TWI666353B - 針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備 - Google Patents

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Abstract

一種針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備。根據本發明之製絨方法係使用酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣將矽晶圓的表面蝕刻成製絨化表面。

Description

針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備
本發明係關於一種針對矽晶圓之製絨方法(texturing method)及執行該方法之製絨設備，並且特別地，關於低成本、可批次製造、製造低反射率製絨化表面、不同批次製造品質一致的製絨方法及執行該方法的製絨設備。
隨著高效多晶矽晶鑄錠的發展，利用傳統的砂漿切割技術對多晶矽晶鑄錠切片所得的矽晶圓，由於表面粗糙，容易進一步製造具有低反射率的製絨化表面。
為了降低成本，現有多晶矽晶鑄錠的切片已廣泛地改採用鑽石線切割技術。與傳統的砂漿切割技術相比，採用鑽石線切割多晶矽晶鑄錠因其具有更利於環保、具有更大的降低成本空間、具有更大的提升多晶矽太陽能電池的效率空間等優勢而得到廣大切片廠家的關注。
然而，與砂漿切割的多晶矽晶圓相比，用鑽石線切割的多晶矽晶圓若採用現在太陽能電池生產廠家廣泛使用的酸製絨技術製造製絨化表面，由於鑽石線切割所得矽晶圓的表面的損傷層較薄，大約1~3微米，反應活性不足，製絨後，用鑽石線切割的多晶矽晶圓的反射率會比用砂漿切割的多晶矽晶圓的反射率高出4~6%。反射率的升高會導致太陽能電池短路電流的下降，進而影響鑽石線切割的多晶矽太陽電池的光電轉換效率。
近來也有廠家嘗試採用反應式離子蝕刻(reactive-ion etching,RIE)技術、金屬催化製絨(metal catalyzed texturing,MCT)技術、銀誘導奈米技術等技術進行製絨，設法降低鑽石線切割的多晶矽晶圓的反射率。這些先前技術雖然可以增加鑽石線切割的多晶矽晶圓製絨後晶圓表面的陷光效果，降低其反射率，但是同時也在矽晶圓的表面形成了過多的複合中心，使最終所得太陽電池的短路電流上升，但開路電壓下降，不利於減小最終電池片製成元件後的封裝損失。並且，這些製絨技術增加鑽石線切割的多晶矽晶圓的反射率仍有很大的提升空間。
而且這些製絨先前技術需要在傳統生產線的基礎上增加較多的製絨工藝步驟，增加額外的化學藥品以及特種氣體的使用種類，同時也增加了週邊污水及廢氣處理的負擔。並且，有些製絨先前技術採用溶液，在不同批次製造時，矽晶圓的品質因溶液的濃度不同而有所不同。
因此，本發明所欲解決之一技術問題在於提供一種針對矽晶圓之製絨方法及執行該方法之製絨設備。根據本發明之製絨方法具有成本低、可批次製造、製造低反射率的製絨化表面、不同批次製造品質一致等優點。
本發明之一較佳具體實施例之針對矽晶圓之製絨方法，首先係將矽晶圓置入密閉的反應腔內。接著，本發明之製絨方法係導入關於第一酸性溶液之酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣至密閉的反應腔內，其中矽晶圓的表面與酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣產生反應進而蝕刻成製絨化表面。接著，本發明之製絨方法係導入輔助氣體至密閉的反應腔內，以排清密閉的反應腔內之酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣。輔助氣體可以是空氣、N2、Ar、NO2、H2O、He、Ne或上述氣體之混 合物。最後，本發明之製絨方法係將矽晶圓自反應腔內取出並且進行清洗。
於一具體實施例中，第一酸性溶液之成份可以包含40~55wt.%HF以及60~75wt.%HNO3，第一酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3=6~8：2~4。進一步，第一酸性溶液之成份還包含90~98wt.%H2SO4，第一酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3：H2SO4=6~8：2~4：1~3。
於一具體實施例中，自催化劑蒸氣之成份可以包含SiF4。
於一具體實施例中，當酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣自密閉的反應腔內排出時，酸性蒸氣被冷凝成第一酸性溶液。
