JP5348123B2 - 結晶製造装置 - Google Patents
結晶製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5348123B2 JP5348123B2 JP2010290621A JP2010290621A JP5348123B2 JP 5348123 B2 JP5348123 B2 JP 5348123B2 JP 2010290621 A JP2010290621 A JP 2010290621A JP 2010290621 A JP2010290621 A JP 2010290621A JP 5348123 B2 JP5348123 B2 JP 5348123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction vessel
- group iii
- crystal
- nitrogen
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
102 成長容器
103 金属供給管
104 III族金属
105 穴
106 加圧装置
107 反応容器の内部空間
108 窒素供給管
109 圧力制御装置
110 下部ヒーター
111 側部ヒーター
112 外側容器
113 第2の窒素供給管
114 圧力制御装置
115 断熱材
116 III族窒化物結晶
117 ニッケル膜
120 フラックス
121 III族金属
701 n型GaN基板
702 n型AlGaNクラッド層
703 n型GaNガイド層
704 InGaN MQW(多重量子井戸)活性層
705 p型GaNガイド層
706 p型AlGaNクラッド層
707 p型GaNコンタクト層
708 SiO2絶縁膜
709 p側オーミック電極
710 n側オーミック電極
801 GaN基板上
802 AlN絶縁層
803 GaNバッファ層
804 AlGaN下部障壁層
805 GaNチャネル層
806 AlGaN障壁層
807 n−GaNコンタクト層
808 ゲート電極
809 ソース電極
810 ドレイン電極
Claims (2)
- 原料を含む反応容器と、前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管と、前記反応容器の周囲に設けられた加熱用ヒーターと、前記加熱用ヒーターおよび前記反応容器を覆う外側容器と、前記反応容器に供給される原料としてのIII族金属が貯えられている金属供給管と、前記外側容器と前記反応容器との間の領域の圧力と前記反応容器内の圧力との圧力差を減少させる圧力制御装置とを備える結晶製造装置。
- 前記加熱用ヒーターは、前記成長容器の底側と、前記反応容器の側面に設けられており、前記成長容器の温度と、前記金属供給管のIII族金属が貯えられている領域の温度とを任意の温度に制御できる請求項1に記載の結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010290621A JP5348123B2 (ja) | 1999-06-09 | 2010-12-27 | 結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16241199 | 1999-06-09 | ||
JP1999162411 | 1999-06-09 | ||
JP2010290621A JP5348123B2 (ja) | 1999-06-09 | 2010-12-27 | 結晶製造装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007208069A Division JP4675942B2 (ja) | 1999-06-09 | 2007-08-09 | 結晶製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013134168A Division JP2013227221A (ja) | 1999-06-09 | 2013-06-26 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011073968A JP2011073968A (ja) | 2011-04-14 |
JP5348123B2 true JP5348123B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=44018334
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010290621A Expired - Lifetime JP5348123B2 (ja) | 1999-06-09 | 2010-12-27 | 結晶製造装置 |
JP2013134168A Pending JP2013227221A (ja) | 1999-06-09 | 2013-06-26 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP2014191428A Expired - Lifetime JP5971297B2 (ja) | 1999-06-09 | 2014-09-19 | 結晶製造装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013134168A Pending JP2013227221A (ja) | 1999-06-09 | 2013-06-26 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP2014191428A Expired - Lifetime JP5971297B2 (ja) | 1999-06-09 | 2014-09-19 | 結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP5348123B2 (ja) |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4925817B1 (ja) * | 1970-03-07 | 1974-07-03 | ||
JPS5651160B2 (ja) * | 1974-05-20 | 1981-12-03 | ||
FR2313976A1 (fr) * | 1975-06-13 | 1977-01-07 | Labo Electronique Physique | Procede de fabrication de monocristaux de nitrure de gallium et monocristaux obtenus par la mise en oeuvre de ce procede |
JPS54119400A (en) * | 1978-07-11 | 1979-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of nitrogen compound of 3b group element |
JPS56160400A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Growing method for gallium nitride |
JPH0818918B2 (ja) * | 1990-08-11 | 1996-02-28 | 積水化成品工業株式会社 | 繊維状チタン酸鉛の製造方法 |
PL173917B1 (pl) * | 1993-08-10 | 1998-05-29 | Ct Badan Wysokocisnieniowych P | Sposób wytwarzania krystalicznej struktury wielowarstwowej |
JP2585962B2 (ja) * | 1993-11-25 | 1997-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 高圧酸化炉 |
JPH07273048A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法 |
JPH09134913A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JPH107496A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物結晶の製造方法およびその装置 |
US5868837A (en) * | 1997-01-17 | 1999-02-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Low temperature method of preparing GaN single crystals |
JPH111395A (ja) * | 1997-06-09 | 1999-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
JP3622440B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2005-02-23 | 日立電線株式会社 | 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法 |
JP3533938B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2004-06-07 | 日立電線株式会社 | 窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法 |
JP3991393B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2007-10-17 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体の製造装置 |
JPH11171699A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-06-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | GaNP単結晶成長方法 |
JP4011828B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2007-11-21 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の結晶成長方法及びiii族窒化物結晶の製造方法 |
-
2010
- 2010-12-27 JP JP2010290621A patent/JP5348123B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-06-26 JP JP2013134168A patent/JP2013227221A/ja active Pending
-
2014
- 2014-09-19 JP JP2014191428A patent/JP5971297B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013227221A (ja) | 2013-11-07 |
JP2015017038A (ja) | 2015-01-29 |
JP5971297B2 (ja) | 2016-08-17 |
JP2011073968A (ja) | 2011-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4011828B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の結晶成長方法及びiii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP3929657B2 (ja) | 結晶成長方法およびiii族窒化物結晶の製造方法 | |
US9869033B2 (en) | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate | |
JP4801315B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4055110B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2000021772A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4245822B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP3966682B2 (ja) | 結晶成長方法、結晶成長装置、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP4190711B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の結晶製造方法および結晶製造装置 | |
JP4784922B2 (ja) | Iii族窒化物結晶製造方法 | |
JP4640899B2 (ja) | Iii族窒化物結晶成長装置 | |
JP4056664B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2000164510A (ja) | 窒化物系iii−v族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP5971297B2 (ja) | 結晶製造装置 | |
JP4551026B2 (ja) | Iii族窒化物結晶成長装置およびiii族窒化物結晶成長方法 | |
JP4675942B2 (ja) | 結晶製造装置 | |
JP4414247B2 (ja) | Iii族窒化物の結晶製造方法 | |
JP2007001858A (ja) | 結晶製造装置、iii族窒化物結晶および半導体デバイス | |
JP5678981B2 (ja) | 結晶製造方法 | |
JP4971274B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4773408B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法および結晶成長装置 | |
JP4956515B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP5278456B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4768656B2 (ja) | 結晶成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5348123 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |