KR0166587B1 - 불순물 도우핑 장치 - Google Patents

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겐지 아오끼
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하라레이 노스께
세이꼬 덴시 고교 가부시끼 가이샤
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Abstract

불순물 도우핑 장치는 진공실, 진공실에 배치된 실리콘 기판을 가열하는 히터, 및 진공시레 붕소 불순물 성분을 포함하는 디보란 가스를 공급하는 가스 공급원으로 구성된다. 조절 밸브를 가스 흐름 속도를 조절하기 위해 위해 진공실과 가스 공급원 사이에 배치되어 있다. CPU는 실리콘 기판에 붕소를 도우핑하기 위하여 소정의 연속 제1, 제2및 제3절차에 따라서 히터 및 조절 밸브를 제어하도록 설치된다. CPU는 실리콘 기판면을 활성화시키기 위해 진공실내의 실리콘 기판을 가절하기 위한 제1절차에 따라 동작한다. CPU는 활성화된 표면상에 붕소 흡수막을 배치하기 위하여 실리콘 기판을 가열하는 동안 디보란 가스를 진공실내로 충전시키기 위해 제2절차에 따라 동작하며, 또한 실리콘 기판 체적내로 흡수막으로부터의 붕소를 확산 시키기 위해 실리콘 기판의 어닐링을 실행하기 위해 제3절차에 따라 동작한다.

Description

불순물 도우핑 장치
제1도는 본 발명의 불순물 도우핑 장치를 보여주는 블록 다이어그램.
제2a, 2b 및 2c도는 각각 불순물 도우핑 공정에 대한 단계 다이어그램.
제3도는 불순물 도우핑의 공정 연속 차트.
제4도는 방출된 가스에 포함된 SiO의 양적 변화에 대응하는, 쿼드러폴 질량 분광계의 이온 흐름의 시간-종속 변화를 보여주는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 진공실 2 : 반도체 기판
3 : 가열 유닛 4 : 게이트 밸브
5 : 소개 시스템 6 : 압력 게이지
본 발명은 바이폴라 트랜지스터 및 금속-절연-반도체(MIS) 필드 이펙트 트랜지스터와 같은 반도체 디바이스의 제조 공정시 원하는 전도형 및 저항을 갖고 있는 불순물 영역을 형성하는데 이용되는 불순물 도우핑 장치에 관한 것이다.
종래의 불순물 도우핑 장치는 통상 이온 주입 디바이스로 구성된다. 이온 주입 디바이스는 이온 소스, 질량 분광계 및 가속 튜브로 구성된다. 이온 주입은 불순물 원자들이 이온 소스에 의해 이온화된후 대상 이온물이 질량 필터에 의해 분리되고, 그후 분리된 이온입자들이 가속 튜브에 의해 소정 에너지로 가속되어 반도체 표면내로 주입되도록 실행된다. 이온주입 디바이스는 불순물의 도우핑 량이 정확히 제어되며, 불순물 도우핑이 절연막을 통해 용이하게 실행될 수 있다는 장점을 갖고 있다. 그러므로, 이온 주입 디바이스는 일반적으로 종래의 반도체 공정에 이용된다.
그러나, 종래의 이온 주입 디바이스는 다음과 같은 여러 결점을 갖고 있다. 즉 불순물 이온들이 주입되도록 가속되기 때문에, 샘플의 반도체 표면은 불순물 이온의 운동 에너지에 기인한 손상을 입을 수 있다. 더구나, 가속된 불순물 이온 입자들은 가속 에너지에 의해 결정되는 변화를 갖고 있는 가우시안 분포에 따라서 진동하기 때문에, 불순물 원자 밀도의 깊이 프로필이 반도체 체적에 있어서 더 넓어지고, 그러므로써 얇은 불순물 층의 형성 및 반도체 층의 깊은 부분에서 날카로운 깊이 프로필의 형성이 어렵게 된다. 더구나, 이온 입자들은 선형으로 가속되기 때문에, 불순물 이온 입자들의 주입이 단일 방향으로 이루어진다. 그러므로, 채널링(channeling)을 피하기 위해 비스듬한 이온 주입을 실행할 때, 섀도윙 이펙트에 기인하여 반도체 디바이스 특성에 있어 불균형이 초래된다.
