JP2928930B2 - 不純物ドーピング装置 - Google Patents
不純物ドーピング装置Info
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、バイポーラトランジスタあるいは絶縁ゲー
ト電界効果トランジスタに代表される半導体装置の製造
工程において、所望の導電型と比抵抗を有する領域を形
成する際に用いられる。不純物ドーピング装置に関す
る。
ト電界効果トランジスタに代表される半導体装置の製造
工程において、所望の導電型と比抵抗を有する領域を形
成する際に用いられる。不純物ドーピング装置に関す
る。
不純物ドーピング装置を代表する物としては、従来よ
りイオン注入装置が知られている。イオン注入装置は、
イオンソースと、質量分離器と加速管から構成されてい
る。イオン注入を行うには、イオンソースで不純物原子
をイオン化し、次に質量分離器で目的とする不純物イオ
ンを分離し、更に加速管を用いて所定のエネルギーに加
速し、半導体基板の表面に不純物を打ち込む。このイオ
ン注入装置は、不純物導入量を正確に制御できる事、あ
るいは絶縁膜を介して不純物ドーピングを容易に行う事
ができる等の利点を有していた。このため、イオン注入
装置は従来の半導体プロセスにおいて広く利用されてい
る。
りイオン注入装置が知られている。イオン注入装置は、
イオンソースと、質量分離器と加速管から構成されてい
る。イオン注入を行うには、イオンソースで不純物原子
をイオン化し、次に質量分離器で目的とする不純物イオ
ンを分離し、更に加速管を用いて所定のエネルギーに加
速し、半導体基板の表面に不純物を打ち込む。このイオ
ン注入装置は、不純物導入量を正確に制御できる事、あ
るいは絶縁膜を介して不純物ドーピングを容易に行う事
ができる等の利点を有していた。このため、イオン注入
装置は従来の半導体プロセスにおいて広く利用されてい
る。
しかしながらイオン注入装置は、従来より以下のよう
な問題点を有していた。すなわちイオン注入装置は不純
物イオンを加速して不純物の導入を行うので、不純物イ
オンがもつ運動エネルギーによって試料表面に損傷を与
えてしまう。
な問題点を有していた。すなわちイオン注入装置は不純
物イオンを加速して不純物の導入を行うので、不純物イ
オンがもつ運動エネルギーによって試料表面に損傷を与
えてしまう。
また、イオン注入装置によって加速された不純物イオ
ンは、その加速エネルギーで決まる分散を有する正規分
布状に分布するため、半導体基板に注入された不純物原
子の濃度プロファイルが広がりを有し、浅い不純物層を
形成することや深い部分に急峻な濃度プロファイルを形
成する事が困難である。さらに、イオン注入装置は、不
純物イオンを直線的に加速する為、不純物イオンの導入
に方向依存性があり、チャネリングを防止するために斜
めイオン注入を行う場合、シャドウ効果により、素子の
特性に非対称性を生じる。
ンは、その加速エネルギーで決まる分散を有する正規分
布状に分布するため、半導体基板に注入された不純物原
子の濃度プロファイルが広がりを有し、浅い不純物層を
形成することや深い部分に急峻な濃度プロファイルを形
成する事が困難である。さらに、イオン注入装置は、不
純物イオンを直線的に加速する為、不純物イオンの導入
に方向依存性があり、チャネリングを防止するために斜
めイオン注入を行う場合、シャドウ効果により、素子の
特性に非対称性を生じる。
上述した従来のイオン注入装置の問題点に鑑み、本発
明は、半導体基板の表面に対して損傷を与える事なく不
純物を導入でき、導入された不純物の濃度プロファイル
を急峻にでき、さらに不純物の導入方向依存性のない不
純物ドーピング装置を提供する事を目的とする。
明は、半導体基板の表面に対して損傷を与える事なく不
純物を導入でき、導入された不純物の濃度プロファイル
を急峻にでき、さらに不純物の導入方向依存性のない不
純物ドーピング装置を提供する事を目的とする。
この目的を達成するために、本発明にかかる不純物ド
ーピング装置は、半導体基板を収容するための真空チャ
ンバと、真空チャンバに収容された半導体基板を加熱す
るための加熱系と、所定のガスを真空チャンバに導入す
るためのガス供給源と、真空チャンバとガス供給源の間
に配置され導入されるガスの種類及び量を調節する調節
バルブ等を有している。さらに与えられた一連の手順に
従って加熱系及び調節バルブを制御するための制御処理
部を備えている。この制御処理部は、第１手順において
半導体基板を所定の温度で所定時間加熱する制御を行
い、半導体基板表面の活性化処理を実行する。第２手順
において半導体基板を加熱した状態で真空チャンバ内に
不純物成分を有するガスを選択的に所定量導入する制御
を行い、半導体基板表面に不純物吸着膜を堆積する吸着
処理を実行する。さらに第３手順において半導体基板を
所定の温度で所定期間加熱する制御を行い、不純物の半
導体基板に対する加熱処理を実行する。
ーピング装置は、半導体基板を収容するための真空チャ
ンバと、真空チャンバに収容された半導体基板を加熱す
るための加熱系と、所定のガスを真空チャンバに導入す
るためのガス供給源と、真空チャンバとガス供給源の間
に配置され導入されるガスの種類及び量を調節する調節
バルブ等を有している。さらに与えられた一連の手順に
従って加熱系及び調節バルブを制御するための制御処理
