JPS58103125A - 加熱制御装置 - Google Patents

加熱制御装置

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Publication number
JPS58103125A
JPS58103125A JP20285381A JP20285381A JPS58103125A JP S58103125 A JPS58103125 A JP S58103125A JP 20285381 A JP20285381 A JP 20285381A JP 20285381 A JP20285381 A JP 20285381A JP S58103125 A JPS58103125 A JP S58103125A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zone
temperature
control device
furnace
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20285381A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhide Komatsu
小松 靖秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP20285381A priority Critical patent/JPS58103125A/ja
Publication of JPS58103125A publication Critical patent/JPS58103125A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/18Controlling or regulating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は加熱制御装置に関し1%に半導体素子等の熱処
理工程に用いられる拡散炉装置の湿度制御部に付加して
使用する拡散炉用プログラム温度コントロール装置に関
するものである。
このプログラム温度フン)a−ル装置は第1図に示すよ
うに、熱電対31の起電力に、プログラム温度コン)0
−ル装置32で発生した任意の電圧を加え、温度コント
ローラー33に対し見掛上温度が変化したように思わせ
、拡散炉の炉温をプログラム温度コントロール装置で自
由に制御して設定できるようにしたものであるOこのプ
ログラム温度コントロール装置は、牛導体つエノ\−ス
の熱処理を行なう時熱シ叢ツク等で発生ずる結晶歪。
スリーブ、ソリ等の発生を防止するため温度コントロー
ラーに付加して、ランピングプロセスをできるようにす
るための装置である。
従来のプログラム温度コントロール装置は、大別すると
1点駆動型と、3点駆動型の2樵類がある。1点駆動型
プシグラム温度コントロール装置は、マスタースレーブ
方式で温度制御を行なっている拡散炉のセンターゾーン
の熱電対の起電力に対して、プログラム温度コントロー
ル装置で発生した電圧を加えることによって、拡散炉の
炉温を変化させることができる。この1点駆動型プログ
ラム温度コン10−ル装置はセンターゾーンのみで炉温
を駆動するため、均熱特性が良くないという欠点と、さ
らにマスタースレーブ方式の拡散炉以外の炉には使用で
きないという欠点があった。
一方、3点駆動型プログラム温度コントロール装置は、
3ゾ一ンマスタ一方式、及び、マス貞−スレープ方式の
どちらの温度制御方式をとっている拡散炉でも使用でき
、それぞれフロントゾーン。
センターゾーン、リアゾーンに対して、プログラム温度
コントロール装置で発生した電圧を加えることによって
拡散炉の炉温を変化させることができる。この3点駆動
型プログラム温度コン)$2−ル装置は、1点駆動型プ
pグラム温度コント胃−ル装置と比較して、各ゾーン毎
に炉温の設定ができるため均熱特性が良いので、最近で
は殆んどこの3点駆動型のプシグラム温度コン)0−ル
装置が主流になりつつある。
しかし表から、この3点駆動型プ宵グラム温度コントロ
ール装置は、制御信号伝達用のD//ム換部が1個しか
なく、これによってアナログ変換されたアナログ出力を
3分割して、7窒ントゾーン、センターゾーン、リアゾ
ーンとに供給する方式と、各ゾーンそれぞれKD/A変
換部をもつ方式とがあるが、いずれの場合も各ゾーン間
の相互干渉が起きやすいという欠点があった。
−ンに対して共通であるため、各ゾーン間の電気的絶縁
