JP4773408B2 - Iii族窒化物結晶の製造方法および結晶成長装置 - Google Patents
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反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶の製造方法において、少なくとも窒素を含む物質がガス状のものであり、III族窒化物結晶が成長する領域の窒素圧力を、結晶成長が開始する圧力に保持した後に、結晶成長が停止する窒素圧力まで低下させ、前記窒素圧力に保持した後、再度結晶成長が開始する窒素圧力に上昇させることを特徴とする。
第1の発明は、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させる結晶の製造方法において、III族窒化物結晶の成長条件を、III族窒化物結晶が開始する成長条件に保持した後に、結晶成長が停止する条件に保持し、その後再度結晶成長が開始する成長条件にすることを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法である。
第2の発明は、第1の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物結晶が成長する領域の温度を、結晶成長が開始する温度に保持した後に、結晶成長が停止しかつIII族金属と他の金属が合金を形成する温度以下に低下させ、その温度に保持した後、再度結晶成長が開始する温度に上昇させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。
第3の発明は、第2の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、成長温度の上昇、低下を複数回行うことを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。第3の発明は、第2の発明を複数回繰り返すことで、最終的に核発生した結晶核を種結晶としてIII族窒化物の結晶成長が進行する。
第4の発明は、第2の発明及び第3の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、少なくとも窒素を含む物質がガス状のものであり、常時そのガス圧を反応容器内に供給していることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。
が、1回でも効果はある。複数回することで、優先的な結晶核を発生することが可能となる。尚、この時の窒素圧力は50気圧であり、第2の従来技術である超高圧法での圧力と比較して大幅に低い。
第5の発明は、第4の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、少なくともIII族金属を含む物質を温度低下時に追加供給することを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。
第6の発明は、第1の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、少なくとも窒素を含む物質がガス状のものであり、III族窒化物結晶が成長する領域の実効的窒素圧力を、結晶成長が開始する圧力に保持した後に、結晶成長が停止する実効的窒素圧力まで低下させ、前記実効的窒素圧力に保持した後、再度結晶成長が開始する実効的窒素圧力に上昇させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。
第7の発明は、第6の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、実効的窒素圧力の上昇、低下を複数回行うことを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。
反応容器101内には、III族金属としてのGaとフラックスとしてのNaの混合融液102がある。反応容器101には、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置106が具備されている。
第8の発明は、第7の発明のIII族窒化物結晶成長方法において、少なくともIII族金属を含む物質を実効的窒素圧力低下時に追加供給することを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法である。
この実施例で用いる結晶成長装置は、第5の発明の実施例で説明した図3の結晶成長装置を用いる。図6は本発明の反応容器の圧力シーケンスを表した図である。図3の説明は割愛する。
第9の発明は、第1〜第8の発明の結晶成長方法を用いて結晶成長を行うIII族窒化物結晶の結晶成長装置である。
第10の発明は、第1〜第8の発明の結晶成長方法と第9の発明の結晶成長装置を用いて結晶成長するIII族窒化物結晶である。
第11の発明は、第10の発明のIII族窒化物結晶を用いて作製したIII族窒化物半導体デバイスである。
102:Naの混合融液
103:反応容器内の空間
104:窒素供給管
105:圧力調整機構
106:加熱装置
107:GaN結晶
302:混合融液
303:GaとNaの混合融液302と反応容器内の空間
307,308:GaN結晶
309:金属Ga
310:III族金属供給管
311:III族金属供給管310の最先端
501:n型GaN基板
502:n型AlGaNクラッド層
503:n型GaNガイド層
504:InGaNMQW(多重量子井戸)活性層
505:p型GaNガイド層
506:p型AlGaNクラッド層
507:p型GaNコンタクト層
508:SiO2絶縁膜
509:p側オーミック電極Au/Ni
510:n側オーミック電極Al/Ti
Claims (7)
- 反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶の製造方法において、
少なくとも窒素を含む物質がガス状のものであり、III族窒化物結晶が成長する領域の窒素圧力を、結晶成長が開始する圧力に保持した後に、結晶成長が停止する窒素圧力まで低下させ、前記窒素圧力に保持した後、再度結晶成長が開始する窒素圧力に上昇させることを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。 - 窒素圧力の上昇、低下を複数回行うことを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 少なくともIII族金属を含む物質を窒素圧力低下時に追加供給することを特徴とする請求項2に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 請求項1から3の何れかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法を用いて結晶成長を行うことを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長装置。
- 反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶の製造方法において、
III族窒化物結晶が成長する領域の温度を、結晶成長が開始する温度に昇温して保持し種結晶を生成する工程と、その後、結晶成長が停止する温度に低下させ保持する工程と、
再度結晶成長が開始する温度に昇温して保持し前記種結晶を核としてIII族窒化物結晶を成長させる工程と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。 - 請求項5記載のIII族窒化物結晶の製造方法において、
III族窒化物結晶が成長する領域の温度を、結晶成長が開始する温度に昇温して保持し種結晶を生成する工程と、その後、結晶成長が停止する温度に低下させ保持する工程とを複数回行うことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。 - 少なくとも前記窒素を含む物質がガス状のものであり、常時そのガス圧を反応容器内に供給していることを特徴とする請求項5または6に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
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