於一具體實施例中，當矽晶圓的表面與酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣產生反應進而蝕刻成製絨化表面時，密閉的反應腔可以被加熱。
本發明之一較佳具體實施例之製絨設備包含反應腔、氣體供應源以及蝕刻蒸氣產生裝置。矽晶圓係置入反應腔內，隨後，反應腔被密閉。氣體供應源係與反應腔連通，並且用以供應輔助氣體。輔助氣體可以是空氣、N2、Ar、NO2、H2O、He、Ne或上述氣體之混合物。蝕刻蒸氣產生裝置係與反應腔連通，並且用以供應關於第一酸性溶液之酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣。矽晶圓的製絨程序係先將酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣導入至密閉的反應腔內。矽晶圓的表面與酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣產生反應進而蝕刻成製絨化表面。輔助氣體隨後被導入至密閉的反應腔內，以排清密閉的反應腔內之酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣。矽晶圓隨後自反應腔內取出並且進行清洗。
於一具體實施例中，蝕刻蒸氣產生裝置包含第一 處理罐、第二處理罐以及第三處理罐。第一處理罐其內儲存水。第一處理罐係以第一管路與氣體供應源連通。第一管路的第一末端係插入水內。第二處理罐其內儲存第一酸性溶液。第二處理罐係以第二管路與第一處理罐連通，並且以第三管路與反應腔連通。第二管路之第二末端係插入第一酸性溶液內。第三處理罐其內儲存多顆矽粉末以及第二酸性溶液。第三處理罐係以第四管路與反應腔連通。第二酸性溶液與多顆矽粉末發生反應，進而產生自催化劑蒸氣。
進一步，本發明之較佳具體實施例之製絨設備還進一步包含冷凝裝置。冷凝裝置係與反應腔連通。當酸性蒸氣以及自催化劑蒸氣自密閉的反應腔內排出至冷凝裝置內時，酸性蒸氣被冷凝裝置冷凝成第一酸性溶液。
於一具體實施例中，第二酸性溶液之成份可以包含HF、HNO3以及H2O，自催化劑蒸氣之成份可以包含SiF4。
與先前技術不同，本發明之製絨方法對矽晶圓表面進行製絨具有成本低、可批次製造、製絨化表面的反射率低、不同批次製造品質一致等優點。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
1‧‧‧製絨設備
10‧‧‧反應腔
102‧‧‧進氣口
104‧‧‧排氣口
106‧‧‧第一加熱器
108‧‧‧固定裝置
109‧‧‧氣體分散器
12‧‧‧氣體供應源
14‧‧‧蝕刻蒸氣產生裝置
141‧‧‧第一管路
1412‧‧‧第一末端
142‧‧‧第一處理罐
1422‧‧‧第三加熱器
1424‧‧‧第五管路
1426‧‧‧第四加熱器
143‧‧‧第二管路
1432‧‧‧第二末端
144‧‧‧第二處理罐
1442‧‧‧第二加熱器
145‧‧‧第三管路
146‧‧‧第三處理罐
147‧‧‧第四管路
148‧‧‧滴定管
16‧‧‧冷凝裝置
18‧‧‧混合閥
2‧‧‧矽晶圓
22‧‧‧表面
30‧‧‧酸性蒸氣
32‧‧‧第一酸性溶液
34‧‧‧第二酸性溶液
40‧‧‧自催化劑蒸氣
42‧‧‧矽粉末
50‧‧‧輔助氣體
52‧‧‧水
54‧‧‧油
V1、V2、V3、V4‧‧‧止回閥
圖1至圖3分別係本發明之一較佳具體實施例之之針對矽晶圓之製絨方法的各個程序步驟示意圖。
圖4係本發明之一較佳具體實施例之製絨設備的架構之示意圖。
圖5係本發明之一較佳具體實施例之製絨設備之一變化的架構之示意圖。
圖6與圖7係經本發明之製絨方法處理之多晶矽晶圓其表面輪廓的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
圖8與圖9係經類似本發明之製絨方法處理但無自催化劑蒸氣之多晶矽晶圓其表面輪廓的SEM照片。
圖10係經本發明之製絨方法處理之多晶矽晶圓及對照組多晶矽晶圓的反射率測試結果圖。
圖11係經本發明之製絨方法處理之多晶矽晶圓其表面輪廓的SEM照片。
請參閱圖1、圖2及圖3，該等圖式係示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之針對矽晶圓2之製絨方法的各個程序步驟。
於實際應用中，矽晶圓2可以是取自多晶矽鑄錠、單晶矽鑄錠或類單晶矽鑄錠等各類商用矽晶鑄錠的切片。
如圖1所示，根據本發明之較佳具體實施例之製絨方法，首先係將矽晶圓2置入密閉的反應腔10內。
