JP2585962B2 - 高圧酸化炉 - Google Patents
高圧酸化炉Info
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- JP2585962B2 JP2585962B2 JP5321130A JP32113093A JP2585962B2 JP 2585962 B2 JP2585962 B2 JP 2585962B2 JP 5321130 A JP5321130 A JP 5321130A JP 32113093 A JP32113093 A JP 32113093A JP 2585962 B2 JP2585962 B2 JP 2585962B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高圧酸化炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばプレーナ形集積回路などの
半導体装置の素子を形成すべきシリコン膜半導体基板に
厚さ１〜２μｍ程度の汚染の少ないシリコン酸化膜を生
成させることが必要であった。 【０００３】このように、厚いシリコン酸化膜を生成さ
せるために、特公昭５５−１０９７５号等に開示される
高圧酸化炉を用いた技術がある。 【０００４】この高圧酸化炉は、耐圧容器内に配置され
た反応用炉心管の一端側に水素ガス導入管及び酸素ガス
導入管を設けると共に、燃焼部（燃焼領域）から酸化膜
部（生成領域）に亘って反応用炉心管の周囲に共通のヒ
ータを設け、反応用炉心管の中央部に取り付けられた熱
電対により前記ヒータを制御するようにして構成されて
いる。そして燃焼領域に水素ガス及び酸素ガスを供給し
て燃焼させて高圧な水蒸気を得、生成領域におけるボー
ト上のウエハを湿式酸化するようにしている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の高
圧酸化炉では、熱電対はヒータの温度を検出して生成領
域の温度を間接的に検出し、燃焼領域の温度については
この検出温度から換算して求めているため、爆発の危険
性があった。即ち水素ガスと酸素ガスとは、ある温度
（着火温度）以上でなければ燃焼しないが、燃焼部の温
度が着火温度以下であると生ガスが反応用炉心管の中に
流れ、これが着火温度以上の領域に流れると一気に燃焼
し、反応用炉心管が爆発して高圧の耐圧容器が破裂し、
大事故につながるおそれがある。 【０００６】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、安全性の高い高圧酸化炉を
提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、酸素ガス及び
水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気を生成する燃焼部と、
前記水蒸気により被処理体に対して酸化膜生成処理を行
う酸化膜生成部とが内部に形成される反応用炉心管を耐
圧容器内に設けてなる高圧酸化炉において、前記燃焼部
を形成するように反応用炉心管の周りに設けられた燃焼
用ヒータと、前記反応用炉心管の先端部から燃焼部まで
伸び、反応用炉心管に対して着脱自在に設けられた管状
の保護管と、前記管状の保護管内に挿入され、前記保護
管の先端に検出部が露出した熱電対と、前記熱電対の検
出温度に基づいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガス
の燃焼温度となるように燃焼用ヒータを制御する制御部
と、を有してなることを特徴とする。 【０００８】 【作用】本発明では、燃焼部用熱電対及び酸化膜生成部
用熱電対により燃焼部及び酸化膜生成部の温度を直接検
出し、その検出温度に基づいて夫々燃焼用ヒータ及び酸
化膜生成用ヒータを制御する。そして燃焼部用熱電対の
温度が水素ガス及び酸素ガス燃焼温度になった後これら
のガスを導入し所定の処理を行う。従って大量の生ガス
が一気に燃焼することを防止でき、破裂事故の危険性が
