JP2003149610A - 導波路型光可変減衰器 - Google Patents

導波路型光可変減衰器

Info

Publication number
JP2003149610A
JP2003149610A JP2001345948A JP2001345948A JP2003149610A JP 2003149610 A JP2003149610 A JP 2003149610A JP 2001345948 A JP2001345948 A JP 2001345948A JP 2001345948 A JP2001345948 A JP 2001345948A JP 2003149610 A JP2003149610 A JP 2003149610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
voltage
value
waveguide type
waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001345948A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Hajikawa
哲 櫨川
Satoru Takasugi
哲 高杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP2001345948A priority Critical patent/JP2003149610A/ja
Publication of JP2003149610A publication Critical patent/JP2003149610A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期運用によるヒータ抵抗値の変動に関係な
く、光減衰量を正確に制御できる導波路型光可変減衰器
を提供する。 【解決手段】 2本のアーム導波路23A,23Bを有
するY分岐もしくはマッハツェンダー光干渉計回路から
なる光回路と、上記アーム導波路23A,23Bの一方
又は両方に設けられそのアーム導波路23A,23Bの
屈折率を変化させるべく加熱する薄膜ヒータ25A,2
5Bとを有する導波路型光可変減衰器において、上記薄
膜ヒータ25A,25Bのいずれか一方に接続され、そ
の薄膜ヒータ25A,25Bに供給される電力値が所望
の値になるように電圧を制御して印加する電力制御電源
29を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信に
用いられ、光強度を減衰調整できる導波路型光可変減衰
器に係り、特に熱光学効果を利用して光導波路の屈折率
を変化させて光の位相をずらし、光強度を減衰調整する
導波路型光可変減衰器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来技術の代表例を添付図面に基
づいて説明する。
【0003】図5に従来の導波路型光可変減衰器の断面
図を示す。
【0004】図5に示すように、導波路型光可変減衰器
1は、石英基板2上に形成されたコア3A,3Bとその
コア3A,3Bの周りを覆うように形成されたコアより
屈折率の低いクラッド4とからなる導波路で形成された
光回路を有する。
【0005】図4に示すように、光回路は、入力導波路
5と2本のアーム導波路6A,6Bと出力導波路7とで
構成されており、入力導波路5及び出力導波路7と2本
のアーム導波路6A,6BはY分岐構造により接続され
ており、入力導波路5を通して入力された光は、Y分岐
構造により2本のアーム導波路6A,6Bに分岐し、再
びY分岐構造により合流し、出力導波路7から出力され
るようになっている。
【0006】さらに、アーム導波路6A,6Bの直上に
位置するクラッドの表面上に、それぞれ薄膜ヒータ8
A,8Bが形成されている。
【0007】この薄膜ヒータ8A,8Bは、電気配線と
して電極9A,9B,10A,10Bがクラッドの表面
に形成されている。
【0008】電極9A,9B,10A,10Bは、ワイ
ヤ11A,11Bにより、薄膜ヒータ8Bに電力を供給
するDC電源12と電気接続されている。
【0009】次に動作原理を説明する。
【0010】一方の薄膜ヒータ8B(他方の薄膜ヒータ
8Aでも良い。)を加熱すると、熱光学効果によりその
加熱されたアーム導波路6Bの屈折率が変化する。そし
て、屈折率が変化したアーム導波路6Bを伝搬する光
と、加熱されず屈折率変化のないアーム導波路6Aを伝
搬する光との間に位相のずれが生じ、その結果、出力導
波路7に再度合流する際に、一部の光が石英基板2に放
射し、出力導波路7より出力される光は減衰される。
【0011】すなわち、一方の薄膜ヒータ8Bの加熱温
度を調整することにより、光の減衰量を制御することが
できる。
【0012】このような従来の導波路型光可変減衰器
は、光減衰量を制御する際、以下に示す原理を利用して
いる。
【0013】薄膜ヒータ8A,8Bの加熱温度は、薄膜
ヒータ8A,8Bに供給される電力値に比例する。
【0014】すなわち、薄膜ヒータ8A,8Bの抵抗値
をR、電圧値をV、電流値をIとし、このときのヒータ
電力をWとすると、W=I×V、V=R×Iの関係よ
り、
【0015】
【数1】 W=R×I2 もしくは、
【0016】
