JPH06204210A - 高圧酸化処理方法及び高圧酸化炉 - Google Patents
高圧酸化処理方法及び高圧酸化炉Info
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- JPH06204210A JPH06204210A JP32113093A JP32113093A JPH06204210A JP H06204210 A JPH06204210 A JP H06204210A JP 32113093 A JP32113093 A JP 32113093A JP 32113093 A JP32113093 A JP 32113093A JP H06204210 A JPH06204210 A JP H06204210A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 水素ガスと酸素ガスとの燃焼により得られた
高圧な水蒸気により半導体ウエハに対して湿式酸化処理
を行うにあたり、安全性を確保すること。 【構成】 燃焼部用ヒータ23及び酸化膜生成部用ヒー
タ26が周囲に配置されて燃焼部及び酸化膜生成部が形
成された反応用炉心管19を、耐圧容器11内に収納す
ると共に、熱電対を備えた温度検出手段28a、28b
により夫々の温度を直接検出し、燃焼部における検出温
度が、酸素ガス及び水素ガスの燃焼温度になった後これ
らガスを反応用炉心管19内に導入する。
高圧な水蒸気により半導体ウエハに対して湿式酸化処理
を行うにあたり、安全性を確保すること。 【構成】 燃焼部用ヒータ23及び酸化膜生成部用ヒー
タ26が周囲に配置されて燃焼部及び酸化膜生成部が形
成された反応用炉心管19を、耐圧容器11内に収納す
ると共に、熱電対を備えた温度検出手段28a、28b
により夫々の温度を直接検出し、燃焼部における検出温
度が、酸素ガス及び水素ガスの燃焼温度になった後これ
らガスを反応用炉心管19内に導入する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高圧酸化処理方法及び
高圧酸化炉に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、例えばプレーナ形集積回路などの
半導体装置の素子を形成すべきシリコン膜半導体基板に
厚さ1〜2μm程度の汚染の少ないシリコン酸化膜を生
成させることが必要であった。 【0003】このように、厚いシリコン酸化膜を生成さ
せるために、特公昭55−10975号等に開示される
高圧酸化炉を用いた技術がある。 【0004】この高圧酸化炉は、耐圧容器内に配置され
た反応用炉心管の一端側に水素ガス導入管及び酸素ガス
導入管を設けると共に、燃焼部(燃焼領域)から酸化膜
部(生成領域)に亘って反応用炉心管の周囲に共通のヒ
ータを設け、反応用炉心管の中央部に取り付けられた熱
電対により前記ヒータを制御するようにして構成されて
いる。そして燃焼領域に水素ガス及び酸素ガスを供給し
て燃焼させて高圧な水蒸気を得、生成領域におけるボー
ト上のウエハを湿式酸化するようにしている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の高
圧酸化炉では、熱電対はヒータの温度を検出して生成領
域の温度を間接的に検出し、燃焼領域の温度については
この検出温度から換算して求めているため、爆発の危険
性があった。即ち水素ガスと酸素ガスとは、ある温度
(着火温度)以上でなければ燃焼しないが、燃焼部の温
度が着火温度以下であると生ガスが反応用炉心管の中に
流れ、これが着火温度以上の領域に流れると一気に燃焼
し、反応用炉心管が爆発して高圧の耐圧容器が破裂し、
大事故につながるおそれがある。 【0006】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、安全性の高い高圧酸化処理
方法を提供すること、及びその方法を実施するのに好適
な高圧酸化炉を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、酸素
ガス及び水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気を生成する燃
焼部と、前記水蒸気により被処理体に対して酸化膜生成
処理を行う酸化膜生成部とが内部に形成される反応用炉
心管を耐圧容器内に設けてなる高圧酸化炉において、前
記反応用炉心管内の燃焼部に熱電対を設けて前記燃焼部
の温度を直接検出し、前記熱電対の検出温度が酸素ガス
及び水素ガスの燃焼温度になった後、酸素ガス及び水素
ガスを燃焼部に供給することを特徴とする。 【0008】請求項2の発明は、酸素ガス及び水素ガス