ない。 【０００９】 【実施例】以下、本発明の高圧酸化炉の実施例につき図
面を参照して説明する。ＳＵＳ製で１０気圧程度の圧力
に耐え、図示しない圧力制御部を備えた耐圧容器１１
が、例えば肉厚２５ｍｍ程度で外径５３０ｍｍ程度の管
状の胴１２と、例えば厚さ１００ｍｍ程度で円板状のガ
ス導入側蓋１３と中心に直径３００ｍｍ程度の搬送口１
４を有する搬送側蓋１５と、この搬送口１４を図示しな
い開閉機構で開閉可能な開閉蓋１６で気密となる如く構
成されている。 【００１０】この耐圧容器１１内には、被処理体例えば
半導体ウエハ１７を例えば１００枚程度立設支持した石
英製のボート１８を内部に導入可能で、搬送口１４側端
が開放された他端が球状に閉じられ、例えば外径２３０
ｍｍ程度で肉厚８ｍｍ程度の石英製管状反応用炉心管１
９が設けられている。この反応用炉心管１９の球状に閉
じた端部には、耐圧容器１１のガス導入側蓋１３を貫通
して、反応用炉心管１９内にＨ２ガスとＯ２ガスを導入
可能な如く、石英製のＯ２導入管２０と先端が断面Ｊ字
状となる如く曲がった石英製のＨ２導入管２１が挿入さ
れている。 【００１１】そして、このＯ２導入管２０とＨ２導入管
２１を挿入した反応用炉心管１９内がＯ２とＨ２の燃焼
部２２を成し、燃焼部２２の反応用炉心管１９外周に例
えばカンタル線（商品名：ガデリウス社製）等で構成さ
れた燃焼用ヒータ２３が、燃焼部２２を例えば７５０℃
程度に加熱可能に設けられている。 【００１２】また、反応用炉心管１９中央付近のボート
１８導入位置は酸化膜生成部２４を成し、この酸化膜生
成部２４の反応用炉心管１９外周に例えばカンタル線等
で構成された酸化膜生成用ヒータ２５が、酸化膜生成部
２４を例えば９００℃程度に加熱可能に設けられてい
る。 【００１３】そして、燃焼用ヒータ２３と酸化膜生成用
ヒータ２５の外周に、内部を図示しない冷却機構例えば
循環水により冷却可能なＳＵＳ製等の断熱部２６が設け
られている。また、反応用炉心管１９の搬送口１４側端
には、反応用炉心管１９を塞ぐ如く、断面Ｕ字状の石英
製炉心管用キャップ２７が設けられている。しかも、反
応用炉心管１９内は図示しない圧力制御部により所望の
圧力に制御可能となってる。 【００１４】ここで、この反応用炉心管１９には、燃焼
部２２と酸化膜生成部２４の温度を検知する如く、長さ
の違う温度検出手段２８ａ、２８ｂが反応用炉心管１９
の球状に閉じた端部側から２個所挿入されていて、耐圧
容器１１の胴１２内側に設けられたコネクタ２９に接続
されている。この温度検出手段２８は、第２図に示す如
く、内部に２つの配線用孔を軸線方向に有する円柱状ア
ルミナ製で例えば直径３ｍｍ程度の保護管３１と、この
直管状の保護管３１の２つの配線用孔内を貫通して端部
で露出させた熱電対３２例えば白金−白金ロジウム等
と、保護管３１の熱電対３２を露出しない端部側に固着
したアルミナ製鍔付結合部３３と、この結合部３３内か
ら熱電対を包囲し保護するアルミナ製で複数の連設した
保護片３４と、熱電対３２と接続配線した熱電対用コネ
クタ３５で構成される。 【００１５】この保護片３４は結合部３３内から熱電対
用コネクタ３５までの間の熱電対３２を保護する如く連
設されていおり、例えば、第３図に示す如く、外径２ｍ
ｍ長さ５ｍｍで内部に熱電対３２を貫通可能な孔径１ｍ
ｍの孔を備えた円筒状に形成されており、また、この保
護片３４は、結合部３３と熱電対用コネクタ３５間を所
望の配線経路で配線できる如く屈折可能に間隔０．５ｍ
ｍ以下で連設されている。 【００１６】そして、この温度検出手段２８ａ、２８ｂ
の保護管３１とその先端の露出した熱電対３２が反応用
炉心管１９内に挿入されている。なお温度検出手段２８
ａ、２８ｂにおける熱電対３２は、夫々燃焼部用熱電対
及び酸化膜生成部用熱電対に相当する。また、熱電対用
コネクタ３５が胴１２内側のコネクタ２９に接続され、
耐圧容器１１外の図示しない制御部に検知温度を伝達可
能となっている。しかも、この図示しない制御部によ
り、高圧酸化炉は動作制御及び設定制御される。 【００１７】次に、上述した高圧酸化炉の動作を説明す