상술한 종래 기술의 결점들에 비추어 보아, 본 발명의 목적은 도우프된 불순물 원자들의 날카로운 깊이 프로필을 형성하고 불순물의 비지향성 도우핑을 실행하기 위하여 손상을 초래함이 없이 반도체 표면에 불순물을 도우핑 할 수 있는 새로운 불순물 도우핑 장치를 제공하는 것이다.
이 목적을 성취하기 위한 신규의 불순물 도우핑 장치는 반도체 기판을 수용하기 위한 진공실, 진공실내의 반도체 기판을 가열하기 위한 히터, 이 진공실에 가스를 충전시키기 위한 가스 공급원 및 가스 종류를 제어하고 가스 양을 충전하기 위해 진공실과 가스 공급원 사이에 배치된 조절 밸브로 구성된다. 더욱, 이 장치에는 소정의 연속 절차에 따라서 히터 및 조절 밸브를 제어하기 위한 제어 및 처리 유닛이 설치되어 있다. 이 제어 및 처리 유닛은 반도체 기판면의 활성 처리를 실행하기 위해 소정 시간 주기동안 소정온도로 반도체 기판을 히터가 가열시키도록 조정하기 위한 제1절차에 따라서 동작한다. 그후 제어 및 처리 유닛은 불분물 흡수 막이 반도체 기판의 활성면에 배치되도록 흡수 처리를 위해 반도체 기판을 가열하는 동안 불순물을 함유하는 소스 가스를 진공실에 소정양만큼 선택적으로 주입 시키기 위한 제2절차에 따라서 히터 및 조절 밸브를 제어한다. 더구나, 제어 및 처리 유닛은 반도체 기판에 불순물의 확산 처리를 위해 소정 시간 주기동안 소정 온도로 반도체 기판을 가열하기 위한 제3절차에 따라서 히터를 제어한다.
양호하게는, 제어 및 처리 유닛은 활성 처리를 용이하게 해주는 가스 종류를 진공실내에 주입시키기 위해 조절 밸브를 제어하는 제1절차에 따라서 동작하는 회로를 갖고 있다.
양호하게는, 가스 공급원은 활성 처리를 용이하게 해주는 하이드로겐 가스 및 붕소의 불순물 성분을 함유하는 디보란(diborane) 가스를 포함하고 있다. 진공실은 수정으로 만들 수 있다.
양호하게는, 신규의 불순물 도우핑 장치는 진공실을 비우는 소거 시스템 및 방출되는 가스 성분을 분석하는 분석 시스템을 구비하고 있다. 제어 및 처리 유닛은 상기 분석 결과에 근거하여 활성 처리의 종료를 검출하는 제1절차에 따라서 동작하는 회로를 구비하고 있다. 이러한 분석 시스템은 실리콘으로된 반도체 기판으로부터 방출된 SiO의 양적인 변화를 검출하는 쿼드러폴(quadrupole)질량 분광계로 구성된다.
신규의 불순물 도우핑 장치는 반도체 기판상의 불순물 원자들의 화학적 흡수에 근거하여 불순물 도우핑을 실행한다. 이 장치는 불순물 주입량을 정확히 설정하기 위하여 불순물의 흡수량을 제어하기 위해 기판 온도 및 불순물 성분 함유 소스 가스의 충전 속도를 조절한다. 그러므로, 이 장치는 반도체 체적내에 반도체 표면으로부터의 불순물을 균일하게 확산 시킬 수 있다. 더구나, 이 불순물은 반도체 기판면에 손상을 입히지 않고 도우프 된다. 더구나, 이러한 장치는 확산 소스가 불순물 흡수막의 형태로 반도체 기판상에 배치되기 때문에 얇은 접합을 형성하기 위한 동작을 할 수 있다.
이후, 신규의 불순물 도우핑 장치가 도면을 참조로 상세히 설명된다. 제1도는 신규의 불순물 도우핑 장치의 한 실시예를 보여주는 블록 다이어그램이다. 이 장치는 수정으로 구성된 진공실(1)로 만들어진다. 진공실(1)은 불순물 도우핑을 위해 반도체 기판(2)을 수용하도록 설치된다. 가열 유닛(3)은 적외선 램프 또는 저항 히터에 의해 반도체 기판(2)을 가열하기 위하여 진공실(1) 주위에 배치되어 있다. 가열 유닛(3)은 반도체 기판(2)의 온도를 조절하도록 제어된다. 효과적인 소개(evacuation) 시스템(5)은 게이트 밸브(4)를 통해 진공실(1)에 연결되어 있다. 효과적인 진공 시스템(5)은 높은 정도의 진공상태로 진공실(1)을 소개하기 위하여 터보 분자식 펌프의 형태인 메인 펌프를 구비한 다수의 펌프로 구성된다. 압력 게이지(6)는 진공실(1)의 진공 정도를 연속 모니터하는데 제공된다.