接著，本發明之製絨方法係導入關於第一酸性溶液之酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40至密閉的反應腔10內。如圖2所示，酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40自反應腔10的至少一個進氣口102輸入至反應腔10內。此時，矽晶圓2的表面22與酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40產生反應進而蝕刻成製絨化表面22。
接著，如圖3所示，本發明之製絨方法係導入輔助氣體50至密閉的反應腔10內，以排清密閉的反應腔10內之酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40。輔助氣體50可以是空 氣、N2、Ar、NO2、H2O、He、Ne或上述氣體之混合物。酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40可以從反應腔10的至少一個排氣口104排出，如圖3所示。
最後，本發明之製絨方法係將矽晶圓2自反應腔10內取出並且進行清洗。
於實際應用中，利用本發明之製絨方法對矽晶圓進行製絨的操作過程，可以分多段進行，用以控制製絨結構。
於一具體實施例中，第一酸性溶液之成份可以包含40~55wt.%HF以及60~75wt.%HNO3，第一酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3=6~8：2~4。進一步，第一酸性溶液之成份還包含90~98wt.%H2SO4，第一酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3：H2SO4=6~8：2~4：1~3。
於一具體實施例中，自催化劑蒸氣40之成份可以包含SiF4。
於一具體實施例中，當酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40自密閉的反應腔10內排出時，酸性蒸氣30被冷凝成第一酸性溶液。
於一具體實施例中，當矽晶圓2的表面與酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40產生反應進而蝕刻成製絨化表面時，密閉的反應腔10並可被加熱。
與採用溶液的製絨先前技術不同，本發明之製絨方法改採用酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40，在不同批次製造時製絨製程條件容易控制一致，因此，矽晶圓製絨後的品質一致。
請參閱圖4，圖4係示意地繪示本發明之一較佳具體實施例之製絨設備1的架構。
如圖4所示，本發明之較佳具體實施例之製絨設 備1包含反應腔10、氣體供應源12以及蝕刻蒸氣產生裝置14。
請再參閱圖1至圖4，矽晶圓2係置入反應腔10內，隨後，反應腔10被密閉。氣體供應源12係與反應腔10連通，並且用以供應輔助氣體50蝕刻蒸氣產生裝置14係反應腔10連通，並且用以供應關於第一酸性溶液32之酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40。
本發明之較佳具體實施例之製絨設備1適於批次製造對矽晶圓2進行製絨。如圖4所示，多片矽晶圓2安置在固定裝置108，再置入密閉的反應腔10內。如圖4所示，酸性蒸氣30、自催化劑蒸氣40、輔助氣體50的流動方向與矽晶圓2的表面平行為佳，但本發明並不以此為限。為讓酸性蒸氣30、自催化劑蒸氣40、輔助氣體50的流動方向與矽晶圓2的表面平行，本發明之較佳具體實施例之製絨設備1還包含兩個氣體分散器109，分別安置在反應腔10內靠近進氣口102與排氣口104處。
於實際應用中，矽晶圓2的製絨程序係先將酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40導入至密閉的反應腔10內。矽晶圓2的表面22與酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40產生反應進而蝕刻成製絨化表面22。輔助氣體50隨後被導入至密閉的反應腔10內，以排清密閉的反應腔10內之酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40。矽晶圓2隨後自反應腔10內取出並且進行清洗。
於一具體實施例中，反應腔10還包含第一加熱器106，用以加熱反應腔10內環境。
於一具體實施例中，蝕刻蒸氣產生裝置14包含第一處理罐142、第二處理罐144以及第三處理罐146。第一處理罐142其內儲存水52。第一處理罐142係以第一管路141 與氣體供應源12連通。第一處理罐142內儲存的水52用以去除輔助氣體50的雜質。第一管路141的第一末端1412係插入水52內。第二處理罐144其內儲存第一酸性溶液32。第二處理罐144係以第二管路143與第一處理罐142連通，並且以第三管路145與反應腔10連通。第二管路143之第二末端1432係插入第一酸性溶液32內。從第一處理罐142傳輸的輔助氣體50流經第二處理罐144即產生酸性蒸氣30。
第三處理罐146其內儲存多顆矽粉末42以及第二酸性溶液34。第三處理罐146係以第四管路147與反應腔10連通。第二酸性溶液34與多顆矽粉末42發生反應，進而產生自催化劑蒸氣40。
於一具體實施例中，第二處理罐144還包含第二加熱器1442，藉由水52水浴加熱第二處理罐144內儲存的第一酸性溶液32。
於一具體實施例中，第三處理罐146也藉由水52對第二酸性溶液34與多顆矽粉末42發生反應所產生的熱降溫。
進一步，本發明之較佳具體實施例之製絨設備1還進一步包含冷凝裝置16。冷凝裝置16係與反應腔10連通，如圖4所示，冷凝裝置16連接至反應腔10的至少一個排氣口104。當酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40自密閉的反應腔10內排出至冷凝裝置16內時，酸性蒸氣30被冷凝裝置冷凝成第一酸性溶液32，進而回收第一酸性溶液32。於一具體實施例中，冷凝裝置16藉由低溫水52進行冷凝。
於一具體實施例中，第一酸性溶液32之成份可以包含40~55wt.%HF以及60~75wt.%HNO3，第一酸性溶液32之成份的體積比例為HF：HNO3=6~8：2~4。進一步，第一酸性溶液32之成份還包含90~98wt.%H2SO4，第一酸性溶液32之 成份的體積比例為HF：HNO3：H2SO4=6~8：2~4：1~3。
於一具體實施例中，第二酸性溶液34之成份可以包含HF、HNO3以及H2O，自催化劑蒸氣40之成份可以包含SiF4。第二酸性溶液34之成份中HF與HNO3的濃度以及體積比例範圍寬廣，皆可以產生SiF4此自催化劑蒸氣40。
本發明之較佳具體實施例之製絨設備1還進一步包含混合閥18，混合閥18裝設在反應腔10的至少一個進氣口102之前。本發明之較佳具體實施例之製絨設備1還進一步包含止回閥V1、止回閥V2、止回閥V3以及止回閥V4。止回閥V1裝設在混合閥18與氣體供應源12之間。止回閥V2裝設在氣體供應源12與第一處理罐142之間。止回閥V3裝設在第一處理罐142與第二處理罐144之間。止回閥V4裝設在第二處理罐144與第三處理罐146之間。藉由控制混合閥18止回閥V1、止回閥V2、止回閥V3以及止回閥V4，本發明之製絨設備1可以控制酸性蒸氣30、自催化劑蒸氣40以及輔助氣體50輸入、排出反應腔10。
由圖4所示本發明之製絨設備1其架構簡單，控制容易，成本低廉，適合批次製造。
請參閱圖5，圖5係示意地繪示本發明之較佳具體實施例之製絨設備1之一變化的架構。
如圖5所示，蝕刻蒸氣產生裝置14包含第一處理罐142、滴定管148以及第三處理罐146。第一處理罐142其內儲存油54或水52。於圖5中，第一處理罐142其內儲存油54。第一處理罐142係以第一管路141與氣體供應源12連通，第一管路141並且在第一處理罐142內盤轉。氣體供應源12用以供應加壓的輔助氣體50。第一處理罐142還包含第三加熱器1422，藉由油54油浴加熱在第一管路141內傳輸的輔助氣體50。第一處理罐142係以第五管路1424與反應腔 10連通。滴定管148其內儲存第一酸性溶液32。滴定管148與第五管路1424連通。滴定管148被控制將第一酸性溶液32滴入第五管路1424內與被加熱的輔助氣體50混合產生酸性蒸氣30。
同樣地，第三處理罐146其內儲存多顆矽粉末42以及第二酸性溶液34。第三處理罐146係以第四管路147與反應腔10連通。第二酸性溶液34與多顆矽粉末42發生反應，進而產生自催化劑蒸氣40。於圖5中具有與圖4中相同號碼標記之元件，有相同或類似的結構以及功能，在此不多做贅述。
於一具體實施例中，蝕刻蒸氣產生裝置14還包含第四加熱器1426。第四加熱器1426圍繞或包覆第五管路1424以及第四管路147，用以加熱第五管路1424以及第四管路147內的酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40。
於圖4及圖5中所述的酸性蒸氣30以及自催化劑蒸氣40僅是為描述本發明之蝕刻蒸氣產生裝置14的範例，本發明之蝕刻蒸氣產生裝置14並不以此為限。