る。まず、耐圧容器１１の開閉蓋１６を図示しない開閉
機構で開き、キャップ２７を外し、半導体ウエハ１７を
立設支持したボート１８を反応用炉心管１９内の所望の
酸化膜生成部２４位置内に導入する。ここで、この搬入
動作時に反応用炉心管１９内にＮ２ガスを流入して不純
ガスを排出してもよい。そして、キャップ２７を反応用
炉心管１９に装着し、図示しない開閉機構で開閉蓋１６
を閉じ、耐圧容器１１内を密封する。 【００１８】次に、図示しない圧力制御部により、反応
用炉心管１９内の圧力が耐圧容器１１内の圧力により１
気圧程度高くなるように制御し、例えば、反応用炉心管
１９内圧力が７．５気圧程度、耐圧容器１１内圧力が
６．５気圧程度となる如く設定する。この時既に、反応
用炉心管１９内の燃焼部２２と酸化膜生成部２４は、燃
焼用ヒータ２３と酸化膜生成用ヒータ２５により各々所
望の処理温度、燃焼部２２は酸素ガス及び水素ガスの燃
焼温度（例えば７５０℃程度）で，燃焼部用熱電対３２
で加熱制御され、酸化膜生成部２４は９００℃程度とな
る如く、酸化膜生成部用熱電対３２を用いて加熱制御さ
れている。 【００１９】ここで、Ｏ２ガス導入管２０からＯ２ガス
例えば流量３．６リットル／ｍｉｎ程度燃焼部２２に流
入し、同時に、Ｈ２導入管２１からＨ２ガスを例えば流
量３．６リットル／ｍｉｎ程度燃焼部２２に流入して、
燃焼部２２でこのＨ２ガスとＯ２ガスを燃焼して水蒸気
を生成する。この水蒸気により反応用炉心管１９内は高
圧水蒸気雰囲気となり、酸化膜生成部２４に導入された
ボート１８に支持した半導体ウエハ１７上に酸化膜を形
成する。この後、高圧水蒸気を図示しない機構を通して
反応用炉心管１９から耐圧容器１１外に排出する。 【００２０】そして、Ｏ２ガスとＨ２ガスの流入を停止
し、耐圧容器１１内と反応用炉心管１９内を図示しない
圧力制御部で大気圧に戻し、開閉蓋１６を図示しない開
閉機構で開き、キャップ２７を外し、半導体ウエハ１７
を立設支持したボート１８を搬出して処理が終了する。 【００２１】また処理中には、断熱部２６からの輻射熱
の漏洩や水蒸気雰囲気により、耐圧容器１１内が高温多
湿雰囲気となるが、コネクタ２９と反応用炉心管１９の
間の熱電対３２を保護するために、連設した保護片３４
を用いたので、この保護片３４は劣化せず、従って熱電
対３２が露出接触し、温度測定不能となることを防止で
きる。また、この保護片３４は屈折可能に連設されてい
るため、所望のコネクタ２９位置まで所望の配線経路で
熱電対用コネクタ３５を配線接続できるので、例えば反
応用炉心管１９を洗浄する場合等のメンテナンス時にガ
ス導入側蓋１３を開いても、配線が柔軟に対応可能とな
り、温度検出手段２８ａ、２８ｂの部分が破損するのを
防止できる。 【００２２】また、この温度検出手段２８ａ、２８ｂ
は、反応用炉心管１９内に熱電対３２を挿入設定する場
合に、位置決め部例えば鍔部結合部３３の鍔の部分を反
応用炉心管１９又は断熱部２６に突き当てて位置決め可
能なので、反応用炉心管１９の洗浄時等、温度検出手段
２８を取り外し、再びセットする時、常に同じ挿入位置
まで熱電対３２を設定でき、同じ位置の温度を検出する
ことができる。 【００２３】このような実施例によれば、燃焼部の温度
を直接検出しているので正確に検出でき、そしてその検
出温度が酸素ガス及び水素ガスが燃焼する温度になった
後酸素ガスと水素ガスとを反応用炉心管１９内に導入し
ているため、生ガスが多量に反応用炉心管１９内に流入
して一気に燃焼することを防止でき、従って反応用炉心
管１９内が爆発して耐圧容器１１が破損するという事故
を防止できる。 【００２４】 【発明の効果】本発明によれば、燃焼部の検出温度にも
とづいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガスの燃焼温
度となるように燃焼用ヒータを制御しているため、多量
の酸素ガス及び水素ガスが一気に燃焼することを防止で
き、安全性が高い。
半導体装置の素子を形成すべきシリコン膜半導体基板に
厚さ１〜２μｍ程度の汚染の少ないシリコン酸化膜を生