部を備えている。この制御処理部は、第１手順において
半導体基板を所定の温度で所定時間加熱する制御を行
い、半導体基板表面の活性化処理を実行する。第２手順
において半導体基板を加熱した状態で真空チャンバ内に
不純物成分を有するガスを選択的に所定量導入する制御
を行い、半導体基板表面に不純物吸着膜を堆積する吸着
処理を実行する。さらに第３手順において半導体基板を
所定の温度で所定期間加熱する制御を行い、不純物の半
導体基板に対する加熱処理を実行する。
好ましくは、該制御処理部は第１手順において調節バ
ルブを制御し、真空チャンバに対して活性化処理を促進
するためのガスの導入を制御し実行する回路を有してい
る。
ルブを制御し、真空チャンバに対して活性化処理を促進
するためのガスの導入を制御し実行する回路を有してい
る。
好ましくは該ガス供給源は、活性化処理促進のための
ガスとして水素ガスを貯蔵し、不純物成分を有するガス
としてジボランガスを貯蔵している。
ガスとして水素ガスを貯蔵し、不純物成分を有するガス
としてジボランガスを貯蔵している。
好ましくは該真空チャンバは石英から構成されてい
る。
る。
さらに好ましくは本発明にかかる不純物ドーピング装
置は、真空チャンバを排気するための排気系と排気成分
の分析を行う分析系を含んでおり、該制御処理部は第１
手順において分析結果に基づいて活性化処理の終了を検
出する回路を備えている。この分析系は、例えば活性化
処理においてシリコン半導体基板から揮発するSiOの変
化量を分析する。四重極質量分析計から構成されてい
る。
置は、真空チャンバを排気するための排気系と排気成分
の分析を行う分析系を含んでおり、該制御処理部は第１
手順において分析結果に基づいて活性化処理の終了を検
出する回路を備えている。この分析系は、例えば活性化
処理においてシリコン半導体基板から揮発するSiOの変
化量を分析する。四重極質量分析計から構成されてい
る。
本発明にかかる不純物ドーピング装置は、不純物原子
の半導体表面への化学吸着に基づいた不純物導入を行
う。不純物ドーピング装置は、基板温度及び不純物元素
を含むガスの導入量を調節することにより、吸着不純物
量を制御し、導入する不純物量を正確に調節できる。こ
のため半導体基板表面からバルクへの均一かつ一様な不
純物拡散を実行することができる。しかも半導体基板表
面に対して損傷を与えることなく不純物のドーピングを
行うことができる。さらに不純物ドーピング装置は半導
体基板表面に不純物源である不純物吸着層を堆積するた
め、浅い接合を形成することができる。
の半導体表面への化学吸着に基づいた不純物導入を行
う。不純物ドーピング装置は、基板温度及び不純物元素
を含むガスの導入量を調節することにより、吸着不純物
量を制御し、導入する不純物量を正確に調節できる。こ
のため半導体基板表面からバルクへの均一かつ一様な不
純物拡散を実行することができる。しかも半導体基板表
面に対して損傷を与えることなく不純物のドーピングを
行うことができる。さらに不純物ドーピング装置は半導
体基板表面に不純物源である不純物吸着層を堆積するた
め、浅い接合を形成することができる。
以下本発明にかかる不純物ドーピング装置を図面に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる不純物ドーピング装置の実施
例を示すブロック図である。不純物ドーピング装置は石
英性の真空チャンバ１を有する。この真空チャンバ１は
不純物のドーピングを行うべき半導体基板２を収容する
ためのものである。真空チャンバ１の周囲には加熱系３
が配置されている。加熱系３は赤外線ランプ加熱方式あ
るいは抵抗加熱方式２より半導体基板２を加熱するため
のものである。この加熱系３を制御することにより、基
板２の温度を調節することができる。真空チャンバ１に
は、ゲートバルブ４を介して高真空排気系５が接続され
ている。高真空排気系５はターボ分子ポンプを主排気ポ
ンプとした複数のポンプから構成されており、真空チャ
ンバ１の内部を高真空に排気することができる。また真
空チャンバ１の内部の真空度は圧力計５により常時モニ
タリングされている。
例を示すブロック図である。不純物ドーピング装置は石
英性の真空チャンバ１を有する。この真空チャンバ１は
不純物のドーピングを行うべき半導体基板２を収容する
ためのものである。真空チャンバ１の周囲には加熱系３
が配置されている。加熱系３は赤外線ランプ加熱方式あ
るいは抵抗加熱方式２より半導体基板２を加熱するため
のものである。この加熱系３を制御することにより、基
板２の温度を調節することができる。真空チャンバ１に
は、ゲートバルブ４を介して高真空排気系５が接続され
ている。高真空排気系５はターボ分子ポンプを主排気ポ
ンプとした複数のポンプから構成されており、真空チャ
ンバ１の内部を高真空に排気することができる。また真
空チャンバ１の内部の真空度は圧力計５により常時モニ
タリングされている。
不純物ドーピング装置はさらに基板１の搬送を行う搬
送機構７を備えている。半導体基板１の搬送は、真空チ
ャンバ１に対してゲートバルブ８を介して接続されたロ
ード室９と真空チャンバ１との間で、ゲートバルブ８を
開いた状態で搬送機構７を用いて行われる。なお、ロー
ド室９は、基板２のロード室９への出し入れ時と搬送時
を除いて、通常はゲートバルブ10を開いた状態でロード
室排気系11により高真空排気されている。
送機構７を備えている。半導体基板１の搬送は、真空チ
ャンバ１に対してゲートバルブ８を介して接続されたロ
ード室９と真空チャンバ１との間で、ゲートバルブ８を
開いた状態で搬送機構７を用いて行われる。なお、ロー
ド室９は、基板２のロード室９への出し入れ時と搬送時
を除いて、通常はゲートバルブ10を開いた状態でロード
室排気系11により高真空排気されている。
真空チャンバ１には、ガス調節バルブ12を介してガス
供給源13が接続されている。ガス供給源13は、不純物ド
ーピング処理を行うのに必要な複数の原料ガスを貯蔵す
るガスボンベを備えている。ガス供給源13から真空チャ
ンバ１へ導入されるガスの種類，導入量，導入時間等
は、ガス調節バルブ12を制御することによりコントロー
ルすることができる。ガス供給源13は、例えば基板表面
の活性化処理促進のためのガスとして水素ガスを貯蔵
し、不純物成分を有する原料ガスとしてジボランガスを
貯蔵している。
供給源13が接続されている。ガス供給源13は、不純物ド
ーピング処理を行うのに必要な複数の原料ガスを貯蔵す
るガスボンベを備えている。ガス供給源13から真空チャ
ンバ１へ導入されるガスの種類，導入量，導入時間等
は、ガス調節バルブ12を制御することによりコントロー
ルすることができる。ガス供給源13は、例えば基板表面
の活性化処理促進のためのガスとして水素ガスを貯蔵
し、不純物成分を有する原料ガスとしてジボランガスを
貯蔵している。
真空チャンバ１と高真空排気系５の間には、排気成分
の分析を行うための分析計14が配置されている。この分
析計14は例えば四重極質量分析計から構成される。
の分析を行うための分析計14が配置されている。この分
析計14は例えば四重極質量分析計から構成される。
最後に、CPU等から構成される制御処理部15が、加熱
系３、調節バルブ12、ゲートバルブ４、及び高真空排気
系５に接続されておりこれらの動作を制御する。また圧
力計６及び分析計14にも接続されており、圧力計および
分析計の検出結果に基づいて、不純物ドーピング装置の
制御処理を行っている。
系３、調節バルブ12、ゲートバルブ４、及び高真空排気
系５に接続されておりこれらの動作を制御する。また圧
力計６及び分析計14にも接続されており、圧力計および
分析計の検出結果に基づいて、不純物ドーピング装置の
制御処理を行っている。
第２図（ａ）は、本発明にかかる不純物ドーピング装
置を用いて、シリコンからなる半導体基板２に対して不
純物ボロンをドーピングする例を示す工程図である。第
２図（ａ）−（Ａ）に示す工程において、シリコン半導
体基板２の表面活性化処理が行われる。この活性化処理
２は例えば水素ガス（H2）が用いられ基板２の表面に存
在する自然酸化膜を還元反応により除去する。なお、水
素ガスを用いなくとも、真空中において基板２を加熱放
置することでも表面活性化処理は可能であるが、水素ガ
スを用いることにより効率的である。第２図（ａ）−
（Ｂ）に示す工程において、シリコン半導体基板２を加
熱した状態で真空チャンバ内に不純物成分ボロンを有す
るジボランガス（B2H6）16を導入しシリコン半導体基板
２の活性化表面に不純物吸着膜17を堆積する吸着処理を
行う。第２図（ａ）−（Ｃ）に示す工程において、半導
体基板２を所定の温度で所定時間加熱することにより不
純物の半導体基板２に対する拡散処理を実行し、不純物
拡散層18を形成する。
置を用いて、シリコンからなる半導体基板２に対して不
純物ボロンをドーピングする例を示す工程図である。第
２図（ａ）−（Ａ）に示す工程において、シリコン半導
体基板２の表面活性化処理が行われる。この活性化処理
２は例えば水素ガス（H2）が用いられ基板２の表面に存
在する自然酸化膜を還元反応により除去する。なお、水
素ガスを用いなくとも、真空中において基板２を加熱放
置することでも表面活性化処理は可能であるが、水素ガ
スを用いることにより効率的である。第２図（ａ）−
（Ｂ）に示す工程において、シリコン半導体基板２を加
熱した状態で真空チャンバ内に不純物成分ボロンを有す
るジボランガス（B2H6）16を導入しシリコン半導体基板
２の活性化表面に不純物吸着膜17を堆積する吸着処理を
行う。第２図（ａ）−（Ｃ）に示す工程において、半導
体基板２を所定の温度で所定時間加熱することにより不
純物の半導体基板２に対する拡散処理を実行し、不純物
拡散層18を形成する。
第２図（ｂ）は、本発明にかかる不純物ドーピング装
置を用いて、シリコンからなる半導体基板２に対して不
純物吸着膜と半導体膜との積層構造を形成した後に不純
物拡散層を形成する例を示す工程図である。第２図
（ｂ）−（Ａ）に示す工程においてシリコン半導体基板
２の表面活性化処理が行われ、第２図（ｂ）−（Ｂ）に
示す工程において不純物吸着膜17を堆積する。これらの
工程は、それぞれ第２図（ａ）−（Ａ）及び第２図
（ａ）−（Ｂ）と同じである。次に第２図（ａ）−
（Ｃ）に示す工程においてシランガス（SiH4）であるい
はジクロロシランガス（SiH2Cl2）のいずれかと水素ガ
ス（H2）を導入して不純物吸着膜17の上に半導体膜19を
設けて積層構造を形成している。最後に必要に応じて第
２図（ｂ）−（Ｄ）に示す工程において半導体基板２を
加熱処理することにより不純物拡散層19を形成してい
