KR910013457A - 불순물 도우핑 장치 - Google Patents

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하라레이 노스께
세이꼬 덴시 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

불순물 도우핑 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 불순물 도우핑 장치를 보여주는 블륵 다이어그램.

Claims (9)

  1. 불순물 도우핑 장치로서 내부에 반도체 기판을 포함하는 진공실, 진공실에 배치된 반도체 기판을 가열하는 가열 수단 소정 가스를 진공실에 공급하는 가스 공급원, 공급된 가스의 종류를 선택하는 공급된 가스양을 조절하기 위하여 진공실과 가스 공급된 사이에 배치된 조절 밸브 수단; 및 가열 수단 및 조절 수단을 제어하기 위하여 소정 시퀸스의 제1, 제2 및 제3절차에 따라서 동작하는 제어 수단을 포함하며, 상기 제어 수단은 반도체 기판의 표면을 활성화시키기 위하여 소정 시간 인터벌 동안 소정 온도로 반도체 기판을 가열하기 위한 제1절차에 따라서 동작하며, 활성화된 표면에 불순물 흡수막을 배치하기 위해 기판을 가열하는 동안 소정 양만큼 불순물 성분을 포함하는 가스를 진공실내로 충전시키기 위한 제2절차에 따라 동적하며, 불순물 성분을 불순물 흡수막으로부터 반도체 기판내로 확산시키기 위해 소정 시간 인터벌 동안 소정 온도로 반도체 기판을 달굼질하기 위한 제3절차에 따라서 동작하는 불순물 도우핑 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제어 수단은 반도체 기판면의 활성화를 용이하게 하는데 효과적인 가스를 진공실내로 주입하기 위해 조절 밸브를 제어하기 위해 제1절차에 따라서 동작하는 수단을 포함하는 불순물 도우핑 장치.
  3. 제1항에 있어서, 가스 공급원은 반도체 기판면의 활성화를 용이하게 하는데 효과적인 하이드로겐 가스를 저장하기 위한 병과 붕소 불순물 성분을 포함하는 디보란 가스를 저장하기 위한 병을 갖고 있는 불순물 도우핑 장치.
  4. 제3항에 있어서, 가스 공급원은 불순물 성분의 활성화를 용이하게 하는데 효과적인 실란 가스와 디크로로 실란 가스를 저장하기 위한 부가의 병을 갖고 있는 불순물 도우핑 장치.
  5. 제3항에 있어서, 가스공급원은 불순물 흡수막과 접촉하는 반도체 막을 형성하는데 효과적인 반도체 성분을 갖고 있는 실란 가스 또는 디크로로 실란 가스를 저장하기 위한 부가의 병을 갖고 있는 불순물 도우핑 장치.
  6. 제1항에 있어서, 진공실은 수정으로 만들어지는 불순물 도우핑 장치.
  7. 제1항에 있어서, 진공실은 소개하기 위한 소개 수단과 진공실로부터 소개된 소모 성분을 분석하는 분석 수단을 구비하며, 상기 제어 수단은 분석 수단으로부터 제공된 분석 결과에 근거하여 기판면의 활성화의 마지막 포인트를 검출하기 위하여 제1절차에 따라 동작하는 불순물 도우핑 장치.
  8. 제7항에 있어서, 분석 수단은 반도체 기판면을 활성화시키는 과정동안 실리콘 반도체 기판으로부터 방출되는 SiO 소모 성분의 양적 변화를 부석하는 쿼드러폴 질량 분광계를 포함하는 불순물 도우핑 장치.
  9. 제7항에 있어서, 분석 수단은 하이드로겐 환원 가스를 이용하는 동안 반도체 기판면을 활성화시키는 과정동안에 실리콘 반도체 기판에서 방출되는 H2O소모 성분의 양적 변화를 분석하는 쿼드러를 질량 분광계를 포함하는 불순물 도우핑 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900019891A 1989-12-06 1990-12-05 불순물 도우핑 장치 KR0166587B1 (ko)

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