成させることが必要であった。 【０００３】このように、厚いシリコン酸化膜を生成さ
せるために、特公昭５５−１０９７５号等に開示される
高圧酸化炉を用いた技術がある。 【０００４】この高圧酸化炉は、耐圧容器内に配置され
た反応用炉心管の一端側に水素ガス導入管及び酸素ガス
導入管を設けると共に、燃焼部（燃焼領域）から酸化膜
部（生成領域）に亘って反応用炉心管の周囲に共通のヒ
ータを設け、反応用炉心管の中央部に取り付けられた熱
電対により前記ヒータを制御するようにして構成されて
いる。そして燃焼領域に水素ガス及び酸素ガスを供給し
て燃焼させて高圧な水蒸気を得、生成領域におけるボー
ト上のウエハを湿式酸化するようにしている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の高
圧酸化炉では、熱電対はヒータの温度を検出して生成領
域の温度を間接的に検出し、燃焼領域の温度については
この検出温度から換算して求めているため、爆発の危険
性があった。即ち水素ガスと酸素ガスとは、ある温度
（着火温度）以上でなければ燃焼しないが、燃焼部の温
度が着火温度以下であると生ガスが反応用炉心管の中に
流れ、これが着火温度以上の領域に流れると一気に燃焼
し、反応用炉心管が爆発して高圧の耐圧容器が破裂し、
大事故につながるおそれがある。 【０００６】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、安全性の高い高圧酸化炉を
提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、酸素ガス及び
水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気を生成する燃焼部と、
前記水蒸気により被処理体に対して酸化膜生成処理を行
う酸化膜生成部とが内部に形成される反応用炉心管を耐
圧容器内に設けてなる高圧酸化炉において、前記燃焼部
を形成するように反応用炉心管の周りに設けられた燃焼
用ヒータと、前記反応用炉心管の先端部から燃焼部まで
伸び、反応用炉心管に対して着脱自在に設けられた管状
の保護管と、前記管状の保護管内に挿入され、前記保護
管の先端に検出部が露出した熱電対と、前記熱電対の検
出温度に基づいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガス
の燃焼温度となるように燃焼用ヒータを制御する制御部
と、を有してなることを特徴とする。 【０００８】 【作用】本発明では、燃焼部用熱電対及び酸化膜生成部
用熱電対により燃焼部及び酸化膜生成部の温度を直接検
出し、その検出温度に基づいて夫々燃焼用ヒータ及び酸
化膜生成用ヒータを制御する。そして燃焼部用熱電対の
温度が水素ガス及び酸素ガス燃焼温度になった後これら
のガスを導入し所定の処理を行う。従って大量の生ガス
が一気に燃焼することを防止でき、破裂事故の危険性が
ない。 【０００９】 【実施例】以下、本発明の高圧酸化炉の実施例につき図
面を参照して説明する。ＳＵＳ製で１０気圧程度の圧力
に耐え、図示しない圧力制御部を備えた耐圧容器１１
が、例えば肉厚２５ｍｍ程度で外径５３０ｍｍ程度の管
状の胴１２と、例えば厚さ１００ｍｍ程度で円板状のガ
ス導入側蓋１３と中心に直径３００ｍｍ程度の搬送口１
４を有する搬送側蓋１５と、この搬送口１４を図示しな
い開閉機構で開閉可能な開閉蓋１６で気密となる如く構
成されている。 【００１０】この耐圧容器１１内には、被処理体例えば
半導体ウエハ１７を例えば１００枚程度立設支持した石
英製のボート１８を内部に導入可能で、搬送口１４側端
が開放された他端が球状に閉じられ、例えば外径２３０
ｍｍ程度で肉厚８ｍｍ程度の石英製管状反応用炉心管１
９が設けられている。この反応用炉心管１９の球状に閉
じた端部には、耐圧容器１１のガス導入側蓋１３を貫通
して、反応用炉心管１９内にＨ２ガスとＯ２ガスを導入
可能な如く、石英製のＯ２導入管２０と先端が断面Ｊ字
状となる如く曲がった石英製のＨ２導入管２１が挿入さ