る。第２図（ｃ）は、本発明にかかる不純物ドーピング
装置を用いて、ドープされる不純物の活性化を促進する
ためにシリコンからなる半導体基板２に対して不純物成
分を含むガスと半導体成分を含むガスを同時に導入する
ことにより、比抵抗の小さい不純物拡散層を形成する例
を示す工程図である。第２図（ｃ）−（Ａ）に示す工程
においてシリコン半導体基板２の表面活性化処理が行わ
れ、第２図（Ｃ）−（Ｂ）に示す工程において、不純物
成分がボロンを有するジボランガス（B2H6）と半導体成
分であるシリコンを含むジクロルシランガス（SiH2C
l2）を同時に供給することにより、不純物成分と半導体
成分からなる吸着層21が形成される。このあと第２図
（ｃ）−（Ｃ）に示す工程において半導体基板２を加熱
処理することにより不純物拡散層22を形成している。こ
の方法によって形成された不純物拡散層22におけるボロ
ンは高い活性比率を有し、極めて低抵抗の拡散層となっ
ている。
置を用いて、シリコンからなる半導体基板２に対して不
純物吸着膜と半導体膜との積層構造を形成した後に不純
物拡散層を形成する例を示す工程図である。第２図
（ｂ）−（Ａ）に示す工程においてシリコン半導体基板
２の表面活性化処理が行われ、第２図（ｂ）−（Ｂ）に
示す工程において不純物吸着膜17を堆積する。これらの
工程は、それぞれ第２図（ａ）−（Ａ）及び第２図
（ａ）−（Ｂ）と同じである。次に第２図（ａ）−
（Ｃ）に示す工程においてシランガス（SiH4）であるい
はジクロロシランガス（SiH2Cl2）のいずれかと水素ガ
ス（H2）を導入して不純物吸着膜17の上に半導体膜19を
設けて積層構造を形成している。最後に必要に応じて第
２図（ｂ）−（Ｄ）に示す工程において半導体基板２を
加熱処理することにより不純物拡散層19を形成してい
る。第２図（ｃ）は、本発明にかかる不純物ドーピング
装置を用いて、ドープされる不純物の活性化を促進する
ためにシリコンからなる半導体基板２に対して不純物成
分を含むガスと半導体成分を含むガスを同時に導入する
ことにより、比抵抗の小さい不純物拡散層を形成する例
を示す工程図である。第２図（ｃ）−（Ａ）に示す工程
においてシリコン半導体基板２の表面活性化処理が行わ
れ、第２図（Ｃ）−（Ｂ）に示す工程において、不純物
成分がボロンを有するジボランガス（B2H6）と半導体成
分であるシリコンを含むジクロルシランガス（SiH2C
l2）を同時に供給することにより、不純物成分と半導体
成分からなる吸着層21が形成される。このあと第２図
（ｃ）−（Ｃ）に示す工程において半導体基板２を加熱
処理することにより不純物拡散層22を形成している。こ
の方法によって形成された不純物拡散層22におけるボロ
ンは高い活性比率を有し、極めて低抵抗の拡散層となっ
ている。
第３図は、第１図に示す不純物ドーピング装置を用い
て、第２図に示す一連の処理を行う場合に、制御処理部
15に与えられる一連の手順すなわち不純物ドーピングプ
ロセスシーケンスを表すチャートである。CPU等からな
る制御処理部15はこのプロセスシーケンスあるいはプロ
グラムに従って不純物ドーピング装置の制御を行い、不
純物ドーピングを実行するものである。第３図に示すプ
ロセスシーケンスチャートにおいて、横軸は処理時間を
示し、縦軸は基板温度と真空チャンバの内部圧力を示し
ている。
て、第２図に示す一連の処理を行う場合に、制御処理部
15に与えられる一連の手順すなわち不純物ドーピングプ
ロセスシーケンスを表すチャートである。CPU等からな
る制御処理部15はこのプロセスシーケンスあるいはプロ
グラムに従って不純物ドーピング装置の制御を行い、不
純物ドーピングを実行するものである。第３図に示すプ
ロセスシーケンスチャートにおいて、横軸は処理時間を
示し、縦軸は基板温度と真空チャンバの内部圧力を示し
ている。
以下、第２図（ａ）及び第３図を参照して、第１図に
示す本発明にかかる不純物ドーピング装置の動作を詳細
に説明する。まず、シリコン半導体基板２の表面活性化
処理を行うために、シリコン半導体基板２はバックグラ
ンド圧力が１×10-4Pa以下の真空チャンバ１の中央部に
セットされる。この状態で、制御処理部15は与えられつ
プロセスシーケンスに従って、加熱系３を制御し基板温
度を例えば800℃に設定する。基板温度が上昇しかつ安
定化した状態で、ガス調節バルブ12を制御し、ガス供給
源13から水素ガスを真空チャンバ２に導入する。このと
き、例えば真空チャンバ内部の圧力が１×10-2Paとなる
ような条件で水素ガスを一定時間導入する。このときの
真空チャンバ内部圧力は圧力計６によってモニターされ
ており、そのモニター結果に基づいて制御処理部15はガ
ス調節バルブ12を調節するのである。このようにしてシ
リコン半導体基板２の表面に形成されていた自然酸化膜
が除去され、化学的に活性なシリコン表面が露出する。
すなわちシリコン半導体基板表面の清浄化が行われる。
示す本発明にかかる不純物ドーピング装置の動作を詳細
に説明する。まず、シリコン半導体基板２の表面活性化
処理を行うために、シリコン半導体基板２はバックグラ
ンド圧力が１×10-4Pa以下の真空チャンバ１の中央部に
セットされる。この状態で、制御処理部15は与えられつ
プロセスシーケンスに従って、加熱系３を制御し基板温
度を例えば800℃に設定する。基板温度が上昇しかつ安
