JPS605511A - 半導体用拡散装置 - Google Patents

半導体用拡散装置

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JPS605511A
JPS605511A JP11279283A JP11279283A JPS605511A JP S605511 A JPS605511 A JP S605511A JP 11279283 A JP11279283 A JP 11279283A JP 11279283 A JP11279283 A JP 11279283A JP S605511 A JPS605511 A JP S605511A
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JP
Japan
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diffusion
source
heating
temperature
preheated
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Pending
Application number
JP11279283A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Nagasaka
長坂　秀一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS605511A publication Critical patent/JPS605511A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体ウエノ・に不純物拡散を施す開管方式
の拡散装置を改良するものである。
〔発明の技術的背景〕
従来、半導体ウェハ（以降ウェハと略称）に不純物拡散
を施す開管方式の拡散装置に′Ｍ４Ｊ１図に示すものが
用いられている。図において、（１）は開管型の加熱容
器で、その一端に拡散源の不純物を含むキャリヤガスを
送入する拡散源送入部（２）を備え、送入されたキャリ
ヤガスはホモジナイザ（３）から加熱容器の横断面の各
部に適宜の流速で流される。
すなわち１図のような石英管の加熱容器の場合、軸部の
流れと管壁に近い部分との流れが所定になるように調節
して設けられた開孔で外戚される。
また、加熱容器（１）にはこれに外囲させて均熱管（４
）を介してヒータ（５）が設けられており、加熱容器内
に均熱部を形成するのでこの部分にウエノ・を配罰し拡
散を施す。
〔背景技術の問題点〕
叙上の従来の拡散層し、には次にあげる問題がある。
まず、送入されるキャリヤガスによってウエノ・が冷却
されるため、ガスの送入（１１１ｉで―ウエノ・の拡散
層の表面濃度の低下（デポジションの場合）、拡散層の
深さく７．ランピングの場合）などのばらつきを生ずる
。例えに、拡散層を５０μｎ１の深さに形成する場合２
．５μｍの低減をみる。このため、得られる半導体素子
の電気的特性のばらつきが避けられないという重大な問
題がある。
〔発明の目的〕
この発明は開管型の半導体用拡散装置について。
送入される拡散源及びキャリヤガスを予熱するように改
良する。
〔発明の概要〕
この発明にかかる半導体用拡散装置は、開管型の加熱容
器の一端に拡散源送入部を備え加熱容器内に半導体ウェ
ハな並立させて配置し拡散を施す拡散装置において、加
熱容器の拡散源送入側に拡散層を拡散温度に近い温度に
まで拡散の加熱源と独立して予熱する拡散源加熱装置を
具備したことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に１実施例につき図面を参照して詳細に説明する。１
実施例を示す第２図の従来の拡散装置を示す第１図と変
らない部分には同じ符号を付して示し、説明を省略する
。図において、加熱容器（１１）は一端の拡散源送入部
（２）から送入されたキャリヤガスは送入部から所定距
離をもって設けられたホモジナイザ（１ツに至る間、予
熱されるように加熱容器に外囲させた均熱管（１初を介
してサブヒータ（１４）が設けられている。このように
形成された予熱部（１っでキャリヤガスは拡散温度の７
０１．以上の温度に予熱されてホモジナイザ（３）を通
過するようになっている。
なお、均熱管α■は予熱部（１５）のザブヒータ（＋４
）のため設けられているが、予熱部の温１バを拡散温度
の７０係以上とするのであるからヒータ（５）の均熱管
（４）とサブヒータ（１４）の均熱管とを連接してもよ
い。
〔発明の効果〕
この発明によれば、キャリヤガスの接触により拡散温度
にｗ口熱されているウェハの湿度低下による影響がない
ので、拡散源送入部１のウェハのみに従来みられた拡散
層の表面濃度の低下（デポジションの場合）や、拡散層
の深さくスランピングの場合）の異状が皆無になった。
また、予熱部を設けても、ホモジナイザとウェハとの間
除が従来よりも短縮できるのでウェハの処理数は減少す
ることなく、増力１ｊする傾向にある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の拡散装置の断面し１、負７２し１は１実
施例の拡散装置の断面図である。 ２　拡散源送入部 ３　ホモジナイザ ４　均熱管 ５　ヒータ １３　サブヒータの均熱管 １４　ザブヒータ １５　予熱部 化Ｔ１１人　弁理士　井　上　−男 ＠１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 開管型の加熱容器の一端に拡散源送入部を備え加熱容器
    内に半導体ウエノ・を並立させて配置し拡散を施す拡散
    装置において、加熱容器の拡散源送入側に拡散源を拡散
    温度に近い温度にまで拡散の加熱源と独立して予熱する
    拡散源加熱装置を具備したことを特徴とする半導体用拡
    散装置。
JP11279283A 1983-06-24 1983-06-24 半導体用拡散装置 Pending JPS605511A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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