が確実にとられていないため、ゾーン間での相互干渉が
起きやすく炉温がふらふらするといった欠点があった。
本発明の目的は被加熱体の全体にわたって均一な温度分
布が得られる加熱Mll装置を提供することであり、各
ゾーン毎にD/A変換部を設け、主制御を行なうマイク
四コンピュータ部とD/A変換部との信号線には光絶縁
を行ない、さらに、各ゾーン毎に独立して電源を持たせ
たことを特徴とし、各ゾーン間の電気的な絶縁を高めて
ゾーン間の相互干渉が起きないようにしたものである。
本発明によれば各ゾーン間が、電気的に切り放されてい
るため、各ゾーン間の相互干渉による炉温のふらつきを
防止することができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例に基づき詳細に説
明する。第2図は本発明の一実施例による3点駆動截ブ
pグラム温度コントロール装置の構成図である。このプ
ログラム温度コントロール装置の構成Fi、主制御を行
なうマイクロコンビエータ部1と、この装置を作動させ
るプ四グラム。
データ等を入力又は表示させるためのテンキー2.7セ
グメン)LlfD3.LBDランプ4、ファンクション
キー5%モードキー6%とからなる操作部と、拡散炉に
対して炉温を変化させるためのアナ四グ信号を発生する
、7霞ントゾーン用のD/ム7、センターゾーン用のD
//ム、リアゾーン用<2)D/A9のD//ム換部1
9と、ガスバルブを駆動させるためのガスl1010.
ガスドライバー15、ガスダイリエーシ曹ン装置とから
なる部分と、ホードローダ−を駆動させるためのボート
ーーグー用l1011%ボートp−グー駆動用ドライバ
ー16.ボートローダ−装置とからなる部分で構成した
。各回路に供給する電源は、OPU供給用電源とD/ム
用電電源を分離し、さらに各ゾーン間の電気的絶縁を行
なうため7$2ントゾーン用D/ム、センターゾーン用
D/A、  リアーゾーン用D/Aと分離した。この時
のOPU供給用電源には+5vのスイッチング電源を用
い、CPU1の外にLID表示関係3,4、キースイッ
チ間係2,5,6、ガスバルブ用l1010、ボートル
ーダ−用l1011等に供給した。各ゾーンD/ム7.
8.9の電源は3端子レギ為レータ−を使用した。
さらに、電気的絶縁を完全に行なうためにD/ムのデジ
タル信号入力部分にフォトカプラを入れた。
上記の構成をしたプログラム温度コントローラーのD/
Aアナログ出力間の絶縁抵抗を測定した所、100MΩ
以上の抵抗があり、各ゾーン間の絶縁が十分とれている
ことが確認された。
次ニ、上記構成のプログラム温度コントロール装置をマ
スタースレーブ制御方式の拡散炉(纂3図)に取り付け
た。フロントゾーンとリアゾーンに卦ける取り付は場所
は、センターゾーンの温度を測定する熱電対44.46
の起電力と両サイドゾーンの温度を測定する熱電対43
.47の起電力との起電力差をプログラム温度コントロ
ーラーにて操作できる位置48.50にD/Aのアナロ
グ出力をシリーズに接続した。センターゾーンにおける
取り付は場所は、センターゾーンの温度を測定する熱電
対とプログラム温度コントローラーのD/A変換のアナ
四グ出力と直列に接続した。
次に、熱電対からの温度信号と、プログラム温度コント
ローラー55からの変化させたい温度信号との合成され
た信号を各ゾーンの温度フン)a−ラーに入れ、温度制
御を行なった。この時のD/ムのアナログ電圧出力値と
しては、センターゾーンが1000℃の温度幅を設定で
きるようにOmV〜13mV出力を出せるようにし、フ
四ントゾーンと、リアゾーンについては、±100℃の
濃度幅を設定できるように±1.3 mVの出力が出せ
るようKした。。
次に、炉芯管内42に熱電対を入れ、炉内温度を測定し
た結果1000℃における炉内温度の安定性及び、プロ
グラム温度コントローラーの出力電圧を可変し、ランピ
ングを行なったときの炉内湿度の再現性等を測定した結
果、いづれも±0.2℃以内と測定され、安定性及び再
現性は良好であった。この炉内温度測定を各ゾーンにつ
いて行なっらつきについて祉発見されなかった。
以上の様に各ゾーン間を電気的に切り放すことにより、
各ゾーン間の相互干渉及び炉温のふらつき等を防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1 IQ a % ブリダラム温度コントロール装置
の基本動作を説明するためのブロック図、第2図は本発
明の一実施例による3点駆動型プログラム温度コントp
−ル装置を説明するための構成プロッタ図、第3図は#
I2図の3点駆動型プログラム温度コントシール装置を
マスタースレーブm拡散炉に取り付けた時の炉との構成
図を示す。 1・・・・・・主制御装置(μm(70M)、2・・・
・・・テンキー、3・・・・・°クセグメントL B 
D表示パネル、4・・・・・・LIID9ン7表示パネ
ル、5・・・・・・7アンクシ璽ンキー、6・・・・・
・モードキー、7・・・・・・フロントゾーン用り/ム
変換回路、8・・・・・・センターゾーン用心/ム変換
回路、9・・・・・・リアゾーン用り/A変換回路、1
0・・・・・・ガスバルブ用110.11・・出・ボー
ト四−ダー用I10.12°°°“°°拡散炉(70ン
トゾーンコン)a−ラ)装置、13・・・・・・拡散炉
(センターゾーンコントローラ)装置、14・・川・拡
散炉(リアゾーンコントローラ[置、15・・・°°・
ガスパルプ駆動用ドライバー、16・・・・・・ボート
ローダ−駆動用ドライバー、17・・・・・・ガスダイ
リエーシッン装置、18・・・・・・ボート四−ダー装
置、19・・・・・・D/ム変換部分、20・・・・・
・7pントD/ム用オプトアイソレ一ジ璽ン部分、21
・・・°°・センターD/A用オプトアイソレージlン
11.22゛°・・・・リアーD/ム用オプ)アイソレ
ージ1ンS分、31・・・・・・熱電対、32・・・・
・・プログラム濃度コントローラ、33・・・・・・温
度コントローラ、41・・・・・・ヒーター、42・・
・・・・炉芯管、43・・・・・・7四ントゾーン用熱
電対、44・・・・・・7pントゾーy起電力比較用熱
電対、45・・・・・・センターゾーン用熱電対。 46・・・・・・リアーゾーン起電力比較表熱電対、4
7・・・・・・リアゾーン用熱電対、48・・・・・・
フリントゾーン用D/A、49・・・・・・センターゾ
ーン用D/A。 50・・・・・・リアーゾーン用り/ム、51・・・・
・・フ胃ントゾーン用温度コントローラ、52・・・・
・・センターゾーン用温度コント田−ラ、53°゛°゛
°°リアーシー7用温1にコント党−ラ、54゛・・−
ii度コント胃−ラ、55・・・・・・プログラム温度
コントローラ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 加熱媒体に対して41の場所から熱を供給する加熱制御
    装置において、各熱供給源を夫々分離して独立に設けた
    ことを%黴とする加熱制御装置。
JP20285381A 1981-12-16 1981-12-16 加熱制御装置 Pending JPS58103125A (ja)

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JP20285381A JPS58103125A (ja) 1981-12-16 1981-12-16 加熱制御装置

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JP20285381A JPS58103125A (ja) 1981-12-16 1981-12-16 加熱制御装置

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JPS58103125A true JPS58103125A (ja) 1983-06-20

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ID=16464272

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JP20285381A Pending JPS58103125A (ja) 1981-12-16 1981-12-16 加熱制御装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61233816A (ja) * 1985-04-08 1986-10-18 Nissei Plastics Ind Co 温度制御装置の自動チユ−ニング装置
EP0438677A2 (en) * 1989-12-06 1991-07-31 Seiko Instruments Inc. Impurity doping apparatus
CN103710758A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 北京七星华创电子股份有限公司 一种负压扩散炉反应腔室压力控制系统及控制方法

Cited By (4)

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