불순물 도우핑 장치에는 기판(2)을 운송하기 위한 운송 메카니즘(7)이 더 설치된다. 운송 메카니즘 (7)은 기판의 운송동안 개방되어 있는 게이트 밸브(8)을 통해서 진공실(1)에 연결되어 있는 적재실(9)로부터 진공실(1)까지 기판(2)을 운송하는 동작을 한다. 적재실 (9)은 기판(2)이 적재실(9)에 적재되는 동안 그리고 기판(2)을 메인실(1)에 운송하는 동안을 제외하고 게이트 밸브(10)가 개방되어 있는 동안 적재실 소개 시스템(11)에 의해 정상적으로 상당한 진공상태로 된다.
가스 공급원 (13)은 가스 조절 밸브(12)을 통해서 진공실(1)에 연결되어 있다. 가스 공급원(13)에서는 불순물 도우핑 처리를 위해 필요한 여러 종류의 가스를 저장하기 위한 복수의 병이 설치되어 있다. 가스 조절 밸브(12)는 가스 종류, 가스 공급원(13)으로부터 반응실(1)로 주입되는 가스의 양 및 주입 시간을 조절하도록 제어된다. 가스 공급원(13)은 기판면의 활성 처리를 용이하게 하는 하이드로겐 가스 및 붕소로된 불순물 성분을 포함하는 디보란 가스와 같은 불순물 가스와 같은 환원 가스를 함유할 수 있다.
분석기(14)는 소모 가스 성분을 분석하기 위해 진공실(1)과 소개 시스템(5) 사이에 배치된다. 분석기(14)는 쿼트러폴 질량 분광계로 구성할 수 있다.
최근에, CPU로 구성된 제어 및 처리 유닛(15)은 가열 유닛(3), 조절 밸브(12), 게이트 밸브(4), 및 소거 시스템(5)의 동작을 제어하도록 접속되어 있다. CPU는 또한 압력 게이지 및 분석기로부터의 검출 결과에 따라서 불순물 도우핑 장치의 제어 및 처리를 실행하도록 압력 게이지(6) 및 분석기(14)에 접속되어 있다.
제2a도는 신규의 불순물 도우핑 장치를 이용하여 실리콘으로 구성된 반도체 기판(2) 내로 붕소 불순물을 도우핑하는 공정의 한 예를 보여주는 단계 다이어그램을 도시하고 있다. 단계 A에서, 표면 활성 처리는 하이드로겐 가스(H2)가 환원 반응에 의해 기판면에서 고유의 옥사이드막을 제거하는데 이용되도록 실리콘 기판(2)에 적용된다. 그렇지 않고는, 기판(2)은 기판면을 활성화시키기 위하여 진공상태에서 간단히 가열된다. 그러한 경우에, 하이드로겐 가스는 또한 옥사이드 막을 효과적으로 제거하는데 제공될 수 있다.
단계 B에서, 붕소 불순물 성분을 갖고 있는 디보란 가스(B2H6)는 실리콘 기판(2)의 활성면에 불순물 흡수막(17)을 형성하기 위하여 실리콘 기판(2)을 가열하는 동안 진공실내로 주입된다.
단계 C에서, 반도체 기판(2)은 불순물 확산층(18)이 형성되게 불순물 성분을 실리콘 기판(2)에 확산 시키는 처리를 실행하기 위해 소정 시간 주기동안 소정 온도로 달굼질된다.
제2b도는 본 발명의 불순물 도우핑 장치를 이용하여 불순물 확산층을 형성하기 위해 실리콘 기판(2)이 다층의 불순물 흡수막과 반도체막으로 형성되는 예를 보여주는 단계 다이어그램이다. 단계 A에서, 표면 활성 처리는 실리콘 기판(2)에 적용된다. 단계 B에서, 불순물 흡수막(17)은 기판(2)의 활성면에 배치된다.
이들 단계는 앞서의 예에서와 같은 식으로 실행된다.