れている。 【００１１】そして、このＯ２導入管２０とＨ２導入管
２１を挿入した反応用炉心管１９内がＯ２とＨ２の燃焼
部２２を成し、燃焼部２２の反応用炉心管１９外周に例
えばカンタル線（商品名：ガデリウス社製）等で構成さ
れた燃焼用ヒータ２３が、燃焼部２２を例えば７５０℃
程度に加熱可能に設けられている。 【００１２】また、反応用炉心管１９中央付近のボート
１８導入位置は酸化膜生成部２４を成し、この酸化膜生
成部２４の反応用炉心管１９外周に例えばカンタル線等
で構成された酸化膜生成用ヒータ２５が、酸化膜生成部
２４を例えば９００℃程度に加熱可能に設けられてい
る。 【００１３】そして、燃焼用ヒータ２３と酸化膜生成用
ヒータ２５の外周に、内部を図示しない冷却機構例えば
循環水により冷却可能なＳＵＳ製等の断熱部２６が設け
られている。また、反応用炉心管１９の搬送口１４側端
には、反応用炉心管１９を塞ぐ如く、断面Ｕ字状の石英
製炉心管用キャップ２７が設けられている。しかも、反
応用炉心管１９内は図示しない圧力制御部により所望の
圧力に制御可能となってる。 【００１４】ここで、この反応用炉心管１９には、燃焼
部２２と酸化膜生成部２４の温度を検知する如く、長さ
の違う温度検出手段２８ａ、２８ｂが反応用炉心管１９
の球状に閉じた端部側から２個所挿入されていて、耐圧
容器１１の胴１２内側に設けられたコネクタ２９に接続
されている。この温度検出手段２８は、第２図に示す如
く、内部に２つの配線用孔を軸線方向に有する円柱状ア
ルミナ製で例えば直径３ｍｍ程度の保護管３１と、この
直管状の保護管３１の２つの配線用孔内を貫通して端部
で露出させた熱電対３２例えば白金−白金ロジウム等
と、保護管３１の熱電対３２を露出しない端部側に固着
したアルミナ製鍔付結合部３３と、この結合部３３内か
ら熱電対を包囲し保護するアルミナ製で複数の連設した
保護片３４と、熱電対３２と接続配線した熱電対用コネ
クタ３５で構成される。 【００１５】この保護片３４は結合部３３内から熱電対
用コネクタ３５までの間の熱電対３２を保護する如く連
設されていおり、例えば、第３図に示す如く、外径２ｍ
ｍ長さ５ｍｍで内部に熱電対３２を貫通可能な孔径１ｍ
ｍの孔を備えた円筒状に形成されており、また、この保
護片３４は、結合部３３と熱電対用コネクタ３５間を所
望の配線経路で配線できる如く屈折可能に間隔０．５ｍ
ｍ以下で連設されている。 【００１６】そして、この温度検出手段２８ａ、２８ｂ
の保護管３１とその先端の露出した熱電対３２が反応用
炉心管１９内に挿入されている。なお温度検出手段２８
ａ、２８ｂにおける熱電対３２は、夫々燃焼部用熱電対
及び酸化膜生成部用熱電対に相当する。また、熱電対用
コネクタ３５が胴１２内側のコネクタ２９に接続され、
耐圧容器１１外の図示しない制御部に検知温度を伝達可
能となっている。しかも、この図示しない制御部によ
り、高圧酸化炉は動作制御及び設定制御される。 【００１７】次に、上述した高圧酸化炉の動作を説明す
る。まず、耐圧容器１１の開閉蓋１６を図示しない開閉
機構で開き、キャップ２７を外し、半導体ウエハ１７を
立設支持したボート１８を反応用炉心管１９内の所望の
酸化膜生成部２４位置内に導入する。ここで、この搬入
動作時に反応用炉心管１９内にＮ２ガスを流入して不純
ガスを排出してもよい。そして、キャップ２７を反応用
炉心管１９に装着し、図示しない開閉機構で開閉蓋１６
を閉じ、耐圧容器１１内を密封する。 【００１８】次に、図示しない圧力制御部により、反応
用炉心管１９内の圧力が耐圧容器１１内の圧力により１
気圧程度高くなるように制御し、例えば、反応用炉心管
１９内圧力が７．５気圧程度、耐圧容器１１内圧力が
６．５気圧程度となる如く設定する。この時既に、反応
用炉心管１９内の燃焼部２２と酸化膜生成部２４は、燃
焼用ヒータ２３と酸化膜生成用ヒータ２５により各々所
望の処理温度、燃焼部２２は酸素ガス及び水素ガスの燃
焼温度（例えば７５０℃程度）で，燃焼部用熱電対３２
で加熱制御され、酸化膜生成部２４は９００℃程度とな
る如く、酸化膜生成部用熱電対３２を用いて加熱制御さ