を燃焼して高圧な水蒸気を生成する燃焼部と、前記水蒸
気により被処理体に対して酸化膜生成処理を行う酸化膜
生成部とが内部に形成される反応用炉心管を耐圧容器内
に設けてなる高圧酸化炉において、前記燃焼部を形成す
るように反応用炉心管の周りに設けられた燃焼用ヒータ
と、前記反応用炉心管の先端部から燃焼部まで伸び、反
応用炉心管に対して着脱自在に設けられた直管状の保護
管と、前記直管状の保護管内に挿入され、前記保護管の
先端に検出部が露出した熱電対と、前記熱電対の検出温
度に基づいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガスの燃
焼温度となるように燃焼用ヒータを制御する制御部と、
を有してなることを特徴とする。 【0009】 【作用】例えば請求項2の高圧酸化炉を用いて請求項1
の方法を実施する場合、燃焼部用熱電対及び酸化膜生成
部用熱電対により燃焼部及び酸化膜生成部の温度を直接
検出し、その検出温度に基づいて夫々燃焼用ヒータ及び
酸化膜生成用ヒータを制御する。そして燃焼部用熱電対
の温度が水素ガス及び酸素ガス燃焼温度になった後これ
らのガスを導入し所定の処理を行う。従って大量の生ガ
スが一気に燃焼することを防止でき、破裂事故の危険性
がない。 【0010】 【実施例】以下、本考案の高圧酸化炉の実施例につき図
面を参照して説明する。SUS製で10気圧程度の圧力
に耐え、図示しない圧力制御部を備えた耐圧容器11
が、例えば肉厚25mm程度で外径530mm程度の管
状の胴12と、例えば厚さ100mm程度で円板状のガ
ス導入側蓋13と中心に直径300mm程度の搬送口1
4を有する搬送側蓋15と、この搬送口14を図示しな
い開閉機構で開閉可能な開閉蓋16で気密となる如く構
成されている。 【0011】この耐圧容器11内には、被処理体例えば
半導体ウエハ17を例えば100枚程度立設支持した石
英製のボート18を内部に導入可能で、搬送口14側端
が開放された他端が球状に閉じられ、例えば外径230
mm程度で肉厚8mm程度の石英製管状反応用炉心管1
9が設けられている。この反応用炉心管19の球状に閉
じた端部には、耐圧容器11のガス導入側蓋13を貫通
して、反応用炉心管19内にH2 ガスとO2 ガスを導入
可能な如く、石英製のO2 導入管20と先端が断面J字
状となる如く曲がった石英製のH2 導入管21が挿入さ
れている。 【0012】そして、このO2 導入管20とH2 導入管
21を挿入した反応用炉心管19内がO2 とH2 の燃焼
部22を成し、燃焼部22の反応用炉心管19外周に例
えばカンタル線(商品名:ガデリウス社製)等で構成さ
れた燃焼用ヒータ23が、燃焼部22を例えば750℃
程度に加熱可能に設けられている。 【0013】また、反応用炉心管19中央付近のボート
18導入位置は酸化膜生成部24を成し、この酸化膜生
成部24の反応用炉心管19外周に例えばカンタル線等
で構成された酸化膜生成用ヒータ25が、酸化膜生成部
24を例えば900℃程度に加熱可能に設けられてい
る。 【0014】そして、燃焼用ヒータ23と酸化膜生成用
ヒータ25の外周に、内部を図示しない冷却機構例えば
循環水により冷却可能なSUS製等の断熱部26が設け
られている。また、反応用炉心管19の搬送口14側端
には、反応用炉心管19を塞ぐ如く、断面U字状の石英
製炉心管用キャップ27が設けられている。しかも、反
応用炉心管19内は図示しない圧力制御部により所望の
圧力に制御可能となってる。 【0015】ここで、この反応用炉心管19には、燃焼
部22と酸化膜生成部24の温度を検知する如く、長さ
の違う温度検出手段28a、28bが反応用炉心管19
の球状に閉じた端部側から2個所挿入されていて、耐圧
容器11の胴12内側に設けられたコネクタ29に接続
されている。この温度検出手段28は、第2図に示す如
く、内部に2つの配線用孔を軸線方向に有する円柱状ア
ルミナ製で例えば直径3mm程度の保護管31と、この
直管状の保護管31の2つの配線用孔内を貫通して端部
で露出させた熱電対32例えば白金−白金ロジウム等
と、保護管31の熱電対32を露出しない端部側に固着
したアルミナ製鍔付結合部33と、この結合部33内か
ら熱電対を包囲し保護するアルミナ製で複数の連設した
保護片34と、熱電対32と接続配線した熱電対用コネ
クタ35で構成される。 【0016】この保護片34は結合部33内から熱電対
用コネクタ35までの間の熱電対32を保護する如く連
設されていおり、例えば、第3図に示す如く、外径2m
m長さ5mmで内部に熱電対32を貫通可能な孔径1m
mの孔を備えた円筒状に形成されており、また、この保
護片34は、結合部33と熱電対用コネクタ35間を所
望の配線経路で配線できる如く屈折可能に間隔0.5m