請參閱圖6、圖7、圖8及圖9。圖6與圖7是多晶矽晶圓利用鑽石線切割且利用本發明之製絨方法A進行製絨後其表面輪廓的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片，圖6是較低倍率的照片，圖7是較高倍率的照片。製絨方法A所採用的第一酸性溶液的成份比例為HF：HNO3=7：3(體積比)，各種酸溶液的濃度(重量比)為：HF 49%、HNO3 69%，其餘條件為蝕刻時間：30分鐘、蝕刻厚度：2.25μm、配合自催化劑蒸氣。圖8與圖9是多晶矽晶圓利用鑽石線切割且利用類似本發明之製絨方法B進行製絨後其表面輪廓的SEM照片，圖8是較低倍率的照片，圖9是較高倍率的照片。做為對照，製絨方法B所採用的第一酸性溶液的成份比例為HF：HNO3=7：3(體 積比)，各種酸溶液的濃度(重量比)為：HF 49%、HNO3 69%，其餘條件為蝕刻時間：30分鐘、蝕刻厚度：1.08μm、無自催化劑蒸氣。圖6與圖7證實多晶矽晶圓經製絨方法A其表面呈現較均勻分散的微孔洞，圖8與圖9證實多晶矽晶圓經製絨方法B其表面呈現微孔洞分散較不均勻。足以證實本發明之製絨方法採用自催化劑蒸氣具有良好的功效。
請參閱圖10及圖11，圖10顯示本發明之一實際案例的反射率測試結果。於該實際案例中，多晶矽晶圓A是利用鑽石線切割且利用本發明之製絨方法進行製絨。做為對照，多晶矽晶圓B利用砂漿切割且利用RIE技術進行製絨，多晶矽晶圓C利用砂漿切割但表面未進行製絨。圖11為多晶矽晶圓A經製絨後其表面輪廓的SEM照片。於該實際案例中，本發明之製絨方法所採用的第一酸性溶液的成份比例為HF：HNO3：H2SO4=7：3：2(體積比)，各種酸溶液的濃度(重量比)為：HF 49%、HNO3 69%、H2SO4 96%，其餘條件為蝕刻時間：40分鐘、蝕刻厚度：3.29μm、蝕刻速度：0.082μm/min、配合自催化劑蒸氣。
圖10證實多晶矽晶圓A的反射率遠低於多晶矽晶圓B及多晶矽晶圓C的反射率。多晶矽晶圓C的平均反射率為36.9%，多晶矽晶圓B的平均反射率為25.2%，多晶矽晶圓A的平均反射率為19.5%。圖11證實多晶矽晶圓A經製絨後其表面呈現均勻分散的微孔洞，微孔洞的孔徑範圍為35~115μm，足以證實本發明之製絨方法能對鑽石線切割多晶矽晶圓製造出低反射率的製絨化表面。再次強調，針對鑽石線切割的多晶矽晶圓之製絨方法先前技術，其經製絨後的多晶矽晶圓的反射率皆高於20%。
請參閱表1，多組鑽石線切割的多晶矽晶圓利用本發明之製絨方法進行製絨後，其反射率測試結果列於表1。錄列表於表1。各組多晶矽晶圓在製絨過程酸性蒸氣溫度、反 應腔內溫度等製程條件也列於表1。
表1所列測試結果證實，升高酸性蒸氣溫度及反應腔內溫度，經製絨處理後的多晶矽晶圓其反射率大幅下降，遠低於20%，甚至低於12%。
綜上所述，咸信能清楚了解本發明之製絨方法對矽晶圓表面進行製絨具有成本低、可批次製造、製絨化表面的反射率低、不同批次製造品質一致等優點。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的面向內。因此，本發明所申請之專利範圍的面向應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。

Claims (13)

  1. 一種針對一矽晶圓之製絨方法，包含下列步驟：(a)將該矽晶圓置入一密閉的反應腔內；(b)導入關於一酸性溶液之一酸性蒸氣以及一自催化劑蒸氣至該密閉的反應腔內，其中該矽晶圓之一表面與該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣產生反應進而蝕刻成一製絨化表面，該酸性溶液之成份包含40~55wt.%HF以及60~75wt.%HNO3，該酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3=6~8：2~4；(c)導入一輔助氣體至該密閉的反應腔內，以排清該密閉的反應腔內之該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣，其中該輔助氣體係選自由空氣、N2、Ar、NO2、H2O、He、Ne以及上述氣體之混合物所組成之群組中之其一；以及(d)將該矽晶圓自該反應腔內取出並且進行清洗，其中該矽晶圓之一反射率係低於12%。
  2. 如請求項1所述之製絨方法，其中該自催化劑蒸氣之成份包含SiF4。
  3. 如請求項2所述之製絨方法，其中該酸性溶液之成份還包含90~98wt.%H2SO4，該酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3：H2SO4=6~8：2~4：1~3。
  4. 如請求項1所述之製絨方法，其中於步驟(c)中，當該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣自該密閉的反應腔內排出時，該酸性蒸氣被冷凝成該酸性溶液。
  5. 如請求項1所述之製絨方法，其中於步驟(b)中，該密閉的反應腔並且被加熱。
  6. 一種製絨設備，包含：一反應腔，其中一矽晶圓係置入該反應腔內，該反應腔被密閉；一氣體供應源，係與該反應腔連通，用以供應一輔助氣體，其中該輔助氣體係選自由空氣、N2、Ar、NO2、H2O、He、Ne以及上述氣體之混合物所組成之群組中之其一；以及一蝕刻蒸氣產生裝置，係與該反應腔連通，用以供應關於一第一酸性溶液之一酸性蒸氣以及一自催化劑蒸氣，其中該第一酸性溶液之成份包含40~55wt.%HF以及60~75wt.%HNO3，該酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3=6~8：2~4；其中該矽晶圓之一製絨程序係先將該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣導入至該密閉的反應腔內，該矽晶圓之一表面與該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣產生反應進而蝕刻成一製絨化表面，該輔助氣體隨後被導入至該密閉的反應腔內，以排清該密閉的反應腔內之該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣，該矽晶圓隨後自該反應腔內取出並且進行清洗，其中該矽晶圓之一反射率係低於12%。
  7. 如請求項6所述之製絨設備，其中該蝕刻蒸氣產生裝置包含：一第一處理罐，其內儲存一水，係以一第一管路與該氣體供應源連通，該第一管路之一第一末端係插入該水內；一第二處理罐，其內儲存該第一酸性溶液，係以一第二管路與該第一處理罐連通且以一第三管路與該反應腔連通，該第二管路之一第二末端係插入該第一酸性溶液內，其中從該第一處理罐傳輸之該輔助氣體流經該第二處理罐即產生該酸性蒸氣；以及一第三處理罐，其內儲存多顆矽粉末以及一第二酸性溶液，該第三處理罐係以一第四管路與該反應腔連通，該第二酸性溶液與該多顆矽粉末發生反應進而產生該自催化劑蒸氣。
  8. 如請求項7所述之製絨設備，其中該第二酸性溶液之成份包含HF、HNO3以及H2O，該自催化劑蒸氣之成份包含SiF4。
  9. 如請求項8所述之製絨設備，其中該第一酸性溶液之成份還包含90~98wt.%H2SO4，該第一酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3：H2SO4=6~8：2~4：1~3。
  10. 如請求項6所述之製絨設備，其中該蝕刻蒸氣產生裝置包含：一第一處理罐，其內儲存一油或一水，係以一第一管路與該氣體供應源連通且以一第二管路與該反應腔連通，該第一處理罐包含一加熱器，用以加熱在該第一管路內傳輸之該輔助氣體；一滴定管，其內儲存該第一酸性溶液，並且與該第二管路連通，該滴定管被控制將該第一酸性溶液滴入該第二管路內與被加熱之該輔助氣體混合產生該酸性蒸氣；以及一第二處理罐，其內儲存多顆矽粉末以及一第二酸性溶液，該第二處理罐係以一第三管路與該反應腔連通，該第二酸性溶液與該多顆矽粉末發生反應進而產生該自催化劑蒸氣。
  11. 如請求項10所述之製絨設備，其中該第二酸性溶液之成份包含HF、HNO3以及H2O，該自催化劑蒸氣之成份包含SiF4。
  12. 如請求項11所述之製絨設備，其中該第一酸性溶液之成份還包含90~98wt.%H2SO4，該第一酸性溶液之成份的體積比例為HF：HNO3：H2SO4=6~8：2~4：1~3。
  13. 如請求項6所述之製絨設備，進一步包含一冷凝裝置，係與該反應腔連通，其中當該酸性蒸氣以及該自催化劑蒸氣自該密閉的反應腔內排出至該冷凝裝置內時，該酸性蒸氣被該冷凝裝置冷凝成該第一酸性溶液。
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EP1460682A1 (en) * 2001-10-24 2004-09-22 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Method and apparatus for etching silicon wafer and method for analysis of impurities
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