定化した状態で、ガス調節バルブ12を制御し、ガス供給
源13から水素ガスを真空チャンバ２に導入する。このと
き、例えば真空チャンバ内部の圧力が１×10-2Paとなる
ような条件で水素ガスを一定時間導入する。このときの
真空チャンバ内部圧力は圧力計６によってモニターされ
ており、そのモニター結果に基づいて制御処理部15はガ
ス調節バルブ12を調節するのである。このようにしてシ
リコン半導体基板２の表面に形成されていた自然酸化膜
が除去され、化学的に活性なシリコン表面が露出する。
すなわちシリコン半導体基板表面の清浄化が行われる。
次に制御処理部15はプロセスシーケンスに従って、不
純物吸着処理を実行する。即ちシリコン表面の清浄化が
完了した後、制御処理部15はガス調節バルブ12を制御し
て水素ガスの導入を停止するとともに、加熱系３を制御
して基板温度を例えば600℃に設定する。この設定温度
に到達安定した後、ガス調節バルブ12を制御し、シリコ
ン半導体基板２の活性化表面にボロンを含む化合物ガス
であるジボラン16を、例えば真空チャンバの圧力が１×
10-2Paとなるような条件で一定時間導入する。これによ
り、ボロンあるいはボロンを含む化合物の吸着膜17が形
成される。
純物吸着処理を実行する。即ちシリコン表面の清浄化が
完了した後、制御処理部15はガス調節バルブ12を制御し
て水素ガスの導入を停止するとともに、加熱系３を制御
して基板温度を例えば600℃に設定する。この設定温度
に到達安定した後、ガス調節バルブ12を制御し、シリコ
ン半導体基板２の活性化表面にボロンを含む化合物ガス
であるジボラン16を、例えば真空チャンバの圧力が１×
10-2Paとなるような条件で一定時間導入する。これによ
り、ボロンあるいはボロンを含む化合物の吸着膜17が形
成される。
最後に、プロセスシーケンスに従って、拡散処理が行
われる。すなわち、不純物吸着膜17の堆積が終了した
後、調節バルブ12を制御してジボランガスの導入を停止
する。そして、高真空排気系５により真空チャンバ１の
内部を高真空に排気する。この状態で、加熱系３を制御
し、基板温度を例えば900℃に上昇させる。この状態を
所定時間保持することにより、所謂基板のアニールを行
い、不純物吸着膜17を拡散源とした不純物の固相拡散を
行い、シリコン半導体基板２の表面に不純物拡散層18を
形成する。このとき同時に不純物原子ボロンの活性化も
行われる。本発明にかかる不純物ドーピング装置を用い
れば、ボロンの吸着量およびアニール条件（基板温度と
加熱時間）を制御処理部15により制御することにより所
望の不純物濃度及び接合深さを有する不純物拡散層18を
形成することができる。ボロンの吸着量は、調節バルブ
12を制御し、ジボランガスの導入圧力及び導入時間を調
節することにより所望の値に設定することができる。
われる。すなわち、不純物吸着膜17の堆積が終了した
後、調節バルブ12を制御してジボランガスの導入を停止
する。そして、高真空排気系５により真空チャンバ１の
内部を高真空に排気する。この状態で、加熱系３を制御
し、基板温度を例えば900℃に上昇させる。この状態を
所定時間保持することにより、所謂基板のアニールを行
い、不純物吸着膜17を拡散源とした不純物の固相拡散を
行い、シリコン半導体基板２の表面に不純物拡散層18を
形成する。このとき同時に不純物原子ボロンの活性化も
行われる。本発明にかかる不純物ドーピング装置を用い
れば、ボロンの吸着量およびアニール条件（基板温度と
加熱時間）を制御処理部15により制御することにより所
望の不純物濃度及び接合深さを有する不純物拡散層18を
形成することができる。ボロンの吸着量は、調節バルブ
12を制御し、ジボランガスの導入圧力及び導入時間を調
節することにより所望の値に設定することができる。
本発明にかかる不純物ドーピング装置においては、活
性化処理の完了時点を検出するために分析計14が用いら
れている。分析計14は例えば四重極質量分析計から構成
されており、シリコン半導体基板２の表面活性化が進行
している状態で、真空チャンバ１から排気されるガスに
含まれるSiOあるいはH2Oの量的変化をモニターしてい
る。第４図は、排気成分SiOの量的変化に対応する四重
極質量分析計のイオン電流経時変化を示すグラフであ
る。図示するように、シリコン半導体基板１の表面に存
在する自然酸化膜の除去が進行するに従って、シリコン
基板表面から揮発するSiOの量が上昇する。そして、自
然酸化膜が完全に除去された時点で、SiOの量は急激に
減少し、バックグランドレベルに至る。制御処理部15
は、分析計14のイオン電流の変化をモニターすることに
より、シリコン基板表面の活性化処理が終了した時点を
検出することができる。この結果に従って、制御処理部
15は調節バルブ12及び加熱系３を制御し、与えられたプ
ロセスシーケンスに従って次の手順である吸着処理に進
むのである。
性化処理の完了時点を検出するために分析計14が用いら
れている。分析計14は例えば四重極質量分析計から構成
されており、シリコン半導体基板２の表面活性化が進行
している状態で、真空チャンバ１から排気されるガスに
含まれるSiOあるいはH2Oの量的変化をモニターしてい
る。第４図は、排気成分SiOの量的変化に対応する四重
極質量分析計のイオン電流経時変化を示すグラフであ
る。図示するように、シリコン半導体基板１の表面に存