m以下で連設されている。 【0017】そして、この温度検出手段28a、28b
の保護管31とその先端の露出した熱電対32が反応用
炉心管19内に挿入されている。なお温度検出手段28
a、28bにおける熱電対32は、夫々燃焼部用熱電対
及び酸化膜生成部用熱電対に相当する。また、熱電対用
コネクタ35が胴12内側のコネクタ29に接続され、
耐圧容器11外の図示しない制御部に検知温度を伝達可
能となっている。しかも、この図示しない制御部によ
り、高圧酸化炉は動作制御及び設定制御される。 【0018】次に、上述した高圧酸化炉の動作を説明す
る。まず、耐圧容器11の開閉蓋16を図示しない開閉
機構で開き、キャップ27を外し、半導体ウエハ17を
立設支持したボート18を反応用炉心管19内の所望の
酸化膜生成部24位置内に導入する。ここで、この搬入
動作時に反応用炉心管19内にN2 ガスを流入して不純
ガスを排出してもよい。そして、キャップ27を反応用
炉心管19に装着し、図示しない開閉機構で開閉蓋16
を閉じ、耐圧容器11内を密封する。 【0019】次に、図示しない圧力制御部により、反応
用炉心管19内の圧力が耐圧容器11内の圧力により1
気圧程度高くなるように制御し、例えば、反応用炉心管
19内圧力が7.5気圧程度、耐圧容器11内圧力が
6.5気圧程度となる如く設定する。この時既に、反応
用炉心管19内の燃焼部22と酸化膜生成部24は、燃
焼用ヒータ23と酸化膜生成用ヒータ25により各々所
望の処理温度、燃焼部22は酸素ガス及び水素ガスの燃
焼温度(例えば750℃程度)で,燃焼部用熱電対32
で加熱制御され、酸化膜生成部24は900℃程度とな
る如く、酸化膜生成部用熱電対32を用いて加熱制御さ
れている。 【0020】ここで、O2 ガス導入管20からO2 ガス
例えば流量3.6リットル/min程度燃焼部22に流
入し、同時に、H2 導入管21からH2 ガスを例えば流
量3.6リットル/min程度燃焼部22に流入して、
燃焼部22でこのH2 ガスとO2 ガスを燃焼して水蒸気
を生成する。この水蒸気により反応用炉心管19内は高
圧水蒸気雰囲気となり、酸化膜生成部24に導入された
ボート18に支持した半導体ウエハ17上に酸化膜を形
成する。この後、高圧水蒸気を図示しない機構を通して
反応用炉心管19から耐圧容器11外に排出する。 【0021】そして、O2 ガスとH2 ガスの流入を停止
し、耐圧容器11内と反応用炉心管19内を図示しない
圧力制御部で大気圧に戻し、開閉蓋16を図示しない開
閉機構で開き、キャップ27を外し、半導体ウエハ17
を立設支持したボート18を搬出して処理が終了する。 【0022】また処理中には、断熱部26からの輻射熱
の漏洩や水蒸気雰囲気により、耐圧容器11内が高温多
湿雰囲気となるが、コネクタ29と反応用炉心管19の
間の熱電対32を保護するために、連設した保護片34
を用いたので、この保護片34は劣化せず、従って熱電
対32が露出接触し、温度測定不能となることを防止で
きる。また、この保護片34は屈折可能に連設されてい
るため、所望のコネクタ29位置まで所望の配線経路で
熱電対用コネクタ35を配線接続できるので、例えば反
応用炉心管19を洗浄する場合等のメンテナンス時にガ
ス導入側蓋13を開いても、配線が柔軟に対応可能とな
り、温度検出手段28a、28bの部分が破損するのを
防止できる。 【0023】また、この温度検出手段28a、28b
は、反応用炉心管19内に熱電対32を挿入設定する場
合に、位置決め部例えば鍔部結合部33の鍔の部分を反
応用炉心管19又は断熱部26に突き当てて位置決め可
能なので、反応用炉心管19の洗浄時等、温度検出手段
28を取り外し、再びセットする時、常に同じ挿入位置
まで熱電対32を設定でき、同じ位置の温度を検出する
ことができる。 【0024】このような実施例によれば、燃焼部の温度
を直接検出しているので正確に検出でき、そしてその検
出温度が酸素ガス及び水素ガスが燃焼する温度になった
後酸素ガスと水素ガスとを反応用炉心管19内に導入し
ているため、生ガスが多量に反応用炉心管19内に流入
して一気に燃焼することを防止でき、従って反応用炉心
管19内が爆発して耐圧容器11が破損するという事故
を防止できる。 【0025】 【発明の効果】請求項1の発明によれば、燃焼部におけ
る検出温度が燃焼温度になった後酸素ガス及び水素ガス
を供給しているため、多量の酸素ガス及び水素ガスが一
気に燃焼することを防止でき、安全性が高い。 【0026】請求項2の発明によれば、燃焼部の検出温
度にもとづいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガスの
燃焼温度となるように燃焼用ヒータを制御しているた
め、多量の酸素ガス及び水素ガスが一気に燃焼すること
を防止でき、安全性が高い。
