JP2015017038A - 結晶製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
102 成長容器
103 金属供給管
104 III族金属
105 穴
106 加圧装置
107 反応容器の内部空間
108 窒素供給管
109 圧力制御装置
110 下部ヒーター
111 側部ヒーター
112 外側容器
113 第2の窒素供給管
114 圧力制御装置
115 断熱材
116 III族窒化物結晶
117 ニッケル膜
120 フラックス
121 III族金属
701 n型GaN基板
702 n型AlGaNクラッド層
703 n型GaNガイド層
704 InGaN MQW(多重量子井戸)活性層
705 p型GaNガイド層
706 p型AlGaNクラッド層
707 p型GaNコンタクト層
708 SiO2絶縁膜
709 p側オーミック電極
710 n側オーミック電極
801 GaN基板上
802 AlN絶縁層
803 GaNバッファ層
804 AlGaN下部障壁層
805 GaNチャネル層
806 AlGaN障壁層
807 n−GaNコンタクト層
808 ゲート電極
809 ソース電極
810 ドレイン電極
Claims (8)
- 原料を含む反応容器と、前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管と、前記反応容器の周囲に設けられた加熱用ヒーターと、前記加熱用ヒーターおよび前記反応容器を覆う外側容器とを備える結晶製造装置。
- 前記外側容器と前記反応容器との間の領域の圧力と、前記反応容器内の圧力との圧力差を減少させる圧力制御装置をさらに備える、請求項1に記載の結晶製造装置。
- 前記外側容器と前記反応容器との間の領域に、前記加熱用ヒーターを覆う断熱材をさらに備える、請求項1に記載の結晶製造装置。
- 前記外側容器と前記反応容器との間の領域にガスを供給するガス供給管をさらに備える、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の結晶製造装置。
- 前記原料と反応して結晶を形成させる気体は、前記外側容器と前記反応容器との間の領域に供給されるガスと同じガスからなる、請求項4に記載の結晶製造装置。
- 前記原料と反応して結晶を形成させる気体は、窒素ガスである、請求項5に記載の結晶製造装置。
- 前記反応容器の内部に配置され、前記原料を保持する成長容器をさらに備える、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の結晶製造装置。
- 前記原料に接する領域は、前記原料に溶出しない材質からなる、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の結晶製造装置。
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