【数2】 W=V2 /R で表すことができる。
【0017】数1又は数2より、薄膜ヒータ8A,8B
の抵抗値Rが一定である限り、ヒータ電力Wは、電流値
Iもしくは、電圧値Vで制御することが可能である。
【0018】よって、光減衰量を制御するためには、所
望の光減衰量に応じた電流値Iもしくは、電圧値Vを供
給できる定電流もしくは定電圧制御のDC電源12を用
いればよい。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜ヒ
ータ8A,8Bは、加熱されていくと徐々に酸化し、劣
化していくため、使用時間と共に抵抗値Rが増加してい
く。
【0020】このため、従来技術では使用時間と共にヒ
ータ電力Wが低下し、光減衰量が減少してしまうという
問題があった。
【0021】そこで、本発明の目的は、長期運用による
ヒータ抵抗値の変動に関係なく、光減衰量を正確に制御
できる導波路型光可変減衰器を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1の発明は、2本のアーム導波路を有するY分
岐もしくはマッハツェンダー光干渉計回路からなる光回
路と、上記アーム導波路の一方又は両方に設けられその
アーム導波路の屈折率を変化させるべく加熱する薄膜ヒ
ータとを有する導波路型光可変減衰器において、上記薄
膜ヒータのいずれか一方に接続され、その薄膜ヒータに
供給される電力値が所望の値になるように電圧を制御し
て印加する電力制御電源を備えたものである。
【0023】すなわち、本発明の要点は、導波路型光可
変減衰器と、ヒータ電力を一定に制御する電力制御電源
とを組み合わせた点にある。
【0024】請求項2の発明は、上記電力制御手段は、
入力信号に応じて上記薄膜ヒータに電圧を印加する可変
電圧電源部と、上記薄膜ヒータに流れる電流を検出する
電流検出部と、上記薄膜ヒータに印加された電圧を検出
する電圧検出部と、上記電流の値及び上記電圧の値を入
力しそれらの積で表される電力値を算出すると共に、該
電力値とメモリに記憶された所望の設定値とを比較し、
それらの値が等しくなるように上記可変電圧電源部に信
号を出力する制御部とからなるものである。
【0025】上記構成によれば、電力制御電源によっ
て、薄膜ヒータに印加されている電圧、電流値を随時読
み取り、薄膜ヒータの抵抗値が変動しても、常にヒータ
電力が一定になる値の電圧が印加される。よってヒータ
加熱温度が変化せず、光減衰量の変動を抑えることがで
きる。これにより、長期信頼性を必要とする光通信シス
テムへの適用が可能になる。
【0026】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
【0027】図1に本発明にかかる導波路型光可変減衰
器の平面図を示す。
【0028】図1に示すように、本発明にかかる導波路
型光可変減衰器は、石英基板上に形成された光回路上に
薄膜ヒータ25A,25Bが設けられた導波路型光素子
21と、その薄膜ヒータ25A,25Bと接続され、薄
膜ヒータに電力を供給する電力制御DC電源29とで主
に構成されている。
【0029】光回路は、入力導波路22と2本のアーム
導波路23A,23Bと出力導波路24とで構成されて
おり、入力導波路22及び出力導波路24と2本のアー
ム導波路23A,23BはY分岐構造により接続されて
おり、入力導波路22を通して入力された光は、Y分岐
構造により2本のアーム導波路23A,23Bに分岐
し、再びY分岐構造により合流し、出力導波路24から
出力されるようになっている。
【0030】そして、これらアーム導波路23A,23
Bの直上に位置するクラッドの表面上に、上述した薄膜
ヒータ25A,25Bが形成されている。
【0031】この薄膜ヒータ25A,25Bは、ヒータ
本体と、外部と接続するための電極26A,26B,2
7A,27Bとからなる。
【0032】電極26A,26B,27A,27Bは、
ワイヤ28A,28Bにより、上述した電力制御DC電
源29と電気接続されている。
【0033】電力制御DC電源29は、図3に示すよう
に、入力信号に応じて薄膜ヒータ25A,25Bに電圧
を印加する可変電圧電源部29aと、リアルタイムで薄
膜ヒータ25A,25Bに流れる電流を検出する電流検
出部29bと、薄膜ヒータ25A,25Bに印加された
電圧を検出する電圧検出部29cと、その電流値及び電
圧値を入力しそれらの積で表される電力値を算出すると
共に、この電力値とメモリ29dに記憶された所望の設
定値とを比較し、それらの値が等しくなるようにフィー
ドバック制御を行って可変電圧電源部に信号を出力する
制御部29eとを備えている。
【0034】次に作用を説明する。
【0035】図1に示した導波路型光可変減衰器は、電
力制御DC電源29を接続した方の薄膜ヒータ23Bを
加熱すると、熱光学効果によりその加熱されたアーム導
波路23Bの屈折率が変化する。そして、入力導波路2
2より入力された信号光は、Y分岐構造にて、屈折率が
変化したアーム導波路23Bを伝搬する光と、加熱され
ず屈折率変化のないアーム導波路23Aを伝搬する光と
に分岐されることにより、それらの間に位相のずれが生
じ、その結果、出力導波路24に再度合流する際に、一
部の光が石英基板に放射し、出力導波路24より出力さ
れる光は減衰される。
【0036】また、時間が経過するに従い、薄膜ヒータ
23Bの抵抗値が徐々に大きくなるが、その薄膜ヒータ
23Bに流れる電流値を検知し、印加電圧値とから電力
を測定し、設定した電力になるように電圧が制御される
ので、薄膜ヒータ23Bを加熱するための電力は一定に
なる。
【0037】その結果、薄膜ヒータ23Bの抵抗値が変
化しても、ヒータ電力は一定であり、ヒータ加熱温度が
変化しないので、光減衰量の変動を抑えることができ
る。
【0038】これにより、本発明は、長期信頼性を必要
とする光通信システムへの適用が可能になる。
【0039】次に、本発明の他の実施の形態を説明す
る。
【0040】図2に本発明の他の実施の形態を示す導波
路型光可変減衰器の平面図を示す。
【0041】図2に示すように、この導波路型光可変減
衰器は、図1に示したようなリアルタイムでヒータの電
圧と電流を監視する電力制御DC電源に代えて、一般的
な定電流もしくは定電圧制御のDC電源30を用いるも
のである。
【0042】この場合、薄膜ヒータの抵抗値を測定する
抵抗値測定回路31が必要であり、導波路型光素子は、
ワイヤ34A,34Bを通じてDC電源30と並列に接
続されている。
【0043】抵抗値測定回路31は、抵抗値が変動した
場合、ヒータ電力値が一定となるように電圧値、電流値
の調整を外部電圧(電流)設定ライン32を通じてDC
電源30に指示する。
【0044】このように構成することにより、電力制御
方式のDC電源と同等な機能を有する回路を組むことが
でき、本実施の形態と同様な作用効果が期待できる。
【0045】尚、本実施の形態にあっては実験・測定用
の光モジュールとして用いたが、波長多重伝送方式の光
通信では、チャネル毎の光強度レベルを減衰調整するこ
とが可能になり、チャネル間の光強度バラツキを抑える
ことができる。
【0046】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、薄膜ヒー
タ抵抗の経時変化に関係なく、長期間、高精度に光減衰
量を制御できる導波路型減衰器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示す導波路型光可変減
衰器の平面図である。
【図2】本発明の他の実施の形態を示す導波路型光可変
減衰器の平面図である。
【図3】図1の電力制御DC電源の制御系を示すブロッ
ク図である。
【図4】従来技術の導波路型光可変減衰器の平面図であ
る。
【図5】図4の導波路型光可変減衰器のa−a線断面図
である。
【符号の説明】
21 光導波路素子 23A,23B アーム導波路 25A,25B 薄膜ヒータ 29 電力制御DC電源

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2本のアーム導波路を有するY分岐もし
    くはマッハツェンダー光干渉計回路からなる光回路と、
    上記アーム導波路の一方又は両方に設けられそのアーム
    導波路の屈折率を変化させるべく加熱する薄膜ヒータと
    を有する導波路型光可変減衰器において、上記薄膜ヒー
    タのいずれか一方に接続され、その薄膜ヒータに供給さ
    れる電力値が所望の値になるように電圧を制御して印加
    する電力制御手段を備えたことを特徴とする導波路型光
    可変減衰器。
  2. 【請求項2】 上記電力制御手段は、入力信号に応じて
    上記薄膜ヒータに電圧を印加する可変電圧電源部と、上
    記薄膜ヒータに流れる電流を検出する電流検出部と、上
    記薄膜ヒータに印加された電圧を検出する電圧検出部
    と、上記電流の値及び上記電圧の値を入力しそれらの積
    で表される電力値を算出すると共に、該電力値とメモリ
    に記憶された所望の設定値とを比較し、それらの値が等
    しくなるように上記可変電圧電源部に信号を出力する制
    御部とからなる請求項1記載の導波路型光可変減衰器。
JP2001345948A 2001-11-12 2001-11-12 導波路型光可変減衰器 Pending JP2003149610A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001345948A JP2003149610A (ja) 2001-11-12 2001-11-12 導波路型光可変減衰器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001345948A JP2003149610A (ja) 2001-11-12 2001-11-12 導波路型光可変減衰器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003149610A true JP2003149610A (ja) 2003-05-21

Family

ID=19159205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001345948A Pending JP2003149610A (ja) 2001-11-12 2001-11-12 導波路型光可変減衰器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003149610A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005241705A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Nec Corp 光強度可変器及びその制御方法
CN100410731C (zh) * 2005-09-21 2008-08-13 日立电线株式会社 波导型可变光衰减器
JP2008216557A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光干渉計の制御方法および制御回路
EP2017666A1 (en) 2007-07-19 2009-01-21 Eudyna Devices Inc. Thermo-optical device and method of control
JP2009026968A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Eudyna Devices Inc 半導体レーザの制御方法
JP2009044141A (ja) * 2007-07-19 2009-02-26 Eudyna Devices Inc 光学デバイスおよびその制御方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005241705A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Nec Corp 光強度可変器及びその制御方法
JP4715099B2 (ja) * 2004-02-24 2011-07-06 日本電気株式会社 光強度可変器及びその制御方法
CN100410731C (zh) * 2005-09-21 2008-08-13 日立电线株式会社 波导型可变光衰减器
JP2008216557A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光干渉計の制御方法および制御回路
EP2017666A1 (en) 2007-07-19 2009-01-21 Eudyna Devices Inc. Thermo-optical device and method of control
JP2009026968A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Eudyna Devices Inc 半導体レーザの制御方法
JP2009044141A (ja) * 2007-07-19 2009-02-26 Eudyna Devices Inc 光学デバイスおよびその制御方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7209613B2 (en) Electromagnetic field sensing apparatus
US20110242644A1 (en) High-Speed Multiplied Signal Generating Method And Device
US6925217B2 (en) Optical waveguide device, variable optical attenuator, and optical switch
WO2003100507A1 (en) Induced optical waveguide device
JP2000235170A (ja) 可変分散補償器
JP2003149610A (ja) 導波路型光可変減衰器
JP4753137B2 (ja) 光強度測定器のキャリブレーション方法及び装置
JP3406691B2 (ja) 光空間スイッチ
US6324315B1 (en) Optical switching arrangement
JPH1020348A (ja) 光可変減衰器
US6661963B2 (en) System and method for calibrating and operating a semiconductor variable optical attenuator
JP3341947B2 (ja) 熱光学効果光スイッチ駆動装置
US6529647B2 (en) Optical device with optical waveguides and manufacturing method therefor
US5416578A (en) Waveguide type wavelength measuring apparatus
JP4932539B2 (ja) 光干渉計の制御回路
JP3800039B2 (ja) 熱光学型光アテネータ
JP2004117966A (ja) 光出力制御機能を有する導波路型光素子及びその光出力制御方法
JP2014228694A (ja) 光半導体素子
JP4367202B2 (ja) 導波路型可変光減衰器及び減衰利得制御方法
JP2004286830A (ja) 導波路型光可変減衰器
JP7199228B2 (ja) 電力供給装置及び光部品駆動システム
JP3835205B2 (ja) 熱光学効果型光アテネータ
JP4534607B2 (ja) 導波路型可変光減衰器
JP2001324732A (ja) 光導波路型光スイッチ
KR100222321B1 (ko) 전기광학 폴리머 디지털 광스위치와 그를 이용한 고전압 측정방법