高圧酸化炉に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、例えばプレーナ形集積回路などの
半導体装置の素子を形成すべきシリコン膜半導体基板に
厚さ1〜2μm程度の汚染の少ないシリコン酸化膜を生
成させることが必要であった。 【0003】このように、厚いシリコン酸化膜を生成さ
せるために、特公昭55−10975号等に開示される
高圧酸化炉を用いた技術がある。 【0004】この高圧酸化炉は、耐圧容器内に配置され
た反応用炉心管の一端側に水素ガス導入管及び酸素ガス
導入管を設けると共に、燃焼部(燃焼領域)から酸化膜
部(生成領域)に亘って反応用炉心管の周囲に共通のヒ
ータを設け、反応用炉心管の中央部に取り付けられた熱
電対により前記ヒータを制御するようにして構成されて
いる。そして燃焼領域に水素ガス及び酸素ガスを供給し
て燃焼させて高圧な水蒸気を得、生成領域におけるボー
ト上のウエハを湿式酸化するようにしている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の高
圧酸化炉では、熱電対はヒータの温度を検出して生成領
域の温度を間接的に検出し、燃焼領域の温度については
この検出温度から換算して求めているため、爆発の危険
性があった。即ち水素ガスと酸素ガスとは、ある温度
(着火温度)以上でなければ燃焼しないが、燃焼部の温
度が着火温度以下であると生ガスが反応用炉心管の中に
流れ、これが着火温度以上の領域に流れると一気に燃焼
し、反応用炉心管が爆発して高圧の耐圧容器が破裂し、
大事故につながるおそれがある。 【0006】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、安全性の高い高圧酸化処理
方法を提供すること、及びその方法を実施するのに好適
な高圧酸化炉を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、酸素
ガス及び水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気を生成する燃
焼部と、前記水蒸気により被処理体に対して酸化膜生成
処理を行う酸化膜生成部とが内部に形成される反応用炉
心管を耐圧容器内に設けてなる高圧酸化炉において、前
記反応用炉心管内の燃焼部に熱電対を設けて前記燃焼部
の温度を直接検出し、前記熱電対の検出温度が酸素ガス
及び水素ガスの燃焼温度になった後、酸素ガス及び水素
ガスを燃焼部に供給することを特徴とする。 【0008】請求項2の発明は、酸素ガス及び水素ガス
を燃焼して高圧な水蒸気を生成する燃焼部と、前記水蒸
気により被処理体に対して酸化膜生成処理を行う酸化膜
生成部とが内部に形成される反応用炉心管を耐圧容器内
に設けてなる高圧酸化炉において、前記燃焼部を形成す
るように反応用炉心管の周りに設けられた燃焼用ヒータ
と、前記反応用炉心管の先端部から燃焼部まで伸び、反
応用炉心管に対して着脱自在に設けられた直管状の保護
管と、前記直管状の保護管内に挿入され、前記保護管の
先端に検出部が露出した熱電対と、前記熱電対の検出温
度に基づいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガスの燃
焼温度となるように燃焼用ヒータを制御する制御部と、
を有してなることを特徴とする。 【0009】 【作用】例えば請求項2の高圧酸化炉を用いて請求項1
の方法を実施する場合、燃焼部用熱電対及び酸化膜生成
部用熱電対により燃焼部及び酸化膜生成部の温度を直接
検出し、その検出温度に基づいて夫々燃焼用ヒータ及び
酸化膜生成用ヒータを制御する。そして燃焼部用熱電対
の温度が水素ガス及び酸素ガス燃焼温度になった後これ
らのガスを導入し所定の処理を行う。従って大量の生ガ
スが一気に燃焼することを防止でき、破裂事故の危険性
がない。 【0010】 【実施例】以下、本考案の高圧酸化炉の実施例につき図
面を参照して説明する。SUS製で10気圧程度の圧力
に耐え、図示しない圧力制御部を備えた耐圧容器11
が、例えば肉厚25mm程度で外径530mm程度の管
状の胴12と、例えば厚さ100mm程度で円板状のガ
ス導入側蓋13と中心に直径300mm程度の搬送口1
4を有する搬送側蓋15と、この搬送口14を図示しな
い開閉機構で開閉可能な開閉蓋16で気密となる如く構
成されている。 【0011】この耐圧容器11内には、被処理体例えば
半導体ウエハ17を例えば100枚程度立設支持した石
英製のボート18を内部に導入可能で、搬送口14側端
が開放された他端が球状に閉じられ、例えば外径230
mm程度で肉厚8mm程度の石英製管状反応用炉心管1
9が設けられている。この反応用炉心管19の球状に閉
じた端部には、耐圧容器11のガス導入側蓋13を貫通
して、反応用炉心管19内にH2 ガスとO2 ガスを導入
可能な如く、石英製のO2 導入管20と先端が断面J字
状となる如く曲がった石英製のH2 導入管21が挿入さ
れている。 【0012】そして、このO2 導入管20とH2 導入管
21を挿入した反応用炉心管19内がO2 とH2 の燃焼
部22を成し、燃焼部22の反応用炉心管19外周に例
えばカンタル線(商品名:ガデリウス社製)等で構成さ
れた燃焼用ヒータ23が、燃焼部22を例えば750℃
程度に加熱可能に設けられている。 【0013】また、反応用炉心管19中央付近のボート
18導入位置は酸化膜生成部24を成し、この酸化膜生
成部24の反応用炉心管19外周に例えばカンタル線等
で構成された酸化膜生成用ヒータ25が、酸化膜生成部
24を例えば900℃程度に加熱可能に設けられてい
る。 【0014】そして、燃焼用ヒータ23と酸化膜生成用
ヒータ25の外周に、内部を図示しない冷却機構例えば
循環水により冷却可能なSUS製等の断熱部26が設け
られている。また、反応用炉心管19の搬送口14側端
には、反応用炉心管19を塞ぐ如く、断面U字状の石英
製炉心管用キャップ27が設けられている。しかも、反
応用炉心管19内は図示しない圧力制御部により所望の
圧力に制御可能となってる。 【0015】ここで、この反応用炉心管19には、燃焼
部22と酸化膜生成部24の温度を検知する如く、長さ
の違う温度検出手段28a、28bが反応用炉心管19
の球状に閉じた端部側から2個所挿入されていて、耐圧
容器11の胴12内側に設けられたコネクタ29に接続
されている。この温度検出手段28は、第2図に示す如
く、内部に2つの配線用孔を軸線方向に有する円柱状ア
ルミナ製で例えば直径3mm程度の保護管31と、この
直管状の保護管31の2つの配線用孔内を貫通して端部
で露出させた熱電対32例えば白金−白金ロジウム等
と、保護管31の熱電対32を露出しない端部側に固着
したアルミナ製鍔付結合部33と、この結合部33内か
ら熱電対を包囲し保護するアルミナ製で複数の連設した
保護片34と、熱電対32と接続配線した熱電対用コネ
クタ35で構成される。 【0016】この保護片34は結合部33内から熱電対
用コネクタ35までの間の熱電対32を保護する如く連
設されていおり、例えば、第3図に示す如く、外径2m
m長さ5mmで内部に熱電対32を貫通可能な孔径1m
mの孔を備えた円筒状に形成されており、また、この保
護片34は、結合部33と熱電対用コネクタ35間を所
望の配線経路で配線できる如く屈折可能に間隔0.5m
m以下で連設されている。 【0017】そして、この温度検出手段28a、28b
の保護管31とその先端の露出した熱電対32が反応用
炉心管19内に挿入されている。なお温度検出手段28
a、28bにおける熱電対32は、夫々燃焼部用熱電対
及び酸化膜生成部用熱電対に相当する。また、熱電対用
コネクタ35が胴12内側のコネクタ29に接続され、
耐圧容器11外の図示しない制御部に検知温度を伝達可
能となっている。しかも、この図示しない制御部によ
り、高圧酸化炉は動作制御及び設定制御される。 【0018】次に、上述した高圧酸化炉の動作を説明す
る。まず、耐圧容器11の開閉蓋16を図示しない開閉
機構で開き、キャップ27を外し、半導体ウエハ17を
立設支持したボート18を反応用炉心管19内の所望の
酸化膜生成部24位置内に導入する。ここで、この搬入
動作時に反応用炉心管19内にN2 ガスを流入して不純
ガスを排出してもよい。そして、キャップ27を反応用
炉心管19に装着し、図示しない開閉機構で開閉蓋16
を閉じ、耐圧容器11内を密封する。 【0019】次に、図示しない圧力制御部により、反応
用炉心管19内の圧力が耐圧容器11内の圧力により1
気圧程度高くなるように制御し、例えば、反応用炉心管
19内圧力が7.5気圧程度、耐圧容器11内圧力が
6.5気圧程度となる如く設定する。この時既に、反応
用炉心管19内の燃焼部22と酸化膜生成部24は、燃
焼用ヒータ23と酸化膜生成用ヒータ25により各々所
望の処理温度、燃焼部22は酸素ガス及び水素ガスの燃
焼温度(例えば750℃程度)で,燃焼部用熱電対32
で加熱制御され、酸化膜生成部24は900℃程度とな
る如く、酸化膜生成部用熱電対32を用いて加熱制御さ
れている。 【0020】ここで、O2 ガス導入管20からO2 ガス
例えば流量3.6リットル/min程度燃焼部22に流
入し、同時に、H2 導入管21からH2 ガスを例えば流
量3.6リットル/min程度燃焼部22に流入して、
燃焼部22でこのH2 ガスとO2 ガスを燃焼して水蒸気
を生成する。この水蒸気により反応用炉心管19内は高
圧水蒸気雰囲気となり、酸化膜生成部24に導入された
ボート18に支持した半導体ウエハ17上に酸化膜を形
成する。この後、高圧水蒸気を図示しない機構を通して
反応用炉心管19から耐圧容器11外に排出する。 【0021】そして、O2 ガスとH2 ガスの流入を停止
し、耐圧容器11内と反応用炉心管19内を図示しない
圧力制御部で大気圧に戻し、開閉蓋16を図示しない開
閉機構で開き、キャップ27を外し、半導体ウエハ17
を立設支持したボート18を搬出して処理が終了する。 【0022】また処理中には、断熱部26からの輻射熱
の漏洩や水蒸気雰囲気により、耐圧容器11内が高温多
湿雰囲気となるが、コネクタ29と反応用炉心管19の
間の熱電対32を保護するために、連設した保護片34
を用いたので、この保護片34は劣化せず、従って熱電
対32が露出接触し、温度測定不能となることを防止で
きる。また、この保護片34は屈折可能に連設されてい
るため、所望のコネクタ29位置まで所望の配線経路で
熱電対用コネクタ35を配線接続できるので、例えば反
応用炉心管19を洗浄する場合等のメンテナンス時にガ
ス導入側蓋13を開いても、配線が柔軟に対応可能とな
り、温度検出手段28a、28bの部分が破損するのを
防止できる。 【0023】また、この温度検出手段28a、28b
は、反応用炉心管19内に熱電対32を挿入設定する場
合に、位置決め部例えば鍔部結合部33の鍔の部分を反
応用炉心管19又は断熱部26に突き当てて位置決め可
能なので、反応用炉心管19の洗浄時等、温度検出手段
28を取り外し、再びセットする時、常に同じ挿入位置
まで熱電対32を設定でき、同じ位置の温度を検出する
ことができる。 【0024】このような実施例によれば、燃焼部の温度
を直接検出しているので正確に検出でき、そしてその検
出温度が酸素ガス及び水素ガスが燃焼する温度になった
後酸素ガスと水素ガスとを反応用炉心管19内に導入し
ているため、生ガスが多量に反応用炉心管19内に流入
して一気に燃焼することを防止でき、従って反応用炉心
管19内が爆発して耐圧容器11が破損するという事故
を防止できる。 【0025】 【発明の効果】請求項1の発明によれば、燃焼部におけ
る検出温度が燃焼温度になった後酸素ガス及び水素ガス
を供給しているため、多量の酸素ガス及び水素ガスが一
気に燃焼することを防止でき、安全性が高い。 【0026】請求項2の発明によれば、燃焼部の検出温
度にもとづいて燃焼部の温度が酸素ガス及び水素ガスの
燃焼温度となるように燃焼用ヒータを制御しているた
め、多量の酸素ガス及び水素ガスが一気に燃焼すること
を防止でき、安全性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の高圧酸化炉を示す構成図であ
る。 【図2】温度検出手段を示す斜視図である。 【図3】温度検出手段の保護片を示す斜視図である。 【符号の説明】 11 耐圧容器 17 半導体ウエハ 19 反応用炉心管 28 温度検出手段 32 熱電対 34 保護片 35 熱電対用コネクタ
る。 【図2】温度検出手段を示す斜視図である。 【図3】温度検出手段の保護片を示す斜視図である。 【符号の説明】 11 耐圧容器 17 半導体ウエハ 19 反応用炉心管 28 温度検出手段 32 熱電対 34 保護片 35 熱電対用コネクタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 酸素ガス及び水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気
を生成する燃焼部と、前記水蒸気により被処理体に対し
て酸化膜生成処理を行う酸化膜生成部とが内部に形成さ
れる反応用炉心管を耐圧容器内に設けてなる高圧酸化炉
において、 前記反応用炉心管内の燃焼部に熱電対を設けて前記燃焼
部の温度を直接検出し、前記熱電対の検出温度が酸素ガ
ス及び水素ガスの燃焼温度になった後、酸素ガス及び水
素ガスを燃焼部に供給することを特徴とする高圧酸化処
理方法。 (2) 酸素ガス及び水素ガスを燃焼して高圧な水蒸気
を生成する燃焼部と、前記水蒸気により被処理体に対し
て酸化膜生成処理を行う酸化膜生成部とが内部に形成さ
れる反応用炉心管を耐圧容器内に設けてなる高圧酸化炉
において、 前記燃焼部を形成するように反応用炉心管の周りに設け
られた燃焼用ヒータと、 前記反応用炉心管の先端部から燃焼部まで伸び、反応用
炉心管に対して着脱自在に設けられた直管状の保護管
と、 前記直管状の保護管内に挿入され、前記保護管の先端に
検出部が露出した熱電対と、 前記熱電対の検出温度に基づいて燃焼部の温度が酸素ガ
ス及び水素ガスの燃焼温度となるように燃焼用ヒータを
制御する制御部と、 を有してなることを特徴とする高圧酸化炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5321130A JP2585962B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 高圧酸化炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5321130A JP2585962B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 高圧酸化炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06204210A true JPH06204210A (ja) | 1994-07-22 |
JP2585962B2 JP2585962B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=18129143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5321130A Expired - Lifetime JP2585962B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 高圧酸化炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2585962B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013227221A (ja) * | 1999-06-09 | 2013-11-07 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
US9869033B2 (en) | 1999-06-09 | 2018-01-16 | Ricoh Company, Ltd. | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
CN109853043A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-06-07 | 张忠恕 | 一种用于氢氧合成的氧化扩散炉系统点火腔室 |
CN111105989A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 对基片进行钝化的方法及钝化设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52154360A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-22 | Tel Thermco Kk | Device for high pressure oxidatioon diffusion for semiconductor |
JPS63263730A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Nec Corp | 半導体ウエハ熱処理装置 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5321130A patent/JP2585962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015017038A (ja) * | 1999-06-09 | 2015-01-29 | 株式会社リコー | 結晶製造装置 |
US9869033B2 (en) | 1999-06-09 | 2018-01-16 | Ricoh Company, Ltd. | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
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CN111105989B (zh) * | 2018-10-29 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 对基片进行钝化的方法及钝化设备 |
CN109853043A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-06-07 | 张忠恕 | 一种用于氢氧合成的氧化扩散炉系统点火腔室 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2585962B2 (ja) | 1997-02-26 |
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