在する自然酸化膜の除去が進行するに従って、シリコン
基板表面から揮発するSiOの量が上昇する。そして、自
然酸化膜が完全に除去された時点で、SiOの量は急激に
減少し、バックグランドレベルに至る。制御処理部15
は、分析計14のイオン電流の変化をモニターすることに
より、シリコン基板表面の活性化処理が終了した時点を
検出することができる。この結果に従って、制御処理部
15は調節バルブ12及び加熱系３を制御し、与えられたプ
ロセスシーケンスに従って次の手順である吸着処理に進
むのである。
この発明にかかる不純物ドーピング装置は、化学的に
活性な半導体表面上に少なくとも半導体のドーパントと
となる不純物元素を含んだ物質の吸着層を形成し、その
吸着層を不純物拡散源として半導体中への不純物ドーピ
ングを行うところにその原理的特徴を有している。発明
者らの詳細の研究によれば、ある一定の基板温度範囲に
おいて、自然酸化膜等の不活性膜上においてはシリコン
単結晶あるいは多結晶の活性面上に比べて、吸着膜がほ
とんど堆積されない、あるいはあとの熱処理工程の結
果、少なくとも１桁以上少ない量の不純物しか残らない
ことが分かっている。また不活性膜は吸着した不純物の
バルク中への拡散を妨げることも明らかとなっている。
従って、不純物吸着処理に先立って、基板表面の活性化
処理あるいは清浄化処理を行うことは極めて重要であ
る。この点に鑑み、本発明にかかる不純物ドーピング装
置は所定のプロセスシーケンスに従って、半導体基板の
活性化処理あるいは清浄化処理を自動的に行うようにな
っている。
活性な半導体表面上に少なくとも半導体のドーパントと
となる不純物元素を含んだ物質の吸着層を形成し、その
吸着層を不純物拡散源として半導体中への不純物ドーピ
ングを行うところにその原理的特徴を有している。発明
者らの詳細の研究によれば、ある一定の基板温度範囲に
おいて、自然酸化膜等の不活性膜上においてはシリコン
単結晶あるいは多結晶の活性面上に比べて、吸着膜がほ
とんど堆積されない、あるいはあとの熱処理工程の結
果、少なくとも１桁以上少ない量の不純物しか残らない
ことが分かっている。また不活性膜は吸着した不純物の
バルク中への拡散を妨げることも明らかとなっている。
従って、不純物吸着処理に先立って、基板表面の活性化
処理あるいは清浄化処理を行うことは極めて重要であ
る。この点に鑑み、本発明にかかる不純物ドーピング装
置は所定のプロセスシーケンスに従って、半導体基板の
活性化処理あるいは清浄化処理を自動的に行うようにな
っている。
以上述べた例においては、本発明にかかる不純物ドー
ピング装置はシリコン半導体基板に対してジボランガス
を供給することにより、Ｐ型の不純物であるボロンを導
入した。しかしながら、本発明にかかる不純物ドーピン
グ装置はジボランガス以外の原料ガス例えばトリメチル
ガリウム（TMG）や三塩化ホウ素（BCl3）などに代表さ
れるIII族元素の化合物を用いてＰ型の不純物ドーピン
グすることもできる。同様にシリコン半導体基板に対し
てＮ型の不純物をドーピングするには、アルシン（As
H3）、三塩化リン（PCl3）、五塩化アンチモン（SbC
l5）、ホスフィン（PH3）等を利用することもできる。
ピング装置はシリコン半導体基板に対してジボランガス
を供給することにより、Ｐ型の不純物であるボロンを導
入した。しかしながら、本発明にかかる不純物ドーピン
グ装置はジボランガス以外の原料ガス例えばトリメチル
ガリウム（TMG）や三塩化ホウ素（BCl3）などに代表さ
れるIII族元素の化合物を用いてＰ型の不純物ドーピン
グすることもできる。同様にシリコン半導体基板に対し
てＮ型の不純物をドーピングするには、アルシン（As
H3）、三塩化リン（PCl3）、五塩化アンチモン（SbC
l5）、ホスフィン（PH3）等を利用することもできる。
以上説明したように、本発明によれば、与えられたプ
ロセスシーケンスに従って自動的に半導体基板表面に対
して活性化処理、不純物吸着処理および不純物拡散処理
の一連の工程を行うことが出来る。本発明にかかる不純
物ドーピング装置は、所謂化学吸着の原理に基づいて不
純物のドーピングを行うため、従来のイオン注入装置に
比べて、半導体基板表面を損傷する恐れがないという効
果がある。また、不純物吸着量を制御することが可能で
あるので、不純物拡散濃度や拡散深度をきわめて精密に
調整することができるという効果がある。加えて化学吸
着に基づく方法であるので、不純物の導入における指向
性がないため、半導体基板の表面に対して一様に拡散層
を形成することができるという効果もある。
ロセスシーケンスに従って自動的に半導体基板表面に対
して活性化処理、不純物吸着処理および不純物拡散処理
の一連の工程を行うことが出来る。本発明にかかる不純
物ドーピング装置は、所謂化学吸着の原理に基づいて不
純物のドーピングを行うため、従来のイオン注入装置に
比べて、半導体基板表面を損傷する恐れがないという効
果がある。また、不純物吸着量を制御することが可能で
あるので、不純物拡散濃度や拡散深度をきわめて精密に
調整することができるという効果がある。加えて化学吸
着に基づく方法であるので、不純物の導入における指向
性がないため、半導体基板の表面に対して一様に拡散層
を形成することができるという効果もある。
第１図は不純物ドーピング装置のブロック図、第２図
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ不純物ドーピング工程図、第
３図は不純物ドーピングプロセスシーケンスチャート、
及び第４図は排気成分SiOの量的変化に対応する四重極
質量分析計のイオン電流経時変化を示すグラフである。 １……真空チャンバ ２……半導体基板 ３……加熱系 ４……ゲートバルブ ５……高真空系排気系 ６……圧力計 ７……搬送機構 ８……ゲートバルブ ９……ロード室 10……ゲートバルブ 11……ロード室排気系 12……ガス調節バルブ 13……ガス供給源 14……分析計 15……制御処理部 16……不純物ガス 17……不純物吸着膜 18……不純物拡散層
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ不純物ドーピング工程図、第
３図は不純物ドーピングプロセスシーケンスチャート、
及び第４図は排気成分SiOの量的変化に対応する四重極
質量分析計のイオン電流経時変化を示すグラフである。 １……真空チャンバ ２……半導体基板 ３……加熱系 ４……ゲートバルブ ５……高真空系排気系 ６……圧力計 ７……搬送機構 ８……ゲートバルブ ９……ロード室 10……ゲートバルブ 11……ロード室排気系 12……ガス調節バルブ 13……ガス供給源 14……分析計 15……制御処理部 16……不純物ガス 17……不純物吸着膜 18……不純物拡散層
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板を収納する為の真空チャンバ
と、 前記真空チャンバに収容された半導体基板を加熱する為
の加熱系と、 水素ガス、ジボランガス、シランガスあるいはジクロロ
シランガスをそれぞれ貯蔵するとともに、前記真空チャ
ンバ内へ所定のガスを導入するガス供給源と、 前記真空チャンバと前記ガス供給源の間に配置され、導
入されるガスの種類及び量を調節する調節バルブと、 一連の手順に従って加熱器及び調節バルブを制御する制
御処理部と、を備えるとともに、 前記制御処理部が、 前記真空チャンバ内で、前記半導体基板を所定の温度で
所定時間加熱するとともに前記水素ガスを供給すること
により半導体基板表面の活性化処理を実行する第１の手
順と、 前記半導体基板を加熱した状態で前記ジボランガスを所
定量導入することにより半導体基板表面に不純物吸着層
を堆積する吸着処理を実行する第２の手順と、 前記半導体基板を所定の温度で所定時間加熱するととも
に前記シランガスあるいはジクロロシランガスを供給す
ることにより、前記半導体基板に対する前記不純物吸着
層中の不純物の拡散と活性化の処理を実行する第３手順
と、を制御することを特徴とする不純物ドーピング装
置。 - 【請求項２】半導体基板を収納する真空チャンバと、 前記真空チャンバに収容された半導体基板を加熱する加
熱系と、 水素ガス、ジボランガス、シランガスあるいはジクロロ
シランガスをそれぞれ貯蔵するとともに、前記真空チャ
ンバ内へ所定のガスを導入するガス供給源と、 前記真空チャンバと前記ガス供給源の間に配置され、導
入されるガスの種類及び量を調節する調節バルブと、 一連の手順に従って加熱器及び調節バルブを制御する制
御処理部と、を備えるとともに、 前記制御処理部が、 前記真空チャンバ内で、前記半導体基板を所定の温度で
所定時間加熱するとともに前記水素ガスを供給すること
により半導体基板表面の活性化処理を実行する第１の手
順と、 前記半導体基板を加熱した状態で前記ジボランガスを所
定量導入することにより半導体基板表面に不純物吸着層
を堆積する吸着処理を実行する第２の手順と、 前記シランガスあるいはジクロロシランガスを供給する
ことにより、前記不純物吸着層上に半導体膜を形成する
第３手順と、を制御することを特徴とする不純物ドーピ
ング装置。 - 【請求項３】半導体基板を収納する真空チャンバと、前
記真空チャンバに収容された半導体基板を加熱する加熱
系と、所定のガスを前記真空チャンバ内へ導入するガス
供給源と、真空チャンバとガス供給源の間に配置され導
入されるガスの種類及び量を調節する調節バルブと、前
記真空チャンバを排気するための排気系と、前記排気系
から排気された排気成分の分析を行う分析計と、一連の
手順に従って加熱器及び調節バルブを制御する制御処理
部と、を備えるとともに、 前記制御処理部が、 前記半導体基板を所定の温度で所定時間加熱することに
より半導体基板表面の活性化処理を実行するとともに、
前記分析計の分析結果に基づいて該活性化処理の終了を
実行する第１手順と、前記半導体基板を加熱した状態で
真空チャンバ内に不純物成分を有するガスを選択的に所
定量導入し半導体基板表面に不純物吸着層を堆積する吸
着処理を実行する第２手順と、前記半導体基板を所定の
温度で所定時間加熱することにより不純物の半導体基板
に対する拡散処理を実行する第３手順と、を制御するこ
とを特徴とする不純物ドーピング装置。 - 【請求項４】前記分析計が、活性化処理において半導体
基板から揮発するSiOの変化量を分析する四重極質量分
析計であることを特徴とする請求項３に記載の不純物ド
ーピング装置。 - 【請求項５】前記第１手順において、活性化処理のため
に水素ガスが用いられるとともに、前記分析計が還元反
応の結果基板表面から離脱するH2Oの変化量を分析する
四重極質量分析計であることを特徴とする請求項３に記
載の不純物ドーピング装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318555A JP2928930B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 不純物ドーピング装置 |
| CA002031418A CA2031418A1 (en) | 1989-12-06 | 1990-12-04 | Impurity doping apparatus |
| KR1019900019891A KR0166587B1 (ko) | 1989-12-06 | 1990-12-05 | 불순물 도우핑 장치 |
| EP90123274A EP0438677A3 (en) | 1989-12-06 | 1990-12-05 | Impurity doping apparatus |
| US07/623,164 US5199994A (en) | 1989-12-06 | 1990-12-06 | Impurity doping apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318555A JP2928930B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 不純物ドーピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178126A JPH03178126A (ja) | 1991-08-02 |
| JP2928930B2 true JP2928930B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=18100440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318555A Expired - Lifetime JP2928930B2 (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 不純物ドーピング装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5199994A (ja) |
| EP (1) | EP0438677A3 (ja) |
| JP (1) | JP2928930B2 (ja) |
| KR (1) | KR0166587B1 (ja) |
| CA (1) | CA2031418A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2892170B2 (ja) * | 1990-07-20 | 1999-05-17 | 株式会社東芝 | 熱処理成膜方法 |
| JP2750063B2 (ja) * | 1991-12-17 | 1998-05-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体界面形成方法 |
| JP2825172B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1998-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理装置および減圧処理方法 |
| JPH0897147A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | エピタキシャル結晶成長装置 |
| KR19980053433A (ko) * | 1996-12-26 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자 제조 공정에서의 이온 주입 방법 |
| US6653686B2 (en) | 1998-07-13 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | Structure and method of controlling short-channel effect of very short channel MOSFET |
| US6468814B1 (en) * | 1998-07-24 | 2002-10-22 | Leybold Inficon, Inc. | Detection of nontransient processing anomalies in vacuum manufacturing process |
| US6548378B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-04-15 | Vishay Semiconductor Itzehoe Gmbh | Method of boron doping wafers using a vertical oven system |
| KR100331273B1 (ko) * | 1999-08-07 | 2002-04-06 | 박종섭 | 반도체기판의 표면 처리 방법 |
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