263730A (ja) | 1988-10-31 |
| JP2553550B2 true JP2553550B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=14275800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100505A Expired - Fee Related JP2553550B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553550B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2585962B2 (ja) * | 1993-11-25 | 1997-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高圧酸化炉 |
| CN103774238B (zh) * | 2014-02-20 | 2016-09-07 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 热处理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112011A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Heat treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPS5850730A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高温炉 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62100505A patent/JP2553550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63263730A (ja) | 1988-10-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |