CN102428540A - 用于对硅片进行掺硼的方法 - Google Patents

用于对硅片进行掺硼的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102428540A
CN102428540A CN2010800193625A CN201080019362A CN102428540A CN 102428540 A CN102428540 A CN 102428540A CN 2010800193625 A CN2010800193625 A CN 2010800193625A CN 201080019362 A CN201080019362 A CN 201080019362A CN 102428540 A CN102428540 A CN 102428540A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
boron
gas
silicon chip
technology
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800193625A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102428540B (zh
Inventor
Y·佩里格林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semco intelligent technology France
Original Assignee
Semco Engineering SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semco Engineering SA filed Critical Semco Engineering SA
Publication of CN102428540A publication Critical patent/CN102428540A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102428540B publication Critical patent/CN102428540B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/0455—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
    • H01L21/046—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行P型掺硼的方法，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述方法包括以下阶段：a)在腔室中，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃的温度下，使反应气体与在运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层，b)在N2+O2的气氛下并在1kPa-30kPa的压力下，在硅中实施硼原子的扩散。本发明还涉及用于实施所述掺硼方法的炉子及其应用，用于制造大的掺硼硅片，尤其用于光伏应用。

Description

用于对硅片进行掺硼的方法
本发明涉及进入半导体和光伏电池生产工艺的硅片的制造领域，具体涉及用于对硅片进行掺杂的操作。
本发明的目的在于提供一种采用三氯化硼作为前驱物以对硅进行P型掺硼的工艺，该工艺在降低的压力下进行实施。由于其目的，本发明还具有设计成实施所述掺杂工艺并将其应用至大掺硼硅片制造的炉子。
在电子集成电路和太阳能电池的发展过程中，半导体生产依赖于以下技术：主要基于通过掺杂对硅材料进行固有改性。材料的掺杂包括将另一材料引入其基质原子。这些原子将被一些原始原子替代，因此将引入更多的电子或产生空穴。电子不足元素插入硅网中可导致被认为带正电的材料，因此有术语“P型掺杂”。硼元素产生这种掺杂类型。
掺杂通常在经受特定压力和温度的反应器或炉子中实施。将掺杂元素以呈汽态的前驱化合物的形式引入炉子中，在炉子中，掺杂元素与一种或多种反应气体反应以产生待沉积的掺杂化合物本身，并将掺杂剂扩散入硅原子网中。使用运载气体将它引入炉子的腔室中，运载气体的作用是将它驱赶至硅片的表面。为此，它通过与所述前驱物源接触而稀释于运载气体中，该前驱物源可以是固态、液态或气态源。
为了工业生产，使用卧式炉或立式炉，其腔室通常呈圆柱管的形状，将硅片设置在炉子中的由石英或碳化硅制成的衬底上。腔室的一端配设有门以允许引入硅片。另一端由固定端壁封挡。可通过腔室的一个壁，适宜地通过端壁，引入掺杂气体、运载气体和反应气体。
众所周知的是，运行条件，尤其温度和压力，是反应器中流体动力学的关键参数，而且它们对于反应动力学有决定性的影响，形成的化合物能根据作出的选择而大有不同。具体地说，必须防止形成对反应器侵蚀或对操作者有害的化合物，还必须限制副反应产物的产生，这些副反应产物会干扰掺杂质量、使腔室结垢并污染气态排出物。
紧要地是，对于在设于反应器整个长度上的硅片获得均质润湿(即，气态混合物与待处理的所有表面相接触)和在硅片的整个表面上获得均一沉积来说，气态循环是最优的。此外，重要的是控制前驱物的氧化，以使所需的化合物形式被正确沉积，而不导致形成不合需要的反应产物。
根据最常用的掺杂工艺之一，因为在大气压力下在炉子中实施该掺杂工艺而称为“开管”，将硅片引入炉子并带到通常800℃-1200℃的温度。该温度对于确保通过掺杂剂的扩散而渗入硅片的表层来说是必需的。
然而，这些工艺产生在炉子和环境中散布酸的重大风险。在反应腔室中，从掺杂剂获得的这种酸的存在对于硅片处理重复性有影响，并常常产生HCl点蚀硅表面的问题。酸蒸汽在炉子环境中的可能释放会导致长期的维护停机和产能损失。
由于腔室中从一个位置到下一位置的大损耗，要以高流量输送气体以在所有硅片上获得均质的分布，这会产生大量的气体消耗并因此产生大量的待处理排出物。由于这种损耗，为了获得良好的掺杂均匀性而不过度增加成本，炉子必须保持尺寸适中，这就必须处理具有适度尺寸(小于10cm2)的硅片，且要在每个硅片之间设置相对较大的空间(大于5mm)。因此，能装入炉子的硅片数量局限于约50个。这种约束对于制造用于太阳能电池的硅片来说是尤其不利的。
更具体地考虑掺硼，为了补救这些问题，已经作出各种尝试以开发掺杂方法。已经实施了使用不同硼源的试验。然而，有许多障碍要克服。要避免混合有四乙基正硅酸盐(TEOS)的硼酸，这是因为即使有最大的纯度，它也仍然含铁，这会削减产量。传统的BBr3是对于操作者和设备有毒有害的液体。乙硼烷是有毒气体，出于明显的安全原因，应放弃乙硼烷。由于这些缺点，生产商正寻求一种使用低毒气态前驱物的技术。
三氯化硼是满足该要求的其它化合物。然而，由于控制其反应的难度，已经放弃了它。在这个主题上，可提及专利US 4 381 213，其描述了一种通过BCl3来对硅片进行掺硼的方法，该方法需要多个阶段。首先形成50埃的氧化物层，以保护硅片表面不受后续阶段中硼化物反应形成的侵蚀性产物影响。然后，将包含硼前驱物的气态组合物引入反应器中并同时用作氧化气体，整个混合物在6.7Pa-66.5Pa的受控真空下反应，以在硅片上形成一层含硼化合物。最后，加热阶段导致硼的再分布，并以所需的深度将硼结合入硅片中。然而，该方法仍然需要实现含硼层的再氧化，因此在不损坏硅片表面的前提下可放弃该方法。
已经尝试了一些对策以增大硅片之间的间隔或增大气态流量，如上所述，这也是不令人满意的。
已经采取了其它对策以在低压下进行处理，但这些技术在其使用中非常有限制。还将其它对策转向使用非常不同的技术，诸如离子注入，其具有非常不适宜的经济和工业特征，不适于这里所关注的应用。
因此，存在一个多年来提出且直到现在仍满足不了的需求：使用一可实施对硅进行掺硼的技术，该技术是均质的、可重复的和可靠的，可在一个周期内处理100个以上大尺寸的硅片，而气体消耗适度。
本发明的目的是通过提出一种对硅进行掺硼的新工艺来解决上述问题以满足该需求。
所提出的工艺提供了在降低的压力下、即在亚大气压的压力下操作的优点，然而，其非常优于LPCVD(低压化学气相沉积)技术所产生的几帕量级的工艺压力。所限定的操作条件可使用三氯化硼BCl3(也称为三氯硼烷)作为掺杂元素的前驱化合物，三氯化硼是一种被认为具有难以控制的反应性的气体。由于这些特定操作条件的开发，现在可使用提供以下优点的前驱物气体来实施掺硼：对于使用者来说较易操作。所提出工艺的另一优点是气体在一定程度上的紧密混合，这促进了在所有硅片上的均匀沉积。因此所实现的性能水平可对大尺寸和大量的硅片进行掺杂，由于优良的产量和无与伦比的安全条件，这在制造光伏电池时尤其有用。
在对所处理硅片的高质量掺杂中，用于实施前驱物氧化、以及在硅层中对硼进行沉积和扩散的其它工业约束已被观察到并达到顶点。
因此，作为其目的，本发明具有一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行掺硼的工艺，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述工艺包括以下阶段：
