JPS5922114Y2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPS5922114Y2 JPS5922114Y2 JP16050979U JP16050979U JPS5922114Y2 JP S5922114 Y2 JPS5922114 Y2 JP S5922114Y2 JP 16050979 U JP16050979 U JP 16050979U JP 16050979 U JP16050979 U JP 16050979U JP S5922114 Y2 JPS5922114 Y2 JP S5922114Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- opening
- heat treatment
- core tube
- preheating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体ウェーバ等の拡散処理等に用いる熱処
理装置に関する。
理装置に関する。
従来、半導体ウェーバの拡散に用いられている熱処理装
置、すなわち拡散炉は第１図に示すような構造を有して
いる。
置、すなわち拡散炉は第１図に示すような構造を有して
いる。
図において、１は炉心管で、一方端に縮径した開口部で
あるガス導入口２を有し、他方端に縮径しない開口部３
を有する。
あるガス導入口２を有し、他方端に縮径しない開口部３
を有する。
４は開口部３に装着される蓋体で、中央にガス排出口５
を有する。
を有する。
６は炉心管１の周囲に配置されたヒータである。
７はボートで被処理物である多数の半導体ウェーバ８が
整列して支持されている。
整列して支持されている。
上記の構成において、ガス導入口２からキャリヤガスと
共にトンパントガス９を導入しなからヒータ６に通電し
て半導体ウェーバ８を加熱して、半導体ウェーバ８に所
定のドーパン１〜を拡散していく。
共にトンパントガス９を導入しなからヒータ６に通電し
て半導体ウェーバ８を加熱して、半導体ウェーバ８に所
定のドーパン１〜を拡散していく。
しかしながら、上記の構造では、半導体ウェーバ８のう
ちガス導入口２に最も近い半導体ウェーバ゛８、ａは、
ガス導入口２から導入される比較的低温のガスに接触し
ているのに対して、他端のガス排出口５に最も近い半導
体ウェーバ８ｂは高温の半導体ウェーバ８に順次接触し
てきた比較的高温のガスに接触することになり、前記半
導体ウェーバ８ａと８ｂとの間でシート抵抗ρＳ、すな
わち半導体ウェーバ中の不純物濃度にばらつきを生ずる
という問題点があった。
ちガス導入口２に最も近い半導体ウェーバ゛８、ａは、
ガス導入口２から導入される比較的低温のガスに接触し
ているのに対して、他端のガス排出口５に最も近い半導
体ウェーバ８ｂは高温の半導体ウェーバ８に順次接触し
てきた比較的高温のガスに接触することになり、前記半
導体ウェーバ８ａと８ｂとの間でシート抵抗ρＳ、すな
わち半導体ウェーバ中の不純物濃度にばらつきを生ずる
という問題点があった。
この考案はこのような問題点を解決するために提案され
たもので、炉心管内に一方の開口部から被処理物までの
ガス導入路の長さを増大するガス予熱手段を設けたこと
を特徴とする。
たもので、炉心管内に一方の開口部から被処理物までの
ガス導入路の長さを増大するガス予熱手段を設けたこと
を特徴とする。
以下、この考案の一実施例を図面により説明する。
第２図において、１１は石英製の炉心管で、一方端に縮
径した開口部であるガス導入口１２を有し、他方端に縮
径しない開口部１３を有する。
径した開口部であるガス導入口１２を有し、他方端に縮
径しない開口部１３を有する。
１４は開口部１３に装着される石英製の蓋体で、中央に
ガス排出口１５を有する。
ガス排出口１５を有する。
１６は炉心管１１の周囲に配設されたヒータである。
１７は石英製またはシリコン製のボートで、被処理物で
ある多数の半導体つ工−ハ１８が整列して支持されてい
る。
ある多数の半導体つ工−ハ１８が整列して支持されてい
る。
以上の構成は第１図の従来装置と特に異なるものではな
い。
い。
この考案では一方の開口部、すなわちガス導入口１２か
ら炉心管１１内に、ガス導入口１２から被処理ｖＩＪ１
８までのガス導入路の長さを増大するガス予熱手段２０
を設けて、その一端２０ ａからキャリヤガスおよびド
ーパントガス１９を導入し、他端２０ｂから炉心管１１
内にガス１９を排出するようにしている。
ら炉心管１１内に、ガス導入口１２から被処理ｖＩＪ１
８までのガス導入路の長さを増大するガス予熱手段２０
を設けて、その一端２０ ａからキャリヤガスおよびド
ーパントガス１９を導入し、他端２０ｂから炉心管１１
内にガス１９を排出するようにしている。
このガス予熱手段２０は例えば石英製で図示例では螺旋
状に巻回した構成を有する。
状に巻回した構成を有する。
上記構成において、ガス予熱手段２０の一端２０ａから
キャリヤガスのみを導入して炉心管１１内の空気をパー
ジし、ヒータ１６に通電して炉心管１１内を所定の高温
状態にしておいて、蓋体１４を開いてボート１７上に支
持した多数の半導体ウェーバ１８を炉心管１１内に搬入
し、再び開口部１３に蓋体１４を装着する。
キャリヤガスのみを導入して炉心管１１内の空気をパー
ジし、ヒータ１６に通電して炉心管１１内を所定の高温
状態にしておいて、蓋体１４を開いてボート１７上に支
持した多数の半導体ウェーバ１８を炉心管１１内に搬入
し、再び開口部１３に蓋体１４を装着する。
この状態でガス予熱手段２０の一端２０ ａからキャリ
ヤガスと共にドーパントガス１９を導入する。
ヤガスと共にドーパントガス１９を導入する。
すると、このガス１９はガス予熱手段２０内を通って他
端２０ ｂから炉心管１１内に入るが、ガス予熱手段２
０は螺旋状に形成されているので、その一端２０ ａか
ら他端２０ ｂに到るガス導入路の長さが著しく長くな
り、かつ従ってガス１９が十分に予熱され分解された状
態で炉心管１１内に入る。
端２０ ｂから炉心管１１内に入るが、ガス予熱手段２
０は螺旋状に形成されているので、その一端２０ ａか
ら他端２０ ｂに到るガス導入路の長さが著しく長くな
り、かつ従ってガス１９が十分に予熱され分解された状
態で炉心管１１内に入る。
このため、半導体ウェーバ１８のうちガス導入口１２に
最も近い半導体ウェーバ１８ ａもガス排出口１５に最
も近い半導体ウェーバ１８ｂも、従来に比し格段に温度
差の小さいガス１９に接触することになり、半導体ウェ
ーバ１８ａと１８ ｂとの間でシート抵抗ρＳ、すなわ
ち半導体ウェーバ１８中の不純物濃度のばらつきが格段
に小さくなる。
最も近い半導体ウェーバ１８ ａもガス排出口１５に最
も近い半導体ウェーバ１８ｂも、従来に比し格段に温度
差の小さいガス１９に接触することになり、半導体ウェ
ーバ１８ａと１８ ｂとの間でシート抵抗ρＳ、すなわ
ち半導体ウェーバ１８中の不純物濃度のばらつきが格段
に小さくなる。
なお、ガス予熱手段は螺旋状に形成したものについて説
明したが、蛇行状に形成してもよい。
明したが、蛇行状に形成してもよい。
また、上記実施例は、キャリヤガスおよびドーパントガ
スをガス予熱手段２０に導入する場合について説明した
が、もし必要ならば、キャリヤガスは炉心管１１のガス
導入口１２から導入し、ドーパントガスのみをガス予熱
手段２０に導入するようにしてもよい。
スをガス予熱手段２０に導入する場合について説明した
が、もし必要ならば、キャリヤガスは炉心管１１のガス
導入口１２から導入し、ドーパントガスのみをガス予熱
手段２０に導入するようにしてもよい。
さらに、上記実施例は半導体ウェーバ１８の不純物拡散
について説明したが、酸化膜や窒化膜等の絶縁膜の形成
や、あるいはガスエツチング等にも用いることができる
。
について説明したが、酸化膜や窒化膜等の絶縁膜の形成
や、あるいはガスエツチング等にも用いることができる
。
この考案は以上のように、両端に開口部を有する炉心管
の周囲にヒータを配置し、一方の開口部からガスを導入
し他方の開口部から排出しながら炉心管内の被処理物に
所定の熱処理を施す熱処理装置において、前記炉心管内
に前記一方の開口部から被処理物までのガス導入路の長
さを増大するガス予熱手段を設けたから、このガス予熱
手段の一端から導入されたガスが、ガス予熱手段内を通
る間に十分加熱ないし分解された状態で他端から炉心管
内に供給されるので、半導体ウェーバ等の被処理物の位
置によるガス温度のばらつきが少なくなり、各被処理物
間のシート抵抗ρＳ等の熱処理のばらつきが少なくなる
という効果を奏する。
の周囲にヒータを配置し、一方の開口部からガスを導入
し他方の開口部から排出しながら炉心管内の被処理物に
所定の熱処理を施す熱処理装置において、前記炉心管内
に前記一方の開口部から被処理物までのガス導入路の長
さを増大するガス予熱手段を設けたから、このガス予熱
手段の一端から導入されたガスが、ガス予熱手段内を通
る間に十分加熱ないし分解された状態で他端から炉心管
内に供給されるので、半導体ウェーバ等の被処理物の位
置によるガス温度のばらつきが少なくなり、各被処理物
間のシート抵抗ρＳ等の熱処理のばらつきが少なくなる
という効果を奏する。
第１図は従来の熱処理装置の断面図、第２図はこの考案
の一実施例の熱処理装置の断面図である。 １１・・・炉心管、１２・・・一方の開口部（ガス導入
口）、１３・・・他方の開口部、１４・・・蓋体、１５
・・・ガス排出口、１６・・・ヒータ、１８・・・被処
理物（半導体ウェーバ）、１９・・・ガス、２０・・・
ガス予熱手段。
の一実施例の熱処理装置の断面図である。 １１・・・炉心管、１２・・・一方の開口部（ガス導入
口）、１３・・・他方の開口部、１４・・・蓋体、１５
・・・ガス排出口、１６・・・ヒータ、１８・・・被処
理物（半導体ウェーバ）、１９・・・ガス、２０・・・
ガス予熱手段。
Claims (1)
- 両端に開口部を有する炉心管の周囲にヒータを配置し、
一方の開口部からガスを導入し他方の開口部から排出し
ながら炉心管内の被処理物に熱処理を施す熱処理装置に
おいて、前記炉心管内に前記一方の開口部から被処理物
までのガス導入路の長さを増大するガス予熱手段を設け
たことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16050979U JPS5922114Y2 (ja) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16050979U JPS5922114Y2 (ja) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5678864U JPS5678864U (ja) | 1981-06-26 |
| JPS5922114Y2 true JPS5922114Y2 (ja) | 1984-07-02 |
Family
ID=29671639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16050979U Expired JPS5922114Y2 (ja) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922114Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-11-19 JP JP16050979U patent/JPS5922114Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5678864U (ja) | 1981-06-26 |
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