れている。 【００１９】ここで、Ｏ２ガス導入管２０からＯ２ガス
例えば流量３．６リットル／ｍｉｎ程度燃焼部２２に流
入し、同時に、Ｈ２導入管２１からＨ２ガスを例えば流
量３．６リットル／ｍｉｎ程度燃焼部２２に流入して、
燃焼部２２でこのＨ２ガスとＯ２ガスを燃焼して水蒸気
を生成する。この水蒸気により反応用炉心管１９内は高
圧水蒸気雰囲気となり、酸化膜生成部２４に導入された
ボート１８に支持した半導体ウエハ１７上に酸化膜を形
成する。この後、高圧水蒸気を図示しない機構を通して
反応用炉心管１９から耐圧容器１１外に排出する。 【００２０】そして、Ｏ２ガスとＨ２ガスの流入を停止
し、耐圧容器１１内と反応用炉心管１９内を図示しない
圧力制御部で大気圧に戻し、開閉蓋１６を図示しない開
閉機構で開き、キャップ２７を外し、半導体ウエハ１７
を立設支持したボート１８を搬出して処理が終了する。 【００２１】また処理中には、断熱部２６からの輻射熱
の漏洩や水蒸気雰囲気により、耐圧容器１１内が高温多
湿雰囲気となるが、コネクタ２９と反応用炉心管１９の
間の熱電対３２を保護するために、連設した保護片３４
を用いたので、この保護片３４は劣化せず、従って熱電
対３２が露出接触し、温度測定不能となることを防止で
きる。また、この保護片３４は屈折可能に連設されてい
るため、所望のコネクタ２９位置まで所望の配線経路で
熱電対用コネクタ３５を配線接続できるので、例えば反
応用炉心管１９を洗浄する場合等のメンテナンス時にガ
ス導入側蓋１３を開いても、配線が柔軟に対応可能とな
り、温度検出手段２８ａ、２８ｂの部分が破損するのを
防止できる。 【００２２】また、この温度検出手段２８ａ、２８ｂ
は、反応用炉心管１９内に熱電対３２を挿入設定する場
合に、位置決め部例えば鍔部結合部３３の鍔の部分を反
応用炉心管１９又は断熱部２６に突き当てて位置決め可
能なので、反応用炉心管１９の洗浄時等、温度検出手段
２８を取り外し、再びセットする時、常に同じ挿入位置
まで熱電対３２を設定でき、同じ位置の温度を検出する
ことができる。 【００２３】このような実施例によれば、燃焼部の温度
を直接検出しているので正確に検出でき、そしてその検
出温度が酸素ガス及び水素ガスが燃焼する温度になった
後酸素ガスと水素ガスとを反応用炉心管１９内に導入し
ているため、生ガスが多量に反応用炉心管１９内に流入
して一気に燃焼することを防止でき、従って反応用炉心
管１９内が爆発して耐圧容器１１が破損するという事故
を防止できる。 【００２４】 【発明の効果】本発明によれば、燃焼部の検出温度にも
とづいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガスの燃焼温
度となるように燃焼用ヒータを制御しているため、多量
の酸素ガス及び水素ガスが一気に燃焼することを防止で
き、安全性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の高圧酸化炉を示す構成図であ
る。 【図２】温度検出手段を示す斜視図である。 【図３】温度検出手段の保護片を示す斜視図である。 【符号の説明】 １１ 耐圧容器 １７ 半導体ウエハ １９ 反応用炉心管 ２８ 温度検出手段 ３２ 熱電対 ３４ 保護片 ３５ 熱電対用コネクタ
る。 【図２】温度検出手段を示す斜視図である。 【図３】温度検出手段の保護片を示す斜視図である。 【符号の説明】 １１ 耐圧容器 １７ 半導体ウエハ １９ 反応用炉心管 ２８ 温度検出手段 ３２ 熱電対 ３４ 保護片 ３５ 熱電対用コネクタ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 （１） 酸素ガス及び水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気
を生成する燃焼部と、前記水蒸気により被処理体に対し
て酸化膜生成処理を行う酸化膜生成部とが内部に形成さ
れる反応用炉心管を耐圧容器内に設けてなる高圧酸化炉
において、 前記燃焼部を形成するように反応用炉心管の周りに設け
られた燃焼用ヒータと、 前記反応用炉心管の先端部から燃焼部まで伸び、反応用
炉心管に対して着脱自在に設けられた管状の保護管と、 前記管状の保護管内に挿入され、前記保護管の先端に検
出部が露出した熱電対と、 前記熱電対の検出温度に基づいて燃焼部の温度が酸素ガ
ス及び水素ガスの燃焼温度となるように燃焼用ヒータを
制御する制御部と、 を有してなることを特徴とする高圧酸化炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321130A JP2585962B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 高圧酸化炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321130A JP2585962B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 高圧酸化炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204210A JPH06204210A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2585962B2 true JP2585962B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=18129143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5321130A Expired - Lifetime JP2585962B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 高圧酸化炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585962B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6592663B1 (en) | 1999-06-09 | 2003-07-15 | Ricoh Company Ltd. | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
| JP5348123B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2013-11-20 | 株式会社リコー | 結晶製造装置 |
| CN111105989B (zh) * | 2018-10-29 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 对基片进行钝化的方法及钝化设备 |
| CN109853043A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-06-07 | 张忠恕 | 一种用于氢氧合成的氧化扩散炉系统点火腔室 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154360A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-22 | Tel Thermco Kk | Device for high pressure oxidatioon diffusion for semiconductor |
| JP2553550B2 (ja) * | 1987-04-22 | 1996-11-13 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5321130A patent/JP2585962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06204210A (ja) | 1994-07-22 |
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