그후 단계 C에서, 하이드로겐과 실란(SiH) 또는 디크로로실란(SiH2Cl2)의 가스 혼합물은 이중층 구조가 형성되게 불순물 흡수막에 반도체막(19)을 배치하는데 이용된다. 마지막으로 단계 D에서, 반도체 기판(2)은 불순물 확산층(20)이 형성되게 가열된다.
제2c도는 본 발명의 불순물 도우핑 장치를 이용하여 비교적 작은 저항을 갖고 있는 분순물 확산층을 형성하기 위하여, 불순물 성분을 함유하고 있는 가스와 반도체 성분을 갖고 있는 가스가 도우프된 불순물 성분의 활성화가 용이하게 되도록 동시에 실리콘으로 만들어진 반도체 기판(2)에 제공되는 예를 보여주는 스텝 다이어그램이다. 단계 A에서, 표면 활성 또는 클리닝 처리는 실리콘 기판(2)위에서 실행된다. 단계 B에서, 붕소 불순물 성분을 포함하고 있는 디보란 가스 및 실리콘 반도체 성분을 갖고 있는 디크로로실란은 동시에 활성면에 제공되어 불순물 성분과 실리콘 성분으로 구성된 흡수막(21)이 형성된다. 단계 C에서, 반도체 기판(2)은 달굼질되어 불순물 확산층(22)이 형성된다. 도우프된 붕소 원자들은 상당히 낮은 저항을 얻기 위해 불순물 확산층(22)에서 비교적 고속으로 활성화된다.
제3도는 제2a도에 예시된 연속 처리를 실행하는 제1도 장치의 제어 및 처리 유닛(15)에 제공되는 연속 절차를 보여주는 불순물 도우핑 공정에 대한 순차적 차트이다. CPU로 구성된 제어 및 처리 유닛(15)는 불순물 도우핑을 실행하기 위하여 소정의 처리 시퀀스 또는 프로그램에 따라서 불순물 도우핑 장치를 제어한다. 제3도의 처리 시퀀스 차트에서, 수평축은 처리시간을 가리키고, 수직 축은 진공실의 기판 온도 및 인터벌 압력을 가리킨다.
이하, 제2a도 및 제3도와 연관하여 제1도 장치의 동작에 대해 상세히 설명하기로 한다. 먼저 실리콘 기판(2)의 표면 활성 처리를 실행하기 위하여, 기판(2)은 백그라운드 또는 베이스 압력인 1×10-4Pa 이하에서 유지되는 진공실(1)의 중앙에 배치된다. 이 상태에서, 제어 및 처리 유닛(15)은 850℃의 기판 온도를 설정하기 위해 가열 유닛(3)을 제어하는 소정 프로그램에 따라서 동작한다.
기판 온도가 설정된 온도까지 상승하여 이 설정된 온도에 안정하게 유지된 후, 가스 조절 밸브(12)는 하이드로겐 가스가 진공실(1)내로 가스 공급원(13)으로부터 주입되도록 제어된다. 하이드로겐 가스는 진공실의 내부 압력이 1×10-2Pa 까지 상승되도록 소정 시간 동안 충전된다. 이 진공실의 내부 압력은 압력 게이지(6)에 의해 모니터되며, 제어 및 처리 유닛(15)은 상기 모니터된 결과에 따라서 가스 조절 밸브(12)를 조절하는 동작을 한다. 그러한 동작에 의해서, 고유의 옥사이드 막이 실리콘 기판(2)의 표면에서 제거되어, 화학적으로 활성 실리콘면이 노출된다. 즉 실리콘 기판면이 클리닝되어 활성된다.
다음에, 불순물 흡수 처리는 처리 시퀀스 프로그램에 따라서 실행된다. 즉 실리콘 기판면의 클리닝이 끝난 후, 제어 및 처리 유닛(15)은 하이드로겐 가스의 충전을 정지시키기 위해 가스 조절 밸브(12)를 제어함과 동시에 기판 온도를 825℃에 설정하기 위하여 가열 유닛을 제어한다. 안정하게 설정된 온도에 도달한 후에, 가스 조절 밸브(12)는 붕소 불순물 성분을 포함하는 디보란 가스(15)가 진공실 압력이 1×10-2Pa 까지 상승되는 조건하에서 소정 시간 동안 진공실내로 충전되도록 제어된다. 결과적으로, 활성화된 실리콘면은 붕소 또는 붕소 화합물을 포함하는 흡수막(17)으로 덮힌다.
마지막으로, 확산 처리는 처리 시퀀스 프로그램에 따라서 실행된다. 즉 불순물 흡수막(17)의 배치가 끝난후, 조절 밸브(12)는 디보란 가스의 충전을 정지시키기 위해 제어된다. 이때, 고 소개 시스템(5)은 진공실(1)의 내부를 상당한 상태로 소개하기 위하여 동작한다. 이 상태에서, 가열 유닛(3)은 예로 875°까지 기판온도를 높이도록 하기위해 제어된다. 이러한 가열 상태는 실리콘 기판(2)의 표면근처에 불순물 확산층(18)이 형성되도록 불순물 흡수막(17)로 형성된 확산 소스로부터 불순물 성분의 고상 확산을 실행하기 위한 기판의 달굼질을 위해서 소정 시간동안 유지된다. 동시에, 이러한 처리로 붕소 불순물 원자가 활성화된다. 신규의 불순물 도우핑 장치에서, 기판 온도 및 가열 시간 인터벌과 같은 흡수량 및 달굼질 조건은 원하는 불순물 농도 및 접합 깊이를 형성하기 위하여 제어 및 처리 유닛(15)에 의해 제어된다. 붕소 흡수량은 디보란 가스의 충전 압력 및 충전 시간 인터벌을 조절하는 조절 밸브(12)을 제어하므로써 원하는 값에 조정될 수 있다.
분석기(14)는 신규의 불순물 도우핑 장치에서 표면 활성 또는 클리닝 처리 마지막 시간을 검출하는데 이용된다. 분석기(14)는 예로 실리콘 기판(2)상의 고유 옥사이드막 제어 과정동안 진공실(1)로부터의 소모 가스에 함유되어 있는 SiO 또는 H2O의 양적 변화를 모니터하기 위한 쿼드러폴 질량 분광계로 구성된다. 제4도는 SiO 소모 성분의 양적 변화에 대응하는 쿼드러폴 질량 분광계의 이온 흐름의 변화를 보여주는 그래프a이다. 이 그래프에 도시되어 있듯이, 고유의 옥사이드막이 실리콘 기판상에서 제거될 때, SiO 소모량은 SiO가 실리콘 기판에서 방출되기 때문에 증가한다. 고유의 옥사이드막이 완전히 기판면에서 제거될 때, SiO 소모량은 백그라운드 레벨까지 갑자기 감소한다. 제어 및 처리 유닛(15)은 분석기(14)의 이온 흐름 변화를 모니터하는 동안 실리콘 표면 활성 처리의 마지막 포인트를 검출할 수 있다. 제어 및 처리 유닛(15)은 상기 검출 결과에 응답하여 조절 밸브(12) 및 가열 유닛(3)을 제어하는 동작을 한다. 그러므로써 소정 처리 시퀀스 프로그램에 따라서 다음의 흡수 처리 단계가 진행된다.
본 발명의 불순물 도우핑 장치는 기본적으로, 황학적 활성 반도체면이 반도체 재료용 도펀트의 형태로 적어도 한 불순물 성분을 포함하는 흡수막으로 형성되며, 불순물 도우핑은 흡수막으로 구성된 불순물 확산 소스로부터 반도체 내로 실행된다는 것을 특징으로 한다. 본 발명자는 흡수막은 실리콘 싱글 크리스탈 또는 폴리 실리콘으로된 활성면과는 대조적으로 고유의 산화막과 같은 불활성 막에 실제로 배치되지 않음을 발견했다.
더구나, 열 처리가 흡수 처리후에 실행될때, 흡수막의 트레이스는 활성면상에 있는 것의 1/10보다 작은 양으로 불활성막에 남게 된다. 부가적으로, 불활성막은 반도체 체적내로 흡수 불순물이 확산되는 것을 차단한다. 그러므로 불순물의 흡수처리 전에 기판면의 활성화 또는 클리닝 처리를 실행하는 것이 아주 중요하다. 상술한 사실을 비추어, 본 발명의 불순물 도우핑 장치는 반도체 기판의 활성화 또는 클리닝 처리를 자동으로 실행하기 위한 소정의 공정 시퀀스 프로그램에 따라서 동작하도록 설계된다.
상술한 여러 예에서, 본 발명의 불순물 도우핑 장치는 디보란 가스를 기판에 적용하므로써 실리콘 기판내로 p형의 불순물 붕소를 도우핑하는데 이용된다. 그러나, 상기 장치는 p형 불순물 성분을 도우프하기 위하여 트리메틸 갈륨(TMG) 및 붕소 트리크로 라이드(BCl3)와 같은 III 그룹의 다른 소스 합성물 가스를 이용할 수도 있다. 한편, 상기 장치는 또한 N형 불순물을 실리콘 기판내에 도우프하기 위하여 아신(AsH3), 포스포러스 트리크로라이드(Pcl3), 앤티모니 펜타크로라이드(sbCl5) 및 포스핀(pH3)를 이용할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 불순물 도우핑은 반도체 기판면을 활성화시키고, 활성화된 면에 불순물을 흡수시키고, 흡수된 불순물을 반도체 체적내로 확산시키는 연속 처리에 의해 소정의 공정 시퀀스 프로그램에 따라서 자동으로 실행될 수 있다. 상기 장치는 화학적 흡수에 근거한 불순물 도우핑을 실행한다. 그러므로써, 반도체 기판면이 종래의 이온 주입 기술과는 대조적으로 손상을 입지않는 장점이 얻어진다. 더구나, 불순물 흡수량은 정확히 제어될 수 있어 불순물 확산 밀도와 확산 깊이가 아주 정확히 조절될 수 있다. 더구나, 불순물 도우핑은 화학적 흡수를 근거로 이루어지기 때문에, 불순물 도우핑이 비지향성이 되고 그에 따라 반도체 기판면에 확산층이 균일하게 형성된다.

Claims (9)

  1. 불순물 도우핑 장치에 있어서, 내부에 반도체 기판을 포함하는 진공실; 진공실에 배치된 반도체 기판을 가열하는 가열수단; 소정 가스를 진공실에 공급하는 가스 공급원; 진공실과 가스 공급원 사이에 배치되어, 공급된 가스의 종류를 선택하여 공급된 가스양을 조절하는 조절 밸브 수단과; 제1, 제2및 제3절차의 소정 시퀀스에 따라 동작하여 가열 수단 및 조절 수단을 제어하는 제어 수단으로서, 소정 시간 인터벌 동안 소정 온도로 반도체 기판을 가열하기 위한 제1절차에 따라 동작하여, 반도체 기판의 표면을 활성화시키고, 기판을 가열하는 동안 소정 양만큼 불순물 성분을 포함하는 가스를 진공실내로 충전시키기 위한 제2절차에 따라 동작하여 활성화된 표면에 불순물 흡수막을 증착하며, 소정 시간 인터벌 동안 소정 온도로 반도체 기판을 담금질하기 위한 제3절차에 따라 동작하여 불순물 흡수막으로부터 불순물 성분을 반도체 기판으로 확산시키는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 수단은 조절 밸브를 제어하기 위한 제1절차에 따라 동작하여 반도체 기판면의 활성화를 용이하게 하는데 효과적인 가스를 진공실내로 주입하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급원은 반도체 기판면의 활성화를 용이하게 하는데 효과적인 하이드로겐 가스를 저장하기 위한 병과, 붕소 불순물 성분을 포함하는 디보란 가스를 저장하기 위한 다른 병을 갖는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가스 공급원은 불순물 성분의 활성화를 용이하게 하는데 효과적인 실란가스 또는 디크로실란 가스를 저장하기 위한 부가의 병을 갖는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 가스 공급원은 불순물 흡수막과 접촉하여 반도체막을 형성하는데 효과적인 반도체 성분을 갖는 실란 가스 또는 디크로로실란가스를 저장하기 위한 부가의 병을 갖는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 진공실은 수정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 진공실을 비우게 하는 위한 배설 수단과, 진공실로부터 비워진 배기 성분을 분석하는 분석 수단을 포함하고, 상기 제어 수단은 제1절차에 따라 동작하여 분석 수단으로부터 제공된 분석 결과에 근거하여 기판면의 활성화의 마지막 포인트를 검출하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 분석 수단은 반도체 기판면을 활성화시키는 과정 동안 실리콘 반도체 기판으로부터 방출되는 SiO 배기 성분의 양적 변화를 분석하는 쿼드러폴 질량 분광계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 분석 수단은 하이드로겐 환원 가스를 이용하여 반도체 기판면을 활성화시키는 과정 동안에 실리콘 반도체 기판에서 방출되는 H2O 배기 성분의 양적 변화를 분석하는 쿼드러폴 질량 분광계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불순물 도우핑 장치.
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