a)-在腔室中，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃的温度下，使反应气体与在运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层；
b)-在N2+O2的气氛下并在1kPa-30kPa的压力下，在硅中实施硼原子的扩散。
在炉子中实施该工艺，该炉子例如呈通常水平的圆柱管子形状，设有由门气密密封并将硅片引入其中的腔室。炉子包括管子，用于在精确控制的流量和压力条件下将气体注入腔室以实现上述各阶段。通过位于反应器的壁中的附加管子来确保气体的抽取。该管子的开口位于与气体注入管子相对的端部处，较佳地在左侧。例如包括电阻器的加热装置围绕腔室分布，与腔室隔开或接触。
炉子设有气体抽取装置，包括连接至上述抽空管子的抽吸装置，用来在腔室中形成恒定且受控的局部真空。该抽吸可引导和保持腔室中的气体速度，同时对来自于其中的排出物进行恒定的抽空，从而有利地在反应过程中改变任何化学平衡。这些气体抽取装置具有作为主要部件的隔膜泵，该隔膜泵的元件与包括全氟聚合物的气体相接触。同样，与反应气体相接触的所有元件都由全氟聚合物、石英或碳化硅形成。
根据该工艺，在第一步骤中，硼前驱物的分解产生以硅片上的玻璃形式沉积的氧化物B2O3，在第二步骤中，硼原子在硅中扩散，且对其半导体性质进行局部改性，由此该阶段本身实现了对硅进行掺杂。
这两个阶段是在所谓的亚大气压的压力水平下进行的，且与相对简单的用于形成局部真空的装置相容，而不像在诸如LPCVD的低压技术和在大气压技术中所使用的工具和工艺那样。
为了本说明书的目的，反应气体是指与前驱物气体反应的气体(排除了前驱物气体本身)。典型地，为了简化起见，虽然可使用其它气体，但这里所述的反应气体将是氧气和氢气，而运载气体是氮气。根据所述工艺的阶段，无论运载气体是否包含前驱物气体，都可将运载气体引入腔室中，假如上下文没有明显指出的话，运载气体将是指定的。所述化学反应以及尤其其动力学的主要特征已经由V.Geiss和E.
Figure BPA00001449225700041
发表在J.Electrochem.Soc.：Solid StateScience and Technology，1976年1月，pp.133 to 136中。
还应强调的是，参照正常的温度和压力条件来提供物理值(温度、压力、流量等)。
根据本发明的一特定实施例，在阶段b)中，腔室中的压力是15kPa-30kPa(或150mbar-300mbar)。因此，在工艺的该第二阶段期间，可保持压力等于第一阶段的压力，或者如果希望对掺杂剂在硅网中的扩散进行加速的话，则可增大压力，而不损害最终产品的所需质量。
根据作为本发明目的的该工艺的一较佳特征，在阶段a)和b)期间，腔室区域中在硅片附近的温度是900℃-1000℃。这里关注的目标具体地说是处理区域，即硅片在周期中所放置且前驱物发生沉积的炉子区域，能够以不同的方式对炉子的其它区段调节温度，如同在后面所看到的那样。
在本发明的一有利实施例中，在阶段a)中，以20立方厘米/分至100立方厘米/分的速率将三氯化硼提供至腔室中。较佳的是，以呈注入氧气的流量的约四分之一的流量将三氯化硼引入腔室中。
如同已经指出的那样，使用运载气体来分配三氯化硼，运载气体是中性气体，例如氮气或氩气。在预料不到的方式中，显现出稀释因子可以非常大。因此，根据本发明，将三氯化硼稀释在运载气体中而达到3％-95％的体积浓度。
根据作为本发明目的的该工艺另一有利特征，腔室中的总气态流量小于5升/分。
根据作为本发明目的的该工艺一有利特征，将三氯化硼的反应气体和运载气体引入自由区域，该自由区域位于端壁和容纳硅片的处理区域之间的腔室区段中，在该自由区域，在对所述硅片进行冲洗和润湿之前对反应气体和运载气体进行混合，自由区域有利地占据腔室总容积的10％-20％。
实际上，假如在外部完成气体的混合，即在气体注入腔室之前完成气体的混合，则由于所涉及化合物的高反应性，难以控制反应。相比之下，当在硅片位置完成气体的混合时，掺杂的均质性非常差，可重复性不确定。为此，当在没有硅片的自由空间位置的原位、即就在腔室中完成反应气体与前驱物的混合时，氧化物的沉积是令人满意的。该自由空间因此呈现出是必需的，并适于以最优的方式实施必须一起反应的不同气体的混合，从而实施氧化硼的沉积。较佳的是，为了实施，该自由区域位于与设有门的炉子端部相对的一侧。
根据本发明工艺的另一有利特征，在阶段a)期间，腔室自由区域的温度比处理区域的温度低5％-15％，较佳地低约10％。在已知的方式中，这里所用的腔室加热装置包括若干独立元件，这些独立元件可使该实施例具有可改适和可控制的纵向温度分布。这些元件中的一个元件放置在自由区域，并以单独的方式被控制以在该自由区域获得比腔室处理区域低的温度。
在一有利的方式中，在根据本发明的工艺中，与前驱物反应的气体是氧气和氢气，运载气体是氮气，通过单独的管子将所述气体中的每种气体引入腔室中。不言自明的是，在处理过程中，运载气体载有前驱物，但在与其处理相关的操作过程中，可引入运载气体自身。
因此，与其它技术相比，可将反应气体和掺杂剂前驱物(H2、O2和BCl3)单独注入，仅仅从它们以给定温度进入腔室的时刻开始才相互反应。因为混合可在到达硅片之前完成，所以混合在自由且较为不热的区域中更加有效。这提供了以下优点：在开始导致前驱物氧化和沉积的化学反应开始之前，使N2-BCl3和H2混合物均质化。因此可对仅在腔室中发生的反应动力学进行更好的控制。
根据作为本发明目的的该工艺一较佳特征，将氢气以及可能装有或不装有硼前驱物的运载气体引入端壁附近的腔室自由区域，将氧气引入处理区域附近。因此，在最热区域附近，尽可能靠近硅片所占据的位置，在运载气体中稀释的前驱物气体和氢气在与氧气反应之前混合。此外，通过开口与端壁相对地敞开的抽取管子来抽空气体，所述管子连接至抽吸单元，该抽吸单元配设有用于对腔室中的压力进行调节和控制的系统。反应动力学呈现出被该装置所改进。
根据本发明的一特定实施例，在阶段a)，以下面的体积比例将气体引入腔室中：
运载气体+硼前驱物：55％-80％，
氢气：0.5％-15％，
氧气：15％-30％。
这些特定比例示出了用于产生满足均质性和均匀性要求的掺硼硅层的其中可能值的组合。例如，可以使用1/4的氧气，1/8的氢气和5/8的运载气体+前驱物。还以预料不同的方式显现的是，为了完全令人满意地实施该工艺，少量氢气就足够了。
此外，在一有利的方式中，本发明的工艺包括阶段a)之前的一阶段，在该阶段期间，使反应气体和运载气体的操作参数——即流量、压力、通量和温度——稳定。在该阶段期间，该阶段较短(持续几十秒)，发生硅的表面湿氧化，这防止在前驱物和硅的接触期间不合需要地形成诸如SiyBx的化合物。水蒸汽通过氧气和氢气的反应形成。
为了产生本发明的工艺，本领域技术人员将基于掺杂元素的浓度和硅中渗入的深度来设定前驱物沉积时间和硼扩散时间。例如，用于沉积氧化硼B2O3玻璃层的阶段a)可进行约5-30分钟，用于扩散硼原子的阶段b)可持续约10-30分钟。
在工业操作的层面上，刚刚描述的工艺是尤其有效的，这是因为它提供了高的可重复性，包括停机之后的后续重启。没有观察到掺杂剂过度(过量)或任何记忆效应。与大气压技术或LPCVD相比，外围性质是令人满意的；清洗频率大大降低。结果，显著缩短了维护时间，一般地说，成比例地降低了操作成本。
这里所宣称的工艺有利地在一炉子中实施，该炉子的一般模型是用在降低的压力下进行掺杂的相关技术中的炉子，具体与通过隔膜泵产生局部真空并对该局部真空进行监测和调节的装置有关，诸如在专利申请FR 2 824 663中所述的那样，但包括能够满足在上述条件下进行掺硼的特定结构的合适特征。
这就是为什么用于对放置在衬底上的硅片进行掺硼的炉子也是本发明的一目的的原因，该炉子包括腔室，腔室一端包括壁，壁中设有用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置，所述炉子的特点在于，腔室包括用于容纳硅片衬底的区域、所述处理区域、以及位于所述端壁和所述用于容纳硅片衬底的区域之间的自由区域，由此所述自由区域占据所述腔室总容积的10％-20％。
作为本发明目的的炉子有利地配设有用于加热腔室的装置，该装置包括若干独立元件，可使该实施例具有可改适和可控制的纵向温度分布，这些元件中的至少一个元件专用于自由区域的特定加热。在最优的方式中，沿腔室的壁放置五个元件，每个元件在炉子的对应区段中配设有传感器和用于调节温度的装置。该布置防止出现沿炉子处理区域的温度差异，具体在门的位置，同时如这里所需的那样可降低腔室端部处的温度。
根据本发明一较佳特征，所述炉子包括两个单独管子：一个管子用于引入第一反应气体，例如氢气，另一管子用于引入运载气体(和硼前驱物)，后者通入端壁附近的自由区域，用于引入第二反应气体、例如氧气的管子通入处理区域附近。它还包括气体抽取管子，该气体抽取管子的开口与端壁相对地敞开，所述管子连接至抽吸单元，该抽吸单元配设有用于对腔室中的压力进行调节和监测的系统。
刚刚描述的工艺满足了掺杂硅片生产商所需的质量和效率的要求。具体地说，该技术与目前所用的多件设备相容。它确保了在同一硅片的整个表面上、同一批(装载在衬底上的成组硅片)的每个硅片上、以及批与批之间的优良处理均匀性。还可处理硅片而没有尺寸限制，这构成了一定的优点，尤其是对于光伏应用。
这是为什么上述工艺应用在表面积为50cm2-700cm2的硅片上产生P型结也是本发明一目的的原因。获得了圆形或方形的掺硼硅片，其表面积对应于具有目前传统尺寸的硅片的表面积。
这里所述的技术还提供了以下优点：允许掺杂导电板的精细制造，因此消耗较少的硅。上述工艺的应用宣称生产厚度为100μm-150μm的掺硼硅片。掺硼硅片的大尺寸和小厚度的组合可使掺硼硅片尤其适于用在光伏电池制造领域。它尤其允许制造消耗较少硅的半导体板，这在不规律供应原材料的方面是具有决定性的。
本发明的工艺实际上找到了其在以小于或等于5mm的间隔放置在衬底上的成组一百个或数百个硅片上形成P型结的应用。实际上，该工艺所实现的性能水平使得：即使大量硅片以其间的小间隔进行布置，也可以均质的方式且在单个周期中处理大量硅片。这呈现了无可置疑的工业贡献。
本发明最终可应用于要求P型掺硼和高产率的光伏电池制造或任何其它领域中的任何技术发展，并可尤其制造双面光伏板。
此外，所述的工艺有利地可应用于掺硼硅片的生产，该掺硼硅片设计成用于从冶金级硅N制造光伏电池。
本发明的其它优点和特征将在阅读了下面借助非限制性实例给出的一实施例的描述后显现出来。
实例1
图1示出了用于处理硅片的本发明炉子的示意剖视图。
图1的炉子设有与加热装置9组合的气密腔室3，将放置在衬底2上并必须经受处理的硅片1引入该气密腔室。通过固定端壁4和门13来对圆柱形的腔室3在其两端进行气密密封，该门由直径稍稍小于管子直径的不透明石英热塞14来保护。腔室包括处理区域5和自由区域。硅片1以横向于气流方向的方式设置在炉子的腔室3中。
围绕腔室3安装的加热装置9包括各独立的区段9a-9e，可形成合适且受控的纵向温度分布。加热装置的区段9e垂直于自由区域6。
炉子包括用于将气体引入腔室3的三个管子10、11、12和连接至抽吸单元16的气态排出物抽取管子15，该抽吸单元位于远离炉子的适度区域中。抽吸单元16包括回流抽吸泵，有利地是隔膜型的，至少对于其与气体相接触的元件，回流抽吸泵由可经受腐蚀的材料制成，例如基于全氟聚合物，诸如聚四氟乙烯(PTFE)或全氟烷氧基树脂(PFA)，以一般商标名TEFLON(特氟隆)而更为人所知。抽吸单元16还包括用于监测和调节炉子腔室中的局部真空的元件。
用于将气体引入腔室的管子10、11、12在各侧穿过端壁4并通入自由区域6。气体抽取管子15也穿过端壁4，但它在腔室的另一端起始。第一管子11在壁4附近引入氢气，第二管子12也在壁4附近引入混合物N2-BCl3，用于防止H2、N2-BCl3混合物的预期裂化。管子12将氧气引入腔室3。该管子在处理区域5通入腔室3，靠近硅片1的衬底2所占据的位置。
实例2
该实例描述了通过本发明掺硼工艺的一具体实施例来对多个硅片进行处理的循环。
在之前实例所述的炉子中完成该处理。衬底2装有400个直径为150mm的硅片，且放置在腔室3的处理区域5中。门13是气密密封的，加热装置9可使处理区域5达到960℃的调节温度，并使自由区域6达到880℃的调节温度。在几分钟之后，允许反应气体进入腔室以稳定压力和流量。将压力设为30kPa。
运载气体是氮气；硼前驱物是气态的三氯化硼BCl3。
反应气体是氧气和氢气。注入持续15分钟，总流量是5升/分的量级而呈以下比例：
BCl3：1升/分，
O2：4升/分，
N2和H2：体积添加。
由于使用质量流量监测装置，首先以严格比例将活性气体BCl3与氮气混合。将该混合物的压力调节和控制到约一个大气压。安装在该装置和用于引入气体的管子之间的阀确保为了在反应器腔室中获得所需压力而必需的压降。这样，严格调节和控制组分以及氢气和氧气的流量和压力。在该阶段的结束处，将一层氧化硼B2O3沉积在薄片的表面上。
然后，以以下方式进行扩散阶段30分钟：将温度保持在960℃，将压力带到250mbar，用于更好的换热以确保温度均匀性和因此的扩散均匀性。将氮气和氧气的流量保持在与前述阶段中相同的水平。
在完整处理周期结束时，对硅片测试各种性质。用椭圆计实施的测量表明：形成在硅片表面上的玻璃包含厚度为1,300埃的硼原子。折射率是1.475+/-0.025。在每组三硅片的九点处实施均匀性的测量。在板上的点与点之间、在组中的板与板之间、以及在组与组之间，都获得小于5％的均匀度。
因此应注意的是，在根据本发明的上述条件下实现的、对硅进行掺硼的结果是优良的，这尤其是因为所处理的硅片较大并在单次装载中已对400个硅片进行掺杂。

Claims (19)

1.用于对放置在炉子的腔室(3)中的衬底(2)上的硅片(1)进行掺硼的工艺，所述腔室的一端包括壁(4)，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于所述壁中，其特征在于，所述工艺包括以下阶段：
a)-在所述腔室中(3)，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃的温度下，使所述反应气体与在所述运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层；
b)-在N2+O2的气氛下并在1kPa-30kPa的压力下，在硅中实施硼的扩散。
2.如权利要求1所述的工艺，其特征在于，在阶段b)中，所述腔室中的所述压力是15kPa-30kPa。
3.如权利要求1所述的工艺，其特征在于，在阶段a)和b)中，所述腔室的所述硅片(1)附近的区域、所述处理区域(5)中的温度是900℃-1000℃。
4.如前述权利要求中一项所述的工艺，其特征在于，在阶段a)中，将所述三氯化硼以20立方厘米/分-100立方厘米/分的流量提供至所述腔室(3)，较佳地呈现注入氧气的流量的约四分之一。
5.如前述权利要求中一项所述的工艺，其特征在于，将所述三氯化硼稀释在所述运载气体中而达到3％-95％的体积浓度。
6.如前述权利要求中一项所述的工艺，其特征在于，所述腔室(3)中的总气态流量小于5升/分。
7.如前述权利要求中任一项所述的工艺，其特征在于，将所述反应气体和三氯化硼的所述运载气体引入自由区域(6)，所述自由区域位于所述腔室(3)的在所述端壁(4)和容纳所述硅片(1)的所述处理区域(5)之间的区段中，在所述自由区域，所述反应气体和所述运载气体在润湿所述硅片之前混合，所述自由区域占据所述腔室(3)的总容积的10％-20％。
8.如权利要求7所述的工艺，其特征在于，在阶段a)中，所述腔室的所述自由区域(6)的温度比所述处理区域(5)的温度低5％-15％，较佳地低约10％。
9.如前述权利要求中任一项所述的工艺，其特征在于，与所述前驱物反应的气体是氧气和氢气，所述运载气体是氮气或氩气，通过单独的管子(7’，7”，7”’)将所述气体中的每种气体引入所述腔室。
10.如前述权利要求所述的工艺，其特征在于，将氢气和三氯化硼的所述运载气体引入所述腔室中所述壁(4)附近，将所述氧气引入所述处理区域(5)附近的所述自由区域。
11.如前述权利要求中一项所述的工艺，其特征在于，在阶段a)中，以下面的体积比例将所述气体引入所述腔室(3)中：
运载气体+硼前驱物：55％-80％，
氢气：0.5％-15％，
氧气：15％-30％。
12.如前述权利要求中任一项所述的工艺，其特征在于，在阶段a)之前，使所述反应气体和所述运载气体的操作参数——即流量、压力、通量和温度——稳定几十秒。
13.用于对放置在衬底(2)上的硅片(1)进行掺硼的炉子，所述炉子包括腔室(3)，所述腔室的一端包括壁(4)，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于所述壁中，其中，所述腔室包括用于容纳所述硅片的衬底的区域(8)、所述处理区域、以及位于所述端壁(4)和所述用于容纳所述硅片的衬底的区域(8)之间的自由区域(6)，由此所述自由区域占据所述腔室(3)的总容积的10％-20％。
14.如前述权利要求所述的炉子，其特征在于，所述炉子配设有用于加热所述腔室(3)的装置，所述装置包括若干独立元件(9a-9e)从而能产生可改适和可控制的纵向温度分布，这些元件中的至少一个元件专用于所述自由区域(6)的特定加热。
15.如权利要求13或14所述的炉子，其特征在于，所述炉子包括：
用于引入第一反应气体和包含硼前驱物的运载气体的两个单独的管子(10，11)，所述两个单独的管子(10，11)通入所述腔室(3)中所述端壁(4)附近，
用于引入第二反应气体、较佳地是氧气的管子(12)，所述管子(12)通入所述处理区域(5)附近，以及
气体抽取管子(15)，所述气体抽取管子的开口与所述端壁相对地敞开，所述管子连接至抽吸单元(16)，所述抽吸单元配设有用于对所述腔室中的压力进行调节和监测的系统。
16.对如权利要求1至12中一项所述的工艺的应用，用于在表面积为50cm2-700cm2的硅片上产生P型结。
17.对如权利要求1至12中一项所述的工艺的应用，用于生产厚度为100μm-150μm的掺硼硅片。
18.对如权利要求1至12中一项所述的工艺的应用，用于在以小于或等于5mm的间隔放置在衬底上的成组一百个或数百个硅片上形成P型结。
19.如权利要求16至18中一项所述的应用，用于生产掺硼硅片，所述掺硼硅片设计成用于从冶金级硅N制造光伏电池。
CN201080019362.5A 2009-04-06 2010-04-06 用于对硅片进行掺硼的方法 Active CN102428540B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR09/01708 2009-04-06
FR0901708A FR2944138B1 (fr) 2009-04-06 2009-04-06 Procede de dopage au bore de plaquettes de silicium
PCT/EP2010/054487 WO2010115862A1 (fr) 2009-04-06 2010-04-06 Procede de dopage au bore de plaquettes de silicium.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102428540A true CN102428540A (zh) 2012-04-25
CN102428540B CN102428540B (zh) 2017-02-08

Family

ID=41404593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080019362.5A Active CN102428540B (zh) 2009-04-06 2010-04-06 用于对硅片进行掺硼的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8691677B2 (zh)
EP (1) EP2417621B1 (zh)
JP (1) JP2012523127A (zh)
KR (2) KR101897191B1 (zh)
CN (1) CN102428540B (zh)
FR (1) FR2944138B1 (zh)
SG (1) SG175185A1 (zh)
WO (1) WO2010115862A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102797040A (zh) * 2012-08-22 2012-11-28 中国科学院电工研究所 一种硼（b）扩散掺杂的方法
CN107690693A (zh) * 2015-06-09 2018-02-13 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 掺杂硅晶片的方法
CN109545893A (zh) * 2018-11-16 2019-03-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种n型太阳能电池多步硼扩散工艺
CN116288091A (zh) * 2023-03-28 2023-06-23 南昌大学 一种低温制备超细晶粒钽片的退火工艺

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102031174B1 (ko) 2012-11-16 2019-10-11 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법 및 기판 가공 장치
DE102013208799A1 (de) * 2013-05-14 2014-11-20 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg SiO2-basierte Sperrschicht für Hochtemperatur-Diffusions- und Beschichtungsprozesse
CN104393107B (zh) * 2014-10-27 2016-08-17 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺
KR102400911B1 (ko) * 2016-06-13 2022-05-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 태양전지, 태양전지의 제조 방법 및 태양전지의 제조 시스템
US11961739B2 (en) * 2020-10-05 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Boron concentration tunability in boron-silicon films
DE102020133390A1 (de) 2020-12-14 2022-06-15 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bor-Emitters auf einem Silizium-Wafer
CN113604791B (zh) * 2021-06-16 2023-10-10 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用
KR102635522B1 (ko) * 2021-10-19 2024-02-08 (주)한화 웨이퍼 소스 도핑 시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3574009A (en) * 1968-03-06 1971-04-06 Unitrode Corp Controlled doping of semiconductors
US4381213A (en) * 1980-12-15 1983-04-26 Motorola, Inc. Partial vacuum boron diffusion process
JPS605511A (ja) * 1983-06-24 1985-01-12 Toshiba Corp 半導体用拡散装置
US5208185A (en) * 1991-03-20 1993-05-04 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Process for diffusing boron into semiconductor wafers
JP2001313265A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
CN1528007A (zh) * 2001-05-14 2004-09-08 ��ķ�ƹ��̹ɷ����޹�˾ 在减低压力的情况下掺杂、扩散及氧化硅片的方法和装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0204182B1 (de) * 1985-05-22 1991-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen von mit Bor und Phosphor dotierten Siliziumoxid-Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen
JPH0364912A (ja) * 1989-08-03 1991-03-20 Nissan Motor Co Ltd 水素燃焼酸化拡散炉
JP2928930B2 (ja) * 1989-12-06 1999-08-03 セイコーインスツルメンツ株式会社 不純物ドーピング装置
US5268062A (en) * 1990-03-05 1993-12-07 Northrop Corporation Method and apparatus for carbon coating and boron-doped carbon coating a porous refractory substrate
JPH05152236A (ja) * 1991-12-02 1993-06-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
US5256595A (en) 1993-02-19 1993-10-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army. Method of growing device quality InP onto an InP substrate using an organometallic precursor in a hot wall reactor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3574009A (en) * 1968-03-06 1971-04-06 Unitrode Corp Controlled doping of semiconductors
US4381213A (en) * 1980-12-15 1983-04-26 Motorola, Inc. Partial vacuum boron diffusion process
JPS605511A (ja) * 1983-06-24 1985-01-12 Toshiba Corp 半導体用拡散装置
US5208185A (en) * 1991-03-20 1993-05-04 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Process for diffusing boron into semiconductor wafers
JP2001313265A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
CN1528007A (zh) * 2001-05-14 2004-09-08 ��ķ�ƹ��̹ɷ����޹�˾ 在减低压力的情况下掺杂、扩散及氧化硅片的方法和装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102797040A (zh) * 2012-08-22 2012-11-28 中国科学院电工研究所 一种硼（b）扩散掺杂的方法
CN102797040B (zh) * 2012-08-22 2015-08-12 中国科学院电工研究所 一种硼(b)扩散掺杂的方法
CN107690693A (zh) * 2015-06-09 2018-02-13 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 掺杂硅晶片的方法
CN107690693B (zh) * 2015-06-09 2022-01-07 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 掺杂硅晶片的方法
CN109545893A (zh) * 2018-11-16 2019-03-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种n型太阳能电池多步硼扩散工艺
CN116288091A (zh) * 2023-03-28 2023-06-23 南昌大学 一种低温制备超细晶粒钽片的退火工艺

Also Published As

Publication number Publication date
KR101897191B1 (ko) 2018-09-11
US20120083105A1 (en) 2012-04-05
JP2012523127A (ja) 2012-09-27
CN102428540B (zh) 2017-02-08
EP2417621B1 (fr) 2018-12-19
WO2010115862A1 (fr) 2010-10-14
SG175185A1 (en) 2011-12-29
EP2417621A1 (fr) 2012-02-15
FR2944138A1 (fr) 2010-10-08
KR20120047844A (ko) 2012-05-14
FR2944138B1 (fr) 2012-12-07
KR20160122860A (ko) 2016-10-24
US8691677B2 (en) 2014-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102428540A (zh) 用于对硅片进行掺硼的方法
US4791005A (en) Method for the manufacture of silicon oxide layers doped with boron and phosphorus
TW408363B (en) Systems and methods for high temperature processing of semiconductor wafers
CN103871866A (zh) 薄膜形成方法及薄膜形成装置
CN101258786A (zh) 等离子体处理设备、等离子体处理方法、其中使用的介质窗口以及该介质窗口的制造方法
CN100398695C (zh) 硼磷硅酸盐玻璃沉积的方法和设备
CN102040192B (zh) 有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法
US20060209625A1 (en) Method for liquid mixing supply
TW201137165A (en) Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition
JP2013138180A (ja) 半導体ウェハの熱処理方法、太陽電池の製造方法及び熱処理装置
US9982364B2 (en) Process gas preheating systems and methods for double-sided multi-substrate batch processing
CN207973800U (zh) 用于处理基板的系统
CN113410134A (zh) 一种实现低温扩散的硼源
CN105463577B (zh) Iii族氮化物晶体的制造方法及制造装置
CN106929923A (zh) 一种石英炉管
Jaballah et al. Silicon dissolution regimes from chemical vapour etching: from porous structures to silicon grooving
CN211689227U (zh) 一种石墨烯沉积设备
CN203333758U (zh) 二氧化硅薄膜的生产设备
CN101974736B (zh) 一种化学气相沉积装置及其喷头组件
CN100584999C (zh) 一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法
US11996305B2 (en) Selective oxidation on rapid thermal processing (RTP) chamber with active steam generation
CN102797040A (zh) 一种硼（b）扩散掺杂的方法
TWI666353B (zh) 針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備
CN216213296U (zh) 半导体材料掺杂用扩散装置
Kondoh et al. Measurements of trace gaseous ambient impurities on an atmospheric pressure rapid thermal processor

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170515

Address after: Montpelier, France

Patentee after: Szemko technology Ltd.

Address before: Montpelier, France

Patentee before: Semco Engineering SA

TR01 Transfer of patent right
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Castel nollere, France

Patentee after: SEMCO TECHNOLOGIES

Address before: Fa Guomengbiliai

Patentee before: SEMCO TECHNOLOGIES

CP02 Change in the address of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210709

Address after: Fa Guomengbiliai

Patentee after: Semco intelligent technology France

Address before: Fa Guomengbiliai

Patentee before: SEMCO TECHNOLOGIES

TR01 Transfer of patent right