JPH118202A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH118202A JPH118202A JP16015497A JP16015497A JPH118202A JP H118202 A JPH118202 A JP H118202A JP 16015497 A JP16015497 A JP 16015497A JP 16015497 A JP16015497 A JP 16015497A JP H118202 A JPH118202 A JP H118202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- process tube
- gas
- tube
- temperature
- gas introduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】半導体製造装置、特に半導体基板を熱処理
する横型拡散炉に関する。横型拡散炉において、ガスの
導入管を延長させることにより室温のガスをあたためて
プロセスチューブ内に導入することによって、プロセス
チューブ内の上下方向における温度を均一にする。横型
拡散炉において、プロセスチューブ１３内に供給される
ガスの導入管１５を延長し、プロセスチューブ１３の回
りを走らす事により、ヒーター１４により暖められられ
てからプロセスチューブ１３内に供給する。 【効果】プロセスチューブ内の上下方向における温度を
均一にする事によりプロセスチューブ内で処理される半
導体基板上部及び下部の温度を一定に出来る。これによ
り、例えば、半導体基板に形成される酸化膜の厚さは一
定となる。
する横型拡散炉に関する。横型拡散炉において、ガスの
導入管を延長させることにより室温のガスをあたためて
プロセスチューブ内に導入することによって、プロセス
チューブ内の上下方向における温度を均一にする。横型
拡散炉において、プロセスチューブ１３内に供給される
ガスの導入管１５を延長し、プロセスチューブ１３の回
りを走らす事により、ヒーター１４により暖められられ
てからプロセスチューブ１３内に供給する。 【効果】プロセスチューブ内の上下方向における温度を
均一にする事によりプロセスチューブ内で処理される半
導体基板上部及び下部の温度を一定に出来る。これによ
り、例えば、半導体基板に形成される酸化膜の厚さは一
定となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積装置の
製造に用いられる熱酸化による半導体製造装置に関す
る。
製造に用いられる熱酸化による半導体製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の横型拡散炉における断面図
である。図において４１は半導体基板（以下ウェーハと
いう）、４２はボート、４３はプロセスチューブ、４４
はヒーター、４５はガス導入管である。
である。図において４１は半導体基板（以下ウェーハと
いう）、４２はボート、４３はプロセスチューブ、４４
はヒーター、４５はガス導入管である。
【０００３】従来の横型拡散炉において、半導体基板を
熱処理する際、プロセスチューブ内にガスを供給する
が、室温のガスが直接チューブ内に導入し熱処理してい
た。
熱処理する際、プロセスチューブ内にガスを供給する
が、室温のガスが直接チューブ内に導入し熱処理してい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体集積装置の製造方法にあっては、室温のガス
が直接チューブ内に導入されるためチューブ内の温度分
布が不均一となる問題を有していた。
来の半導体集積装置の製造方法にあっては、室温のガス
が直接チューブ内に導入されるためチューブ内の温度分
布が不均一となる問題を有していた。
【０００５】そこで本発明は、ガス導入管を延長するこ
とにより前記問題点を解消した半導体製造装置を提供す
る事を目的とする。
とにより前記問題点を解消した半導体製造装置を提供す
る事を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体製造装置は、横型拡散炉において、プロセスチュ
ーブ内に導入するガスの温度を上げることを目的として
ガスの導入管を延長したプロセスチューブを使用するこ
とを特徴とする。
半導体製造装置は、横型拡散炉において、プロセスチュ
ーブ内に導入するガスの温度を上げることを目的として
ガスの導入管を延長したプロセスチューブを使用するこ
とを特徴とする。
【０００７】この発明によれば、ガスの導入管を延長さ
せることにより室温のガスをあたためてプロセスチュー
ブ内に導入ことができるため、プロセスチューブ内の温
度分布を均一にするという効果を奏する。
せることにより室温のガスをあたためてプロセスチュー
ブ内に導入ことができるため、プロセスチューブ内の温
度分布を均一にするという効果を奏する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１，２は、請求項１記載の発明
に係わる半導体製造装置の実施の形態を示す概略図及び
断面図であり、図３は図２を上部から見たものである。
図１はプロセスチューブ内に１本のガス導入管を持つも
のであり、図２，３は、水素をプロセスチューブ内で燃
焼させる内部燃焼方式の横型拡散炉である。
に基づいて説明する。図１，２は、請求項１記載の発明
に係わる半導体製造装置の実施の形態を示す概略図及び
断面図であり、図３は図２を上部から見たものである。
図１はプロセスチューブ内に１本のガス導入管を持つも
のであり、図２，３は、水素をプロセスチューブ内で燃
焼させる内部燃焼方式の横型拡散炉である。
【０００９】（実施の形態１）図１の横型拡散炉におい
て、プロセスチューブ１３内にウェーハ１１をボート１
２にセットし、延長されたガス導入菅１５を通じてプロ
セスチューブ１３内にプロセスガスを送り込みながら、
ヒーター１４でプロセスチューブ１３内を所定の処理温
度にする装置である。ガス導入管を延長しプロセスチュ
ーブ１３の回りを走らす事により、プロセスチューブ１
３内に供給されるガスは、ヒーター１４により暖められ
る。前記暖められたガスが、プロセスチューブ１３内に
供給されるため、プロセスチューブ１３内の温度分布を
均一にするという効果を奏する。なお図１ではスパイラ
ル状にプロセスチューブ１３の回りを走らせているが、
形状は限定しない。
て、プロセスチューブ１３内にウェーハ１１をボート１
２にセットし、延長されたガス導入菅１５を通じてプロ
セスチューブ１３内にプロセスガスを送り込みながら、
ヒーター１４でプロセスチューブ１３内を所定の処理温
度にする装置である。ガス導入管を延長しプロセスチュ
ーブ１３の回りを走らす事により、プロセスチューブ１
３内に供給されるガスは、ヒーター１４により暖められ
る。前記暖められたガスが、プロセスチューブ１３内に
供給されるため、プロセスチューブ１３内の温度分布を
均一にするという効果を奏する。なお図１ではスパイラ
ル状にプロセスチューブ１３の回りを走らせているが、
形状は限定しない。
【００１０】（実施の形態２）図２，３は、水素ガスを
水素ガス導入管２５からプロセスチューブ２３内に導入
し、水素以外のガス（酸素または酸素と他のプロセスガ
ス）は、水素以外のガス導入管２７から導入して前記プ
ロセスチューブ２３内で水素ガスを燃焼し水蒸気を発生
させ、その水蒸気を酸化種として熱酸化する横型拡散炉
である。なお図１同様に、プロセスチューブ２３内にウ
ェーハ2１をボート2２にセットしている。
水素ガス導入管２５からプロセスチューブ２３内に導入
し、水素以外のガス（酸素または酸素と他のプロセスガ
ス）は、水素以外のガス導入管２７から導入して前記プ
ロセスチューブ２３内で水素ガスを燃焼し水蒸気を発生
させ、その水蒸気を酸化種として熱酸化する横型拡散炉
である。なお図１同様に、プロセスチューブ２３内にウ
ェーハ2１をボート2２にセットしている。
【００１１】この内部燃焼方式の横型拡散炉における水
素以外のガスの導入については、実施の形態１同様に、
ガス導入管を延長しプロセスチューブ２３の回りを回す
事により、ヒーター２４で暖められ、前記暖められたガ
スをプロセスチューブ２３内に供給しプロセスチューブ
２３内の温度分布を均一にするという効果を奏するが、
水素ガス燃焼部２６は所定のウェーハ処理温度に比べ高
温となっているため、水素ガス燃焼部２６の熱的影響を
少なくしすることを目的として、水素ガス以外のガス導
入管２７を延長しプロセスチューブ２３の回りを回す部
分を水素ガス燃焼部２６付近を集中させることが一番効
率が良い。なお図２，３では渦巻き状に回しているが、
形状は限定しない。
素以外のガスの導入については、実施の形態１同様に、
ガス導入管を延長しプロセスチューブ２３の回りを回す
事により、ヒーター２４で暖められ、前記暖められたガ
スをプロセスチューブ２３内に供給しプロセスチューブ
２３内の温度分布を均一にするという効果を奏するが、
水素ガス燃焼部２６は所定のウェーハ処理温度に比べ高
温となっているため、水素ガス燃焼部２６の熱的影響を
少なくしすることを目的として、水素ガス以外のガス導
入管２７を延長しプロセスチューブ２３の回りを回す部
分を水素ガス燃焼部２６付近を集中させることが一番効
率が良い。なお図２，３では渦巻き状に回しているが、
形状は限定しない。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように本発明の半導体集積装
置の製造方法によれば、半導体基板を熱処理する横型拡
散炉においてプロセスチューブに導入するガスの温度を
上げることにより、プロセスチューブ内の上下方向にお
ける温度が均一にする事が出来、プロセスチューブ内で
処理される半導体基板の温度は上部及び下部共に均一に
出来る効果があるため、例えば、半導体基板に形成され
る酸化膜の厚さは一定となる。
置の製造方法によれば、半導体基板を熱処理する横型拡
散炉においてプロセスチューブに導入するガスの温度を
上げることにより、プロセスチューブ内の上下方向にお
ける温度が均一にする事が出来、プロセスチューブ内で
処理される半導体基板の温度は上部及び下部共に均一に
出来る効果があるため、例えば、半導体基板に形成され
る酸化膜の厚さは一定となる。
【図１】本発明の半導体製造装置のうちプロセスチュー
ブ内に１本のガス導入管を持つ横型拡散炉の一実施の形
態を示す概略図である。
ブ内に１本のガス導入管を持つ横型拡散炉の一実施の形
態を示す概略図である。
【図２】本発明の半導体製造装置のうち水素をプロセス
チューブ内で燃焼させる内部燃焼方式の横型拡散炉の一
実施の形態を示す断面図である。
チューブ内で燃焼させる内部燃焼方式の横型拡散炉の一
実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体製造装置のうち水素をプロセス
チューブ内で燃焼させる内部燃焼方式の横型拡散炉の一
実施の形態を示す上部からみた図である。
チューブ内で燃焼させる内部燃焼方式の横型拡散炉の一
実施の形態を示す上部からみた図である。
【図４】従来の半導体製造装置の横型拡散炉の一実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
１１．ウェーハ １２．ボート １３．プロセスチューブ １４．ヒーター １５．延長されたガス導入管 ２１．ウェーハ ２２．ボート ２３．プロセスチューブ ２４．ヒーター ２５．水素ガス導入管 ２６．水素ガス燃焼部 ２７．延長された水素以外のガス導入管 ４１．ウェーハ ４２．ボート ４３．プロセスチューブ ４４．ヒーター ４５．ガス導入管
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板を熱処理する横型拡散炉におい
てプロセスチューブに導入するガスの温度を上げること
を目的としてガスの導入管を延長したプロセスチューブ
を使用することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16015497A JPH118202A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16015497A JPH118202A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118202A true JPH118202A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15709050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16015497A Withdrawn JPH118202A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4856184A (en) * | 1988-06-06 | 1989-08-15 | Tektronix, Inc. | Method of fabricating a circuit board |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP16015497A patent/JPH118202A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4856184A (en) * | 1988-06-06 | 1989-08-15 | Tektronix, Inc. | Method of fabricating a circuit board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0737832A (ja) | 縦型熱処理炉 | |
| JPH08264521A (ja) | 半導体製造用反応炉 | |
| JPH11176822A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH06163517A (ja) | 低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法 | |
| JPH10107018A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
| JPH118202A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPH0724266B2 (ja) | 酸化膜形成方法 | |
| JPH0364912A (ja) | 水素燃焼酸化拡散炉 | |
| CN219656077U (zh) | 半导体热氧化工艺所需点火器 | |
| JPS63263730A (ja) | 半導体ウエハ熱処理装置 | |
| JP3074823B2 (ja) | 半導体ウェハー用熱処理装置 | |
| JPH08316156A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS62185329A (ja) | シリコン酸化装置 | |
| JP2557137B2 (ja) | 半導体製造用加熱装置 | |
| JPS5860543A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPS61141123A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3689363B2 (ja) | 超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法 | |
| JPH08181082A (ja) | 縦型高速熱処理装置 | |
| JPH1187329A (ja) | 水蒸気供給システムおよび酸化処理装置 | |
| JP2893670B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06208964A (ja) | シリコンウエハーにおける拡散及び酸化処理装置 | |
| JPH09232300A (ja) | ファーネス用燃焼装置及び燃焼方法 | |
| JPS5922114Y2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2746639B2 (ja) | パイロ酸化，リン拡散におけるウェーハ前処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |