JP2009026968A - 半導体レーザの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ(10)の制御方法は、ヒータ(14)によって屈折率が制御される波長選択部(11)を有する半導体レーザの制御方法であって、ヒータの発熱量が規定値に到達するまで発熱量を調整する第1ステップを含む起動シーケンスと、起動シーケンスの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて半導体レーザの波長を補正する第2ステップを含む波長制御シーケンスと、を含む。
【選択図】 図4
Description
11 SG−DBR領域
12 SG−DFB領域
13 SOA領域
14 ヒータ
15,16 電極
20 温度制御装置
30 波長検知部
40 出力検知部
50 コントローラ
100 レーザ装置
Claims (10)
- ヒータによって屈折率が制御される波長選択部を有する半導体レーザの制御方法であって、
前記ヒータの発熱量が規定値に到達するまで前記発熱量を調整する第1ステップを含む起動シーケンスと、
前記起動シーケンスの完了後、前記半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて、前記半導体レーザの波長を補正する第2ステップを含む波長制御シーケンスと、を含むことを特徴とする半導体レーザの制御方法。 - 前記第1ステップにおける前記ヒータの発熱量の調整は、前記ヒータに投入される電力を調整することによって実施されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記第1ステップは、前記ヒータの両端の電圧と前記ヒータに投入される電流とにより得られる電力が規定値を満たすまで、前記ヒータに投入される電流値を調整することによって実施されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記第1ステップは、前記ヒータ近傍に配置された温度検出手段の出力が規定値を満たすまで、前記ヒータに投入される電力を調整することによって実施されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記波長制御シーケンスは、前記ヒータの発熱量を規定値に維持するための補正を実施する第3ステップを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記半導体レーザは、発振波長の測定結果に基づいて、前記半導体レーザのパラメータを規定値に補正する波長ロッカ部を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記半導体レーザは、回折格子を備える活性領域と、前記活性領域と光結合し回折格子を備え前記ヒータによって等価屈折率が変化する光導波路部と、を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記活性領域および前記光導波路部における回折格子は、回折格子を有する第1の領域と、前記第1の領域に連結されかつスペース部となる第2の領域と、を備えることを特徴とする請求項7記載の半導体レーザの制御方法。
- 前記半導体レーザは、活性領域と、前記活性領域の両側にそれぞれ光結合して設けられ少なくとも一方には前記ヒータが設けられて等価屈折率が変化する1対の光導波路部と、を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
- 外部への光出力を抑制した状態で前記起動シーケンスおよび前記波長制御シーケンスを実行するダークチューニングシーケンスと、
前記ダークチューニングシーケンスで選択された波長を保持しつつ、外部へ光を出力する光出力シーケンスと、を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザの制御方法。
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